CC BY
1252 Численное статистическое моделирование и методы Монте-Карло
мощности излучения и определения вкладов различной кратности рассеяния в изображении луча лазера на фотоприемной матрице. Решение задачи проведено для граничных положений плоскостей обзора фотоприемной матрицы, имеющих углы наклона 35° и 75° относительно луча. Для вычисления потоков излучения используется прямое статистическое моделирование с учетом симметрии положения фотоприемной матрицы относительно сигнального луча навигационной системы, а также локальные оценки метода Монте-Карло. Кроме этого, вычислены угловые распределения направлений фотонов с различной кратностью рассеяния.
Работа выполнена в рамках проекта госзадания ИВМиМГ СО РАН 0251-2021-0002. Список литературы
1. Ошлаков В. Г., Цвык Р. Ш., Солдатов А. Н., Илюшин Я. А. Принципы построения лазерных лучевых инструментальных систем ориентирования Ч. 1. Изв. вузов. Физика. 2013.
2. Марчук Г. И., Михайлов Г. А., Назаралиев М. А. и др. Метод Монте-Карло в атмосферной оптике. Новосибирск: Наука, 1976.
Расчет подвижности электронов в гетероструктуре AlGaAs-GaAs-InGaAs-GaAs-AlGaAs
Е. Г. Каблукова1, К. К. Сабельфельд1, Д. Ю. Протасов2, К. С. Журавлев2
1Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН
2Институт физики полупроводников им. Ржанова
Email: kablukovaE@sscc.ru
DOI: 10.24412/cl-35065-2022-1-00-55
Проведено сравнение подвижности электронов в симметричной гетероструктуре AlGaAs-GaAs-In-GaAs-GaAs-AlGaAs [1], для двух вариантов легирования примесей. В первом варианте, доноры находятся в слоях GaAs в плоскостях, параллельных границам слоев, симметричных относительно центра гетеро-структуры; во втором варианте, к имеющимся донорам добавлены акцепторы, расположенные в плоскостях, в слоях AlGaAs. Во втором варианте гетероструктуры барьеры квантовой ямы увеличиваютс примерно в два раза, положение электронов локализуется в центральной зоне гетероструктуры, что увеличивает подвижность электронов.
Для решения задачи совместно решаются уравнения Пуассона и Шредингера для определения элек-троостатического потенциала, значений энергии E, на уровнях квантования и волновых функций ф,- [2]. С использованием рассчитанных данных оцениваются вероятности и индикатрисы рассеяния электронов [3, 4] и решается уравнение Больцмана переноса зарядов для функции распределения электронов.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (код проекта 19-11-00019). Список литературы
1. Protasov D. Yu., Zhuravlev K. S. The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors, Solid-State Electronics 129 (2017). P. 66-72.
2. Абгарян К. К., Ревизников Д. Л. Численные методы в моделировании электронных свойств наноразмерных гетероструктур: учеб. пособ. М.: МАКС Пресс, 2017. 108 с.
3. Harrison P., Valavanis A., Quantum Wells, Wires and Dots. Theoretical and Computational Physics of Semiconductor Nanostructures. Wiley, UK, 2016.
4. Tanimoto H., Yasuda N., Taniguchi K., and Hamaguchi C., Monte Carlo study of hot transport in Qwantum wells, Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V. 27, N 4. P. 563-571.
