CC BY
303
УДК 535.372
СПЕКТРАЛЬНО-КИНЕТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ УРАНОВЫХ КОМПЛЕКСОВ В КРИСТАЛЛАХ LiF
Л.А. Лисицына*, С.Н. Путинцева, В.И. Олешко, В.М. Лисицын
*Томский государственный архитектурно-строительный университет Томский политехнический университет E-mail: [email protected]
Представлены результаты исследований с наносекундным временным разрешением спектрально-кинетических параметров импульсной фотолюминесценции при 300 К кристаллов LiF, содержащих уран-гидроксильные комплексы. Показано, что облучение кристалла электронами приводит к разрушению этих комплексов, к изменению вероятности излучательных переходов и соотношения интенсивностей полос в спектре свечения урана в диапазоне 2,6...2,1 эВ.
1. Введение
Настоящая работа посвящена исследованию влияния величины дозы предварительного облучения на спектрально-кинетические параметры уранового зеленого свечения в диапазоне 2,6...2,1 эВ при 300 К в кристаллах LiF Актуальность исследований определяется широким использованием активированных ураном кристаллов LiF в качестве детекторов ионизирующих излучений, оптических сред для записи и хранения информации, в качестве рабочих сред для термоэкзоэмиссионных детекторов и т. д. [1].
Несмотря на то, что свечение урана исследуется уже более 150 лет, до сих пор не ясна ни природа урановых излучательных комплексов (УИК), ни механизм возбуждения свечения урана, ни роль кислорода в процессе его возбуждения.
УИК по [2-4] представляют собой молекулу (UO5F)0, высокая эффективность создания которой обусловлена ее зарядовой нейтральностью, а дискретная структура спектра свечения обусловлена излучательными переходами различной спиновой мультипольности на общую систему колебательных уровней основного состояния УИК.
Альтернативная точка зрения, например [5-7], заключается в предположении о присутствии в спектрах свечения излучательных переходов на УИК, различающихся количеством ионов кислорода, заместивших ионы F- в экваториальной плоскости линейного уранильного комплекса, представляющего собой молекулярный центр (UO2)2+.
В настоящей работе исследовалось влияние количества и типа примесных ионов на спектрально-кинетические характеристики уранового свечения в кристаллах LiF, в которых УИК формировались как в процессе выращивания при введении в шихту различного количества кислородной примеси, так и в процессе облучения выращенных кристаллов ионизирующей радиацией.
2. Объект и методы исследований
Урансодержащие кристаллы LiF были выращены в Институте физики НАН Киргизстана на воздухе методом Киропулоса. Примесь кислорода вво-
дилась в виде LiОН, а уран - в виде азотнокислого уранила. Во всех кристаллах содержание урана было одинаковым и по шихте равным 0,01 моль. %. Толщина кристаллов не превышала 0,3 мм.
Исследовалась импульсная фотолюминесценция (ИФЛ) кристаллов с временным разрешением 30 нс в спектральном диапазоне 2,6...2,1 эВ и временном интервале 3-10Л..10-1 с после окончания действия импульса возбуждения при 300 К. ИФЛ возбуждалась азотным лазером, излучение которого (3,68 эВ) попадает в полосу активаторного поглощения на 4 эВ, присутствующую в спектре урансо-держащих кристаллов [8, 9]. Энергетическая освещенность в плоскости образца была неизменна во всех экспериментах и составляла 0,3 МВт/см2. Длительность импульса возбуждения 20 нс.
ИФЛ возбуждалась как в необлученных кристаллах, так и кристаллах, предварительно облученных серией импульсов электронов средней энергией 250...300 кэВ при 300 К в диапазоне поглощенных доз 102...106 Гр.
Исходная дефектность кристаллов контролировалась по спектрам оптического поглощения в диапазоне 6,0...0,25 эВ, характерный вид которых приведен на рис. 1. (Для сравнения здесь же приведен спектр поглощения кристалла LiF-OH).
Представленные спектры свидетельствуют о том, что в УФ области спектра исследованных кристаллов LiF(U) присутствуют (рис. 1) полосы на 5, 4 и 3 эВ, как и в [8, 9].
По характерным особенностям спектров поглощения в ИК области исследованные кристаллы LiF(U) были разделены на два типа.
В спектрах необлученных кристаллов типа I присутствуют группы узких полос в области 0,46...0,43 и 0,36...0,35 эВ. Такой же спектр наблюдается и в не активированных ураном кристаллах LiF-OH (рис. 1), где по [10-12] группа полос в области 0,46 эВ обусловлена ионами ОН- и комплексами Ме-ОН-, где Ме - неконтролируемая катионная примесь. Природа поглощения в области 0,36...0,35 эВ не ясна. По совпадению спектров активированных ураном кристаллов и кристаллов, не содержащих уран, очевидно отсутствие в спектре LiF(U) типа I полос, обусловленных комплексами уран-гидроксил.
г
и £
0,50
0,45 0,40
Е, эВ
0,35
60
40
г
и
20
5,5
5
4,5
3
2,5
2
3. Результаты исследований
На партии кристаллов LiF(U), выращенных в одних условиях и отличающихся количеством вводимой в шихту примеси LiOH и, соответственно, величиной поглощения в максимуме полосы на 0,41 эВ, установлено следующее.
1. Спектр ИФЛ кристалла с наибольшим содержанием LiОН, равным 4 мол. % по шихте, состоит из широкой полосы на 2,55 эВ и слабого бесструктурного свечения в области 2,4...2,1 эВ (рис. 2, кривая а). Спектр ИФЛ кристаллов с содержанием примеси LiОН ~0,2 мол. % (кристаллы LiF(U) тип I) состоит из хорошо разрешенных полос на 2,28, 2,38 и 2,46 эВ и слабого бесструктурного свечения в области 2,6 и 2,1 эВ (рис. 2, кривая г). В кристаллах с содержанием примеси LiОН в пределах 0,3...4 мол. %, как следует из рис. 2, спектры ИФЛ отличаются от двух вышеописанных иными соотношениями ин-тенсивностей полос. С увеличением содержания примеси LiOH наблюдается следующая закономерность: относительный вклад длинноволновых полос в спектре свечения УИК падает. Изменения положения полос с введением примеси не наблюдается.
1 Г „ ~ я . . г Т 400
4 3,5
Е, эВ
Рис. 1. Спектры поглощения при 300 К необлученных кристаллов ^(и) (а-в) и LiF-OH (г) с различным содержанием примеси иОН по шихте: 4 (а), 2 (б), 0,2 (в) и 0,5 мол. % (г). На вставке: зависимость коэффициента поглощения в полосах на 4,0 (д) и 0,41 эВ (е) в спектрах кристаллов LiF(U) от количества вводимой при выращивании примеси иОН
В ИК спектре поглощения кристаллов LiF(U) типа II присутствует дополнительно широкая полоса на 0,41 эВ (рис. 1). Спектр поглощения кристаллов этого типа совпадает с приведенным в работе [7], где полоса на 0,41 эВ приписывается уран-гидроксильным комплексам.
Нами обнаружена линейная корреляция между количеством вводимой при выращивании кристалла примеси ОН (рис. 1, вставка) и поглощением в полосах на 4,0 и 0,41 эВ в спектре необлученных кристаллов LiF(U) типа II. Интерполяция данной зависимости в область значений коэффициента поглощения на 4,0 эВ в спектрах кристаллов LiF(U) типа I позволила определить, что количество примеси ОН в кристаллах этого типа не превышает 0,3 мол. % по шихте. Поскольку в ИК спектрах кристаллов типа I нет полосы на 0,41 эВ, обусловленной уран-гидроксильными комплексами, то образование этих комплексов начинается выше некоторого порогового значения концентрации примеси ОН при данной концентрации урана в кристалле.
200 §
2,7
2,5
2,3
2,1
Е, эВ
Рис. 2. Спектры ИФЛ (а-г) и дисперсия времени затухания (д-з) при 300 К в необлученных кристаллах LiF(U) с различным содержанием примеси иОН по шихте: 4 (а, д), 2 (б, е), 0,5 (в, ж) и 0,2 мол. % (г, з). Спектры измерены через 1 мкс после окончания действия импульса возбуждения и нормированы по максимальной полосе в спектрах
Подобное перераспределение интенсивностей полос в спектре фотолюминесценции урана наблюдалось в [13] с увеличением концентрации урана в кристаллах LiF, выращенных методом Киропу-лоса на воздухе.
2. При исследовании кинетики затухания уранового свечения было установлено, что закон затухания в спектральном диапазоне 2,6...2,1 эВ носит моноэкспоненциальный характер независимо от содержания примеси ОН.
Нами исследована зависимость времени затухания от длины волны излучаемой энергии в спектре ИФЛ в каждом из кристаллов (рис. 2, кривые д-з).
6
4
2
0
0
0
0
Из представленных результатов следует, что для каждого из наблюдаемых спектров уранового свечения время затухания зависит от энергии излучения и уменьшается с ее уменьшением. Следовательно, с увеличением временного интервала между окончанием импульса возбуждения и измерением спектра ИФЛ центр тяжести каждого из наблюдаемых спектров смещается в коротковолновую область. Для примера на рис. 3 приведены спектры ИФЛ кристалла LiF(U)-3 мол. % LiОН, измеренные с различной временной задержкой. Следовательно, многообразие приводимых в печати спектров свечения урановых комплексов может быть обусловлено различием временного разрешения измерительных трактов при стационарных измерениях спектров в работах различных авторов.
Приведенные на рис. 2 данные свидетельствуют также о том, что характер дисперсионной кривой времени затухания не зависит от содержания примеси ОН в кристалле. Однако, абсолютное значение характеристического времени затухания на любой длине волны излучения в диапазоне 2,6...2,1 эВ уменьшается с уменьшением в кристалле примеси LiОН. Например, в области 2,55 эВ время затухания свечения меняется в диапазоне 330...90 мкс при изменении количества добавляемой примеси LiOH в диапазоне 4...0,2 мол. % по шихте.
Е, эВ
Рис. 3. Спектры ИФЛ при 300 К необлученного кристалла LiF(U)-3 мол. % ИОН, измеренные через 1 (а), 50 (б), 100 (в) и 1000 мкс (г) после окончания действия импульса возбуждения. Спектры нормированы по полосе на 2,55 эВ
3. Нами обнаружено влияние предварительного облучения на спектр ИФЛ кристаллов LiF(U), в спектре поглощения которых до облучения присутствует полоса на 0,41 эВ (рис. 1).
Установлено, что увеличение дозы предварительного облучения кристалла, содержащего примесь ОН, приводит к перераспределению интен-сивностей полос в спектре ИФЛ и смещению центра тяжести спектра в длинноволновую область (рис. 4). При этом наблюдается корреляция между спектральным положением максимальной полосы в спектре и дозой предварительного облучения кристалла. Так в спектре ИФЛ необлученного кристалла LiF(U)-4 мол. % LiОН наибольшую интен-
сивность имеют переходы в области 2,55 эВ. Переход на 2,44 эВ становится преобладающим в спектре ИФЛ этого же кристалла при дозе предварительного облучения, равной 2-104 Гр, а переход на 2,38 эВ - при дозе 3-105 Гр. Дальнейшее облучение кристалла не сопровождается смещением положения максимума.
Таким образом, радиационное преобразование УИК в кристалле LiF(U) типа II заканчивается с появлением при лазерном возбуждении спектра ИФЛ, совпадающего со спектром, наблюдаемым в кристаллах, не содержащих уран-гидроксильные комплексы (кристаллы LiF(U) типа I). Ранее нами было установлено, что в диапазоне 102...106 Гр воздействие радиации на кристаллы LiF(U) типа I не приводит ни к изменению соотношений между полосами в спектре ИФЛ [14], ни к изменению времени затухания уранового свечения, ни к изменению спектра поглощения в ИК области.
Значение дозы предварительного облучения, необходимой для полного преобразования спектра ИФЛ в кристаллах типа II, зависит от количества присутствующей в кристалле примеси ОН. Для кристалла LiF(U)-2 мол. % LiОН такое преобразование завершается при дозе -8-103 Гр, что значительно меньше значения дозы, необходимой для достижения того же самого эффекта в процессе облучения кристалла LiF(U)-4 мол. % LiОН.
Рис. 4. Спектры ИФЛ (а-г) и дисперсия времени затухания (д-ж) при 300 К в кристалле LiF(U)-4 мол. ЬОН при различных значениях поглощенной кристаллом дозы электронного облучения: необлученный кристалл (а, д), 2.104 (б, е), 1.105 (в) и 3.105 Гр (г, ж). Спектры измерены через 10 мкс после окончания действия импульса возбуждения и нормированы по максимальной полосе в спектрах. На вставке: зависимость коэффициента поглощения в полосе на 0,41 эВ в спектре этого же кристалла от дозы облучения
Необходимо отметить, что в облученных кристаллах LiF(U) азотным лазером возбуждается ИФЛ не только урановых комплексов, но и центров окраски. Свечение, в частности, F3+-центров окраски (полоса на 2,33 эВ с полушириной 0,3 эВ) приводит к искажению как ширины линий излучения урановых комплексов, так и кинетических
кривых затухания (появление наносекундного компонента затухания). Разница значений временных параметров затухания свечения УИК (мкс) и F3+-центров (нс) позволила разделить спектры ИФЛ активатора и F3+-центров во времени. Представленные на рис. 4 спектры измерены через 10 мкс после окончания действия лазерного импульса и не искажены наложением полосы свечения F3+-центров.
4. Облучение кристаллов ионизирующей радиацией приводит не только к перераспределению ин-тенсивностей полос в спектре ИФЛ кристаллов LiF(U)-OH, но и одновременно к изменению времени затухания такого свечения (рис. 4). Как следует из представленных результатов, с ростом дозы предварительного облучения наблюдаются два процесса. Во-первых, происходит смещение центра тяжести спектра уранового свечения в длинноволновую область за счет увеличения интенсивности длинноволновых переходов и, во-вторых, имеет место увеличение вероятности всех излучательных переходов в спектральном диапазоне 2,6...2,1 эВ.
Наименьшее время затухания уранового свечения наблюдается при тех значениях поглощенной дозы, при которых закончилось радиационное преобразование УИК в кристалле типа II и спектры ИФЛ кристаллов типа II и I начинают совпадать. Как было показано выше, величина этой дозы зависит от исходной концентрации примеси ОН в кристалле.
Таким образом, время затухания уранового свечения зависит в необлученных кристаллах LiF от концентрации присутствующей примеси ОН, а в облученных кристаллах, содержащих примесь ОН - от величины поглощенной дозы.
Независимо от способа получения спектра ИФЛ (вариацией концентрации ОН или дозы предварительного облучения) обнаружено существование корреляции между типом спектра ИФЛ урана (т. е. положением его центра тяжести) и временем затухания свечения. Возможна и обратная процедура: восстановление типа спектра, т. е. соотношения полос в спектре ИФЛ, по величине времени затухания любого из переходов в диапазоне 2,6...2,1 эВ.
5. Описанные выше закономерности изменения в результате облучения заселенности излучательных состояний и вероятности излучательных переходов в спектре свечения урановых комплексов, очевидно, есть результат радиационного преобразования примеси ОН, входящей в состав уранового излучатель-ного комплекса. Действительно, одновременно, с ростом дозы облучения падает поглощение в полосе на 0,41 эВ (рис. 4, вставка), свидетельствующее об уменьшении числа присутствующих в кристалле комплексов уран-гидроксил (или и02-0Н).
Наводимые радиацией изменения в спектре ИФЛ обратимы: отжиг при 600 К восстанавливает и прежнее соотношение интенсивностей полос в спектре ИФЛ, и время затухания свечения, и спектр поглощения в ИК области.
В соответствии с приведенной на рис. 1 (вставка) закономерностью, наблюдаемой в необлучен-ных кристаллах, корреляция между коэффициентами поглощения в максимумах полос на 4,0 и 0,41 эВ и количеством присутствующей в кристалле примеси ОН должна соблюдаться и в облученных кристаллах. Тогда следует полагать, что облучением разрушаются не только центры, ответственные за полосу на 0,41 эВ (рис. 4, вставка), но и центры, ответственные за поглощение на 4,0 эВ. Однако проверить предположение не представляется возможным из-за наложения в спектрах облученных кристаллов двух полос - на 4,0 и 3,5 эВ. Последняя, по-видимому, обусловлена центрами типа Ук, концентрация которых растет с ростом поглощенной дозы.
4. Обсуждение результатов
Ранее нами было показано, что процесс разгорания ИФЛ в каждой из полос спектра зеленого свечения урана носит моноэкспоненциальный характер [14]:
I «)=- ехр(—/*)),
где т=40 нс и одинаково во всей спектральной области 2,6...2,1 эВ.
Величина характеристического времени разго-рания свечения урановых комплексов не является структурно-чувствительной характеристикой УИК, т. к. не зависит ни от количества примеси ОН в кристалле, ни от величины дозы предварительного облучения кристалла.
По результатам настоящей работы структурно-чувствительными характеристиками УИК являются соотношение интенсивностей полос в спектре ИФЛ в диапазоне 2,6...2,1 эВ и вероятность излучательных переходов (время затухания свечения урановых комплексов). Присутствие в необлученных кристаллах примеси ОН приводит к полному или частичному изменению ближайшего окружения линейного уранильного комплекса и, как следствие - к изменению времени затухания и соотношения интенсивности полос в спектрах свечения (рис. 2). Величина стоксового сдвига, определяемого как разница между энергией возбуждения (3,68 эВ) и положением излучательного перехода максимальной интенсивности, зависит от количества гидрок-сильных ионов, вводимых в кристалл. Увеличение присутствующей в кристалле примеси приводит к уменьшению величины стоксового сдвига с 1,30 эВ в спектре кристалла LiF(U) типа I, не содержащего уран-гидроксильных комплексов, до 1,13 эВ - в спектре кристалла LiF(U)-4 мол. % LiOH.
Результат воздействия радиации на кристалл, заключающийся в смещении центра тяжести спектра ИФЛ в длинноволновую область с ростом дозы радиации (рис. 3), подобен изменениям, наблюдаемым в спектре ИФЛ в необлученном кристалле с уменьшением содержания ОН (рис. 2 и 4). Обнаруженный эффект является не только прямым доказательством присутствия примеси ОН в окружении линейного уранильного комплекса, но и свиде-
тельствует о радиационном методе выведения примеси ОН из состава УИ^
О разрушении под действием радиации уран-гидроксильных комплексов говорит также уменьшение поглощения в полосе на 0,41 эB с ростом дозы предварительного облучения кристаллов LiF(U) типа II (рис. 4, вставка).
Отсутствие влияния радиации в широком интервале доз 102...106 Гр [14] на вид спектра ИФЛ кристаллов LiF(U) типа I свидетельствует о высокой радиационной стойкости УИ^ не содержащих в качестве ближайшего окружения ионы ОН-.
^к свидетельствуют результаты настоящей работы, величина характеристического времени затухания свечения УИK зависит от следующих параметров: величины поглощенной кристаллом дозы, количества присутствующей в кристалле примеси ОН и от энергии излучательного перехода. Увеличение энергии излучательного перехода сопровождается увеличением времени жизни центра в соответствующем излучательном состоянии для УИK с различным количеством примеси в составе УИ^
Присутствие примеси ОН в кристалле приводит к формированию некоторых промежуточных структур, отличающихся количеством ионов ОН- в составе УИ^ Увеличение числа ионов ОН- в составе излучательного уранового комплекса сопровождается увеличением характеристического времени затухания во всем спектральном интервале 2,6...2,1 эB.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Слесарев A.K, Жамангулов A.A., Kидибаев М.М., Kортов B.C, Шульгин БЗ. Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия кристаллов фторидов лития и натрия, активированных ураном // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26. - № 9. - С. 60-64.
2. Феофилов П.П. О природе элементарных осцилляторов иона урана // Оптика и спектроскопия. - 1960. - Т. 8. - Bbm. 6. -С. 824-827.
3. Parrot R., Naud C., Delbecq C.J., Yuster P.H. Optical and ESR studies of U5+ luminescent molecular centers in x- and /-irradiated LiF-U4O8 crystals // Physical Review B. - 1977. - V. 15. - № 1. - P. 137-145.
4. Dalvi A.G.I., Sastry M.D., Joshi B.D. Trap level spectroscopy of ac-tinide-doped phosphors: I. LiF:UO22+ and LiF:241Am // J. Phys. C: Solid State Phys. - 1984. - V. 17. - P. 5851-5863.
5. Lupei A., Lupei V., Ursu L. Impurities effects on the U6+ luminescence in LiF // J. Phys. C: Solid State Phys. - 1985. - V. 18. -P. 6099-6107.
6. Ллешкевич Н.И., ^асатов Ю.И., Сытько B.B. Спектрально-люминесцентные свойства и природа центров свечения в кристаллах LiF-U(VI) // Журнал прикладной спектроскопии. -1982. - Т. 37. - № 4. - С. 585-591.
7. Lupei A., Lupei V. On the nature of U5+centers in LiF // Phys. Stat. Sol. (b). - 1979. - V. 94. - № 301. - P. 301-307.
8. Ллешкевич Н.И., Титков У.Ф., ^мяк A.K, Шолох B.E Спектры поглощения монокристалла LiF, активированного шестивалентным ураном // Журнал прикладной спектроскопии. -1980. - T. 33. - Bbm. 6. - С. 1060-1064.
9. Bagai R.K., Warrier A.V. Optical absorption spectrum of UOf doped LiF // J. Phys. C: Solid State Phys. - 1977. - V. 10. -P. L 437-L 439.
Облучение кристалла, содержащего в составе УИК ионы ОН-, вызывает радиационную модификацию урановых комплексов, видимо, включающую разрушение ионов ОН- и, как следствие, уменьшение их числа в составе УИК. Это в свою очередь приводит к уменьшению числа уран-ги-дроксильных комплексов, проявляющихся в спектрах поглощения в ИК области. (Радиационное разрушение ионов ОН- в кристаллах LiF-OH доказано в [11, 12]).
Наименьшее значение времени затухания свечения (90 мкс в области 2,55 эВ) есть характеристика уранового излучательного комплекса, не содержащего в своем составе ионы ОН-. Спектр свечения такого комплекса не меняется с ростом дозы облучения, что говорит в пользу отсутствия в составе УИК радиационно-нестойких ионов ОН-.
По-видимому, уранильной линейной группе (и02)2+, в экваториальной плоскости которой находятся ионы F-, принадлежит спектр ИФЛ, обладающий следующим набором характеристик: максимальная интенсивность излучения в области 2,38 эВ; соотношение интенсивностей полос на 2,28, 2,38 и 2,46 эВ, как 1:5:1; диапазон значений времени затухания 90...50 мкс в зависимости от энергии перехода в области 2,6...2,1 эВ (рис. 2, кривые г, з). Теоретические оценки [15-17] говорят в пользу возможности такой интерпретации зеленой люминесценции УИК в ЩГК.
10. Архангельская В.А., Гусева Е.В., Зингер Г.М., Королев Н.Е., Рейтеров В.М. Термостойкость F2- центров в радиационно окрашенных кристаллах LiF с кислородсодержащими примесями // Оптика и спектроскопия. - 1986. - Т. 61. - № 3. - С. 542-549.
11. Akhvlediani Z.G., Berg K.Y., Berg G. Formation and annealing of hydrogen centers in OH- containing X-irradiated LiF crystals // Crystal Lattice Defects. - 1980. - V. 8. - № 4. - P. 167-175.
12. Ахвледиани З.Г. U-центры в гамма-облученных кристаллах LiF:OH- // Журнал прикладной спектроскопии. - 1989. - Т. 50.
- Вып. 3. - С. 498-500.
13. Беляев Л.М., Перекалина З.Б., Варфоломеева В.Н., Панова В.П., Добржанский Г.Ф. Люминесцентные свойства фторида лития, активированного ураном // Кристаллография. -1960. - Т. 5. - № 5. - С. 757-760.
14. Лисицына Л.А., Олешко В.И., Лисицын В.М., Путинцева С.Н. Кинетические параметры уранового свечения в кристаллах LiF // Известия Томского политехнического университета. - 2007.
- Т. 311. - № 2. - С. 69-74.
15. МсGlynn S.P., Smith L.K. The electronic structure, spectra and magnetic properties of actinyl ions. Part I. The uranil ion // Journal of molecular spectroscopy. - 1961. - V. 6. - P. 164-187.
16. Дяткина М.Е., Марков В.П., Цапкина И.В., Михайлов Ю.Н. Электронное строение группы UO2 в соединениях уранила // Журнал неорганической химии. - 1961. - Т. 6. - Вып. 3. - С. 575-580.
17. Онопко Д.Е., Пашнина Е.П., Старостин Н.В. О природе люминесценции ионов шестивалентного урана в различных кристаллических основах // Оптика и спектроскопия. - 1977. -Т. 43. - Вып. 5. - С. 901-905.
Поступила 25.01.2008 г.
