CC BY
9
но которого амплитуды первой /т1 и второй гармоники 1т2 выходного тока вычисляются по формулам:
I -1 . I +1 ■ - 2In
j _ max min T _ max min_0
im 1 = ^ ; ¿m 2 = - , (20)
m 2
где /тах ~ S^ ивх - амплитуда выходного тока первого транзистора, /т;п ~ -S2 ивх - амплитуда выходного тока второго транзистора. Учитывая, что /0 = 0 из (20) получим выражение для коэффициента гармоник:
к = — = S 1 S2
Г Im 1 2 ( S1 + S2 - '
(21)
Если положить, что крутизна меняется пропорционально температуре, т.е. Si = So + , то коэффициент гармоник будет равен
КГ =
KSEKIm (R T1-R T2-
4nSA
(22)
где Ks - температурный коэффициент крутизны сквозной характеристики.
Таким образом, разность тепловых сопротивлений транзисторов в выходных каскадах класса В является причиной дополнительных нелинейных искажений сигналов на низкой частоте.
ВЫВОДЫ
Проведенный выше анализ показывает, что разброс тепловых сопротивлений транзисторов приводит к появлению дополнительных линейных и нелинейных искажений в симметричных транзисторных схемах. Для оценки величины этих искажений в дифференциальном каскаде класса В можно использовать полученные соотношения. Учитывая, что тепловые сопротивления реальных мощных транзисторов могут различаться в несколько раз [7], при разработке и изготовлении прецизионной радиоэлектронной аппаратуры с использованием симметричных транзисторных каскадов следует предусматривать специальный контроль и подбор транзисторов по величине теплового сопротивления.
ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК
1. Степаненко И.П., Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - Изд.4-е, перераб. и доп. М.: Энергия, 1977 -672 с.
2. Хоровиц П., Хилл V. Искусство схемотехники. В 3-х томах: Т.1/Пер. с англ.-М.: Мир, 1993.- 413 с.
3. Сергеев В.А. Тепловые переходные процессы в ключевых транзисторных схемах // Проблемы и решения современной технологии: Сборник научных трудов ПТИС, выпуск 6, часть II.- Тольятти, изд-во ПТИС, 2000.- С.34 - 39.
4. Волгин Л.И. Линейные электрические преобразования для измерительных приборов и систем. - М.: Советское радио, 1971.- 334 с.
5. А.С. СССР 1247796 Устройство для отбраковки мощных транзисторов/В.А. Сергеев, П.А. Голенкин.-Бюл. изобр., 1986, №28.
6. Головин О.В., Кубицкий А.А. Электронные усилители: Учебник для техникумов связи.-М.: Радио и связь, 1983 - 320 с.
7. Сергеев В.А., Контроль качества и отбраковка мощных транзисторов по теплофизическим параметрам.- Научно-технический калейдоскоп. №1, 2000.-С.37 - 43.
УДК 658.512.2
М0ДЕЛЮВАННЯ ПР0Ф1Л1В Р03П0Д1ЛУ Д0М1ШК0ВИХ I0HIB, ВАКАНС1Й ТА М1ЖВУ3Л0ВИХ АТ0М1В У НАП1ВПР0В1ДНИК0В0МУ МАТЕР1АЛ1 ПРИ 10НН0МУ ЛЕГУВАНН1
В.М.Теслюк, О.Р.Корбецький
В работе предложена математическая модель ионной имплантации, которая основывается на методе Монте-Карло и позволяет увеличить точность моделирования, учитывая основные законы взаимодействия иона с атомами многокомпонентной мишени.
В робот1 запропоновано математичну модель iонноЧ 1м-плантацп, яка базуеться на методi Монте-Карло, що дозво-ляе тдвищувати точнiсть моделювання враховуючи основт закони взаемодп iона з атомами багатокомпонентно'( мШет.
The mathematical model of ion implantation is proposed in this paper, which is based on Monte-Carlo method and allows to increase an accuracy of simulation with taking into account the main laws of interaction between ion and atoms of multicompo-nent target.
ВСТУП
Технолопя виробництва великих штегральних схем (В1С) щор1чно вдосконалюються та розробляються нов1 тдходи при виготовленш штегральних прилад1в.
На сьогодшшнш день проектний розм1р виготовлення м1кропроцесор1в досягнув значення 0.35-0.13мкм. При таких мШмальних проектних нормах 1снуюч1 математич-ш модел1 технолопчних процеив не задовольняють ви-могам, як1 поставлен! до точноси та адекватносп вих1д-них результаив техпроцесу. Перш за все, це пов'язано з впливом ефекив тунелювання, гарячих електрошв [1], ствм1ршстю област! просторового заряду б1ля р-п пере-
B.M.Tecлюк, O.P.Kop6eöbxuй: MOДEЛЮBAHHЯ ПPOФIЛIB POЗПOДIЛУ ДOMIШKOBИX IOHIB, BAKAHCIÉ TA MIЖBУЗЛOBИX ATOMIB У HAПIBПPOBIДHИKOBOMУ MATEPIAЛI ОТИ IOHHOMУ ЛEГУBAHHI
xoдy з мlнlмaльним пpoeктним poзмlpoм тa 1н.
Bpaxoвyвaти вlдпoвlднl ocoбливocтl виpoбництвa 1н-тeгpaльниx cxeм, мoжнa шляxoм викopиcтaння мeтoдy Moнтe-Kapлo[2] тa вpaxyвaнням взaвмoдГí ^œ^om ато-мa дoмlшки з кpиcтaлlчнoю гpaткoю нaпlвпpoвlдникa.
Лeгyвaння нaпlвпpoвlдникoвиx пlдклaдoк мoжнa пpo-вoдити в ocнoвнoмy з дoпoмoгoю дифyзГí [3] чи loннoï lмплaнтaцГí [4]. Якщo пoplвняти ц1 двa мeтoди, тo loннa lмплaнтaцlя мaв pяд cyттввиx пepeвaг [5]. Пo-пepшe, вo-нa ° низькoтeмпepaтypнoю тexoпepaцlвю 1 пpи пpoвeдeн-н1 II нe вlдбyвaвтьcя пepepoзпoдlлy дoмlшoк, як1 вжe пpиcyтнl в нaпlвпpoвlдникoвoмy кpиcтaлl. Пo-дpyгe, пpи лeгyвaннl нaпlвпpoвlдникa з дoпoмoгoю дифyзГí кoнцeнт-paцlя дoмlшки в пlдклaдцl ^ мoжe пepeвищити p^o-вaжнoï poзчиннocтl дифyзaнтa пpи тeмпepaтypl пpoцecy (900-1200°C). Дaнe oбмeжeння вlдcyтнв для loннoï 1м-плaнтaцГí. Пo-тpeтв, loннe лeгyвaння, y пoplвняннl з ди-фуз1°ю, ° б1льш кepoвaним тexпpoцecoм 1 дoзвoляe впpo-вaдити в кpиcтaл зaдaнy кlлькlcть дoмlшки з виш^ю тoчнlcтю.
MATEMATÈ4HA МОДЕЛЬ lOHHOÍ iMÏËAHTAôlÏ
Зaпpoпoнoвaнa в poбoтl мoдeль бaзyeтьcя нa клаотч-н1й тeopГí зГш^нь м1ж чacтинкaми [б]. Kyт пoвopoтy loнa ф o (pиc.1) визнaчaeтьcя з нacтyпнoï фopмyли:
ф0
pdr
1 _ p_2 Vi r )
1 - r2 - E г вгдн
(1)
Vi r) =
0, 885aÁ
a=
iz2/3 +z2/3)1 / 2
(2)
дe a - маcштабний фaктop; a g - pадlyc пepшoï бoplвcь-кoï opбlти aБ = 0, 523A0 , z1 - зapяд ядpa loнa, z2 - за-
pяд aтoмa мlшeнl. Bиявлявтьcя, щo для 2 < x < 10 , Xix) дocить тoчнo aпpoкcимyeтьcя нacтyпним виpaзoм
0, 57б
Xannix) =
- i0, 037), дe x = r/a
^д! для V oтpимaвмo:
а
а
V i r ) = —- + —
ann r r2
дe а1 = -0, 037z1 z2e2 ; а2 = 0, 57бz1 z2e2a ;
(3)
(4)
Ha нeвeликиx вlдcтaняx (2ag < r < 3ag ) пoтeнцlал
Toмcoнa-Фepмl (2) дае зaвищeнe знaчeння. Haйкpaщy вlдпoвlднlcть з eкcпepимeнтaльними даними дае пoтeнцl-ал Toмcoнa-Фepмl-Дlpaкa, poзpaxoвaний з вpaxyвaнням oбмlннoï взaeмoдГí. Ha вeликиx вlдcтaняx в!н дoбpe ап-poкcимyвтьcя пoтeнцlaлoм Бopнa-Maйвpa:
Vi r ) = Aer / a . (5)
Для ^нстант A 1 a 6ули oтpимaнl знaчeння:
A = 154 iz1 • z2 )3/4 , a = 0, 195A0 . (б)
З цим пoтeнцlалoм ми oбчиcлюeмo пoвний пepeplз дe r - м!жатомна вlдcтaнь, p - пpицlльний пapaмeтp; poзclювaнь. Для oбчиcлeння lнтeгpaлy (1) викopиc-
Ев1Ян - вlднocнa eнepгlя [б]; Vi r ) - пoтeнцlaл мlжaтoм- тoвyeтьcя aпpoкcимaцlя:
нol взaвмoдll; rm чacтинoк.
вlдcтaнь мaкcимaльнoгo зближeння
а
а
V i r ) = --■ + —= + а-
ann\ ' о 3
(7)
Пapaмeтpи а1 , а2 , а3 визнaчaютьcя виxoдячи з plв-нocтl (7) з вlдпoвlдним пoтeнцlaлoм на активнГй д!лянц! тpaвктopГí aтoмlв, щo зlштoвxyвaлиcь, тобто для r в 1н-тepвaлl rmin < r < Po , дe rmin - вlдcтaнь м!ж атомами в
точцг пoвopoтy; rm
визнaчaeтьcя з yмoви:
Pucyнoк 1 - Poзciянi чacmuнкu в cucmeMi: a) öe^a Mac; б) в ëaàopamopmé cucmeMi ^opd^am
1 Po nrmJ = 0 r2 E . 0
rmin в1дн
(8)
J
2
r
r
Blдoмo, щo для r < 1 A 0 peaльний пoтeнцlaл дoбpe oпиcyвтьcя кyлoнlвcьким eкpaнoвaним пoтeнцlaлoм з функц1°ю eкpaнyвaння, щo poзpaxoвaнa на мoдeлl Toмcoнa-Фepмl:
дe Po - paдlyc пoвнoгo пepeplзy пpyжнoгo poзclювaння. Для Ф0 в тoмy випaдкy oтpимyвмo виpaз:
Ф0
= _Р_
п
2 - агезт
Т2
Т. + —
1 Р0
л/Т2 Т3 + П
+ агезт . Р0
(9)
_ = ( а + 1) Р ЫУ йт Ф° = * ^ ' 4Т2-р2
Для потенц!алу Борна-Майера отримуемо:
(13)
а1 а2 а3 Е
де Т1 = ; Т2 = Р2 + ; Т3 = 1 - -3 ; Е2 = а_ ; 1 2 2 г 3 2 а +1
а3 = ^е-1 /2 - а - а|.
тт
Якщо в!домий потенц!ал м!жатомно! взаемоди ! мож-на взяти !нтеграл (1), то кути розс!ювання в лаборатор-н!й систем! координат обчислюються за формулою:
а + 1 А ^ (р Ф0 = ^--Р-"- К0
(14)
де К0 - функц!я МакДональдса нульового порядку. Для
великих Р/а функц!я К0(х) = е х .
Отже р!вняння для визначення Р0 мае вигляд:
8Ш2 Ф0
0 = а-еоз2ф0 , 0 = ^
(10)
а
= А2-Ро - кг (Р-0$ =
0!,
Ей.
(15)
де а = т^т2, т1 - маса !она, т2 - маса атома м!шен!.
Як видно з (1) результат розс!ювання залежить в!д потенц!алу м!жатомно! взаемоди.
Середня довжина в!льного проб!гу при статистичному р!вном!рному розпод!л! атом!в може бути визначена наступним чином:
Х(Е) =
1
па ПРо (Е)
де ПР2 - повний перер!з пружних з!ткнень. Рад!ус Р0
можна знайти як параметр, який розд!ляе далек! ! близь-к! з!ткнення. Далек! з!ткнення можна врахувати як втра-ти енерг!' на безперервне гальмування. Вони були розра-хован! в !мпульсному наближенн! з потенц!алом (2) ! ви-явилось, що для енерг!й б!льших 1 КеВ ц! втрати -непружн!.
Втрати на електронне гальмування можна розрахува-ти по формул!, отриман!й Л!ндхардом:
<Е dx
= к4Е,
Отже, передана енерг!я Q =
4т1 т2 (т1 + т2)
■Ееоз Ф0 ,
де Ф0 - кут розс!ювання в систем! центру мас, який виз-начаеться в !мпульсному наближенн! наступною форму-
Зв!дси можна отримати Р0 методом посл!довних наб-лижень. В першому наближенн!:
а, аА2сп Р0 = о 1п -
2 тЕЕ
(16)
й
(11)
(12)
При низьких енерг!ях Р0 можна знаходити з вимоги ©1(Р) < в , де 01 - кут розс!ювання в лабораторн!й систем! координат. Кут в мае мал! значення. Ми покладе-мо в = 30 . Це приводить до наступно'' умови: Q(Р) < аЕв2 , зв!дки отримуемо:
а, пА2 с
Р0 = а1п ^.
Знаючи повний перер!з пружних з!ткнень, можна роз!грати в!льний проб!г у в!дпов!дност! з !мов!рн!стю
Р(I) = е-1 /Х - й - 1/Х . Однак сл!д мати на уваз!, що рух !она в!дбуваеться в гальмуючому середовищ!. Тому дов-жина в!льного проб!гу
де К = 2паБ'6г2па/('3 + '3)3'2 .
При ЕР0 можна знайти як такий параметр з!ткнення, розв'язавши р!вняння Q(рo) = Е^ .
I = I
йе
йе/ йх
(17)
Оск!льки X =
паПР0 ( Е)
, то можна записати:
Е'
X- I
йе
X (йе/йх)Х(е)'
(18)
П!сля п!дстановки (18) ми отримуемо ймов!рн!сть того, що в к!нц! в!льного проб!гу атом буде мати енерг!ю Е = Е', якщо на початку його енерг!я була Е:
Е
В.М.Теслюк, О.Р.Корбецъкий: МОДЕЛЮВАННЯ ПРОФ1Л1В РОЗПОД1ЛУ ДОМ1ШКОВИХ ЮН1В, ВАКАНС1Й ТА М1ЖВУЗЛОВИХ АТОМ1В У НАП1ВПРОВ1ДНИКОВОМУ МАТЕР1АЛ1 ПРИ 1ОННОМУ ЛЕГУВАНН1
Р (Е, Е') йЕ' = С ехр
# Е'
-1
! Е
йе
(йе/йх )Х(е)
йЕ'
(йЕ' / йх )Х( Е')'
(19)
Знаючи Р(Е, Е') , можна визначити у в1дпов1дност1 з узгодженою рашше процедурою. В результат! отри-
Е
муеться р1вняння Г-<йе—„- = - 1п у. Розв'язки р1в-
* 3 (йе/йх)Х(е)
Е
нянь мають вигляд:
Е =
4Е + -
2 к 1п у
1п П110РО + 21 + 4
2 ЕЕ
о
(20)
Роз1гравши Е', можна обчислити шлях м1ж з1ткнення Е
^ = I
йе йе/ йх
Е
Для визначення положення атома в простор! потр1бно
. . > .
знати направляюч1 косинуси вектора швидкост1 VI п1сля
г-го з1ткнення. Якщо розглянути дв! системи координат -систему пов'язану з м1шенню 1 систему з рухомими атомами (в1сь х сп1впадае з VI), то, пров1вши перетворення
. > > „
в1д системи VI до системи VI + 1 , можна знаити рекурент-
н1 сп1вв1дношення, як1 пов'язують направляюч1 косинуси > . ..
VI + 1 по в1дношенню до нерухомо1 системи з направляю>
чими косинусами VI:
VI = С0э ахо + С0э р,уо + С0э уДо
VI + 1 = С0Э аг + 1 хо + С0Э Рг + 1У0 + С0Эуг + 1 !о .
Рисунок 3 - Система координат
Отримаемо [7]: С0Э У г + 1 =
= С0ЭугС0Э ©г + С0Э агЭШ ©гС0Э фV2- ЭШ©гЭШфVl ,
С0Э Рг + 1 =
= С0ЭС0ЭQi + С0ЭагэтQiС0ЭфVl - С0ЭQiэтфV2, (21) С0Эаг + 1 = С0Э агС0Э Qi- эт агС0ЭQiС0Эф .
Тут 0| - кут розс1ювання в лабораторн1И систем1
координат п1сля г-го з1ткнення, ф - кут повороту площи-ни з1ткнення, якиИ роз1груеться за формулою:
С0Э С0Э у( ф = 2 пу; V! = —:-; щ =
эт а
эт а
Тод1 координати атому п1сля г-го з1ткнення[7]:
хг + 1 = хг + ЪС0® аг, У1 +1 = У1 + С08 Рг-,
+ 1 = + С0® Уг .
(2)
Рисунок 2 - Схема руху iона в мiшенi
АЛГОРИТМ РОЗВ'ЯЗКУ ЗАДАЧI
При розрахунку проб1г1в 1он1в у нап1впров1дников1И м1шен1 методом Монте-Карло роз1грують параметри з1тк-нень, проб1ги м1ж двома посл1довними з1ткненнями, кут повороту площини з1ткнення, сорт атому, з яким в1дбу-деться з1ткнення (для багатокомпонентно1 модел1). При цьому використовуеться наближення парних з1ткнень 1 вважаеться, що атоми статистично розпод1лен1 з деякою середньою густиною По . В кожному досл1д1 знаходять
повниИ траекторниИ проб1г Я = ^ , х = ^ • С0Э,
у = ^¡г • С0Эвг, г = ^¡г • С0Эуг- (х , у , г - координати
точки, де 1он зупинився). Пров1вши N випробувань можна побудувати г1стограми розпод1лу 1он1в у м1шен1
2
пап а
(рис.6,9), а також обчислити [8] x , у , 2 , x2 , у2 , 22 ! т. п. При з!ткненн! швидкого !она з атомами гратки ос-танн! можуть бути зм!щен! атоми м!шен! ! вони можуть отримати достатню енерг!ю для того, щоб вибивати з вузл!в гратки атоми. В результат! утворюються каскади атомних зм!щень [6](рис.5).
В процес! розвитку каскаду утворюються точков! дефекти [9], [10]:
- Ваканси (V) (розпод!л ваканс!й наведений на рис.7);
- М!жвузлов! атоми (I) (розпод!л м!жвузлових атом!в на рис.8).
При бомбардуванн! нап!впров!дниково! м!шен! !онами в!дбуваеться 11 розпиленнях[11]. Для моделювання да-ного ефекту ! визначення товщини стравленого шару необх!дно визначити коеф!ц!ент розпилення, який, в да-ному випадку, розраховуеться, як в!дношення к!лькост! вибитих !он!в дом!шки (координата х < 0 , рис.7) та ато-м!в м!шен! до загально! к!лькост! !он!в N [12].
Точн!сть розрахунку залежить в!д к!лькост! випробу-вань (похибка ~ 1/sqrt(N) , рис.4). Точн!сть запропоно-вано' математично' модел! залежить в!д виразу, який ап-роксимуе потец!ал м!жатомно1 взаемоди, коректного врахування непружних втрат енергп !он!в та ефект!в на поверхн! нап!впрв!дниково' пластини (ефект!в в!дбиван-ня та розпилення).
Рисунок 6 - Розподгл берилгю в арсетд1 галт
633
1 1 4 11 ■Я 317
167
1ИИ1И 45 1 1
0.00 7.38 14.77 22.15 29.53 36.92 44.30 51.68
Рисунок 7 - Розпод1л вибитих з вузл1в атом1в м0ен1 (Д1рки)
Рисунок 4 - Залежтстъ вгдносног похибки в1д кыькост1 випробовувань
Рисунок 5 - Траектор1я руху юна фосфору з каскадами з{ткненъ в Б1 (енерг1я 2КеУ)
Рисунок 8 - Розпод1л м[жвузлових атом1в мшет (М1жвузля)
В.Д. Флора: ВРАХУВАННЯ ПАРАМЕТР1В ДЖЕРЕЛА ТА НАВАНТАЖЕННЯ ПРИ РОЗРАХУНКАХ ХАРАКТЕРИСТИК ДВОПОЛЯРНИХ 1МПУЛЬСНИХ ПЕРЕТВОРКВАЧЛВ
Miro, вуглецю, телуру, свинцю та îh. в арсешд1 гал1ю, та ряду ioHiB домшок в шдкладках типу GaP, InP, InAs, InSb, ZnSe, CdS, AsGa(1-x)Alx (рис. 5-9). OêpiM того, розроблена модель дозволяе проводити впровадження ioHiB у багатoкoмпoнентнi та багатoшаpoвi мшеш i по-хибка розрахунку, при цьому, не перевищуе 5-10%.
ПЕРЕЛ1К ПОСИЛАНЬ
1. Аваев H.A., Наумов Ю.Е. Элементы сверхбольших интегральных схем. - М.: Радио и связь, 1986, - 168 с.
2. Соболь И.М. Метод Монте-Карло. - М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1985. - 80 с.
3. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. -М.: Висшая школа, 1989. - 320 с.
4. Dutton R.W., Yu Z. Technology CAD. Computer simulation of IC processes and devices. - Boston/Dordrecht/London,Kluwer Academic Publishers, 1993. - 373 p.
5. Росадо P. Физическая электроника и микроэлектроника М.: Высш. шк., 1991. - 351 с.
6. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев B.C., Ширяев С.Ю. Дефекты структуры в ионноимплантированном кремнии. -Мн.: Университетское, 1990. - 322 с.
7. Малви Т., Скотт В.Д. и др. Количественный электронно-зон-довый микроанализ Пер. с англ. - М.: Мир, 1986. - 352 с.
8. Ермаков С.М. Метод Монте-Карло и смежные вопросы. -М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1975. - 472 с.
9. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. Пер.с англ.-М.: Мир, 1974. - 464 с.
10. Майер Дж., Эриксон Л., Девис Дж. Ионное легирование полу-проводников.(Кремний и германий). М.: Мир, 1973. - 296 с.
11. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок: Пер. с англ. - М.: Мир, 1989. - 344 с.
12. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур. - М.: Сов. Радио, 1979. - 104 с.
Рисунок 9 - Розподш бору в кремни (E=50KeV, Kiëbêicmb випробуванъ = 10000)
РЕЗУЛЬТАТИ
З допомогою запропоновано'! мoдeлi були проведет розрахунки розподШв юшв фосфору, бору, арсену та сурьми в кремни, берилт, цинку, селену, магшю, кад-
УДК 621.314.12.001.5
ВРАХУВАННЯ ПАРАМЕТРА ДЖЕРЕЛА ТА НАВАНТАЖЕННЯ ПРИ РОЗРАХУНКАХ ХАРАКТЕРИСТИК ДВОПОЛЯРНИХ 1МПУЛЬСНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧ1В
В.Д.Флора
В радиоэлектронных устройствах как вторичные источники питания постоянным током применяют двухполярные импульсные преобразователи. Получены соотношения для расчета характеристик преобразователя с учетом параметров источника и нагрузки в относительных единицах. Приведен расчет характеристик преобразователя на примере двигателя, питающегося от аккумуляторной батареи.
У радюелектронних пристроях як вторинш джерела жив-лення постшним струмом застосовують двополярт iмпульст перетворювач{. Одержат спiввiдношення для розрахунку характеристик перетворювача з урахуванням параметрiв джерела та навантаження у вiдносних одиницях. Наведено розра-хунок характеристик перетворювача на прикладi двигуна, який живиться вiд акумуляторноЧ батареЧ.
The two-polar pulse converters are used in radioelectronic devices as the direct current secondary power supplies. The ratio for account of the converter characteristics are received in view of source parameters and loading relative units. The calculation of the converter characteristics as an example of the engine working from the storage battery is given.
гмпульсного живлення навантаження
В радюелектронних пристроях як вторинш джерела живлення досить часто застосовуються двополярш iм-пульсш пepeтвopювачi [1]. У загальному випадку з щеальними прямокутними формами iмпульсiв часова дiагpама напруги навантаження може бути подана рис.1.
Ui
Ti
4—--►
Рисунок 1 - Часова diaipaMa напруг двополярного
u
j
T
t
t
2
2
T
