Научная статья на тему 'ВЕРОЯТНОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ШУМОВ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫХ СВЕТОДИОДОВ'

ВЕРОЯТНОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ШУМОВ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫХ СВЕТОДИОДОВ Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
36
10
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ШУМЫ / СПЕКТР / ФУНКЦИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ / АВТОКОРРЕЛЯЦИОННАЯ ФУНКЦИЯ

Аннотация научной статьи по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям, автор научной работы — Сергеев Вячеслав Андреевич, Фролов Илья Владимирович, Широков Алексей Анатольевич, Щербатюк Юрий Николаевич

Описан программно-аппаратный комплекс для измерения характеристик электрических и оптических шумов светоизлучающих диодов (СИД) в диапазоне частот от 1 до 40 кГц. Методом дискретных выборок исследованы электрические шумы нескольких типов гетеропереходных СИД: красных с квантовыми ямами AlInGaP/GaAs, зеленых и голубых AlInGaN/SiC. Спектры всех исследованных СИД в диапазоне частот от 1 до 10 кГц имеют вид 1/f γ, при этом у красных СИД значение показателя степени γ заметно меньше 1, а у зеленых и голубых - близко к 1. Характерное время корреляции шумов красных СИД в несколько раз превышает время корреляции голубых и зеленых СИД. Показано, что приведенные функции распределения амплитуд шумового напряжения у всех типов СИД близки к гауссовой с примерно одинаковой дисперсией.The article describes a hardware-software complex for measurement of characteristics of electric and optical noise of light emitting diodes (LED) in a range of frequencies from 1 kHz to 40 kHz by a method of discrete samples. Electric noise of several types of heterojunction LEDs is investigated: red with quantum holes (QH) on the basis of AlInGaP/GaAs, green and blue without QH on the basis of AlInGaN/SiC. Spectra of all investigated LEDs in a range of frequencies from 1 kHz to 10 kHz look like 1/f γ;, meanwhile at red LEDs value of factor is much lower than 1, and at green and blue - is close to 1, and the noise correlation time of red LEDs several times exceeds correlation time of blue and green LEDs. It is demonstrated that the resulted functions of noise distribution at all LEDs types are close to a Gaussian with approximately identical dispersion.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям , автор научной работы — Сергеев Вячеслав Андреевич, Фролов Илья Владимирович, Широков Алексей Анатольевич, Щербатюк Юрий Николаевич

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «ВЕРОЯТНОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ШУМОВ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫХ СВЕТОДИОДОВ»

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ

УДК 681.518.3

Вероятностные характеристики электрических шумов гетеропереходных светодиодов

В.А.Сергеев, И.В.Фролов, А.А.Широков, Ю.Н.Щербатюк

Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Ульяновский государственный технический университет

Описан аппаратно-программный комплекс для измерения характеристик электрических и оптических шумов светоизлучающих диодов (СИД) в диапазоне частот от 1 до 40 кГц. Методом дискретных выборок исследованы электрические шумы нескольких типов гетеропереходных СИД: красных с квантовыми ямами Л11пОаР/ОаЛ8, зеленых и голубых Л11пОаК/81С. Спектры всех исследованных СИД в диапазоне частот от 1 до 10 кГц имеют вид 1//у, при этом у красных СИД значение показателя степени у заметно меньше 1, а у зеленых и голубых - близко к 1. Характерное время корреляции шумов красных СИД в несколько раз превышает время корреляции голубых и зеленых СИД. Показано, что приведенные функции распределения амплитуд шумового напряжения у всех типов СИД близки к гауссовой с примерно одинаковой дисперсией.

Ключевые слова: электрические шумы, гетеропереходные светодиоды, спектр, автокорреляционная функция, функция распределения.

В последние десятилетия значительный прогресс в улучшении энергетических характеристик и надежности полупроводниковых источников излучения - лазерных и светоизлучающих диодов (СИД) достигнут благодаря созданию гетероструктур на основе широкозонных полупроводниковых соединений [1, 2]. Активно развиваются физические методы их исследования, в частности основанные на исследовании электрических и оптических шумов тока накачки и интенсивности излучения гетеропереходных СИД [3-6]. Перспективность этих методов обусловлена рядом причин: шумы определяют нижнюю границу чувствительности устройств и систем с использованием СИД; шумы несут информацию о физических процессах в приборных структурах, в частности о процессах их деградации и старения [5, 6]. Однако большинство авторов при исследовании шумов гетеропереходных СИД ограничиваются анализом спектра и его токовых зависимостей, а данных о форме и параметрах таких вероятностных характеристик, как автокорреляционная функция и функция распределения амплитуд электрических шумов гетеропереходных СИД в литературе не имеется. В настоящей работе приводятся результаты исследований вероятностных характеристик НЧ-шумов тока накачки СИД и их зависимости от режима работы.

Аппаратно-программный комплекс и методика исследования. Для измерения и исследования шумов СИД по дискретным выборкам разработан аппаратно-программный комплекс [7], структурная схема которого показана на рис.1. Комплекс позволяет исследовать НЧ-шумы в диапазоне частот 1-40 кГц. Он содержит устройство задания тока накачки СИД, предварительные усилители электрических шумов и сигна-

© В.А.Сергеев, И.В.Фролов, А.А.Широков, Ю.Н.Щербатюк, 2010

Рис.1. Структурная схема аппаратно-программного комплекса для исследования шумов

светодиодов

ла фотоприемника, два селективных нановольтметра Unipan 232. Шумы тока СИД преобразуются в шумы напряжения повышающим трансформатором тока и подаются на входы предварительного усилителя. Предварительный усилитель представляет собой двухкаскадный усилитель на малошумящих полевых транзисторах КП307Г. В качестве фотоприемника в канале 2 используется фотодиод ФД 256. Использование двух каналов обеспечивает возможность исследования корреляционных связей между шумами тока накачки и флуктуациями интенсивности излучения СИД.

Модулем сбора данных является звуковая плата компьютера. Алгоритм работы комплекса состоит в следующем. Шумовые сигналы с выхода нановольтметров поступают на входы звуковой платы компьютера. В течение заданного интервала времени шумовые сигналы оцифровываются c тактовой частотой 200 кГц, т.е. с шагом дискретизации At = 5 мкс. Полученные значения сохраняются в памяти компьютера. Таким образом, реализация непрерывного случайного сигнала заменяется его дискретными выборками Ui (i ' At). Индекс i меняется от 0 до N - 1, где N - общее число выборок в реализации. Полная длительность реализации определяется выражением T = (N — 1)At. Далее спектральная плотность мощности и автокорреляционная функция шума рассчитываются по стандартным формулам. Для расчета функции распределения шумового напряжения в программной среде Math CAD запускается специализированная программа [8].

Расчет функции распределения случайного сигнала по амплитуде организован в

виде двух циклов. Во внешнем цикле задается опорное напряжение U°n = Umax — j ' AU,

начиная с j = 1. Для более точного построения искомых характеристик необходимо уменьшать шаг AU по напряжению; однако с уменьшением этого шага возрастает влияние погрешности дискретизации при аналого-цифровом преобразовании Um (t ) на результат вычисления этих характеристик. Поэтому существует некоторое оптимальное значение AU, при котором суммарные погрешности определения статистических параметров будут минимальны. Шаг по напряжению находится из размаха сигнала для каждой реализации:

AU = (Umax — UmJ/K, (1)

где K - число интервалов распределения.

Во внутреннем цикле значения Um(i-At) поочередно сравниваются с U°n, и при появлении S-го выброса (т. е. превышения сигналом заданного уровня) запускается счетчик числа отсчетов я , для которых выполняется условие Um (i - At) > и°п. По окончании выброса число тJs запоминается, а перебор значений Um (iAt) продолжается до i = N, и по окончании реализации шума формируется M-мерный вектор значений {т Js}. Далее опорное значение уменьшается на AU и цикл повторяется до тех пор, пока U°n не достигнет минимального значения сигнала в реализации U°n = Umin. По полученным значениям легко определяется функция распределения

1 mj 1 mj

FЦ") = 1 ST, = -1X• (2)

T s=1 N s=1

Функция плотности вероятности p(Um) получается дифференцированием

F(U°n) по напряжению. Для сглаживания функции F(U°n) применяется сплайнирова-

ние. Алгоритм повторяется на нескольких реализациях случайного процесса с усреднением полученных параметров.

Результаты исследования электрических шумов гетеропереходных СИД.

Исследованы характеристики электрических шумов серийных гетеропереходных СИД фирмы Vishay Semiconductors трех типов [9] с предельным рабочим током 30 мА: TLCR5800 (красные) на основе AlInGaP/GaAs; TLCB5800 (голубые) и TLCG5800 (зеленые) на основе InGaN/SiC. Размеры кристалла у всех типов СИД 340х 340 мкм. Красные СИД имеют гетероструктуру с множественными квантовыми ямами (МКЯ) и двойным брэгговским отражателем (ДБО) между гетероструктурой и подложкой (рис.2,а), голубые и зеленые СИД имеют обычную гетероструктуру без квантовых ям (рис.2,6).

Анод

Электрод (All

Прозрачный электрод из оосидаивдюи , легироваиною эолово ( ITO ► GaAs контактный рслой - AllnGaP р-слой

■ AllnP защитный р-слой ' AllnGaP активный рс^с^с^о! э МКК

AllnP защитный я-слой ' Зеркалыпый и-сюйдаО

• GaAs я- подложка

GaN

SiC-пддлджки

Мериллизация катода б

1 Металлизация подложки а

Рис.2. Структуры исследуемых гетеропереходных светодиодов: а - красных AlInGaP/GaAs с множественными квинтовыми ямами; б - зеленых и голубых InGaN/SiC

СИД

У всех диодов спектральная плотность мощности НЧ-шума растет с увеличением тока от 0,1 до 10 мА. На рис.3 представлены токовые зависимости спектральной плотности S10(I) шумового тока для СИД трех типов на частоте 10 кГц. Если аппроксимировать зависимость ^ (I) функцией ~ Iа, то можно отметить, что показатели степени токовой зависимости а у зеленого и голубого СИД практически не изменяются при переходе из диапазона 0,1 - 1,0 мА в диапазон 1,0 - 10 мА: азел«0,9 ± 0,1;

агол «1,4 ± 0,1, тогда как у красных СИД показатель уменьшается от акр «1,8 ± 0,1 в диапазоне 0,1 - 1,0 мА до акр « 0,9 ± 0,1 в диапазоне 1,0 - 10 мА. Значения а, близ-

1 ■ 10- 18

1 ■ 10- 19

и

< 1 ■ 10- ■20

Со 1 10 -21

1 ■ 10"

кие к 2, по нашему мнению, свидетельствуют о преобладании генерационно-рекомбинационного механизма шума [4]. Из представленных зависимостей следует, что в красных СИД с многоям-ными гетероструктурами механизм шума изменяется уже при плотности тока порядка 1 А/см2, при которой диффузионная составляющая тока становится преобладающей в од 1 ю полном токе через диод.

J, А/см2 Спектры шума всех исследованных СИД

Рис.3. Зависимости спектральной плотности при токах 1,0 - 10 мА в диапазоне частот от шумового тока гетеропереходных СИД от 1 до 10 кГц имеют ярко выраженные участки плотности тока на частоте 10 кГц: 1 - красных; фликкер-шума с зависимостью вида 1//'. У крас-2 - геданьщ 3 - голубых ных СИД этот участок начинается примерно с

1 кГц, у зеленых - с 3 кГц, у голубых - с 4 кГц. Значение показателя степени у определялось путем линейной аппроксимации соответствующего участка спектра (рис.4). У красных СИД значение у существенно меньше единицы: укр « 0,3 - 0,1, тогда как у

зеленых и голубых СИД значение у близко к единице: узел « 1,0 ± 0,1; угол « 0,8 ± 0,1.

т

1,0

0,5 0

-0,5

1 мА

2 т, мс

1 ■ 103

ч

Я н

о

^

1 ■ 102

4 5 6 7 8 9 10

/, кГц

К( т)

1,0 0,5

0

-0,5

К{т)

1,0 0,5

0

-0,5

0

2 т, мс

б

1 ■ 10'

1 мА

ч

<и «

н о

1

2 т, мс

1 ■ 104 1 мА .

1 я н о р — 1■103 пи

V— Л ч На,

3 4 56789 10 /, кГц

1 ■ 103

1 2 3 456789 10

в / кГц

Рис.4. Автокорреляционные функции (справа) и спектры (слева) электрического шума гетеропереходных СИД: а - красных; б - зеленых; в - голубых

0

1

1

2

3

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

а

0

1

1

2

Вероятно, взаимное влияние флуктуаций в различных квантовых ямах красных СИД приводит к изменению характера спектра. Следует отметить, что у всех исследованных диодов сглаженные частотные зависимости спектральной плотности мощности шума имели не линейный, а слабо выраженный ступенчатый характер, свидетельствующий о наличии в спектре шума нескольких «лоренциановских» компонент. Это, по-видимому, связано с наличием нескольких «лоренциановских» составляющих в спектре шумов СИД, однако детальный анализ и интерпретация этих особенностей требует дополнительных исследований.

Интервал корреляции шумов СИД определялся по уровню относительной корреляционной функции К (ткор) = 0,1 (см. рис.4). Время корреляции у красных СИД в несколько раз больше, чем у зеленых и голубых.

Таблица1

Параметры вероятностных характеристик электрических шумов гетеропереходных СИД

Время корреля- Показатель степени в час-

Тип светодиодов тотной зависимости спек-

ции, ТКОр, мс тра шума, у

Красные А11пОаР/ОаА8 1,4 ± 0,1 0,3 ± 0,1

Зеленые А11пОаК/8Ю 0,3 ± 0,05 1,0 ± 0,1

Голубые АМа^С 0,2 ± 0,05 1,0 ± 0,1

По описанному алгоритму получены функции распределения амплитуд и функции плотности вероятности для СИД разных типов при нескольких значениях прямого тока. Вид этих функций при токе 1 мА приведен на рис.5.

Экспериментальные функции плотности вероятности у всех СИД при токе 1 мА довольно хорошо описываются гауссовой кривой с нулевым средним:

Р(х)=—^ехР

су 2 л

2с2

(3)

Относительную дисперсию с нетрудно рассчитать, приравняв значение функции при х = 0 к максимальному значению ртах: с = 1/ршаху[2к . В табл.2 приведены результаты расчета относительной дисперсии шумового сигнала для исследованных типов СИД при различных токах.

Таблица 2

Параметры функции распределения напряжения электрического шума СИД

Значение Тип светоизлучающего диода

Параметр

тока, мА ТЬСЯ5800 ТЬС05800 ТЬСБ5800

(красный) (зеленый) (голубой)

1,0 ртах 0,140 0,147 0,150

О 2,85 2,71 2,66

2,0 ртах 0,145 0,142 0,150

О 2,75 2,81 2,66

5,0 Ртах 0,155 0,32 0,140

О 2,57 1,25 2,85

1

0,8

5 0,6

0,4

0,2

-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ

§

0,015 0,01 0,005

/ \

/ \

У / V

-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ

1

0,8

г0'6

Е^ 0,4 0,2 0

-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ

0,015 § 0,01 0,005

-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ

1

0,8

§°'6

^ 0,4 0,2 0

-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ

0,02 0,015 0,01 0,005

0

-100 -50

0 50 100 и, мВ

Рис.5. Функции распределения (справа) и плотности распределений (слева) напряжения шума гетеропереходных СИД: а - красных; б - зеленых; в - голубых

0

0

а

0

б

в

При относительно малом токе 1 мА можно отметить некоторое уменьшение дисперсии шума с уменьшением длины волны излучения СИД. У красных СИД дисперсия шума заметно уменьшается с ростом тока через диод. Для зеленых и голубых СИД токовая зависимость дисперсии шума имеет более сложный характер.

Приведенные результаты свидетельствуют о том, что электрические шумы гетеро-переходных СИД имеют гауссово распределение независимо от наличия или отсутствия в структуре СИД квантовых ям. Время корреляции электрических шумов красных гетеропереходных СИД на основе АПпОаР/ОаАБ с МКЯ в несколько раз больше времени корреляции гетеропереходных зеленых и голубых СИД на основе 1пОаК/Б1С. При этом показатель степени у в спектре шума красных СИД заметно меньше показателей степени в спектрах шума зеленых и голубых СИД.

Литература

1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32, №1. - С. 3-18.

2. Юнович А.Э. Свет из гетеропереходов // Природа. - 2001. - № 6. - С. 38-46.

3. Electrical noise of laser diodes measured over a wide range of bias current / Х.У.СНен et al. // Microelectronics Reliability. - 2000. - Vol. 40. - P. 1925-1928.

4. Исследование 1//-шума в наноразмерных полупроводниковых структурах / А.В.Беляков, А.В. Моряшин, М.Ю. Перов и др. // Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского. Сер. Радиофизика. - 2004. -Вып. 2. - С. 143-153.

5. Shi J.W., Jin E.S., Ma J. An improved approach and experimental results of a low-frequency noise measurement technique used for reliability estimation of diode lasers // Microelectronics Reliability. - 1994. -Vol. 34. - P. 1261-1264.

6. Claeys C., Simoen E. Noise as a diagnostic tool for semiconductor material and device characterization // J. of Electrochem. Soc. -1998. - Vol. 145. - P. 2058-2067.

7. Сергеев В.А., Рогов В.Н., Щербатюк Ю.Н., Фролов И.В. Аппаратно-программный комплекс для исследования шумовых процессов в светоизлучающих диодах // Вестник УлГТУ. - 2009. - №1. - С. 43-46.

8. Сергеев В.А., Фролов И.В. Измерение некоторых вероятностных характеристик низкочастотного шума полупроводниковых изделий дискретным методом // Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем: тр. Всерос. науч. техн. конф. (Ульяновск, 22-23 сентября 2009 г.). -Ульяновск: УлГТУ - 2009. - С. 288-291.

9. Document Number 83176. Rev. A1, 05-Mar-02. - URL: www.vishay.com.

10. Таубкин И. И. Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых ^-и-переходах // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176. - № 12. - С. 1321-1339.

Статья поступила после доработки 27 мая 2010 г.

Сергеев Вячеслав Андреевич - доктор технических наук, доцент, директор УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, заведующий базовой кафедрой радиотехники, опто- и наноэлектроники УГТУ при УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах, полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах; методы и средства измерения теплофизических параметров изделий электронной техники. E-mail: sva@ulstu.ru

Фролов Илья Владимирович - студент радиотехнического факультета УГТУ. Область научных интересов: автоматизация методов и средств измерения параметров изделий электронной техники; методы компьютерной обработки случайных сигналов.

Широков Алексей Анатольевич - кандидат технических наук, заместитель директора по научной работе УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. Область научных интересов: электрофлуктуационные процессы в полупроводниковых изделиях, методы неразрушающего контроля качества и оценки надежности изделий электронной техники.

Щербатюк Юрий Николаевич - аспирант кафедры радиотехники УГТУ. Область научных интересов: методы и средства измерения шумовых параметров изделий электронной техники.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.