Научная статья на тему 'Широкополосная СВЧ линия задержки на объемных акустических волнах'

Широкополосная СВЧ линия задержки на объемных акустических волнах Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
399
72
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Широкополосная СВЧ линия задержки на объемных акустических волнах»

Экспериментальная проверка выполнялась на диодах Ганна, ЛПД, ЛФД и ФД2, причем диод Ганна и ЛПД работали в режиме генерации на частоте о) і "=9,3 ГГц, при этом свет модулировался частотой ю2= 120 МГц. Для диода Ганна зависимость мощности сигнала гетеродина и первых четырех комбинационных составляющих приведена на рис.6. Следует отметить, что в режиме асинхронного приема на ЛФД была получена эффективность, значительно превышающая прямое детектирование.

Рис.6

ЛИТЕРАТУРА

1. Маиышев В.А. Теория разогревных нелинейностей плазмы твердого тела. Ростов н/Д: Изд-во. РГУ, 1979. С.264.

2. Сифоров В.И. Радиоприемники сверхвысоких частот. М.: Изд. Мин. обороны СССР, 1957. С.635.

3. Абрамян А. А. Асинхронное детектирование и прием импульсных сигналов. М.: Сов. Радио, 1966. С.296 .

4. Червяков Г.Г. Избирательные фотоприемные устройства// Материалы ЫУ-научной сессии, НТОРЭС им. А.С.Попова. М.: 1999. С.51-52.

5. Оптические системы передачи/ Б.В. Скворцов, В.И. Иванов, В.В. Крухмалев и др.; Под ред. В.И. Иванова. М.: Радио и связь. 1994. 224 с.

УДК 621.382

В.В. Роздобудько, В.И. Перевощиков

ШИРОКОПОЛОСНАЯ СВЧ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

Таганрогский государственный радиотехнический университет,

347928, г. Таганрог, ГСП - 17а, пер. Некрасовский, 44, ТРТУ, каф. РТЭ, тел.: 61630, e-mail:fep@tsure.ru

В сообщении обсуждаются основные конструктивные особенности И ВОЗМОЖНЫЙ набор параметров СВЧ линии задержки (ЛЗ) с шириной полосы рабочих частот Af £ не менее октавы. Принцип работы ЛЗ и суть предложенных авторами

технических решений, направленных на расширение у и стабилизацию времени задержки Т„ следует из рассмотрения ее упрошенной конструкции, представленной на рисунке.

В качестве звукопровода в ЛЗ используется ЫКЬО; 2- (или К) среза, для которого коэффициент электромеханической связи максимален: А-0.6. В ЛЗ продольные -с У =7330 м/с или поперечные - с У -3600 м/с. Объемные ультразвуковые волны в кристалле возбуждаются с помощью расположенной на его поверхности системы противофазных преобразователей типа встречно-штыревых (ВШП) [1,2], период расположения которых - с/, а общая протяженность - I. В иТМЬОз при направлении распространения поперечной волны по 2 движение частиц среды происходит перпендикулярно 2 и параллельно оси X.

Ubx

" 1 1 ,

- -Ш м ui 5!ШГ ! ш Г.

‘ Г 1 1 . ;

-*—*-

L

Ubsix

d

ВШП-1

ВШП-2

Рас.

ВШП возбуждают два основных звуковых луча с относительной интенсивностью (2/ку и шириной по уровню *4 дБ 6<p=arcsin(y /fL), зависящей как от частоты/ входного сигнала, так и от эффективной протяженности ВШП:

L3фф= L-cos(<p) = Z [1 -0.5(W fd)2] ■

При этом максимумы углового распределения амплитуды возбуждаемого звукового поля

S(X) = S+ {(р) • exp (J ■ к ■ X ■ (cos (р+) + S- ((р) ■ exp (j • к ■ X cos ср _), где

S+ {(р) = 2/я • Sq - sinс[к ■ L(sin (р - sin <р±)/2].

Sq - амплитуда звукового поля в плоскости ВШП, k=2nf 7 v изменяются с частотой входного сигнала в соответствии с (p+=arcsin(v/f-d). Именно поэтому, с целью расширения полосы пропускания Afv и стабилизации времени задержки Г . сечение нижней (переотражающей звуковую волну) грани пьезокристалла LiNbO^ выполнено эллипсоидальным, причем геометрические центры излучающего - F, и приемного - F; ВШП расположены в точках фокусов упомянутого эллипсоида.

Таким образом, вне зависимости от частоты входного сигнала и, соответственно, углов «синхронизма» излучаемых ВШП объемных волн, в предложенной конфигурации ЛЗ суммарное время задержки Т3-( F, М+ F? М) / v будет оставаться постоянным, a Afx будет в значительной степени определяться условиями согласования нерезонансных ВШП с внешними цепями.

Предварительные экспериментальные исследования предложенной ЛЗ позволяют надеяться на то, что её промышленная разработка может удовлетворять следующей совокупности параметров:

диапазон рабочих частот ширина рабочей полосы вносимые потери

неравномерность коэфф. передачи время задержки

нестабильность времени задержки

-(1-5) ГГц;

- до октавы;

- не более (30-40) дБ;

- не более 6 дБ;

- от 5 до 50 мкс;

- не более 5 %.

2.

ЛИТЕРАТУРА

Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах; Пер. с англ. М.: Радио и связь. 1990. 416 с.

Фильтры на поверхностных акустических волнах (расчет, технология и применение; Пер. с англ. /Под ред. Г.Мэттюза. М.: Радио и связь, 1981. 472 с.

УДК 621.382.416

Э.К. Алгазинов, А.М. Бобрешов, О.А. Иркутский

ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМОВ РАБОТЫ ВХОДНОГО МОДУЛЯ ПРИЕМНИКА В УСЛОВИЯХ ПОМЕХ

Воронежский государственный университет,

394693, Воронеж, Университетская пл., 1, тел.: (0732) 789284, e-mail; pftelec@main.vsu.ru

Рассматривалась модель входного модуля радиоприемного устройства, работающего в СВЧ-диапазоне, представляющего собой последовательное соединение усилительного и смесительного каскадов. Для определенности предполагалось, что каждый каскад был выполнен по схеме с общим истоком на основе GaAs гетеропереходного полевого транзистора Ne33200.

Нелинейные явления в транзисторных каскадах обусловлены нелинейными характеристиками транзисторов, поэтому особое внимание уделялось моделированию транзистора. Эквивалентная схема транзистора представлена на рис. I.

Для схемы внутри прямоугольника Тр рис. 1 была выбрана математическая модель Рейтеона, которая дает удовлетворительные результаты при расчетах как статического, так и динамического режимов работы арсенид-галлиевого полевого транзистора [ 1. 2]. В

дополнение схемы Тр введены элементы, отражающие конструктивные особенности данного транзистора.

Расчет значений параметров полученной модели выполнялся в два этапа. Сначала определялись значения омических сопротивлений стока и истока, параметров источника тока, участвующих в описании статического режима работы транзистора. Для решения поставленной задачи использовались экспериментальные выходные характеристики, - они показаны точками на рис.2.

Rad Ld

Рис.1

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.