CC BY
4
№ 11 (104)
A UNI
¿ЗДй. ТЕ)
UNIVERSUM:
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ноябрь, 2022 г,
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ВЛИЯНИЕ ОКИСНОЙ ПЛЕНКИ НА КОЭФФИЦИЕНТЫ РАСПЫЛЕНИЯ КРЕМНИЯ
Раббимов Эшбой Азимович
доц.,
Джизакский политехнический институт, Республика Узбекистан, г. Джизак E-mail: kirenakirka. fr@inbox. ru
Иняминов Юлдаш Орибхонович
ассистент,
Джизакский политехнический институт, Республика Узбекистан, г. Джизак
INFLUENCE OF OXIDE FILM ON SILICONE SPUTTERING COEFFICIENTS
Eshboy Rabbimov
Docent,
Jizzakh Polytechnic Institute, Republic of Uzbekistan, Jizzakh
Yuldash Inyaminov
Assistant
Jizzakh Polytechnic Institute, Republic of Uzbekistan, Jizzakh
АННОТАЦИЯ
Основной целью данной работы являлось изучение влияния внедренных атомов Ba на коэффициент распыления поверхности кремния и изучение влияния ионной бомбардировки на разрушение тонкой окисной пленки формирующийся на поверхности Si.
ABSTRACT
The main goal of this work was to study the effect of intercalated Ba atoms on the sputtering coefficient of the silicon surface and to study the effect of ion bombardment on the destruction of a thin oxide film formed on the Si surface.
Ключевые слова: ионная бомбардировка, оже-электронная спектроскопия, модель Монте-Карло. Keywords: ion bombardment, Auger electron spectroscopy, Monte Carlo model.
Бомбардировка чистого 81 и 81 с оксидной пленкой проводили в вакууме не менее 10 -5 Па с ионами Ва + , 81 + и Лг + с энергией Ео = 0,5 - 5 кэВ перпендикулярно поверхности [1]. Состав поверхностного и приповерхностного слоев изучался с помощью электронной оже-электронной спектроскопии (ОЭС) [2]. Профили распределения атомов по глубине определялись методом ОЭС в сочетании с травлением поверхности ионами Лг+ с Ео = 3 кэВ. Перед ионной бомбардировкой образцы 81 (111) очищались высокотемпературным прогревом[3].
Расчеты проводились с использованием статических моделей и алгоритмов, разработанных Т.С. Пугачевой, где использовалась динамическая модель монте-карло CASNEW- D [4]. Эта модель учитывает изменение концентрации всех компонентов
(включая имплантированную примесь) в каждом слое толщиной порядка межатомного расстояния[5]. Такое изменение происходит за счет каскадного смешения, взбалтывания и релаксации концентрационных напряжений, возникающих при высоких дозах облучения [6].
На рис. 1 представлены экспериментальные и расчетные профили распределения атомов Ва в 81 для 81 , имплантированного ионами Ва + при дозах Б = 510 15 , 10 16 и 810 16 см -2 при Е о = 1 кэВ [7]. Видно, что распределение происходит постепенно с увеличением дозы. Результаты экспериментов показали, что с увеличением дозы ионов, начиная с Б = 210 16 см -2 , концентрация Ва незначительно увеличивается только на поверхности и вблизи нее. Насыщение происходит при высоких дозах облучения. В расчетах насыщение
Библиографическое описание: Раббимов Э.А., Иняминов Ю.О. ВЛИЯНИЕ ОКИСНОЙ ПЛЕНКИ НА КОЭФФИЦИЕНТЫ РАСПЫЛЕНИЯ КРЕМНИЯ // Universum: технические науки : электрон. научн. журн. 2022. 11(104). URL: https://7universum.com/ru/tech/archive/item/14549
№ 11 (104)
A UNI
¿ЗДй. ТЕ)
UNIVERSUM:
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ноябрь, 2022 г,
начинается с D = 410 16 см -2 , а в эксперименте -с Б = 8 10 16 см -2 [8]. Приблизительные расчеты производятся по формуле Е о = 1 кэВ и г = 0,6 показал
значение С ргеё = 0,58 (58 ат. %), что хорошо согласуется с точным расчетом (С Ва = 52 ат. %) и экспериментальными данными (С Ва = ) близко Спички [9]. 49 ат.%) [10,11].
Рисунок 1. В, см -2:1,1 ' - 6 Расчетная (1 ' - 3 ') и экспериментальная (1 - 3) зависимости атомной концентрации Ва от глубины 81 для доз Е о = 1 кэВ.15 , 2, 2 ' -1016, 3, 3 ' - 21016 , 4 ' - 81016[10]
В виде. На рис. 2 представлены расчетные кривые зависимости парциальных коэффициентов рассеяния атомов 81 и Ва от дозы облучения, возникающей при бомбардировке 81 ионами Ва + с Е о =1 кэВ [11]. Видно, что при малых дозах
ионов (Б < 5 10 15 см -2 ) коэффициент распыления кремния увеличивается с увеличением дозы практически линейно и существенно не изменяется от Б = 10 16 см "2 [12].
Рисунок 2. Зависимость парциальных коэффициентов распыления 81 и Ва от дозы при Е 0 = 1 кэВ [13]
При этом соответственно увеличивается концентрация атомов Ва в поверхностном слое, в диапазоне доз от ~ 5 10 15 см -2 до ~ 5 10 16 см -2 увеличивается их коэффициент рассеяния [14]. В больших дозах ( Д >5 10 16 см -2 ) происходит насыщение,
т. е. начиная с определенной дозы концентрация примесей в поверхностном слое не меняется, а частично коэффициенты распыления 81 и Ва в определенной степени стабилизируются [15].
№ 11 (104)
UNIVERSUM:
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ноябрь, 2022 г.
Список литературы:
1. Karshibaev S.A. (2022). EQUIPMENT AND SOFTWARE FOR MONITORING OF POWER SUPPLY OF INFO-COMUNICATION DEVICES. Web of Scientist: International Scientific Research Journal, 3(5), 502-505.
2. Khuzhayorov, B., Mustofoqulov, J., Ibragimov, G., Md Ali, F., & Fayziev, B. (2020). Solute Transport in the Element of Fractured Porous Medium with an Inhomogeneous Porous Block. Symmetry, 12(6), 1028.
3. Mustofoqulov J.A., & Bobonov D.T. L. (2021). "MAPLE" DA SO'NUVCHI ELEKTROMAGNIT TEBRANISH-LARNING MATEMATIK TAHLILI. Academic research in educational sciences, 2(10), 374-379.
4. Mustofoqulov J.A., Hamzaev A.I., & Suyarova M.X. (2021). RLC ZANJIRINING MATEMATIK MODELI VA UNI "MULTISIM" DA HISOBLASH. Academic research in educational sciences, 2(11), 1615-1621.
5. SATTAROV S., KHAMDAMOV B., & TAYLANOV N. (2014). Diffusion regime of the magnetic flux penetration in high-temperature superconductors. Uzbekiston Fizika Zhurnali, 16(6), 449-453.
6. Yuldashev F.M. O. (2021). TA'LIMNING INNOVATSION TEXNALOGIYALARI ASOSIDA MUQOBIL ENERGIYA MANBALARI (QUYOSH VA SHAMOL ENERGETIKASI) MUTAXASSISLARINI TAYYORLASHDA O'QITISH SAMARADORLIGINI OSHIRISH. Academic research in educational sciences, 2(11), 86-90.
7. Yuldashev F., & Bobur U. (2020). Types of Electrical Machine Current Converters. International Journal of Engineering and Information Systems (IJEAIS) ISSN, 162-164.
8. Бабанов Д.Т., & Иняминов Ю.А. (2020). ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СЛОЙНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ. Символ науки, (11), 9-13.
9. Иняминов Ю.А., Хамзаев А.И. У., & Абдиев Х.Э. У. (2021). Передающее устройство асинхронно-циклической системы. Scientific progress, 2(6), 204-207.
10. Каршибоев Ш.А., & Муртазин Э.Р. (2021). Изменения в цифровой коммуникации во время глобальной пандемии COVID-19. Молодой ученый, (21), 90-92.
11. Муртазин Э.Р., Сиддиков М.Ю., & Цой М.П. (2018). Стратегия развития экономики Узбекистана-региональ-ные особенности. In Региональные проблемы преобразования экономики: интеграционные процессы и механизмы формирования и социально-экономическая политика региона (pp. 85-87).
12. Раббимов Э.А., Жураева Н.М., & Ахмаджонова У.Т. (2020). Исследование свойства поверхности монокристалла и создание наноразмерных структур на основе MgO для приборов электронной техники. Экономика и социум, (6-2), 190-192.
13. Сохибов Б.О., Саттаров С., & Таганова С.Х. (2018). ВНЕДРЕНИЕ В УЧЕБНЫЙ ПРОЦЕСС ПЕРЕДОВЫХ МЕТОДОВ ПЕДАГОГОВ-НОВАТОРОВ. In Молодой исследователь: вызовы и перспективы (pp. 17-22).
14. Суярова М.Х., & Джураева Н.М. (2018). Динамическая модель по электротехнике. In Передовые научно-технические и социально-гуманитарные проекты в современной науке (pp. 53-54).
15. Умирзаков Б.Е., Содикжанов Ж.Ш., Ташмухамедова Д.А., Абдувайитов А.А., & Раббимов Э.А. (2021). Влияние адсорбции атомов Ba на состав, эмиссионные и оптические свойства монокристаллов CdS. Письма в Журнал технической физики, 47(12), 3-5.
