CC BY
17
ИЗВЕСТИЯ
ТОМСКОГО ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО Том 91 ИНСТИТУТА имени С. М. КИРОВА 1956 г.
СИНТЕЗ СИЛИКОБЕРИЛЛАТОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ И АЛЮМОСИЛИКАТА БАРИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
В. И. ОДЕЛЕВСКИЙ и Р. Н. СТРЕЛЬЦЫНА
Развитие радиотехники, в частности мощных генераторных ламп, выдвигает все повышающиеся требования к диэлектрикам. Сейчас уже имеется потребность в диэлектриках, могущих выдерживать воздействие постоянного напряжения и высокочастотного поля при не слишком малых градиентах и температурах 500—1000°С.
В связи со сказанным приобретают существенное значение исследования, направленные на разработку неорганических диэлектриков с высокой температуростойкостью и хорошими электроизоляционными свойствами при повышенных температурах.
Исходя из некоторых общих закономерностей, можно заранее существенно уменьшить область исследуемых веществ.
Исходя из требования достаточной стабильности в вакууме при высокой температуре и достаточной тугоплавкости, мы должны исключить все галоидные соединения, сульфиды и т. д.
Практически приходится ограничиться окислами, так как нитриды, карбиды и т. п. имеют высокую электропроводность.
Учитывая требование низкой электропроводности, мы должны исключить простые и сложные окислы большей части металлов (например, ряды от Т\ до Хпу от 2т до Сй и т. п.), ибо они, как правило, имеют повышенную электронную проводимость, а также соединения, содержащие щелочи, из-за их высокой ионной электропроводности.
После исключения сравнительно легкоплавких соединений бора и летучих соединений фосфора остаются окислы алюминия, кремния, бериллия, магния и щелочно-земельных металлов.
Важным фактором является плотность структуры, отсутствие в кристаллической решетке достаточно широких каналов, по которым могли бы двигаться ионы.
Плотные структуры можно разделить на две группы: структуры с плотной анионной упаковкой (шпинель М^ А1204, окись бериллия, окись алюминия и др.) и структуры с неплотной упаковкой анионов, в которых „уплотняющим агентом" служат крупные катионы (например, цельзиан ВаА1251208). В настоящей работе исследуются вещества, относящиеся ко второй группе структур.
Работа распадается на две части: в первой излагаются результаты исследования новых соединений—силикобериллатов, во второй—исследуются условия получения различных модификаций алюмосиликата бария и электрические свойства алюмосиликата бария при высоких температурах.
Исследование силикобериллатов щелочноземельных
металлов
Все модификации двуокиси кремния—кварц, кристобаллит и триди-мит отличаются неплотной структурой с большим количеством каналов (см., структуру кристобаллита, рис. 4, стр. 269).
Можно попытаться уплотнить структуру частичным замещением
Si4+ — Be2+-f R2+,
где R2+— крупный щелочноземельный ион, Са2+ Sr2+ или Ва2+. В соответствии с величиной ионных радиусов малые катионы бериллия должны стать на место ионов кремния, а большие катионы R2+ расположатся в полостях и уплотнят структуру.
Состав продукта такого замещения отвечает молекулярной формуле
R0.Be0.Si02 = RBeSi04.
Известны аналогичные щелочные алюмосиликаты такие, как гексагональный калиофиллит
К AI Si04,
или псевдокубический карнегиит
Na AI Si04;
естественно, что в связи с большим содержанием щелочей они отличаются-относительно высокой электропроводностью.
Можно назвать лишь одно соединение упомянутого типа, в котором внутри полостей находятся двухзарядные ионы; это тримерит (Mn Ca) Si04 [1].
Тримерит является весьма редким минералом.
Из существования природного минерала еще не вытекает возможность получения подобного рода кристаллического продукта путем синтеза при атмосферном давлении.
Синтез силикобериллатов, определение показателя преломления, плотности и термического расширения
Первоначально при синтезе применялись карбонаты щелочноземельных металлов марки „чистый", окись бериллия „для геттера" и горный хрусталь.
В пределах температур обжига 1200— 140СГС рентгенограммы обожженных препаратов, отвечающих эквимолекулярному составу RO. ВеО. Si02 остаются неизменными и не обнаруживают линий, характерных для модификаций Si02, окиси бериллия, окислов RO, а также силикатов бериллия щелочноземельных металлов.
Микроскопическое исследование обожженных препаратов, проведенное на порошках иммерсионным методом [2], показало, что в каждом из образцов подавляющее большинство зерен относится к одной основной фазе; имеется небольшое количество зерен других фаз порядка 2%, что, вероятно, связано с загрязнениями.
Таким образом, можно считать установленным существование соединений CaBeSi04, SrBeSi04 и BaBeSi04.
Дальнейшие исследования производились с использованием сырья специальной очистки; двуокись кремния получалась разложением перегнанного тетраэтоксисиликата Si(OC2H5).1, окись бериллия и карбонаты щелочноземельных металлов очищались обычными приемами [3].
Плотность определялась пикнометрическим методом [4].
Термическое расширение определялось с помощью чувствительного кварцевого дилатометра, с коэффициентом увеличения 6000.
Результаты измерений приведены в табл. 1 и на рис. 1 (термическое расширение).
Таблица 1
Физические свойства силикобериллатов
Соединение HD d г/сж3 5C0" 106.a 100°
CaBeSi04 1,673 3,16 7
SrBeSi04 1,678 3,79 9,5
BaBeSiO* 1,680 4,23 11
SOO
400
300 209 №
то zoo зоо ш $оо боо лю
г
Рис. 1. Термическое расширение силикобериллатов 1. CaBeSiO*; 2. SrBeSi04; 3. Ва Be Si04.
Определение межплоскостных расстояний и интенсивностей отраженных
рентгеновых лучей
Рентгенографическая съемка производилась в камерах Дебая, диаметром 114,6 мм, методом асимметричной съемки.
Исследуемый порошок набивался в целлулоидный чехол диаметром 0,7 мм.
Применялось излучение Сик-а с никелевым фильтром для ослабления ¡3 линий.
Напряжение на трубке БСВ—Си было равно 30 кв> ток через трубку—10 ма.
Значения межплоскостных расстояний и относительных интенсивностей отраженных лучей приводятся в табл. 2—4.
IX 2
3
Межплескостные расстояния „с!" и относительные интенсивности отраженных рентгеновых
лучей для силикобериллата СаВе5Ю4
№ пп й I № пп (1 1 № пп с! I
1 4,120 1 31 1,552 1 61 0,9960 1
2 3,922 1 32 1,538 1 62 0,9953 2
3 3,649 2 ЯЗ 1,515 4 63 0,9821 1
4 3,387 1 34 1,487 2 64 0,9724 1
5 3,231 1 35 1,469 2 65 0,9640 1
6 3,141 1 36 1,444 7 66 0,9571 1
7 2,837 10 37 1,419 1 67 0,9492 2
8 2,760 5 38 1,404 1 68 0,9415 2
9 2,686 1 39 1,370 6 69 0,9314 1
10 2,632 1 40 1,324 2 70 0,9164 1
И 2,371 7 41 1 ,ЗГ6 1 71 0,9033 1
12 2,272 7 42 1,292 1 72 0,8957 1
13 2,218 2 43 1, /72 1 73 0,8866 1
14 2,182 1 44 1,247 1 74 0,8600 2
15 2,113 3 45 1,232 1 75 0,8544 1
16 2,055 2 46 1,218' 4 76 0,8484 2
17 2,032 2 47 1,281 1 77 0,8308 2
18 1,989 1 48 1,147 1 78 0,8230 1
19 1,970 3 49 1,132 3 79 0,8130 1
20 1,878 1 50 1,122 3 • 80 0,8040 2
21 1,848 1 51 1,111 1 81 0,7995 1
22 1,821 5 52 1,105 1 82 0,7969 1
23 1,767 1 53 1,094 5 83 0,7929 1
24 1,748 1 54 1,080 2 84 0,7895 1
25 1,706 2 55 1,070 2 85 0,7873 1
26 1,688 1 56 1,056 2 86 0,7839 1
27 1,651 1 57 1,047 2 87 0,7819 1
28 1,617 1 58 1,037 2 88 0,7800 1
29 1,598 2 59 1,024 2 89 0,7772 1
30 1,579 2 60 1,015 2 90 0,7754 2
91 0,7736 2
Таблица 3
Межплоскостные расстояния „с!" и относительные интенсивности отраженных рентгеновых лучей для силикобериллата БгВеБК^
№ пп <* I № пп (1 \ № пп (1 I
1 4,171 4 24 1,518 1 47 0,9908 2
2 4,022 1 25 1,476 8 48 0,9750 2
3 3,720 3 26 1,459 2 49 0,9626 2
4 Зуоб\ 1 27 1,429 I 50 0,9540 Г
5 3,227 2 28 1,397 6 51 0,9474 1
6 2,9 5 10 29 1,369 1 52 0,9375 2
7 2,731 1 30 1,355 1 53 0,9183 3
8 2.668 1 31 1,330 1 54 0,9046 2
9 2,416 6 32 1,317 1 55 0,8937 2
10 2,314 2 33 1,291 4 56 0,8834 2
11 2,263 1 34 1,280 6 57 0,8698 4
12 2,169 1 35 1,209 3 58 0,8570 4
13 2,079 9 36 1,185 5 59 0,8348 4
14 2,034 6 37 1,159 2 60 0,8299 2
15 1,979 1 38 1,153 4 61 0.8240 3
16 1,924 I 39 1,141 2 62 0,8215 3
17 1,863 6 40 1, '19 7 63 0,8073 4
18 1,831 5 41 1,069 1 64 0,8009 2
19 1,746 1 42 1,049 1 65 0,7952 2
20 1,666 1 43 1,041 4 66 0,7924 2
21 1,631 1 44 1,032 4 67 0,7854 4
22 1,579 3 45 1,015 3 68 0,7781 5
23 1,555 6 46 1,008 3 69 0,7760 5
70 0,7730 4
Межплоскостные расстояния ис1" и относительные интенсивности отраженных рентгеновых лучей для силикобериллата ВаВеЗЮ4
№ й I № с1 I N9 (1 I
пп пп пп
1 4,165 3 21 1,107 1 41 0,8358 1
2 3,613 7 22 1,093 1 42 0,8298 1
3 2,812 1 23 1,049 2 43 0,8249 1
4 2,555 8 24 1,035 2 44 0,8239 1
5 2,183 10 25 1,019 2 45 0,8157 1
6 2,096 4 26 1,010 2 46 0,8132 1
7 2,069 1 27 0,9999 2 47 0,8108 1
8 1,806 2 28 0,9734 1 48 0,8085 1
9 1,668 о 29 0,9606 1 49 0,8061 1
10 1,6'27 3 30 0,9459 1 50 0,8040 1
11 1,609 4 31 0,9129 1 51 0,7993 1
12 1,480 6 32 0,9054 1 52 0,7962 1
13 1,465 2 33 0,8803 53 0,7940 1
14 1,395 2 34 0,8700 1 54 0,7912 1
15 1,287 2 35 0,8611 1 55 0,7892 1
16 1,272 2 36 0,8578 1 56 0,7873 1
17 1,229 2 37 0,8506 1 57 0,7847 1
18 1,209 3 38 0,8496 1 58 0,7815 1
19 1,195 2 39 0,8435 1 59 0,7785 1
20 1,143 1 40 0,8422 1 60 0,7758 1
61 0,7745 1
Исследование электропроводности и диэлектрических потерь в силикобериллатах при высоких температурах
Образцы для измерений изготовлялись из предварительно синтезированных силикобериллатов путем обжига в силитовой печи дисков, спрессованных из порошка. Температура синтеза и температура обжига 1400—1420°С.
На образцы наносились серебряные электроды вжиганием соответствующей пасты.
Определение электропроводности производилось на обычной установке с зеркальным гальванометром. Во избежание развития электролитических явлений в промежутках между измерениями электроды замыкались накоротко.
Тангенс угла диэлектрических потерь определялся при частоте 1 мггцу с помощью куметра. Для ликвидации поля рассеяния в печи был сконструирован коаксиальный ввод. Испытание показало, что при такой конструкции ввода добротность контура не зависит от температуры печи.
Результаты измерений даны на рис. 2 и 3.
Как видно, удельные сопротивления всех трех силикобериллатов близки между собой и на два порядка превышают удельное сопротивление кварцевого стекла.
Дополнительные опыты показали, что замена чистого сырья техническим почти не сказывается на величине электропроводности (а также и диэлектрических потерь).
Диэлектрические потери при температурах ниже 400° малы порядка 0,1—0,2%), при 600—800° они существенно возрастают 3—7%), однако, не обнаруживая прогрессивного роста (выпуклые кривые).
Наименьшими диэлектрическими потерями в этой области температур обладает силикобериллат бария, наибольшими—соответствующее соединение кальция.
15 14
13
12
11
10
9
8
7
Ц*
е
V 4>
ч
X ч?
N ■V X
* Л ч 1 1 \ \
\ \ V
20
18
1$
14
12 10
Рис. 2. Температурная зависимость удельного сопротивления: 1. кварц _]_ оси; 2. кварц II оси; 3. кварцевое стекло; 4. СаВе5Ю4; 5. БгВеБЮ*; 6. ВаВеБЮ;.
328
800 900 Г
Рис. 3. Температурная зависимость угла диэлектрических потерь при £ = 106 гц.
1. ВаВеБЮ4; 2. БгВеБЮ*; 3. СаВеЯЮ.
Очевидно, при температурах выше 800°С и частоте 1 мггц величина будет в основном определяться электропроводностью (рис. 4); однако, при частотах 107 —108 гц удельный вес потерь проводимости резко снижается, и дополнительные потери приобретают существенное значение.
Исследование диэлектрических потерь при температурах порядка 800°С и частотах 10' —108 гц ведется.
Рис. 4. Сравнение суммарных диэлектрических потерь с потерями проводимости.
1-1'. ВаВеБЮ^; 2-2'. БгВеЗК^; 3-3'. СаВеБЮ4.
Дополнительные потери могут быть вызваны релаксацией примесных ионов либо иным сходным релаксационным механизмом. Пока нет достаточных экспериментальных данных для более определенного заключения.
Синтез и исследование различных модификаций алюмосиликата бария
Минерал цельзиан, состава ВаА1251208, моноклинный, по структуре весьма близок к анортиту СаА1251208 и альбиту ЫаА181308.
В 1915 году Гинзберг открыл вторую модификацию алюмосиликата бария—гексагональную [5].
Синтетический дельзиан пытались применять, как огнеупор.
В последние годы интерес к цельзиану возрос в связи с его хорошими электрическими свойствами и низким термическим расширением [6].
Для технических целей, в особенности, если иметь в виду внутрилам-повые изоляторы, интерес представляет, именно, моноклинный цельзиан, а не гексагональная модификация ВаА1351208, которую мы будем в дальнейшем именовать „гексацельзиан".
Недостатком гексацельзиана является его низкая стойкость к термическим ударам, связанная с модификационным превращением при температуре 300°С [7].
Твердофазный синтез из каолина и карбоната бария при 1300— 1400°С дает всегда моноклинную модификацию; однако, каолин содержит щелочные загрязнения, что ухудшает электрические свойства при высоких температурах.
Попытка получения цельзиана твердофазной реакцией из чистого сырья (очищенный гидрат окиси алюминия и горный хрусталь) дала отрицательный результат: продуктом синтеза оказался гексацельзиан (по данным рентгеноструктурных и дилатометрических исследований).
Литературные данные об условиях образования цельзиана и гексацельзиана противоречивы [5—10]; неизвестно также было, которая модификация является термодинамически устойчивой в области обычных температур синтеза; поэтому, было выполнено небольшое исследование условий образования и сравнительной стабильности двух модификаций.
Влияние исходного сырья на структуру алюмосиликата бария
Для определения содержания каждой из модификаций в продукте синтеза был использован дилатометрический анализ, широко применяемый при исследованиях динаса [11]. Измерения производились на высокочувствительном дилатометре с коэффициентом увеличения 6000.
Было установлено, что применение каолина при синтезе обеспечивает получение цельзиана; смесь гидрата окиси алюминия с горным хрусталем дает при обжиге гексацельзиан.
Для установления равновесной модификации были приготовлены смеси гексацельзиана с цельзианом, из которых затем были изготовлены и обожжены образцы.
На рис. 5 даны кривые расширения цельзиана, гексацельзиана и обожженных смесей.
Расчет показывает, что после однократного обжига количество гексацельзиана значительно уменьшилось: с 50 до 13% и с 75 до 27%; следовательно, при температуре обжига (1400°С) термодинамически устойчивой фазой является цельзиан.
Таким образом, можно получить образцы цельзиана с малым содержанием щелочей, если использовать метод введения каолинистой моноклинной затравки при синтезе алюмосиликата бария из чистого сырья.
Все же, несмотря на возможность такого решения, представляло интерес обследовать более детально влияние сырья на структуру продукта синтеза.
В табл. 5 приведены соответствующие данные. Если исключить каоли" нистое сырье, то наиболее благоприятные результаты получены при применении кварцевого песка и глинозема.
Приблизительно равноценен вариант с дисиликатом бария и глиноземом, однако, он технологически значительно сложнее из-за необходимости предварительного синтеза дисиликата бария.
Таблица 5
Влияние сырья на относительное содержание гексацельзиана в продукте синтеза
№ пп Употребляемое сырье Величина скачка в расширении > Объемное содержание гексацельзиана о/б Примечание
1 А1 (ОН)3; горный хрусталь 0,12 100
2 каолин — 0
3 А13^з; горный хрусталь • 0,074 62
4 А1203; кварцевое стекло 0,036 30
»» 0,001 3 после переработки
5 А12Од; дисиликат бария 0,020 17
0,006 5 после переработки
6 А1208; кварцевый песок 0,016 13
»» 0,005 4 после переработки
3ÖQ
W
WO
! : .......... -—г J jfta^O )
У А *
; i i
100
200
300
400
5Q0
t°c
Рис. 5. Термическое расширение алюмосиликата бария (влияние количества моноклинной добавки). 1. гексагональный; 2. моноклинный; 3. 50% моноклинной добавки; 4. 25% моноклинной добавки.
Заметим попутно, что при синтезе алюмосиликата бария из окислов и карбоната бария необходимо применять выдержку в 3—4 часа при 1200°С, иначе возникают неудобства из-за неполноты протекания реакции, возникают легкоплавкие эвтектики, заготовки растекаются и т. п.
Облегчение образования равновесной моноклинной фазы при замене горного хрусталя кварцевым песком можно объяснить минерализующим действием примесей (окислы железа и др.)» содержащихся в кварцевом песке в заметно большем количестве, чем в горном хрустале.
Переработка (измельчение с последующим обжигом) ведет к дальнейшему уменьшению содержания гексацельзиана. Практически достаточно одной переработки.
Исследование электрических свойств алюмосиликата бария при высоких
температурах
На рис. 6 и 7 представлены температурные зависимости удельного сопротивления и tgS для различных образцов алюмосиликат бария.
Малые количества щелочных примесей, порядка сотых долей процента, не сказываются на электропроводности: образцы на глиноземе и кварцевом песке оказались, по меньшей мере, равноценными образцам, приготовленным из очищенного гидрата окиси алюминия и горного хрусталя; однако, десятые доли процента щелочных загрязнений (образцы на каолине) уже несколько снижают удельное сопротивление.
еМР
О4
• ч чЧ
\ \ ч \
ч ч \ \
ч 1
Чч ч V
14 а 12 // 0 9$ч э
т
Рис. 6. Температурная зависимость удельного сопротивления. 1. Кварцевое стекло. 2, 3, 4, 5— алюмосиликат бария. Сырье: 2. А1203, кварцевый песок; 3. каолин; 4. горный хрусталь, А1203; 5. А1(ОН)3, горный хрусталь; Д то же+5°/0 диси-ликата бария.
Добавление небольшого количества плавня (5% дисиликата бария) не сказывается на электропроводности.
Алюмосиликат бария, приготовленный с применением недефицитного и недорогого глинозема и кварцевого песка, по удельному сопротивлению при высоких температурах в 100 раз превосходит кварцевое стекло.
Щелочные загрязнения сильнее сказываются на диэлектрических потерях, чем на электропроводности.
во
50
40
Ю
4
fs i !
j г
/
j ^ /
—а Ф >> <■7
30
20
300 400 500 BOO 700 $00
VG
Рис. 7. Температурная зависимость угла диэлектрических потерь алюмосиликата бария. L А1 (ОН)3, горный хрусталь; 2. То же 4- 5°/0 дисиликата бария; 3. А1203, кварцевый песок; 4. Al2Os, горный хрусталь; 5. каолин.
Наименьшие диэлектрические потери при высоких температурах имеют образцы, приготовленные на чистом сырье ^$ = 0,17 при 800°С); далее следует образец, приготовленный из технических окислов В = 0,026) и, наконец, на каолине ^ о = 0,14).
Как видно, разница между первыми двумя образцами невелика.
Обращают на себя внимание исключительно низкие диэлектрические потери образцов, приготовленных на технических окислах и на чистом сырье при температуре 500°С: tgo равен всего 0,05—0,1%. Присутствие 10% стекловатой фазы (образец с дисиликатом бария) в отличие от случая электропроводности несколько увеличивает 5 (с 0,026 до 0,037 при 800°С). Участки стекла при малом его количестве можно рассматривать, как разобщенные включения, что и объя-
i f
<
е 1 / / /
' ! г i / 1:
/1
°л // 1 * /
/ Sjt 4
300 400 500
600
№ №
ГС
Рис. 8. Температурная зависимость угла диэлектрических потерь: 1. кварцевое стекло; 2. ультрафарфор пористый; 3. алюмосиликат бария с цирконосиликатом; 4. алюмосиликат бария на чистом сырье.
сняет эту разницу во влиянии стекловатой фазы на электропроводность (при постоянном напряжении) и диэлектрические потери.
Образцы алюмосиликата бария имеют гораздо меньшие диэлектрические потери при высоких температурах, чем применяющиеся в настоящее время для внутриламповых изоляторов плавленный кварц, пористый ультрафарфор и пористая тальковая масса. Достаточно хорошие свойства имеет также цельзиановая масса, в которую для улучшения спекания добавлен цирконосиликат бария (рис. 8). 333
Заключение
В настоящей работе:
1) Получены новые соединения силикобериллаты кальция, стронция и бария; определены для них межплоскостные расстояния и соответствующие интенсивности отражений рентгеновых лучей.
2) Определены показатели преломления, удельные веса и коэффициенты термического расширения силикобериллатов.
3) Исследована электропроводность и диэлектрические потери силикобериллатов при высоких температурах.
Показано, что электропроводность силикобериллатов при 800" С в 100 раз, а диэлектрические потери в 10 раз ниже, чем соответствующие характеристики плавленого кварца.
4) Найдены условия получения моноклинной модификации алюмосиликата бария из технических окислов.
Показано, что термодинамически равновесной при температуре порядка 1400°С является моноклинный цельзиан.
5) Исследованы электрические свойства образцов алюмосиликата бария, изготовленных с применением различных видов сырья.
Установлено, что диэлектрические потери алюмосиликата бария, изготовленного на технических окислах, сравнительно невелики, даже при 800°С: tgо = 0,03—0,04 при частоте 1 мггц> т. е. в 20 раз ниже, чем у плавленого кварца.
Особенно выделяются исключительно низкие диэлектрические потери алюмосиликата бария при температуре 500° С (tg8 = 0,0005—0,001 при частоте 1 мггц).
Электропроводность упомянутых образцов при 800°С равна 108 омгхсмг1% т. е. в сто раз ниже, чем у кварцевого стекла.
6) Можно рассчитывать, что применение моноклинного алюмосиликата бария (цельзиана) в качестве материала для внутриламповых изоляторов окажется целесообразным, учитывая его хорошие электрические свойства при высоких температурах и относительно небольшой коэффициент термического расширения. Силикобериллаты при хороших электрических свойствах имеют два недостатка: повышенное термическое расширение и наличие в рецепте дефицитного и дорогого сырья—окиси бериллия; в силу этого, они вряд ли смогут конкурировать с цельзианом.
В работе принимали участие инж. Прохватилов В. Г. и Гиндин Е. И. (рентгеноструктурные исследования) и канд. техн. наук Кожевникова Н. В. (определение показателей преломления).
ЛИТЕРАТУРА
1. Дана Э. С. Описательная минералогия. Л. М., ОНТИ, 1937.
2. Бокий Г. Б. Иммерсионный метод. Изд. МГУ, 1948.
3. Карякин Ю. В. Чистые химические реактивы. Госхимиздат, 1947.
4. Жуковский Г. Ю., Келлер К. И., Антонович Н. К. Методы исследова-> ния керамических материалов, ГОНТИ, НКТП, 1939.
5. Гинзберг А. С. Изв. Петр. Политехн, Ин-та 23, 34, 1915.
6. Полякова Н. Л. Доклад научно-технического совещания о радиокерамике, стр. 51, Ленинград, 1955.
7. 1 о s h i k i В. and Matsumoto К. Joum. Amer. Cer. Soc. 34 [9] 283, 1951.
8. Es kola P. Amer. Journ of Sciense [5th] ser. 4 [23], 931, 1922.
9. Tomas R. Journ. Amer. Cer. Soc. 33 [2], 35, 1950.
10. ToponûB H. A., Г a л a X о в Ф. Я., Б о н д a p ь И. A. ДАН, 89, 1953.
11. К а й н а р с к и й И. С., Куколев Г. В,, С м е л я н с к и й И. С. Технология динаса ОНТИ, НКТП, 1938.
Стр.
5
9
13
24
50
53
57
64
65
85
111
111
120
135
147
148
204
253
273
2S0
294
282
324
336
337
337
337
338
338
339
340
3-1-7
<j'r /
3-18
35:)
451
ОПЕЧАТКИ
Напечатано
Следует читать
Зинерман пробивкой напряженности h
е ^ 4 —
2'
рис,
М-
L
~М
df dz
/'-.Т.
h О — h в , 1 •
к 0,52 . Ю-2
1У
101*.
. 10
производимое™ активизации прочности химического стр...
е = 1000 Up aap. II проб.
КЬВг
- f = 4. Ю-*1 гц; 3 - f = Ю3 гц
KCJ 2103
от 10
таблица стр. 269 [3,4]
¡6] [7] [6]
[9,10] [11,12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[М] л- - Const механический
Зингерман пробивной напряженностью h
е ^ 4 ш рис. 9.
М1
jW-
df\
1 —
1 —
1,3 s
(t - /)»
1014
h (ч, ^i) = k e -.0,52 . 10~2
10" 2
проводимости активации прочности от химического стр. ИЗ е ~ 1000
иразр. / Unpoö.
RbBr
2 — f = 4.10- гц; 3- Г = юз гц
KCl
2.105
от 10 * при f =2.10' до 6 10 таблица 2 стр. 251
[3]
[4]
й
И
[7,8]
И [П]
[¡.я
[M]-v = Const технический
