НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭФФЕКТЫ В МНОГОТЕРМИНАЛЬНЫХ ПЛАНАРНЫХ ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ SNS НАНОСТРУКТУРАХ. Текст научной статьи по специальности «Физика»

НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭФФЕКТЫ В МНОГОТЕРМИНАЛЬНЫХ ПЛАНАРНЫХ ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ SNS НАНОСТРУКТУРАХ.

Лакунов И. С.1, Нажесткин И. А. 2, Клишев Д.А2, Шишкин А.Г. 2, Егоров С.В. 1, Батов И.Е. 1, Хан Э.Р. 3, Голикова Т.Е. 1, Рязанов В.В. 1

1ИФТТ РАН, г. Черноголовка, Россия, lakunov.ivan@issp.ac.ru; egorovser@gmail.com;

batov@issp.ac.ru; golt2@list.ru; ryazanov@issp.ac.ru 2МФТИ, г. Долгопрудный, Россия, nazhestkinaphystech.edu; Andrey shishkin a mail.ru;

klishev. daagmail. com 3ВШЭ, Международная лаборатория физики конденсированного состояния, г. Москва, Россия, knyazhnaemmaagmail. com

В работе исследованы неравновесные эффекты в планарных многотерминальных джозефсоновских SNS наноструктурах с Al в качестве сверхпроводника (S) и Cu в качестве нормального металла (N). При помощи локальных и нелокальных схем выполнены измерения при низких температурах и в приложенном магнитном поле. Исследуемые структуры были изготовлены с помощью электронной литографии на двойном резисте и последующего теневого напыления в виде планарных джозефсоновских SNS-мостиков с несколькими нормальными электродами (инжекторами и детекторами), присоединенными к S-берегам SNS контакта, которые позволяют реализовывать различные схемы подключения по аналогии с [1,2]. Структуры демонстрировали при низких температурах вольт-амперные характеристики с гистерезисом, связанным с электронным перегревом центральной N-части [3,4]. Был исследован нелокальный сверхпроводящий ток, возникающий на джо-зефсоновском SNS переходе, а также напряжение Vns между N и S электродами, расположенными напротив друг друга вблизи перехода, которое появляется в рези-стивном состоянии джозефсоновской наноструктуры. Полученные экспериментальные результаты согласуются с теоретическими расчетами.

Литература

1. Golikova T.E., Wolf M.J., Beckmann D. et al. //Phys. Rev. B -2014.-89.-104507

2. Лакунов И.С., Егоров С.В., Муханова Е.Д. et al, // Письма в ЖЭТФ. - 2023. - Т. 118. -вып.9 - С. 656-663.

3. H. Courtois et al,//Phys. Rev. Lett. 2008, Vol 101, 067002

4. Chiodi F., ApriliM., Reulet B. //Phys. Rev. Lett. 2009. Vol. 103. P. 177002.