Научная статья на тему 'Оценка влияния производственных погрешностей на характеристики излучения микрополосковой антенны'

Оценка влияния производственных погрешностей на характеристики излучения микрополосковой антенны Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
124
49
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Оценка влияния производственных погрешностей на характеристики излучения микрополосковой антенны»

Якимов А. Н. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ ПОГРЕШНОСТЕЙ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ МИКРОПОЛОСКОВОЙ АНТЕННЫ

Одной из основных тенденций развития современной радиоэлектроники сверхвысоких частот (СВЧ) является микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) Значительные успехи в этом направлении достигнуты и при создании антенно-фидерных устройств, во многом определяющих качественные характеристики РЭА. Современные микрополосковые антенны (МПА), изготовляемые по технологии интегральных схем, обеспечивают высокую повторяемость размеров, низкую стоимость, малые металлоемкость, габаритные размеры и массу [1].

Однако следует признать, что главной проблемой серийного производства устройств СВЧ на сегодняшний день стала проблема обеспечения заданной точности. Разработчик устройств СВЧ не может ограничиваться электрическими расчетами и практическим конструированием, он должен выполнять точностное исследование подлежащих производству устройств СВЧ и обязательно назначать условия и требования на изготовления СВЧ конструкций [2].

Влияние производственных погрешностей на характеристики излучения МПА можно оценить, если в расчетах ориентироваться на геометрические и электрические характеристики излучающих элементов этой антенны, обеспечиваемые технологическими возможностями производства с учетом производственных отклонений.

Пусть МПА представляет собой антенную решетку, излучающее полотно которой имеет плоскую двумерную конфигурацию, представленную на рис. 1, где I и К — число излучателей антенной решетки расположенных вдоль осей Оу и Ох соответственно. Излучатели такой антенны имеют прямоугольную форму, расположены над слоем диэлектрика с металлическим экраном и возбуждаются от микрополоско-вых линий (рис. 2) [1, 3].

Здесь (см. рис.2) а и Ь — ширина и длина излучателей соответственно; I — толщина диэлектрической подложки МПА.

Рис. 1. Излучающее полотно МПА

Рис. 2.

Возбуждение излучателя от микрополоско-вой линии

Использование токового метода для расчета характеристик прямоугольного микрополоскового излучателя позволяет получить выражения, описывающие соответствующие амплитудные диаграммы направленности (ДН) в плоскостях векторов электрического Е и магнитного Н полей [1]: в плоскости Н (р = 0)

р - 2со*в

Г (р\У) і - г г —

•у/сс®- <9 + [сс/£-(сА'0^/)]-

в плоскости Е (р = ж/ 2)

2 с созв

Ро(в) =

+[єсо50^(скосї)]2

8Іп(0,5к0а 8Іп0) 0,5к0а 8Іп0

сов( О,5/іоЬзіп0) \-[(к0Ы тг)ї,тв^

(1)

(2)

Здесь С = "\/є — віп-в ; Є — относительная диэлектрическая проницаемость материала подложки; в — угол относительно нормали к плоскости излучателя; р — угол относительно оси Ох правой декартовой системы координат (см. рис. 1); к0 = 2ж/Л0 — волновое число; Х0 — длина волны в свободном пространстве.

Оптимальные размеры, рекомендуемые для прямоугольных микрополосковых излучателей, определяются из следующих соображений [1, 3] . Размер а выбирается по заданной характеристике направленности.

При этом размер Ь предполагается равным Ь = (0,48 4-0,49) X, где х = х0/4Є. Излучающая площадка имеет либо квадратную, либо прямоугольную форму. Высота подложки обычно выбирается равной Л < 0,1X ,

относительная диэлектрическая проницаемость подложки є = 2,25...2,5 .

При изготовлении МПА из-за несовершенства технологий возникают случайные отклонения геометрических размеров антенны от требуемых расчетных, что приводит к ошибкам в распределении токов по поверхности антенны и, соответственно, изменению ее характеристик излучения. Случайные производственные погрешности, как и принято [ 4, 5], будем моделировать нормальным (гауссовым) законом с

нулевым средним значением и вероятностью 9 9%, в соответствии с которым распределение вероятности отклонения размеров и пространственного положения излучателей антенны от расчетных значений, описывается выражением

1 -ДІ

р(Д) = — е д2 , (3)

Дл/Ж е

где Д — случайные отклонения размеров и координат от расчетных; р(Д) — плотность вероятности

случайной величины, определяющей геометрические параметры антенны; Д — среднеквадратическое от-

‘ 2

дисперсия нормального закона распределе-

клонение (СКО) геометрических параметров антенны; Д2 ния.

Максимальное отклонение геометрических параметров антенны от расчетных значений Дтах (допуск на точность изготовления антенны) с вероятностью 99% не превышает

Цифровая модель нормального закона распределения реализована в большинстве математических системах расчета. Например, в системе MATLAB [6], использованной для проведения расчетов, функция rndn позволяет создать двумерный массив с размерностью матриц координат I хK , соответствующих излучателям, элементы которого являются случайными числами, распределенными по нормальному закону с математическим ожиданием равным 0 и СКО равным 1. Это позволяет задать матрицу случайных отклонений геометрических параметров излучателей антенной решетки с учетом производственного допуска как

[Rndl] = rndn (I, K) • AmiK / 2,6 (5)

Случайные величины элементов сформированной таким образом матрицы [ Rnd1] некоррелированы.

Если для каждого из параметров, используемых в расчетах и изменяющихся в результате производственных погрешностей по случайному закону, составить матрицы с размерностью I хK , каждый из элементов которой ik соответствует своему излучателю и учитывает отклонение параметров в соответствии с матрицей, определяемой формулой (5), то это позволит оценить влияние этих погрешностей на характеристики излучения МПА.

Координаты точки наблюдения, расположенной в дальней зоне МПА, могут быть найдены относительно ее центральной точки, совпадающей с началом декартовой системы координат (см. рис. 1) как хс = гс • sin в • cos ф , yc = rc • sin в • sin ф , zc = rc • cos в , (6)

где rc — расстояние от центральной точки МПА до точки наблюдения.

Расстояние между центрами излучающих элементов вдоль осей Ox и Oy выбирается равным Х/1 . С учетом координат центров излучающих элементов x , y и z , расстояние от центров излучающих элементов до точки наблюдения r определяется выражением

V(xc “ xik )2 + (yc “ yik )2 + (zc ~ zik У

гк - Л/ (Х - т (Ус - У <к) т (^ - *-<к) • (7)

Напряженность электрического поля, создаваемого излучателями 1к в точке наблюдения, может

быть определена как

Е1к - А ■ Рр л (8) • Ртк (в) ■ ехр(-г'к0Гк) / гл , (8)

где А — амплитудный множитель; (8) , (8) — диаграммы направленности излучателей в плос-

костях Н и Е, учитывающие производственных отклонений.

Напряженность суммарного электрического поля от всех излучателей Е в точке наблюдения при этом равна

I K

С Z

=1 k=1

(9)

а нормированная ДН МПА определяется выражением

F (в) =| E Е (в)|/| E Е maxi , (10)

где E£max — максимальный уровень напряженности суммарного электрического поля.

Расчеты, проведенные для исходных данных: I = K = 25 ; r =100 м; А0 = 16 мм; a = b = 0,48Х ; s =2,3; d=0,158 мм и Ara,x =Х/8 без учета взаимного влияния излучателей, показали, что ДН отдельного излучателя, выполненного без производственных погрешностей (рис. 3, кривая 1) отличается от ДН аналогичного излучателя, но рассчитанного с учетом производственных погрешностей (см. рис. 3, кривая 2) не очень существенно. При этом ДН всей МПА без учета (см. рис. 3, кривая 3) и с учетом (см. рис. 3, кривая 4) в приведенном масштабе практически совпадают.

Произошедшие изменения все же можно легко заметить, если изменить масштаб представления данных в области перехода от главного к боковым лепесткам ДН (рис. 4). При этом видно, что относительно ДН МПА без учета производственных погрешностей (см. рис. 4, кривая 1) дополнительный учет этих погрешностей приводит к незначительному расширению ДН, расплыванию ее нулевых значений, а также к росту уровня боковых лепестков.

0,8

0,6

0,4

0,2

/

1 -М у

10

15

20

25

30 0,град

Рис. 3. Диаграммы направленности в плоскости Н

Рис. 4. Диаграммы направленности МПА в области перехода от главного к боковым лепесткам

Отмеченные тенденции характерны для традиционного влияния производственных погрешностей на характеристики излучения антенн. С учетом этого, предложенный подход к оценке их влияния на МПА может оказаться полезным при проектировании и изготовлении такого типа антенн.

ЛИТЕРАТУРА

1. Панченко Б.А., Нефедов Е.И. Микрополосковые антенны. — М.: Радио и связь, 1986. — 144 с.

2. Воробьев Е.А. Расчет производственных допусков устройств СВЧ. — Л.: Судостроение, 1980. —

148 с.

3. Антенны и устройства СВЧ. Проектирование фазированных антенных решеток: Учеб. пособие для вузов/ Под ред. Д.И. Воскресенского. — М.: Радио и связь, 1981. — 432 с.

4. Сазонов Д.М. Антенны и устройства СВЧ. — М.: Высш. шк., 1988. — 432 с.

5. Якимов А.Н. Проектирование микроволновых антенн с учетом внешних воздействий: Монография. — Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2004. — 260 с

6. Дьяконов В.П. Ма^АВ 5.3.1 с пакетами расширений/ В.П. Дьяконов, И.В. Абраменкова,

В.В. Круглов// Под ред. В.П. Дьяконова. — М.: Нолидж, 2001. — 880 с.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.