Научная статья на тему 'ТОК ПОДЛОЖКИ ВЫМОРОЖЕННОГО р-МДП-ТРАНЗИСТОРА'

ТОК ПОДЛОЖКИ ВЫМОРОЖЕННОГО р-МДП-ТРАНЗИСТОРА Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
113
40
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «ТОК ПОДЛОЖКИ ВЫМОРОЖЕННОГО р-МДП-ТРАНЗИСТОРА»

Известия ТРТУ

разложение функции корреляции выходного случайного процесса в ряд по степеням нормированной функции корреляции входного процесса. При этом одномерная плотность на выходе НПФ может быть определена на основе метода обратных функций [2].

ЛИТЕРАТУРА

1. Бобнев М.П. Генерирование случайных сигналов . М.: Энергия, 1971.

2. Галустов Г Г. Генерирование случайных числовых последовательностей и аппаратный контроль их статистических характеристик Таганрог: ТРТИ, 1989. Реп. 05.01.89. №130-В 89. Библ. указат. № 5, 1989.

УДК 621.382

А.М. Пономарев, М.Ф. Пономарев ТОК ПОДЛОЖКИ ВЫМОРОЖЕННОГО р-МДП-ТРАНЗИСТОРА

Ток подложки 1п кремниевого МДП-транзистора обусловлен ионизацией атомов кремния в пристоковой области пространственного заряда (ОПЗ) при работе транзистора в режиме насыщения. В области температур ниже 30 К происходит вымораживание кремниевой подложки (существенное падение электропроводности) и проявляются эффекты, характерные для МДП-транзисторов с плавающей подложкой (транзисторные структуры типа кремний на диэлектрике). Ионизационный ток разделяется на две составляющие: 1п — ток вывода подложки; 1ип ~ ток прямосмещенного р-п-перехода исток-подложка, обуславливающий внутреннюю положительную обратную связь (Кинк-эффект).

Экспериментально изучались характеристики 1п~^(изи, и си) в диапазоне температур 10...80 К. Из анализа полученных зависимостей следует:

1. Наблюдается экспоненциальный рост 1п при Г/сшср<1У си<^сикр"^ +Ж/КЭу» изи=СОП8г, где Исикр - напряжение, соответствующее началу процесса ионизации в пристоковой области; ¿И/ХЭу«{1 -5- 2) В - область напряжений иси, где наблюдается интенсивное изменение тока стока 1С, обусловленное внутренней обратной связью. На рассматриваемом участке иси можно использовать упрощенную модель Эль-Манси:

где 1кан ~ ток канала; исинас - напряжение сток-исток на границе насыщения; С, В - константы, зависящие от температуры. Для исследуемых транзисторов при Т=10 К усредненные значения С= 11, В=90 В.

2. При иси>исикр+Ликщ наблюдается снижение скорости роста тока 1п= £у[/си, I7зU=consí^, что может быть обусловлено двумя факторами: ростом 1п внутри подложки с достаточно высоким сопротивлением; снижением уровня ионизационного тока за счет уменьшения продольной составляющей электрического поля в пристоковой ОПЗ.

Секция теоретических основ радиотехники

В рассматриваемой области напряжений иси возможна аппроксимация 1п— Р(иси) при изи=сотЬ квадратичным полиномом, коэффициенты которого зависят от изи и температуры.

УДК 621.372.542

Г.Л. Черниховская О СВОЙСТВАХ МОДЕЛИ СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫХ СИГНАЛОВ

Для математического описания сверхширокополосных (СШП) сигналов в [1] была предложена спектральная модель, являющаяся компактным с точки зрения минимального числа параметров и удобным в смысле получения решений в замкнутом аналитическом виде описанием сигнала:

Р(]а>) = |ехр[- а2(со - о^)2] + ехр[- а2(со + - 2ехр[- у2со2 - а2а£]|.(I)

Исследованы свойства этой модели и установлена связь параметров модели а, у и со0 между собой и с параметрами спектральной плотности реального сигнала - частотой максимального значения (О^х, шириной энергетического спектра А(03 и средней (центральной) частотой спектра а)с=(а>д+(он), где <у„ и а>н- граничные частоты спектра.

Рассмотрены три случая интерпретации спектральной модели (1). В первом случае предполагается, что частота со0 совпадает с (О^х и граничные частоты (Ов и (Оп симметрично расположены относительно со0. В этом случае мерой широкополосности является характеристика (^=А(03/(00, Во втором случае предполагается, что <У0~<Ута.г> н0 считается, что граничные частоты симметричны относительно сос и выполняется условие равенства значений спектральной плотности на граничных частотах, т.е.

При этом вводится новая характеристика широкополосности У=Асоэ/(Ос. В третьем случае предполагается, что условие (2) выполняется, но частота (00 не совпадает в общем случае с СОтах-

Исследование свойств модели (1) и установление связи между характеристиками широкополосности для первых двух случаев позволило разработать вычислительную процедуру, рассчитывающую параметры модели СШП сигнала а, у и со0 по известным характеристикам спектра Ло)э и (Ос. В случае третьей интерпретации спектра модели ее параметры оказываются связанными с характеристиками спектра Л(Оя, (Отах и й)с системой нелинейных уравнений, для решения которой предложены программы, реализующие метод простых итераций и метод Ньютона.

(2)

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.