Научная статья на тему 'Моделирование тепловых и термомеханических эффектов в элементах микросхем для построения бортовой аппаратуры управления летательных аппаратов'

Моделирование тепловых и термомеханических эффектов в элементах микросхем для построения бортовой аппаратуры управления летательных аппаратов Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
139
60
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
РАДИАЦИЯ / РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ / ТЕПЛОВЫЕ ЭФФЕКТЫ / ТЕРМОМЕХАНИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ / ТЕМПЕРАТУРА / НАПРЯЖЕНИЕ / СТОЙКОСТЬ / РАДИАЦИОННЫЕ ОТКАЗЫ / RADIATION / X-RAY RADIATION / THERMAL EFFECTS / THERMOMECHANICAL EFFECTS / TEMPERATURE / PRESSURE / STABILITY / RADIATION FAILURES

Аннотация научной статьи по физике, автор научной работы — Фортинский Юрий Кирович

Рассмотрены модели возникновения тепловых и термомеханических эффектов от воздействия рентгеновского излучения. С их помощью определяются величина температуры разогрева и численное значение напряжения в элементах конструкции микросхем.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по физике , автор научной работы — Фортинский Юрий Кирович

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

MODELING THERMAL AND THERMOMECHANICAL EFFECTS IN ELEMENTS OF MICROCIRCUITS FOR THE DESIGN OF AIRCRAFT CONTROL AIRBORNE EQUIPMENT

The paper deals with the proposed models of initiation of thermal and thermo mechanical effects under the influence of x-ray radiation. The warming-up temperature and the numerical value of pressure in elements of microcircuits are defined.

Текст научной работы на тему «Моделирование тепловых и термомеханических эффектов в элементах микросхем для построения бортовой аппаратуры управления летательных аппаратов»

УДК 629.7.05:004.9

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ И ТЕРМОМЕХАНИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ В ЭЛЕМЕНТАХ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ПОСТРОЕНИЯ БОРТОВОЙ АППАРАТУРЫ УПРАВЛЕНИЯ ЛЕТАТЕЛЬНЫХ АППАРАТОВ

© 2011 Ю. К. Фортинский Воронежская государственная лесотехническая академия

Рассмотрены модели возникновения тепловых и термомеханических эффектов от воздействия рентгеновского излучения. С их помощью определяются величина температуры разогрева и численное значение напряжения в элементах конструкции микросхем.

Радиация, рентгеновское излучение, тепловые эффекты, термомеханические эффекты, температура, напряжение, стойкость, радиационные отказы.

Для моделирования тепловых и термомеханических эффектов предложена динамическая математическая модель. Известно, что данные эффекты возникают при воздействии на изделие рентгеновского излучения с энергией несколько десятков КЭВ, так как оно характеризуется значительным

поглощением [1, 2]. За счёт резкого выделения энергии за очень малые промежутки времени (наносекундный диапазон) в элементах конструкции и кристалле изделия наблюдается мгновенное увеличение температуры и термомеханический удар. На фоне данных явлений наблюдаются ионизационные эффекты.

Для моделирования этих явлений предложено допущение о двухэтапном протекании данных процессов: первый -увеличение температуры и возникновение термомеханического удара в момент воздействия излучения и непосредственно после него, второй - перераспределение тепла и возникновения напряжений в элементах конструкции после воздействия импульса излучения [1, 2].

Поместим рассматриваемое изделие в систему координат. За начало координат возьмем один из нижних углов корпуса, а ось 02 направим перпендикулярно плоскости изделия (рис. 1). Считаем, что поток излучения ортогонален плоскости хОу.

Рис. 1. Общий вид микросхемы в системе координат

Обозначим через & область в пространстве Я3, занимаемую

рассматриваемым изделием. Она состоит из подобластей &, представляющих собой слои конструкции, то есть различные материалы. Пусть Г= д & - граница

области &, Р= д & - границы подобластей &. Обозначим через Г' часть границы Г, представляющую собой верхнюю поверхность корпуса, и через Г" - нижнюю поверхность.

Введём в & равномерную сетку Шъ={(х,у,2)е &} с шагами Ъх,Ьу,Ь2 по

пространственным переменным. Причём шаги выберем таким образом, чтобы узлы сетки содержали внутренние границы Р. Множество внутренних узлов сетки состоит из точек (х,у,2)Е &\и Г *

У

пересечения гиперплоскостей х=Ъх1, У=Ьу], г=И2к, у,к=0±1 ,±2,....

Множество уь граничных узлов состоит из точек пересечения прямых Сх, Су, С2, проходящих через все внутренние узлы (ху,г)Е тн, с границей Г. Множества Ун,х, Уь,у, Ук,г граничных по направлениям ху,г узлов состоят из точек пересечения прямых х=Ъх1, у=Ьу}, 2=кгк соответственно с границей Г области &.

В каждом узле сетки

рассчитываем значение дозы

предложенной формуле

D(xi >У] > zk ) =r(zk ) x

2 max

Х\ J Vkm(E)XEXn(E)Xt

-Pij(E)(zo-Zk)

(1)

tI Emi

Zi(zJ-

f*

0,5x—^~ x

fs

0,

f \ l--j

V * У

f*

0,5xf^~ x

fs

\2/

Л/j

l-

V

по

0,5xfxf x

/ \

Zk0+df<Zk<Zk,-df,

fs S{s-1

8 f °s,s-1

V /

0,

£j(Zk)-

0,

где fkj(E) - линейный коэффициент

ослабления, зависящий от материала слоя в точке (xivy-,Zk); r(zk) - поправочный коэффициент, определяющий рассеяние и взаимное проникновение электроном на границе двух областей; fkm(E) - массовый коэффициент передачи энергии для квантов с энергией E; n(E) - функция, описывающая распределение квантов по спектру энергии от Emin до Emax-

В соотношении (1) для учёта эффектов взаимопроникновения излучения между слоями предложено введение поправочного коэффициента. Величина этого коэффициента была определена экспериментально и рассчитывалась следующим образом:

r(zk )=1<1 (zk ) + ^2(zk) + ZJ (zk )-

-Z4(zk)+Z5(zk)+Z6(zk),

k k0 ’"',ks ;

f* s.f

f 8 ,

0,5x-^— x-^+L f

f 8 ,

1 s s,s+1

z, £ z, < z, -8

k0 k ks s+1

,\-8+1 < zt < z„s;

Z4 (z, )=

k*

f \

1 zi

8s ,

f

0,5xL^— x

k*

f

0,5xL^— x

Zs(zk) =

к* ?k

f , 8 .

0 5x-±L x-^- x k

fs 8,-1

0,

Z6(zk)=

0,

k* ck

f 8 ,

0,5x^- x-^±L k

f 8

1 s s,s+1

zk0 < zk < Ss+zk0’

Vj

, zk-8 < zk < zk;

r \ 1--*

V 's'-1

,z, < z, < z, +8 ,,

Ю k ,0 s-1

z +8 <z < z '

*0 s-1 *k - *ks>

z £ z £ z -8

k0 k ks s+1

,zk -8 < z < z

’ ks s+1 k ks

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

где /л{* - массовый коэффициент

фотопоглощения материалом области &*, /Лц - массовый коэффициент поглощения, ё*, и ё{++1 - величины пробегов

фотоэлектронов в материалах &, и

&+1, соответственно, ё^^ и ё^*+1 -

г!

Б_

о

5+1

• *

г!

В5

/ - V, І/ \Г

о

.5-1

81

и-5-1

Рис. 2. Явление фотоэлектрического эффекта на границах раздела областей

С

фотоэлектроны, вылетающие из слоя & 6 в &6-1 и &6+1

фотоэлектроны,

влетающие в и5 из и + „

/

- фотоэлектроны, влетающие в и5 из и5-1)

величины пробегов фотоэлектронов,

образующихся в материалах 6-1, ,6+1 слоёв,

и

д

5+1

- величины пробегов комптон-электронов в материалах и5, и

1

и и

5+1

соответственно,

д:

д:

6,6-1 ’ 6,6+1

величины пробегов фотоэлектронов, образующихся в материалах 6-1, 6+1 слоёв.

На рис. 2 показано

взаимопроникновение частиц на примере фотоэффекта.

Для решения задачи резкого выделения тепла и последующего его перераспределения предложено рассматривать две задачи. Первая состоит в определении поля температур непосредственно после воздействия напряжений сжатия, расширения и оценки стойкости к тепловым и термомеханическим эффектам, вторая - в моделировании распределения температурного поля после воздействия из-за перераспределения температур, деформации конструкции вследствие этого возникновения напряжений. При этом оценка стойкости осуществляется через квантованные моменты времени.

Вначале в соответствии с динамическим рассмотрением задачи выбирается шаг квантования по времени т. Для каждого момента времени Ц=рт, р=0,1,2,... рассчитывается распределение температуры и напряжения растяжения-сжатия.

Проведя расчёты указанным образом, будем иметь распределение температуры и напряжений в каждый момент времени Ц с начала воздействия импульса (^0).

Для определения поля температур введём обозначения: с=с(х,у,2) -

теплоёмкость в точке (х,у,2), С . =с6,

4 \(х,у,2)Е &6 ’

материала с

р=р(х,у,£) - плотность

к°°рдинатой (хуг1 р (^ &6=р,

х=х(х,у,2) - коэффициент

теплопроводности в точке (х,у,2), А(ъу.ф &-=Х6, Т=Т(хуг;{) - температура в

точке (х,у,2) в момент времени t.

Рассмотрим вначале процесс мгновенного разогрева. Изменение температуры в каждой точке области & происходит лишь за счёт поглощения

энергии излучения и

уравнением

дТ дБ , . _ Л

ср —=, (х,у,£)єи, і>0, д і д і

описывается

(2)

ср

д Т д

д і д х

X

дТ_ д х

д_ д У

X

дТ_ д У

+-

д_ д 2

X

дТ_ д 2

(6)

, (х,у,і)є и, і>і .

где В=В(х,у,1;Х) - доза, полученная

каждым слоем. С учётом начального условия

Т(х,У,2’'0) = Тнач (Х,У,2) , (Х,У,2)£ ии

(3)

получим задачу Коши, которая решается аналитически, и её решение имеет вид [1, 2]

Т(х,У,і;і) =---------------------

с(х,У,2)р(х,У,2)

+ Тнач (х,У’2)’ (х,У,2)С и.

В(х,У,і;і)-

(4)

Поскольку значение і0 мало, для удобства вычислений можем считать за начальное время і=0.

Значение температуры в начальный момент времени определяется на предыдущем этапе и вычисляется по формуле

Т(х,У,і;0)=Т0(х,У,і), (х,У,і)є и.

(7)

На границе области & происходит теплообмен с окружающей средой, который описывается граничными условиями третьего рода

Необходимо определить значение температуры Т в момент времени, когда действие импульса прекращается:

Т0(х,у,2) = —----^------Р(х,у,2^0)+

с(х,у,1)р(х,у,1) (5)

+ Тнач (X,У,Z), (х,У,2)Е &.

Функция описывает распределение температуры в структуре изделия непосредственно после действия импульса. Значение дозы Б(х,у,г;10) рассчитывается

в узлах сетки по формуле.

Теперь переходим ко второй задаче, которая должна быть решена в

соответствии с предложенным подходом. Действие внешнего источника

прекращается, и в течение некоторого времени происходит перераспределение температуры, которое в области & описывается уравнением теплопроводности с переменными коэффициентами [1, 2]:

дТ_ д п

-в(Тр-Т\

(ху,ї)єд и

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

(х,У,2)ед и

(8)

Поскольку область & неоднородна, то на границах раздела подобластей & должны выполняться условия сопряжения

[%

\(х,У,г)єд и

5=1,...,3,

X

д Т д п„

(х,У,2)єд и

(9)

где д и - граница области и, д и5 -граница подобласти и5, Ь - коэффициент теплопереноса, Тср - температура среды, п - нормаль к границе и, п5 - нормаль к границе и5, [Т] - скачок функции Т(ху,г) при переходе через границу и5.

Таким образом, получена краевая задача для уравнения теплопроводности в области и є Я3. Перераспределение тепла происходит в течение некоторого времени ітса, по истечении которого температура корпуса и кристалла сравнивается с температурой окружающей среды. Момент времени ітах прогнозируется и обычно составляет 1000 секунд. Таким образом, приходим к математической задаче [1, 2].

В цилиндре д=&*[0 £ t £ гпак]

требуется найти непрерывную функцию Т(х,у,1-Л), где (х,у,2)Е &,

удовлетворяющую уравнению

ср =div(xgradT),

ді

(х,У,г)є и, і>0,

начальному условию Т(х,У,2;0)=Т0, (х,У,2)є и, граничному условию дТ

-X

дп

(10)

(11)

(12)

и условиям сопряжения на границах раздела структурных слоёв

(а)

ШР-Та))

Ьи ди

X

дЛ

д и

где

и=х,У2,

а

+3

-(р+1)Т

- шаг

квантования по времени.

Изложенный подход позволяет определить динамику изменения

температур и оценить время потери работоспособности вследствие

превышения температурой активных

элементов кристалла предельно-

допустимых значений.

Выделение в твёрдом теле энергии за время, меньшее, чем необходимо для расширения и разгрузки, приводит к возникновению в нём напряжений сжатия. Характерное время распространения

механических напряжений в твёрдом теле определяется отношением пути, проходимого возмущениями, к скорости звука в веществе. Для плоского двумерного слоя

X

д Т

д п„

(13)

Ъ_

(15)

Для решения данной задачи предложен метод суммарной

аппроксимации, который позволяет рассчитать значения температуры в узлах трёхмерной сетки с определённым шагом квантования по времени. Тогда значение температуры определяется решением

последовательностью

уравнений

1 д Т(2) 3 д і

Чо при і ,1<і<і 2 ,

Р+

Р+

1 д Т

(3)=ЬТ при ір+2<і<ір+Г.

3 д і (х,У,2)є и\и Г5

р+-

одномерных

(14а)

(14б)

(14в)

с условиями:

Т(1/хуг;0)=Т0(хуг),

Т(а)(х,У,2;і а-1 )=Т(а-1)(х,У,2;і а-1 ) , а = 1,2,3 ,

' 7 р+---------- ' 7 р+-----------------

3 3

где т - время прохождения среды возмущением; Узв - скорость звука.

Максимальная величина сжимающих напряжений определяется по формуле

а=

ваАТ 1-2у

(16)

где Е - модуль Юнга; а - коэффициент линейного расширения; V - коэффициент Пуассона; АТ - увеличение температуры.

Приняв допущение о малом изменении размеров области, получаем выражение

а=

аЕАТ

12

(17)

Это максимальное напряжение сжатия, которое будет в том случае, если выделение энергии в твёрдом теле происходит мгновенно. Если время выделения энергии в твёрдом теле

п

Т

Т

сравнимо с характерным временем распространения волны напряжения (4>т) или больше него, то эти напряжения не достигнут максимальных значений вследствие разгрузки слоя одновременно с поступлением энергии. В этом случае выражение (17) принимает вид

аЕАТ

12~'

(17а)

где ка - коэффициент, показывающий степень механической разгрузки слоя за время действия импульса.

Коэффициент ка зависит от физикомеханических свойств материала и поэтому различен для разных материалов. Кроме того, существует и его зависимость от длительности импульса по закону 10(е~а1 -в~в‘), где коэффициенты 10, а, Ь

определяются экспериментально для различных материалов.

В первом приближении предложено считать

амплитуда каждой из волн равна / <Утах. Распространяемые волны сжатия проходят через всю структуру и отражаются от её свободных границ, как волны расширения, которые наиболее опасны. Волны расширения,

распространяющиеся в структуре от разных свободных границ,

интерферируют, что ведёт к сложению амплитуд волн и резкому увеличению растягивающих напряжений. При прохождении волн через структуру происходит затухание волн, которое выражается в том, что амплитуда волны уменьшается по закону Л=Лое~аа.

Кроме того, в многослойной

структуре, физико-механические свойства слоёв которой различны, величины растягивающих напряжений зависят от коэффициентов прохождения и отражения на границах слоёв

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

2Я2

пр. 1,2

Я1+Я2

отр.1,2

Я2-Я1

В-1+В-2

(19)

I

если к<КвТи если И3Ут„

(18)

где

I

V

Т

V и 0

определяется

экспериментально из соотношения

к=

1-е

Таким образом, определено напряжение сжатия. Как правило, данное напряжение не приводит к разрушению материала, так как динамическая прочность на сжатие очень велика.

Следующим процессом, который проходит в многослойной структуре, будет генерация волн напряжения, исходящих из слоёв, где возникают напряжения. Если описать разгрузку в виде двух волн, направленных к каждой из поверхностей слоя, то максимальная

где кпр1,2 - коэффициент прохождения из 1-го во 2-й слой; котр1,2 - коэффициент отражения между 1-ым и 2-ым слоем; Я -акустическое сопротивление Я=р¥зв.

Если акустическое сопротивление одного материала много меньше другого, то такой материал будет свободной границей.

Помимо термомеханического удара наблюдаются напряжения, возникающие вследствие расширения конструктивных элементов от выделившегося в них тепла. При классическом подходе эти явления рассматривались без учёта габаритных размеров конструкции, а оценка напряжения проводится в момент времени непосредственно после воздействия импульса.

В настоящей работе предложена модель, которая позволяет учесть габаритные размеры конструкции изделия и производить оценку напряжений в момент времени, когда эти напряжения достигают максимального значения.

1

Задача расчёта термомеханических напряжений в трёхмерной области включает в себя три уравнения равновесия [1, 2]:

д х д у д г д т д 0 д ту

ху Л- у Л- гу ^0

д г

д о г

д г

(20а)

(20б)

0

д х д у шесть уравнений деформаций

д 2£х , д 2 -у д 2 Уху

д у2 д х2 д хд у ’

д Ууг , д Ух д Уху

д_ д г

2

д х д у д г

2 " д 2 7 уг

д г2 д у2 д уд г

д_ д х

д Ух , д Уху д Уу

д у д г д х

д 2 -г I ________£_

д хд у ’

,д2 -х д уд г’

(21а)

(21 б)

д х2 д г2 д гд х’

д_ д у

д Уху , д Уу, д Уг

д г д х д у

д гд х ’

(21 в)

Е 1+у

Е Тху:

1

Е

1 + У

(22а)

£у=-^(0у-У*(0г+0х))+аТ ■

Е V

(22б)

- г = Т*(0 Г^(0 х + 0 у))+аТ

Е

Ух:

1 * 1+у

или в обратной форме

0х=Х (х + £у+£г-3аТ )+2С* (х-аТ )

Е

Тху 1 + у* Уху ,

0~=Х (х+-у+-г-3аТ )+2&* (ух-аТ )

у

Е

Туг ] + у* ^у2 ,

0 =* ( -х+-у +-г -3аТ )+2&* ( - -аТ )

Е

(23 а)

(23 б)

(20в)

совместности где X

■ =------------------у

хг т , * / хг’’

1 + У

* т-.*

V Е

Ляме, G

(1+у)(1-2у )

Е*

2(1+у)

(23 в)

- коэффициент модуль сдвига,

шесть уравнений обобщённого закона Г ука в прямой

-Х = Е*(0х-У(0у + 02))+аТ ,

Т(ху,г^р)

а*= | а* (Т)ёТ - температурный

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

Та(х,у,г)

коэффициент расширения.

На нижней части поверхности выполняются кинематические граничные условия в перемещениях и=0, у=0, н=0, (24)

а на остальных частях поверхности задаются статические граничные условия в напряжениях

0х1+Тухт + ТгхП = 0 ,

Тху1+0ут+ТгуП = 0 ,

Тхг1+Тугт + 0П = 0 , (25)

где 0х , 0у , 0г , Тху , Туг , Тгх - компоненты

тензора напряжений; £х, -у, , Уху, У у,,

угх - компоненты тензора деформаций; и , V, н - перемещения по х, у и г, соответственно; I, т , п - направляющие косинусы нормали п к поверхности д О .

На основе данного подхода получаем задачу расчёта термомеханических напряжений в трёхмерной многосвязной области д 0 х д Т т д

д х ду д г

(22в) д Тг+ д т„ д

«■+“ т«=0 дТху.+д0±+дТу.=0

д х д у д г

0

д х ду д г

д Ч д 2 еу д 2 Уx

д у2 д х2 д хд у ’

д Y>* , д у2Х д Уху

д_ д z

д 2 £

д х д у д z

______= д 2 Ууг

д z2 д у2 д уд z ’

д Ух , д Уху д У:

д 2 £г |___________z_

д хд у ’

/yz

д у д z д х

д 2 д 2 Уzx

,д 2 £х

д уд z’

д_ д х

д \ ___________

д х2 д z2 д zд х’

/ д Уху ,д Ууг д Ух } д 2 £у

д_ д у

о.,=

--2

д zд х ’

о.

о

д z д х д у

\ у

=Х (£х+£у+£2-ЗаТ )+2G(£х-ат), E

= 1+v Уху ’

=* (£х+£у+£г-3аТ )+2G (£у-аТ ) =

E

' =-----У

у? 1+у 6*’

^ (£х+£у+£г-3аТ )+2G (£z-aT ) >

(26)

E

-Ух

1+V

На нижней части поверхности ставятся кинематические граничные условия в перемещениях и=0, v=0, н=0, (27)

а на остальных частях поверхности задаются статические граничные условия в напряжениях

0х1+Тухт + Тгхп = 0 ,

Тху1+0ут+Тгуп = 0 ,

Тхг1+Тугт + 0 гП = 0

ГДе 0х , 0у ,

уг -

(28)

т ,х - компоненты

Уху 5 У у

Ляме; G=

E

2(1+v)

J a(T)dT

Т(ху.Ы.)

модуль сдвига;

температурный

тензора напряжений; ех угх - компоненты тензора деформаций; и , V, н - перемещения по х, у и г, соответственно; I, т, п - направляющие косинусы нормали п к поверхности д О; Е - модуль Юнга; V - коэффициент vЕ

Пуассона; Х =---------- - коэффициент

(+)(1^)

Т0 (х,у,г)

коэффициент расширения.

Для решения этой задачи рассматриваемая конструкция представляется как кусочно-однородное тело, т.е. тело, состоящее из отдельных частей с различными, но постоянными в пределах каждой из них, физико-механическими характеристиками. В качестве начального распределения температуры используется полученное при расчёте тепловых эффектов динамическое поле температур.

Стойкость к рентгеновскому излучению по тепловым и термомеханическим эффектам определяется с помощью нахождения максимальных уровней рентгеновского излучения, при которых не происходит катастрофических отказов.

Библиографический список

1. Ачкасов, В. Н. Разработка средств

автоматизации проектирования

специализированных микросхем для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, В.Е. Межов, В.К. Зольников. - Воронеж: Воронеж. гос. ун-т, 2005. - 240 с.

2. Фортинский, Ю. К. Автоматизация управления и проектирования в электронной промышленности [Текст] / Ю.К. Фортинский, В.Е. Межов, В.К. Зольников, П.П. Куцько. -Воронеж: Воронеж. гос. ун-т, 2007. - 275 с.

References

1. Achkasov, V.N. Designing of computer-aided facilities for designing specialized microcircuits for double-purpose operating computer complexes [Text] / V.N. Achkasov, V.M. Antimirov, V.Ye. Mezhov, V.K. Zolnikov. - Voronezh: Voronezh State University, 2005. -240 p.

2. Fortinsky, Yu.K. Automation of management and designing in electronic industry [Text] / Yu.K. Fortinsky, V.Ye. Mezhov, V.K. Zolnikov, P.P. Kutsko. - Voronezh: Voronezh State University, 2007. - 275 p.

MODELING THERMAL AND THERMOMECHANICAL EFFECTS IN ELEMENTS OF MICROCIRCUITS FOR THE DESIGN OF AIRCRAFT CONTROL AIRBORNE

EQUIPMENT

© 2011 Yu. K. Fortinsky Voronezh State Academy of Forestry Engineering

The paper deals with the proposed models of initiation of thermal and thermo mechanical effects under the influence of x-ray radiation. The warming-up temperature and the numerical value of pressure in elements of microcircuits are defined.

Radiation, х-гау radiation, thermal effects, thermomechanical effects, temperature, pressure, stability, radiation failures.

Информация об авторах

Фортинский Юрий Кирович, кандидат технических наук, докторант кафедры вычислительной техники и информационных систем, Воронежская государственная лесотехническая академия, wkz@rambler.ru. Область научных интересов: управление и поддержка принятия решений в экономических системах и автоматизация проектных работ.

Fortinsky Yury Kirovich, candidate of technical sciences, doctoral of the department of computer facilities and information systems, Voronezh State Academy of Forestry Engineering, wkz@rambler.ru. Area of research: management and support of decisionmaking in economic systems and automation of design works.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.