YARIMKEÇIRICILƏRIN TEXNOLOGIYADA VƏ GÜNDƏLIK HƏYATDA TƏTBIQI Текст научной статьи по специальности «Естественные и точные науки»

Impact Factor: SJIF 2020 - 5.497 2021 - 5.81

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

367

УДК 372.853

YARIMKECIRICILÖRIN TEXNOLOGIYADA VÖ GÜNDÖLIK HÖYATDA TÖTBIQI.

hösönov oktay maílovíc,

fizika üzra falsafa doktoru, ADPU «Ümumi fizika» kafedrasinin dosenti, Baki, Azarbaycan

CÖLILOVA SEVINC XaZAY QIZI, pedaqogika üzra falsafa doktoru, ADPU «Fizikanin tadrisi metodikasi» kafedrasinin dosenti,

Azarbaycan

Annotasiya: Yarimkegirici materiallarin fdrqli va hamginin standartlardan kanar xarakteristikalari onlari böyük miqyasda tatbiqina §arait yaradir. Yarimkegirici qurgularin özünü formala§diran p-n qov§aqlari, p tip va n tip yarimkegiricilar alaqa da olan zaman amala galir. Yarimkegirici qurgulara fotodiodu aid eda bilarik, hamin bu diod p-n qov§aqlari ila iki hissaya bölünmü§ fotosel qabul edilib.

Agar sözlzr: yarimkegirici, p tip va n tip, fotosel, fotoelement, fotorezistor, fotodiod.

Dövra hissasinda carayanin amala galmasi da ela mahz hamin bu fotosela qar§i i§igin daxilina i§lamasi ila baglidir. ͧigin intensivliyinin qiymatini müayyan etmak, siqnalizasiya avtomatla§dirma kimi proseslarin görülmasi ü9ün Yarimke^rici fotoelementlar asas maqamda idi. Fotoqalvanik element bir va ya bir ne9a elektron de§ik ke9idi olan yarimke9iricilara deyilir. Yarimke9irici fotosellar spektrin farqli bölagalarinda geni§ maraga sabab olur. Bu növ fotodiodlar yarimke9irici fotoelementlar adlanir. Daxili fotoelektrik effektina asasan agar fotodiod üstüna i§iq galarsa fotodiod iki hissasina da cüt sayda yük da§iyicilar amala galar. Bu fotoelementlarin i§lama mexanizmi manea tabaqasinin fotoelektrik effektina istinad edir. Bu mexanizmla i§layan fotosellara manea tabaqasina malik fotosellar deyilir. Xarici fotoelektrik effektina malik olan fotoelementlardan farqli olaq Valf fotoelementlari ba§qa cür xüsusiyyatlara malikdir. Bu fotoelementlar elektromotor qüvvasinin amala galmasina i§iiqlandirildigi §arait ü9ün imkan vermir, lakin radiasiyani keyfiyyatli nümayi§ etdira bilirlar. Fotoelement üzarindan elektrik sahasini yaratmaqla takca i§iiqlandirilma olmadan burada fotocarayanin mövcudlugu mümkündür. Yaranmi§ elektrik sahasi anod ham9inin fotokataddan ke9ib galan har bir elektronun anoda galmasi ü9ü §arait yaradir. Dayi§maz garginlik manbayi qazanmaq ü9ün fotovoltaik dövranin i9arisina akkumulyator sala bilarik. Fotosellarin va ham9inin fotorezistorlarin i§lamasi ü9ün garginlik manbayinin elektrik dövrasina "istaksiz" salinmalidir, aks halda onlar aktiv vaziyyatda olmazlar. Qeyd etdiyimiz qurgular özündan radiasiya elektronlari yayir, va dayi§maz garginlik manbayinin yardimi vasitasila onlari yenidan i§latmak mümkündür. Dövra hissasinda elektrik carayaninin varligi fotoselin ayri -ayri tabaqalarini ke9irici materiala qo§an zaman mü§ahida olunur. Fotoelektrik cihazlari, yuxarda qeyd etdiyimiz fotosellarin digar növlari ila alaqadardir. Hamin növlaraa asasan fotosensorlar va onunla bagli digar növ qurgular meydana galir. Yarimke9irici cihazlardan olan fotosellar, fotodiodlar i§lama mexanizmlari fotovoltaik effekta asaslanir. Ham9inin bu qurgular Yarimke9irici qurgulardir va p-n yani elektron-de§ik qov§agina sahibdirlar. Yarimke9irici materialin özünda sarbast halda olan da§iyicilarin miqdarinin artmasi qurgu üzarinda optik §üalanmanin qabul edilmasi ila bilavasita baglidir.

Bu qruplara ham9inin güna§ elementlari,fototranzistorlar,fotodiodlar,fotorezistorlar va fotoelementlar daxildir. Sensor- dövrani ta§kil edan vacib tarkib hissasidir, dayi§an carayan güclandiricisidir. Hazirlanmasi tranzistorlarin üstünda olan dövraya asasan aparilmi§dir. Yarimke9irici fotosellarin digar növlarindan- fotodiodlardan klapan fotosellarindan habele fototranzistorlardan görünan hissalarda tatbiq edilir. Tak bir fotodiodun istifadasi uzaq olmayan infraqirmizi hissaya uygundur. Daxili fotoelektrik effektina malik fotosellar he9nayin olmadigi bo§luqda geni§ öl9üda inteqral hassasligina sahibdirlar. Bu növ qurgularin hazirlanib hasil edilmasi ü9ün müayyan yarimke9irici materiallara masalan; CdS,PbS,PbSe ehtiyac duyulur. ögar qirmizi sarhaddin öl9üsü 1 mkm-dan az olsa, va hamin bu qiymat vakuum fotoelementlarina aiddirsa o zaman spektrin böyük masafalarina göra fotorezistor üzarinda hesablamalar aparmaq olar. Ham9inin bu

ОФ "Международный научно-исследовательский центр "Endless Light in Science"

Impact Factor: SJIF 2020 - 5.497 2021 - 5.81

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

36 8

qurgular az öl9üda garginlik qiymatina sahibidirlar. Bu qadar funksiyalara malik olmalarina baxmayaraq onlarin texnikada istifadasinin qar§isini alan bir sira xüsusiyyatlarida vardir;böyük atalat öl9üsüna malikdirlar,naticada tez bir zamanda ba§qa qiymatlar alan i§iq axinlarini müayyan elamak mümkün deyil .

Bu növ qurgularin i§lama mexanizmini daha yax§i göstarmak ü9ün de§ik-elektron ke?iriciliyini xatirlayaq. Elektrik ke9iriciliyinin farqli qiymat almasi i§iqlandirmanin ba§qa qiymat almasi ila mütanasibdirsa, onda bele yarimke9irici nümunalar i§iq müqavimati adlanir. indiki dövrda fotorezistorlari tartib etmak ü9ün kadmium, qugu§un selenid tarkibli vasaitlardan istifada olunur.

ÍSTÍFAD9 OLUNMU§ 9D9BÍYYATIN SÍYAHISI

1. Дж.М. Сафаров, Х.А. Адгезалова., Гасанов О. М. Фотоэлектрические свойства монокристалла (SnS)0,999(NdS)0,001. BDU-nun Fizika problerlari insninunun yaradilmasinin 10 illieina hasr olunmu§ beynaxalq konfrans, 25 dekabr, 2015.

2. Х. А. Адгезалова, Дж. И. Гусейнов, А. О. Дашдемиров, Гасанов О. М. Влияние атомов Gd на фоточувствительность монокристалла SnS Прикладная физика, научно-технический журнал, 2017,№4, Москва

3. Мадатов Р.С., Алекперов А.С., Набиев А.Э, Гасанов О. М..Влияние гамма облучения на фотопроводимость монокристаллов Ge1-x Ndx S ТРУДЫ XXIX МЕЖДУНАРОДНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ «РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА»

(Севастополь, 08-13 июля 2019 г.)

4. И. В. Боднарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, А. М. Ковальчук Фоточувствительные структуры на монокристаллах CuIn5Te8: создание и свойства. - Физика и техника полупроводников. -2011 год. - Т. 45. - вып. 5.

5. П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатовский. Журнал «Успехи физических наук», том 183, №№2, Москва,2013г. стр. 114 - 129.

6. Адгезалова Х.А., Гусейнов Д.И., Гасанов О. М.. Собственные и примесные полупроводники Международный исследовательский центр «Endless Light in Science» MAY 2023 ALMATY, KAZAKHSTAN, Sah.448-449.

ОФ "Международный научно-исследовательский центр "Endless Light in Science"