CC BY
27
Известия ТРТУ
Специальный выпуск
о
288 301) 302 Т, К
Рис.5. Расчетные профили температуры при различных метеорологических условиях (кривая 1 - к = 0,05 л?/с и Ж = 0 м/с; кривая 2 - к = 0,15 л^/с и W = 0,1 м/с; кривая 3 - к = 0,05 л^/с и W = 0,1 м/с)
Из результатов численного эксперимента следует, что при небольших значениях коэффициента турбулентного перемешивания наблюдается ярко выраженная температурная инверсия до высоты одного метра. При увеличении коэффициента турбулентного перемешивания температурная инверсия уменьшается. Наличие конвективного переноса увеличивает температурную инверсию и ее масштаб. Результаты теоретических расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными над морской поверхностью.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Матвеев Л.Т. Курс общей метеорологии. Физика атмосферы. Л.: Гидрометеотиздат, 1984.
2. Клово АТ., Куповых КВ. Моделирование гидродинамических процессов в приводном слое атмосферы // Материалы Всерос. науч. конф. “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Ч. II. Ставрополь, 2000. С.50-54.
3. Самарский А.А., Николаев КС. Методы решения сеточных уравнений. М: Наука, 1978.
УДК 539.2
О.В. Колпачева
ОСОБЕННОСТИ ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ В ТЕТРАГОНАЛЬНЫХ СПЛАВАХ СихШ1-хТІ
В рамках кластерного приближения теории многократного рассеяния были рассчитаны плотности электронных состояний (ПЭС) сплавов Cuo.Nio.Ti и Cu0.gNi0.4Ti. Расчеты позволяют построить следующую модель электронной энергетической структуры сплавов и соединений системы Си - Ті - N1. В валентной полосе сплава имеются состояния, соответствующие трем гибридизованным орбиталям. Низшая (по энергии) орбиталь образована в основном ^состояниями меди. Она находится на глубине около 4 эВ от уровня Ферми. На глубине около 2 эВ располагается гибридизованная орбиталь, обязанная своим происхождением d-
Секция физики
состояниям никеля, и, наконец, вблизи уровня Ферми, большей частью выше него, располагается орбиталь, связанная с ^состояниями титана. Кроме того, некоторое число электронов занимает состояния, в которых они слабо взаимодействуют с окружающими атомами. Такие состояния соответствуют 8- и р-симметрии, причем состояния р-типа преобладают. Полную ПЭС каждого сплава можно приблизи-, , , соответствующие концентрации атомов каждого типа, а затем прибавив к резуль-, .
Особенности электронной энергетической структуры тетрагональных сплавов ^-^-Ж позволяют объяснить некоторые из их физических свойств. Отношение микротвердости к модулю упругости Юнга является косвенной характеристикой степени ионности химической связи в соединении: чем больше это отношение, тем выше степень ионности химической связи. В сплавах CuI_xЖixTi это отношение ниже, чем в интерметаллиде СиТ [1]. В то же время измерение сдвигов внутренних 2р-уровней говорит о практическом отсутствии переноса электронного заряда между атомами [2]. Согласно данным расчетов величина переноса заряда не превышает 0,05е, где е - элементарный заряд. Все это свидетельствует об отсутствии ионной составляющей химической связи как в СиТ', так и в CuI_xЖixTi. Объяснить увеличение пластичности CuI_xЖixTi по сравнению с СиТ можно следующим образом. В кристаллической решетке типа СиТ атомы меди и титана образуют двойные слои, которые чередуются друг с другом. Расчеты показывают, что в СиТ направленные связи медь - медь и титан - титан более интенсивны, чем связи медь - титан. Это приводит к тому, что электронная плотность внутри двойных слоев атомов одного сорта выше, чем между слоями. Как следствие этого, монокуприд титана имеет довольно высокую хрупкость. При замещении одного из атомов меди на атом никеля усиливается взаимодействие между подрешетками. Это приводит к более равномерному распределению электронной плотности в кристалле, а следо-, -шению пластичности сплавов Си^Ж^Т по сравнению с монокупридом титана.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Мат вева Н.М., Ковернистый Ю.К., Матлахова Л.А., Фридман З.Г., Лобзов МЛ. // Металлы. 1987. №4. С.97-104.
2. ., . ., . ., . ., . . // -турной химии. 2000. 42. №4. С.695-700.
УДК 621. 382
АХ. Захаров, Н.А. Филипенко МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЛАНАРНОГО ГЕТТЕРИРОВАНИЯ
В технологическом процессе изготовления интегральных микросхем нашли применение методы планарного геттерирования электрически активных дефектов (ЭАД) полупроводниковых подложек [1]. В работе [2] экспериментально показана возможность эффективного планарного геттерирования нарушенным слоем (НС) рабочей стороны Бьподоожки, сформированным электроискровой обработкой ( ).
планарного геттерирования с использованием ЭИО.
