CC BY
41
Секция технологии микроэлектронной и наноэлектронной аппаратуры
14. Persson C., Lindefelt U. // Mat. Sci. Forum 264-268. 1998. P. 275-278.
15. YuA.Y.C. // Solid-State Electronics. V. 13. P. 239. 1970.
16. Padovani F.A., Stratton R. // Solid-State Electronics. №9. 1966. P. 695.
17. Varahramyan K., Verret E.J. // Solid-State Electronics. V. 39. 1996. P. 1601.
УДК 661.665.1
H.H. Московченко, A.M. Светличный ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ТРАВЛЕНИЯ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ
Карбид кремния является перспективным полупроводниковым материалом для высокотемпературной электроники. Ряд уникальных физических свойств карбида кремния (SiC), таких, как высокие радиационная, механическая и химическая , ,
, -менной твердотельной электронике.
Особый интерес вызывает исследование пористого карбида кремния, обладающего развитой поверхностью, которая может быть использована в качестве чувствительного элемента в газовых сенсорах.
В работе исследовалось влияние режимов анодного травления на морфологию поверхности низкоомного и высокоомного пористого SiC, изготовленного фирмой Bandgap Technologies. Травление проводилось в растворе HF: H2O:C2H5OH (1:1:2) без подсветки и с подсветкой ультрафиолетовым светом при различной плотности тока.
, -
ются в направлении, перпендикулярном поверхности, и образуют в сечении раз.
,
слоя.
Полученные результаты позволяют сделать следующие выводы:
♦ диаметр пор увеличивается с ростом плотности тока;
♦
пор и их размеры. При этом изменяется и сама их форма от окружностей до вытянутых эллипсов.
УДК 621.3.011.212:681.586.78
..
МОДЕЛЬ ДАТЧИКА ХОЛЛА ДЛЯ МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫХ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ
Использование датчиков Холла (ДХ) в качестве элементов, управляющих параметрами аналогов негатронов (АН), поставило на повестку дня вопрос о создании их корректной эквивалентной схемы замещения и метода измерения ее параметров. Предлагаемая схема замещения ДХ (рис.1), содержащая нелинейные со-( ), , (i ),
