CC BY
50
96
Химия
Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, 2014, № 2 (1), с. 96-99
УДК 544.034.24
ВЛИЯНИЕ АТМОСФЕРЫ ОТЖИГА НА ДИФФУЗИЮ КОБАЛЬТА В CVD-ZnSe © 2014 г. С.А. Родин, 1,2 С.С. Балабанов,2 Е.М. Гаврищук, 2 О.Н. ЕремейкиН
'Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского 2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Н. Новгород
rodm@ihps. ппоу. т
Поступила в редакцию 30.06.2013
Исследовано влияние атмосферы отжига в процессе легирования CVD-ZnSe ионами Со2+ на диффузию кобальта. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии кобальта при отжиге в атмосфере аргона D(T) = 1.0х105ехр((-3.5±0.5) эВ/кТ) см2/с и в атмосфере паров селена D(T) = 1.1* х 10-2ехр((-2.1±0.7) эВ/кТ) см2/с.
Ключевые слова: коэффициент диффузии, кобальт, CVD-ZnSe.
Введение
Интерес к кристаллам селенида цинка, легированным ионами Со2+, связан с их использованием в качестве пассивных затворов в лазерах на стекле с эрбием, работающих на длине волны 1.54 мкм [1]. В связи с трудностями выращивания легированных объемных кристаллов Co2+:ZnSe, основным методом его получения является высокотемпературное диффузионное легирование оптических образцов селенида цинка. Известны работы, посвященные изучению диффузии кобальта в селениде цинка [2, 3] и в твердом растворе ZnSel-xSx [4]. Авторами использованы различные источники легирования. Так, в работе [2] легирование осуществлялось путем диффузии кобальта из напыленного на поверхность кристалла селенида цинка металлического слоя, а также отжигом исходно чистых кристаллов ZnSe, помещенных вместе с порошкообразным кобальтом в кварцевую ампулу, заполненную аргоном или гелием при температуре до 1273 К. Этими же авторами отмечалась эффективность легирования кобальтом при использовании жидкой эвтектики 60% Со + 40% Se, однако при этом наблюдалось заметное травление поверхности образцов. В работе [3] исследование процессов диффузии кобальта в нелегированные кристаллы ZnSe проводили в условиях фазового равновесия SznSe-ScoSe-Lzn-V при температуре от 700 до 970°С. Несмотря на то, что все исследования диффузии кобальта выполнялись на монокрис-таллических образцах селенида цинка, приведенные в литературе значения коэффициентов диффузии значительно различаются. Данные о характеристиках процесса диффузии кобальта в поликристаллическом ZnSe в литературе отсутствуют.
Важным параметром диффузионного легирования является атмосфера, в которой проводится процесс высокотемпературного отжига. Так, изменение парциальных давлений паров селена и цинка влияет на равновесие точечных дефектов в селениде цинка, а также приводит к изменению скорости роста кристаллитов [5], что, в свою очередь, будет влиять на эффективность легирования материала.
В данной работе исследовано влияние атмосферы отжига на диффузию кобальта в поли-кристаллическом селениде цинка, полученном методом химического осаждения из паровой фазы (CVD-ZnSe).
Теоретическая модель
Распределение ионов кобальта в селениде цинка в процессе диффузионного легирования описывается вторым законом Фика, решение которого зависит от условий проведения отжига. Учитывая высокую скорость растворения тонкой пленки металла в селениде цинка [2], можно считать источник примеси ограниченным. В связи с этим для описания профиля распределения кобальта по глубине образца нами была выбрана модель одномерной диффузии из тонкой пленки в полуограниченное пространство. Решение диффузионного уравнения в таких условиях принимает следующий вид [6]:
п( \ M f x2 1
C lx, т)= , = exp------, (1)
v ' Я 4Dx) w
где C(x,i) — концентрация примеси на глубине х в момент времени т, M — число частиц на единицу площади, D — коэффициент диффузии.
В свою очередь, концентрация ионов двухвалентного кобальта в селениде цинка может быть определена оптическим методом по по-
Рис. 1. Схема установки для измерения светопропускания селенида цинка: 1 - лазер Тт:У!лР (1908 нм); 2 - измеритель мощности Gentec-EO UP12E-10S-H5; 3 - призма; 4 - линза; 5 - образец селенида цинка; 6 - держатель образцов, закрепленный на компьютеризованном микротрансляторе; 7 - линза; 8 - измеритель мощности ТЪог-^ S302C
Таблица
Температурно-временные режимы отжига
Т, °С 900 950 1000 1050
т, сут 10 5 3 2
глощению излучения в ИК-области спектра. Сканируя образцы Co2+:ZnSe узким лазерным пучком перпендикулярно направлению диффузии, можно получать профили поглощения, однозначно связанные с концентрацией переходного металла, равномерно распределенного в селениде цинка в направлении лазерного пучка. В соответствии с законом Бугера-Ламберта-Бера
1 (х) =1 сехр[- (х)] > (2)
где 1(х) — интенсивность прошедшего через образец излучения на глубине х; 10 — интенсивность падающего излучения; — сечение поглощения на длине волны X; I - размер образца в направлении, перпендикулярном диффузионному потоку.
Подставляя выражение (1) в (2), получаем формулу, связывающую ослабление излучения, прошедшего через образец, с концентрацией двухвалентного кобальта:
I (х) = 10ехр
Г
ехр
л \
4Dт
А(х ) =
1
1п10
М
ст,/ —.
г
(
ехр
-2 'А
4Dx
(3)
Логарифмирование выражения (3) приводит к следующей зависимости оптической плотности А(х) от координаты х:
(4)
Экспериментальная часть
Исследуемые поликристаллы Co2+:ZnSe были получены диффузионным легированием исходного CVD-ZnSe. Образцы представляли собой диски диаметром 12 мм и толщиной 2.5 мм. На одну из сторон наносилась пленка металлического кобальта методом электронно-лучевого испарения в вакуумной камере. Толщина пленки была около одного микрона. Образцы помещались в кварцевые ампулы диаметром 20 мм и
длинной 200 мм, промывались аргоном и ва-куумировались. Отжиг в инертной атмосфере проводился в ампулах, заполненных аргоном до давления 0.23 атм. Для отжига в парах цинка или селена в вакуумированную ампулу помещалось 0.05 г Zn или Бе соответственно. Образцы в запаянных ампулах отжигались в печи с резистивным нагревом БКОЬ при температурах 900-1050°С (таблица). Временные интервалы отжига были выбраны на основании предварительных экспериментов таким образом, чтобы глубина проникновения кобальта в ZnSe была более 100 мкм, но менее толщины самого образца. Отожженные образцы извлекались из ампул, из них вырезались плоскопараллельные пластины толщиной 2 мм, боковые грани которых полировались.
Измерение оптической плотности образцов Со2+^пБе на длине волны 1.908 мкм проводилось с использованием лазера Tm:YLF (рис. 1). Мощность лазера (1) контролировалась измерителем мощности Gentec-EO ИР12Е-10Б-Н5 (2) и составляла 800 мВт. Ослабленный до 3 мВт лазерный пучок фокусировался линзой (4). В области перетяжки лазерного пучка помещался образец Со2+^пБе (5), ориентированный боковой гранью по нормали к пучку. Образец перемещался перпендикулярно падающему излучению с шагом 10 мкм с помощью автоматизированного линейного микротранслятора Standa (6). Прошедшее через образец излучение собиралось линзой (7) и поступало на высокочувствительный измеритель мощности с апертурой 10 мм Thorlabs Б302С (8). Управление микротранслятором и сбор данных с измерителей мощности проводились в автоматическом режиме.
Мощность излучения в луче лазера Tm:YLF имела Г ауссово распределение, диаметр пучка в перетяжке составлял ~65 мкм. С учетом высокого показателя преломления ZnSe и толщины
Дшш;1 волны, мкм Рис. 2. Спектр поглощения CVD-ZnSe, легированного кобальтом при 1050°С 1.6
образцов
1.2
+1050 °С •Ч-* 1.0
>-1000 °С §
а 950 °С и 0.8
о 900 °С н 1=1 0.6 я М % 0.4 Е В 5 0.2
Рис. 3. Профили распределения кобальта по глубине
* 1050 °С 1 ООО °С А 950 °С □ 900 °С
0.010 0.015
X, см
Рис. 4. Профили оптической плотности образцов, отожженных в атмосфере аргона (а) и паров селена (б)
исследуемых образцов можно считать, что диаметр сканирующего пучка вдоль всего образца оставался неизменным.
Результаты и их обсуждение
Кристаллы Co+2:ZnSe, отожженные в атмосфере аргона и в парах селена, имеют широкую полосу поглощения в области от 1.2 до 2.1 мкм. Данную полосу можно с высокой точностью аппроксимировать наложением трех полос, описываемых распределением Гаусса с максимумами на 1.47, 1.62 и 1.75 мкм (рис. 2). Данные пики соответствуют переходам 4А2^) ^ 4ВД, %^) ^ 4Т2(Р) и ^ 4Т2^) [7]. В
кристаллах, отожженных в парах цинка, полосы поглощения ионов Со2+ в средней ИК-области спектра отсутствуют. Методом вторичной ионной масс-спектрометрии с пределом обнаружения ~3*10-3 ат.% в легированных образцах ZnSe, отожженных в парах цинка, кобальт не обнаружен (рис. 3).
Затруднение процесса диффузии кобальта в селенид цинка при его отжиге в парах цинка может быть связано с несколькими факторами. Во-первых, избыточное давление паров цинка препятствует его оттоку из образца в процессе диффузии кобальта, что наблюдалось авторами работы [3]. Во-вторых, высокая скорость диффузии цинка в селениде цинка = 4*10-8
см2/с для ориентации кристалла [111] и = 1х10-8 см2/с для [110] при 910°С [8]) способствует быстрому снижению равновесной концентрации вакансий в катионной подрешетке, замедляя диффузию кобальта.
Профили оптической плотности образцов на длине волны 1.908 мкм хорошо описываются теоретической моделью одномерной диффузии из тонкой пленки (рис. 4). Аппроксимация экспериментальных значений по уравнению (4) проводилась с использованием метода наименьших квадратов.
По экспериментальным профилям оптической плотности были определены значения эффективных коэффициентов диффузии (О) ионов Со2+ в CVD-ZnSe при различных значениях температуры (рис. 5). Температурные зависимости коэффициента диффузии кобальта описываются уравнениями: О(Т = 1.0*105ехр((-3.5± ±0.5) эВ/кТ) см2/с при отжиге в атмосфере аргона и О(Т) = 1.1*10-2ехр((-2.1±0.7) эВ/кТ) см2/с -в атмосфере паров селена.
Полученное значение энергии активации диффузии кобальта в CVD-ZnSe в атмосфере аргона близко к аналогичному значению для монокристалла ZnSe, легированного из тонкой пленки металла [2], и свидетельствует о преобладании вакансионного механизма диффузии. Уменьшение скорости диффузии кобальта в CVD-ZnSe при отжиге в парах селена, по наше-
Т, °с
1050 1000 950 900
i/т, к1
Рис. 5. Температурные зависимости коэффициента диффузии ионов Co2+ в CVD-ZnSe
му мнению, связано с уменьшением его эффективной концентрации на поверхности CVD-2п8е в связи с образованием пленки селенида кобальта.
Заключение
Исследовано влияние атмосферы высокотемпературного отжига на диффузию ионов Со2+ в поликристаллическом CVD-ZnSe. Определены температурные зависимости эффективных коэффициентов диффузии кобальта при отжиге селенида цинка в аргоне и селене. Пока-
зано, что отжиг в парах цинка препятствует диффузии ионов Co2+ в ZnSe.
Список литературы
1. Ильичев Н.Н., Шапкин П.В., Мосалева С.Е., Насибов А.С. // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. № 12. С. 1169-1172.
2. Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пур-тов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. № 7. С. 815-818.
3. Ильичев Н.Н., Шапкин П.В., Насибов А.С., Мосалева С.Е. // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. № 10. С. 1175-1178.
4. Барсукова Е.Л., Постнова Л.И., Левченко В.И. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2012. № 5. С. 72-76.
5. Triboulet R., Ndap J.O, Tromson-Carli A., Lemas-son P., Morhain C., Neu G. // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 156-160.
6. Мерер Х. Диффузия в твердых телах. Пер. с англ. Долгопрудный: Изд. дом «Интеллект», 2011. С. 48.
7. DeLoach L.D., Page R.H., Wilke G.D., Payne
S.A., Krupke W.F. // IEEE J. Quantum Electronics. 1996. V. 32. № 6. P. 885-895.
8. Акимова И.В., Козловский В.И., Коростелин Ю.В. и др. // Труды Физ. ин-та им. П.Н. Лебедева АН СССР. 1987. Т. 177. С. 142-171.
EFFECT OF THE ANNEALING ATMOSPHERE ON COBALT DIFFUSION IN CVD-ZnSe
S.A. Rodin, S. S. Balabanov, EM. Gavrishchuk, O.N. Eremeykin
The effect of the annealing atmosphere on cobalt diffusion in the process of doping CVD-ZnSe with Co2+ ions has been studied. We have determined temperature dependences of cobalt diffusion coefficients for annealing in argon D(T)
= 1.0x105exp(-3.5±0.5eV/£T) cm2/s and in selenium D(T) = Keywords: diffusion coefficient, cobalt, CVD-ZnSe. References
1. Il’ichev N.N., Shapkin P.V., Mosaleva S.E., Nasibov A.S. // Kvantovaya ehlektronika. 2004. T. 34. № 12. S. 1169-1172.
2. Vaksman Yu.F., Pavlov V.V., Nicuk Yu.A., Purtov Yu.N., Nasibov A.S., Shapkin P.V. // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 2006. T. 40. № 7. S. 815-818.
3. Il’ichev N.N., Shapkin P.V., Nasibov A.S., Mosaleva S.E. // Neorganicheskie materialy. 2007. T. 43. № 10. S. 1175-1178.
4. Barsukova E.L., Postnova L.I., Levchenko V.I. //
1.1x10-2exp(-2.1±0.7eV/£7) cm2/s.
Poverhnost’. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniya. 2012. № 5. S. 72-76.
5. Triboulet R., Ndap J.O, Tromson-Carli A., Lemas-son P., Morhain C., Neu G. // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 156-160.
6. Merer H. Diffuziya v tverdyh telah. Per. s angl. Dolgoprudnyj: Izd. dom «Intellekt», 2011. S. 48.
7. DeLoach L.D., Page R.H., Wilke G.D., Payne
S.A., Krupke W.F. // IEEE J. Quantum Electronics. 1996. V. 32. № 6. P. 885-895.
8. Akimova I.V., Kozlovskij V.I., Korostelin Yu.V. i dr. // Trudy Fiz. in-ta im. P.N. Lebedeva AN SSSR. 1987. T. 177. S. 142-171.
