Похожие статьи
- Построение масштабируемой шумовой модели mHEMT на GaAs с Lg от 50 до 250 нм2011 / Михайлович Сергей Викторович, Фёдоров Юрий Владимирович, Бугаев Александр Сергеевич, Галиев Ринат Радифович, Ячменёв Александр Эдуардович, Щербакова Марина Юрьевна
- СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов2010 / Ющенко Алексей Юрьевич, Айзенштат Геннадий Исаакович, Божков Владимир Григорьевич, Бабак Леонид Иванович, Добуш Игорь Мирославович, Сальников Тусур
Похожие статьи
- Исследование нелинейной зависимости сопротивления стока в GaAs и GaN HEMT-транзисторах2014 / Коколов Андрей Александрович, Бабак Леонид Иванович
- Копланарный монолитный усилитель Ka-диапазона на основе отечественной GaAs наногетероструктурной технологии2010 / Добуш Игорь Мирославович, Коколов Андрей Александрович, Дмитриенко Константин Сергеевич, Сальников Андрей Сергеевич, Федоров Юрий Владимирович, Черкашин Михаил Владимирович, Шеерман Федор Иванович, Бабак Леонид Иванович
Похожие статьи
- Программное обеспечение для автоматизации измерений, деэмбеддинга и построения линейных моделей СВЧ полевых транзисторов2011 / Добуш Игорь Мирославович, Степачева Алеся Викторовна, Коколов Андрей Александрович, Сальников Андрей Сергеевич, Бабак Леонид Иванович
- Мощные AlGaN/GaN HEMT Xи Ku-диапазонов2015 / Торхов Николай Анатольевич, Божков Владимир Григорьевич, Добуш Игорь Мирославович, Сальников Андрей Сергеевич, Бабак Леонид Иванович