Научная статья на тему 'Анализ влияния шума спонтанного излучения на параметры амплитудной модуляции инжекционных лазеров накачкой'

Анализ влияния шума спонтанного излучения на параметры амплитудной модуляции инжекционных лазеров накачкой Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
113
32
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Анализ влияния шума спонтанного излучения на параметры амплитудной модуляции инжекционных лазеров накачкой»

Секция микроволновых и квантовых приборов и устройств

8. Малышев В.А. Сверхвысокочастотная и термоядерная гипотезы о природе шаровой молнии / Труды Таганрогского радиотехнического института. Вып.27. - Таганрог, 1974. - С. 237-243*

9. Арцимович Л.А. Управляемые термоядерные реакции. - М.: Физматгиз, 1961.

10. Малышев В.А. Феноменологическая теория однокомпонентной термодиффузии // Известия вузов. Физика. 1965. № 2. - С. 70-72.

11. Заметка «НЛО над Джакартой?» // Комсомольская правда/ 1989. 28 января.

12. Павлов А. «НЛО помогли создать американцам супероружие» // Газета Комсомольская

. 2002. 21 .

УДК 621.382

С.В. Караваев, ЕЛ. Осадчий

МЕТОД АНАЛИЗА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЧАСТОТЫ НА СЛОЖНЫХ

НЕГАТРОНАХ

Вольт-амперная характеристика сложных негатронов обычно имеет вид ко, -проксимировать функцией 1= Д(И)=аИ- Ьи3+си5, где постоянные а, Ь, с могут быть определены из системы трех уравнений 1) = Д(И0); ^Ш=0 при и=и0; 1 =0 =Д(кИ0), где ¡о и и0 - соответствует максимуму функции Д(И), а при и=ки0 кривая пересекает ось и. Определенные таким образом параметры а, Ь, с позволяют найти функ-

• / • гг • тг • у

ции ШМИ=1 =^(И); 1 =f2(И); =1 =fз(И); 1 =4(И); 1 =5(И), которые по анало-

гии с методами, описанными в [1], дают возможность рассчитать те зависящие от амплитуд А1; А2; А3 переменных полей частот юь ю2 и (ю^ ш2) проводимости Уь У2, У3, в соответствии со способом, изложенном в [1], после приравнивания их проводимостям нагрузок в эквивалентных схемах по этим частотам У1=У1; У2=У 2; У3=У 3 1 2

сигналов амплитуды А3 напряжения промежуточной (либо суммарной) частоты и, подбирая элементы схем и рабочую точку на характеристике 1= Д(И), дают возможность оптимизировать параметры негатронного преобразователя частоты.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Мал ышев В.А.,Червяков Г.Г.,Ганзий Д.Д. Нелинейные микроволновые полупроводниковые устройства. - Таганрог: ТРТУ, 2001. - 354 с.

УДК 621.373

. . , . .

АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ШУМА СПОНТАННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ АМПЛИТУДНОЙ МОДУЛЯЦИИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ НАКАЧКОЙ

Скоростные уравнения (уравнения Статца де Марса), полученные на основе представлений, развитых в работе [1], с учетом влияния доли (Ь) шума, ограниченного спонтанного излучения, попадающей в рабочую моду резонатора, имеют вид

d6/dt = N-«-[(0+K)/2)]2; ёФ/ёт = ж(в- 1)Ф + Ъ[(в + K)/2]2, (1)

где безразмерные параметры N (параметр накачки), 0 (степень возбуждения лазера относительно стационарного автоколебательного режима), Ф (параметр интенсивности излучения), т (время), К (параметр заполнения уровней структуры), ж (параметр потерь) определяются соотношениями:

Т = 2q21(An0)t; q21 = °р2^2;Ф = Io21/hvq21(An0); N = D1 q21(An0) ;

(2)

в = An/An0; К = n0/(An0); ж = Щ¥/q21(An0); n0 = n1 + n2,

n20 - n10 = An0 = [2a1L + ln(1 / Г1Г2)/a21L = 2a1/<r21, (3)

где ap2 и V2 - поперечное сечение спонтанной рекомбинации электронов и дырок и их взаимная средняя скорость; I - интенсивность излучения; D - скорость прихода

( ); 21 - -ванного взаимодействия одного кванта с энергией hv и эле ктрона; а1 - постоянная затухания амплитуды поля излучения; L-даина резонатора; Г1 и Г2 - коэффициенты отражения поля от зеркал резонатора; a1 - усредненная с учетом прохождения

зеркал постоянная затухания поля; V - скорость квантов; An= n2-n1 -инверсная разность населенностей рабочих уровней. Вначале, полагая b = 0, получим 0 = 1 и из первого уравнения (1) найдем Ф= Ф01 = N- R2; R= (1+K)/2. Подставляя это во

второе уравнение (1) и считая 0 =00=1-0ь получим вх ~ bR2/N - R2 ; Ф= Ф0 = =N-R2[1- bR2(1+R/(N- R2))]. Полагая, что при модуляции параметры N, 0 и Ф меняются в соответствии с выражениями:

N=N0+N1eJYT; 9 = 00+ 02^; Ф=Ф0+Ф1еКтт+ф), (4)

И, подставляя (5) в (1) с учетом значений 00 и Ф0, получим соотношения

Ф1/N1 = 1 -d/4(1 - х)2 + px; D = 2bR3/Ф0(N -R2);x = (г/^)2; (5) Y = ^{N0 - R2 + bR[1 + r(1 + (2R/(N - R2)))}; <p = -arctg(JPX\/(1 - x)); p = {N0 - r[r -1 - bR[1 + (R + ж - 0,5)I(N - R2)]]}, (6)

b ( 1/N1).

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Малышев BA. Квазилинейная теория инверсной населенности полупроводниковых лазеров // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1999. № 5. С. 3-10.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.