Влияние режимов травления на морфологию поверхности пористого карбида кремния Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

УДК 661.665.1

Н.Н.Московченко, А.М. Светличный ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ТРАВЛЕНИЯ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ

Карбид кремния является перспективным полупроводниковым материалом для высокотемпературной электроники. Ряд уникальных физических свойств карбида кремния (SiC), такие как высокие радиационная, механическая и химическая стойкость, теплопроводность, высокий предел рабочих температур приборов на его основе, обусловливает значительный интерес к этому полупроводнику в современной твердотельной электронике.

Особый интерес вызывает исследование пористого карбида кремния, обладающего развитой поверхностью, которая может быть использована в качестве чувствительного элемента в газовых сенсорах.

В работе исследовалось влияние режимов анодного травления на морфологию поверхности низкоомного и высокоомного пористого SiC, изготовленного фирмой Bandgap Technologies. Травление проводилось в растворе HF : H2O:C2H5OH (1:1:2) без подсветки, и с подсветкой ультрафиолетовым светом при различной плотности тока.

Было установлено, что с проникновением в глубь подложки поры выстраиваются в направлении, перпендикулярном поверхности, и образуют в сечении разветвленную структуру. При этом существует четкая граница между подложкой и пористым слоем, позволяющая довольно точно определить толщину пористого слоя.

Полученные результаты позволяют сделать следующие выводы:

- диаметр пор увеличивается с ростом плотности тока;

- при увеличении времени травления увеличивается глубина залегания пор и их

размеры. При этом изменяется и сама их форма от окружностей до вытянутых

эллипсов.