МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ
УДК 681.518.3
Вероятностные характеристики электрических шумов гетеропереходных светодиодов
В.А.Сергеев, И.В.Фролов, А.А.Широков, Ю.Н.Щербатюк
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Ульяновский государственный технический университет
Описан аппаратно-программный комплекс для измерения характеристик электрических и оптических шумов светоизлучающих диодов (СИД) в диапазоне частот от 1 до 40 кГц. Методом дискретных выборок исследованы электрические шумы нескольких типов гетеропереходных СИД: красных с квантовыми ямами Л11пОаР/ОаЛ8, зеленых и голубых Л11пОаК/81С. Спектры всех исследованных СИД в диапазоне частот от 1 до 10 кГц имеют вид 1//у, при этом у красных СИД значение показателя степени у заметно меньше 1, а у зеленых и голубых - близко к 1. Характерное время корреляции шумов красных СИД в несколько раз превышает время корреляции голубых и зеленых СИД. Показано, что приведенные функции распределения амплитуд шумового напряжения у всех типов СИД близки к гауссовой с примерно одинаковой дисперсией.
Ключевые слова: электрические шумы, гетеропереходные светодиоды, спектр, автокорреляционная функция, функция распределения.
В последние десятилетия значительный прогресс в улучшении энергетических характеристик и надежности полупроводниковых источников излучения - лазерных и светоизлучающих диодов (СИД) достигнут благодаря созданию гетероструктур на основе широкозонных полупроводниковых соединений [1, 2]. Активно развиваются физические методы их исследования, в частности основанные на исследовании электрических и оптических шумов тока накачки и интенсивности излучения гетеропереходных СИД [3-6]. Перспективность этих методов обусловлена рядом причин: шумы определяют нижнюю границу чувствительности устройств и систем с использованием СИД; шумы несут информацию о физических процессах в приборных структурах, в частности о процессах их деградации и старения [5, 6]. Однако большинство авторов при исследовании шумов гетеропереходных СИД ограничиваются анализом спектра и его токовых зависимостей, а данных о форме и параметрах таких вероятностных характеристик, как автокорреляционная функция и функция распределения амплитуд электрических шумов гетеропереходных СИД в литературе не имеется. В настоящей работе приводятся результаты исследований вероятностных характеристик НЧ-шумов тока накачки СИД и их зависимости от режима работы.
Аппаратно-программный комплекс и методика исследования. Для измерения и исследования шумов СИД по дискретным выборкам разработан аппаратно-программный комплекс [7], структурная схема которого показана на рис.1. Комплекс позволяет исследовать НЧ-шумы в диапазоне частот 1-40 кГц. Он содержит устройство задания тока накачки СИД, предварительные усилители электрических шумов и сигна-
© В.А.Сергеев, И.В.Фролов, А.А.Широков, Ю.Н.Щербатюк, 2010
Рис.1. Структурная схема аппаратно-программного комплекса для исследования шумов
светодиодов
ла фотоприемника, два селективных нановольтметра Unipan 232. Шумы тока СИД преобразуются в шумы напряжения повышающим трансформатором тока и подаются на входы предварительного усилителя. Предварительный усилитель представляет собой двухкаскадный усилитель на малошумящих полевых транзисторах КП307Г. В качестве фотоприемника в канале 2 используется фотодиод ФД 256. Использование двух каналов обеспечивает возможность исследования корреляционных связей между шумами тока накачки и флуктуациями интенсивности излучения СИД.
Модулем сбора данных является звуковая плата компьютера. Алгоритм работы комплекса состоит в следующем. Шумовые сигналы с выхода нановольтметров поступают на входы звуковой платы компьютера. В течение заданного интервала времени шумовые сигналы оцифровываются c тактовой частотой 200 кГц, т.е. с шагом дискретизации At = 5 мкс. Полученные значения сохраняются в памяти компьютера. Таким образом, реализация непрерывного случайного сигнала заменяется его дискретными выборками Ui (i ' At). Индекс i меняется от 0 до N - 1, где N - общее число выборок в реализации. Полная длительность реализации определяется выражением T = (N — 1)At. Далее спектральная плотность мощности и автокорреляционная функция шума рассчитываются по стандартным формулам. Для расчета функции распределения шумового напряжения в программной среде Math CAD запускается специализированная программа [8].
Расчет функции распределения случайного сигнала по амплитуде организован в
виде двух циклов. Во внешнем цикле задается опорное напряжение U°n = Umax — j ' AU,
начиная с j = 1. Для более точного построения искомых характеристик необходимо уменьшать шаг AU по напряжению; однако с уменьшением этого шага возрастает влияние погрешности дискретизации при аналого-цифровом преобразовании Um (t ) на результат вычисления этих характеристик. Поэтому существует некоторое оптимальное значение AU, при котором суммарные погрешности определения статистических параметров будут минимальны. Шаг по напряжению находится из размаха сигнала для каждой реализации:
AU = (Umax — UmJ/K, (1)
где K - число интервалов распределения.
Во внутреннем цикле значения Um(i-At) поочередно сравниваются с U°n, и при появлении S-го выброса (т. е. превышения сигналом заданного уровня) запускается счетчик числа отсчетов я , для которых выполняется условие Um (i - At) > и°п. По окончании выброса число тJs запоминается, а перебор значений Um (iAt) продолжается до i = N, и по окончании реализации шума формируется M-мерный вектор значений {т Js}. Далее опорное значение уменьшается на AU и цикл повторяется до тех пор, пока U°n не достигнет минимального значения сигнала в реализации U°n = Umin. По полученным значениям легко определяется функция распределения
1 mj 1 mj
FЦ") = 1 ST, = -1X• (2)
T s=1 N s=1
Функция плотности вероятности p(Um) получается дифференцированием
F(U°n) по напряжению. Для сглаживания функции F(U°n) применяется сплайнирова-
ние. Алгоритм повторяется на нескольких реализациях случайного процесса с усреднением полученных параметров.
Результаты исследования электрических шумов гетеропереходных СИД.
Исследованы характеристики электрических шумов серийных гетеропереходных СИД фирмы Vishay Semiconductors трех типов [9] с предельным рабочим током 30 мА: TLCR5800 (красные) на основе AlInGaP/GaAs; TLCB5800 (голубые) и TLCG5800 (зеленые) на основе InGaN/SiC. Размеры кристалла у всех типов СИД 340х 340 мкм. Красные СИД имеют гетероструктуру с множественными квантовыми ямами (МКЯ) и двойным брэгговским отражателем (ДБО) между гетероструктурой и подложкой (рис.2,а), голубые и зеленые СИД имеют обычную гетероструктуру без квантовых ям (рис.2,6).
Анод
Электрод (All
Прозрачный электрод из оосидаивдюи , легироваиною эолово ( ITO ► GaAs контактный рслой - AllnGaP р-слой
■ AllnP защитный р-слой ' AllnGaP активный рс^с^с^о! э МКК
AllnP защитный я-слой ' Зеркалыпый и-сюйдаО
• GaAs я- подложка
GaN
SiC-пддлджки
Мериллизация катода б
1 Металлизация подложки а
Рис.2. Структуры исследуемых гетеропереходных светодиодов: а - красных AlInGaP/GaAs с множественными квинтовыми ямами; б - зеленых и голубых InGaN/SiC
СИД
У всех диодов спектральная плотность мощности НЧ-шума растет с увеличением тока от 0,1 до 10 мА. На рис.3 представлены токовые зависимости спектральной плотности S10(I) шумового тока для СИД трех типов на частоте 10 кГц. Если аппроксимировать зависимость ^ (I) функцией ~ Iа, то можно отметить, что показатели степени токовой зависимости а у зеленого и голубого СИД практически не изменяются при переходе из диапазона 0,1 - 1,0 мА в диапазон 1,0 - 10 мА: азел«0,9 ± 0,1;
агол «1,4 ± 0,1, тогда как у красных СИД показатель уменьшается от акр «1,8 ± 0,1 в диапазоне 0,1 - 1,0 мА до акр « 0,9 ± 0,1 в диапазоне 1,0 - 10 мА. Значения а, близ-
1 ■ 10- 18
1 ■ 10- 19
и
.и
< 1 ■ 10- ■20
Со 1 10 -21
1 ■ 10"
кие к 2, по нашему мнению, свидетельствуют о преобладании генерационно-рекомбинационного механизма шума [4]. Из представленных зависимостей следует, что в красных СИД с многоям-ными гетероструктурами механизм шума изменяется уже при плотности тока порядка 1 А/см2, при которой диффузионная составляющая тока становится преобладающей в од 1 ю полном токе через диод.
J, А/см2 Спектры шума всех исследованных СИД
Рис.3. Зависимости спектральной плотности при токах 1,0 - 10 мА в диапазоне частот от шумового тока гетеропереходных СИД от 1 до 10 кГц имеют ярко выраженные участки плотности тока на частоте 10 кГц: 1 - красных; фликкер-шума с зависимостью вида 1//'. У крас-2 - геданьщ 3 - голубых ных СИД этот участок начинается примерно с
1 кГц, у зеленых - с 3 кГц, у голубых - с 4 кГц. Значение показателя степени у определялось путем линейной аппроксимации соответствующего участка спектра (рис.4). У красных СИД значение у существенно меньше единицы: укр « 0,3 - 0,1, тогда как у
зеленых и голубых СИД значение у близко к единице: узел « 1,0 ± 0,1; угол « 0,8 ± 0,1.
т
1,0
0,5 0
-0,5
1 мА
2 т, мс
1 ■ 103
ч
<и
Я н
о
^
1 ■ 102
4 5 6 7 8 9 10
/, кГц
К( т)
1,0 0,5
0
-0,5
К{т)
1,0 0,5
0
-0,5
0
2 т, мс
б
1 ■ 10'
1 мА
ч
<и «
н о
1
2 т, мс
1 ■ 104 1 мА .
<и
1 я н о р — 1■103 пи
V— Л ч На,
3 4 56789 10 /, кГц
1 ■ 103
1 2 3 456789 10
в / кГц
Рис.4. Автокорреляционные функции (справа) и спектры (слева) электрического шума гетеропереходных СИД: а - красных; б - зеленых; в - голубых
0
1
1
2
3
а
0
1
1
2
Вероятно, взаимное влияние флуктуаций в различных квантовых ямах красных СИД приводит к изменению характера спектра. Следует отметить, что у всех исследованных диодов сглаженные частотные зависимости спектральной плотности мощности шума имели не линейный, а слабо выраженный ступенчатый характер, свидетельствующий о наличии в спектре шума нескольких «лоренциановских» компонент. Это, по-видимому, связано с наличием нескольких «лоренциановских» составляющих в спектре шумов СИД, однако детальный анализ и интерпретация этих особенностей требует дополнительных исследований.
Интервал корреляции шумов СИД определялся по уровню относительной корреляционной функции К (ткор) = 0,1 (см. рис.4). Время корреляции у красных СИД в несколько раз больше, чем у зеленых и голубых.
Таблица1
Параметры вероятностных характеристик электрических шумов гетеропереходных СИД
Время корреля- Показатель степени в час-
Тип светодиодов тотной зависимости спек-
ции, ТКОр, мс тра шума, у
Красные А11пОаР/ОаА8 1,4 ± 0,1 0,3 ± 0,1
Зеленые А11пОаК/8Ю 0,3 ± 0,05 1,0 ± 0,1
Голубые АМа^С 0,2 ± 0,05 1,0 ± 0,1
По описанному алгоритму получены функции распределения амплитуд и функции плотности вероятности для СИД разных типов при нескольких значениях прямого тока. Вид этих функций при токе 1 мА приведен на рис.5.
Экспериментальные функции плотности вероятности у всех СИД при токе 1 мА довольно хорошо описываются гауссовой кривой с нулевым средним:
Р(х)=—^ехР
су 2 л
2с2
(3)
Относительную дисперсию с нетрудно рассчитать, приравняв значение функции при х = 0 к максимальному значению ртах: с = 1/ршаху[2к . В табл.2 приведены результаты расчета относительной дисперсии шумового сигнала для исследованных типов СИД при различных токах.
Таблица 2
Параметры функции распределения напряжения электрического шума СИД
Значение Тип светоизлучающего диода
Параметр
тока, мА ТЬСЯ5800 ТЬС05800 ТЬСБ5800
(красный) (зеленый) (голубой)
1,0 ртах 0,140 0,147 0,150
О 2,85 2,71 2,66
2,0 ртах 0,145 0,142 0,150
О 2,75 2,81 2,66
5,0 Ртах 0,155 0,32 0,140
О 2,57 1,25 2,85
1
0,8
5 0,6
0,4
0,2
-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ
§
0,015 0,01 0,005
/ \
/ \
У / V
-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ
1
0,8
г0'6
Е^ 0,4 0,2 0
-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ
0,015 § 0,01 0,005
-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ
1
0,8
§°'6
^ 0,4 0,2 0
-150-100 -50 0 50 100 150 и, мВ
0,02 0,015 0,01 0,005
0
-100 -50
0 50 100 и, мВ
Рис.5. Функции распределения (справа) и плотности распределений (слева) напряжения шума гетеропереходных СИД: а - красных; б - зеленых; в - голубых
0
0
а
0
б
в
При относительно малом токе 1 мА можно отметить некоторое уменьшение дисперсии шума с уменьшением длины волны излучения СИД. У красных СИД дисперсия шума заметно уменьшается с ростом тока через диод. Для зеленых и голубых СИД токовая зависимость дисперсии шума имеет более сложный характер.
Приведенные результаты свидетельствуют о том, что электрические шумы гетеро-переходных СИД имеют гауссово распределение независимо от наличия или отсутствия в структуре СИД квантовых ям. Время корреляции электрических шумов красных гетеропереходных СИД на основе АПпОаР/ОаАБ с МКЯ в несколько раз больше времени корреляции гетеропереходных зеленых и голубых СИД на основе 1пОаК/Б1С. При этом показатель степени у в спектре шума красных СИД заметно меньше показателей степени в спектрах шума зеленых и голубых СИД.
Литература
1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32, №1. - С. 3-18.
2. Юнович А.Э. Свет из гетеропереходов // Природа. - 2001. - № 6. - С. 38-46.
3. Electrical noise of laser diodes measured over a wide range of bias current / Х.У.СНен et al. // Microelectronics Reliability. - 2000. - Vol. 40. - P. 1925-1928.
4. Исследование 1//-шума в наноразмерных полупроводниковых структурах / А.В.Беляков, А.В. Моряшин, М.Ю. Перов и др. // Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского. Сер. Радиофизика. - 2004. -Вып. 2. - С. 143-153.
5. Shi J.W., Jin E.S., Ma J. An improved approach and experimental results of a low-frequency noise measurement technique used for reliability estimation of diode lasers // Microelectronics Reliability. - 1994. -Vol. 34. - P. 1261-1264.
6. Claeys C., Simoen E. Noise as a diagnostic tool for semiconductor material and device characterization // J. of Electrochem. Soc. -1998. - Vol. 145. - P. 2058-2067.
7. Сергеев В.А., Рогов В.Н., Щербатюк Ю.Н., Фролов И.В. Аппаратно-программный комплекс для исследования шумовых процессов в светоизлучающих диодах // Вестник УлГТУ. - 2009. - №1. - С. 43-46.
8. Сергеев В.А., Фролов И.В. Измерение некоторых вероятностных характеристик низкочастотного шума полупроводниковых изделий дискретным методом // Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем: тр. Всерос. науч. техн. конф. (Ульяновск, 22-23 сентября 2009 г.). -Ульяновск: УлГТУ - 2009. - С. 288-291.
9. Document Number 83176. Rev. A1, 05-Mar-02. - URL: www.vishay.com.
10. Таубкин И. И. Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых ^-и-переходах // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176. - № 12. - С. 1321-1339.
Статья поступила после доработки 27 мая 2010 г.
Сергеев Вячеслав Андреевич - доктор технических наук, доцент, директор УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, заведующий базовой кафедрой радиотехники, опто- и наноэлектроники УГТУ при УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах, полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах; методы и средства измерения теплофизических параметров изделий электронной техники. E-mail: [email protected]
Фролов Илья Владимирович - студент радиотехнического факультета УГТУ. Область научных интересов: автоматизация методов и средств измерения параметров изделий электронной техники; методы компьютерной обработки случайных сигналов.
Широков Алексей Анатольевич - кандидат технических наук, заместитель директора по научной работе УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. Область научных интересов: электрофлуктуационные процессы в полупроводниковых изделиях, методы неразрушающего контроля качества и оценки надежности изделий электронной техники.
Щербатюк Юрий Николаевич - аспирант кафедры радиотехники УГТУ. Область научных интересов: методы и средства измерения шумовых параметров изделий электронной техники.