ВЛИЯНИЕ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВА+, NA+, LI+ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОВЕРХНОСТИ SI Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

УДК 539.1.08

Хамзаев А.И. старший преподаватель Ирисбоев Ф. ассистент

Джизакский политехнический институт

ВЛИЯНИЕ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВА+, NA+, LI+ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОВЕРХНОСТИ SI

Аннотация. В работе исследовано изменение удельной электропроводимости поверхности Si (111) n- типа в процессе имплантации ионов Ba, Na и Li с энергией Ео=1 кэВразличной дозой. Оценка толщины силицидной пленки методом послойного оже - анализа показала, что для энергии ионов Е0=1 кэВ толщина пленок составляет 5-6 нм (или 5060 А). В области температур от Тхр до Тр силицидные пленки имеют линейную зависимость о = о(Т).

Ключевые слова: имплантация, ион, удельной электропроводимость и Оже - анализ.

Khamzaev A.I.

senior lecturer Irisboev F. assistant

Jizzakh Polytechnic Institute

INFLUENCE OF LOW-ENERGY IMPLANTATION OF BA+, NA+, LI+

IONS ON THE ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF THE SI SURFACE

Annotation. The work investigated the change in the specific electrical conductivity of the n-type Si (111) surface during the implantation of Ba, Na and Li ions with energy Ео = 1 keV at various doses. An assessment of the thickness of the silicide layer using the method of layer-by-layer Oje analysis showed that for ion energy E0 = 1 keV, the thickness of the layers is 5-6 nm (or 50-60 А). In the temperature range from Tkr to Tr, silicide layers have a linear dependence о = o(T).

Key words: implantation, ion, electrical conductivity and Auger analysis.

В работе исследовано изменение удельной электропроводимости поверхности Si (111) n- типа в процессе имплантации ионов Ba, Na и Li с энергией Ео=1 кэВ различной дозой [1,2]. Имплантация ионов (не зависимо от типа ионов) до дозы D=8-1014 см-2 практически не приводит к изменению о (рис 1). Это вероятно связано с глубоким проникновением

имплантируемых ионов и малым их вкладом в поверхностную приводимость [4,5]. Хотя следует отметить, что имплантация ионов Ва и щелочных элементов с дозой D~1014 см-2 приводит к увеличению концентрации электронов на донорных уровнях и к началу расщепления донорных уровней [6]. Однако при этих дозах поверхностная область Si(111) сильно разупорядочивается, что ведет к уменьшению электропроводимости поверхности, последнее компенсирует вклад увеличения концентрации доноров в рост о. О правомерности подобного механизма свидетельствуют минимумы на дозных зависимостях о (рис.1) [7]. С увеличением дозы имплантируемых ионов наблюдается резкий рост о вплоть до D=1017см-2.

ю-ю' 10

I

ю-

1С"

гт, Ои 'сн

f

Зя

Г»

$

f • > Л'/

I0J

1 п

14

10

1У

)й

1С

10

Li

£> aur1 >

10'

10':

10

IJtcr OMj1l-cm

10

1

f

к.

\

fin

il » 4 г \

у

VMd 4-

' T,

b<

т к

300 Л0 700 000 HOG l Ж

Piic. 1. Зависимости удельной электропроводности a

поверхности Si£lll) от дозы имплантации ионов (Li". Na+ и

Рис. 2. Зависимости удельной электропроводности о

поверхности Si(lll)

J- ^ww

имплантированного ионами (Li+. Na" и Ва") от

\ * ww\ /

На рис.2 приведены зависимости удельной электропроводности о поверхности Si (111), имплантированного ионами Li+, Na+ и Ва+ с энергией E0=1 кэВ с дозой D=2 1017 см-2 от температуры последующего отжига. Видно, что, начиная с температуры Ткр соответствующей рекристаллизации имплантированной области [8], наблюдается резкий рост о. По нашему мнению при Т=Ткр наблюдается образование наноразмерных пленок LiSi, NaSi, BaSi.Оценка толщины силицидной пленки методом послойного оже -анализа показала, что для энергии ионов E0=1 кэВ толщина пленок составляет 5-6 нм (или 50-60 А).В области температур от Тхр до Тр силицидные пленки имеют линейную зависимость о = о(Т) [9].

Использованные источники: 20. Mustofoqulov, J. A., & Bobonov, D. T. L. (2021). "MAPLE" DA SO'NUVCHI ELEKTROMAGNIT TEBRANISHLARNING MATEMATIK TAHLILI. Academic research in educational sciences, 2(10), 374-379.

21. Mustofoqulov, J. A., Hamzaev, A. I., & Suyarova, M. X. (2021). RLC ZANJIRINING MATEMATIK MODELI VA UNI "MULTISIM" DA HISOBLASH. Academic research in educational sciences, 2(11), 1615-1621.

22. Иняминов, Ю. А., Хамзаев, А. И. У., & Абдиев, Х. Э. У. (2021). Передающее устройство асинхронно-циклической системы. Scientific progress, 2(6), 204-207.

23. Каршибоев, Ш. А., Муртазин, Э. Р., & Файзуллаев, М. (2023). ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ. Экономика и социум, (4-1 (107)), 678-681.

24. Мулданов, Ф. Р., Умаров, Б. К. У., & Бобонов, Д. Т. (2022). РАЗРАБОТКА КРИТЕРИЙ, АЛГОРИТМА И ЕГО ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ДЛЯ СИСТЕМЫ ИДЕНТИФИКАЦИИ ЛИЦА ЧЕЛОВЕКА. Universum: технические науки, (11-3 (104)), 13-16.

25. Мулданов, Ф. Р., & Иняминов, Й. О. (2023). МАТЕМАТИЧЕСКОЕ, АЛГОРИТМИЧЕСКОЕ И ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ СОЗДАНИЯ СИСТЕМЫ РОБОТА-АНАЛИЗАТОРА В ВИДЕОТЕХНОЛОГИЯХ. Экономика и социум, (3-2 (106)), 793-798.

26. Ирисбоев, Ф. Б., Эшонкулов, А. А. У., & Исломов, М. Х. У. (2022). ПОКАЗАТЕЛИ МНОГОКАСКАДНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ. Universum: технические науки, (11-3 (104)), 5-8.

27. Zhabbor, M., Matluba, S., & Farrukh, Y. (2022). STAGES OF DESIGNING A TWO-CASCADE AMPLIFIER CIRCUIT IN THE "MULTISIM" PROGRAMM. Universum: технические науки, (11-8 (104)), 43-47.

28. Каршибоев, Ш., & Муртазин, Э. Р. (2022). ТИПЫ РАДИО АНТЕНН. Universum: технические науки, (11-3 (104)), 9-12.