CC BY
17
УДК 539.4; 537.3; 669.046
МЕТАСТАБИЛЬНЫЕ СОСТОЯНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К СЛАБОМУ МАГНИТНОМУ ПОЛЮ
© Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, С.Е. Жуликов, А.В. Тютюнник
Golovin Y.I., Morgunov R.B., Ivanov V.E., Zhulikov S.E., Tiutiunnik A.V. In-Ionic-Crystals Metastable State Of Point Defects Sensitive To A Weak Magnetic Field. A metastable state of point defects is established to be necessary for magnetoplastical effect in ionic crystals. The state can be produced by freezing a high-temperature impurity disintegration or by introducing a dislocation. Two-stage kinetics induced by a magnetic field in the subsystem of point defects is analysed in terms of thermodynamics of non-equilibrium processes.
В большинстве работ, посвященных исследованию магнитопластического эффекта в ионных кристаллах, обсуждается влияние магнитного поля (МП) на пробеги и плотность подвижных дислокаций [1, 2], скорость макропластического течения кристаллов [3, 4] или их микротвердость [5]. Как правило, в экспериментах измеряют временные и полевые зависимости этих параметров. Учет только кинетических особенностей магнитопластического эффекта уже позволяет создавать микромодели [6, 7] и устанавливать типы возможных процессов, стимулированных полем в кристаллах [8, 9]. Можно надеяться, что установление движущих сил магнитопластического эффекта и термодинамических ограничений сузит круг возможных моделей и позволит сформулировать необходимые условия его проявления в немагнитных материалах. В настоящее время не вполне ясно, каким образом постоянное МП, практически не сообщающее энергию слабомагнитным кристаллам, может изменять состояние структурных дефектов и влиять на пластичность кристаллов. Не установлено также, чем определяется знак магнитопластического эффекта и направление процессов, стимулированных МП. Можно предполагать, что определенную роль играет неравно-весность дефектов решетки, поскольку именно при ее наличии в кристалле возможно наблюдение таких явлений, как влияние слабого магнитного поля на фотопроводимость [10], скорость и выход химических реакций [11], люминесценцию [12] и др. В процессах такого типа роль МП заключается не в сообщении элементам кристалла энергии, достаточной для преодо-левания потенциальных барьеров, а в образовании и регулировании дополнительных каналов релаксации системы.
Цель настоящей работы заключалась в создании экспериментальных условий, позволяющих прояснить роль неравновесных состояний структурных дефектов в формировании чувствительности пластических свойств ионных
кристаллов к МП, а также установлении связи между термодинамикой и кинетикой процессов, стимулированных полем в подсистеме точечных дефектов.
В работе использовали номинально чистые монокристаллы №С1, КС1 и У Р. О влиянии МП на их пластические свойства судили по результатам двух типов экспериментов, в которых измеряли либо величину относительной макродеформации кристаллов б, вызываемую линейно нарастающим со временем механическим напряжением и, либо средний пробег индивидуальных дислокаций £, вызванный прямоугольным калиброванным импульсом сжатия (амплитудой 10 МПа и длительностью 6 с для №С1). В ряде экспериментов смещение дислокаций в отсутствие механического нагружения инициировали импульсом МП, имеющим форму одного полупериода синусоиды с амплитудой В = 7 Т и длительностью 10~2 с. Импульсы МП создавали тиристорным генератором импульсов тока, а постоянное МП (В = 1,5 Т) - с помощью электромагнита. Помимо опытов с одновременным действием МП и механической нагрузки проводили серию опытов, в которой эти процедуры были разделены во времени.
В первой серии опытов использовали два типа кристаллов №С1: 1) выдержанные несколько лет при Т = 290 К и 2) закаленные от 700 К. При нагружении кристаллов первого типа включение МП практически не вызывало изменений диаграммы деформирования в(а).
Включение импульса МП после достижения предела текучести кристаллов второго типа приводило к скачкообразному приросту уровня достигнутой относительной деформации (см. врезку на рис. 1). Т.е. МП вызывало разупрочнение кристаллов, если они подвергались предварительной термической обработке. Уровень достигаемой с помощью закаливания сенсибилизации кристаллов к МП характеризовали величиной скачка Де, вызываемого полем при е ~ 0,5%. Установлено, что Ае растет с уве-
личением продолжительности выдержки кристаллов при Т = 700 К или скорости последующего охлаждения V (рис. 1). Это свидетельствует о том, что возможность влияния поля на пластичность определяется состоянием точечных дефектов. В некоторых сериях опытов с незакаленными кристаллами, пребывавшими несколько лет в неконтролируемых условиях, включение МП также приводило к плохо воспроизводимому эффекту разупрочнения, однако величина эффекта была в среднем заметно меньше, чем для закаленных кристаллов. Аналогичные результаты были получены и для кристаллов КС1.
Воздействие импульса МП на закаленные кристаллы, не содержащие свежевведенных дислокаций, приводило к уменьшению микротвердости Щ измеряемой после импульса
V, К/с
0 3 6 9
ной деформации Де, инициированного импульсом МП в деформируемых кристаллах №С1: 1 - от времени предварительной выдержки кристаллов при Т = 700 К; 2 - от средней скорости охлаждения кристаллов, выдержанных 4 часа при Т = 700 К. На врезке показан фрагмент диаграммы е(ст) в момент включения импульса МП.
Таблица 1.
Микротвердость кристаллов №С1 (108 Па), предварительно подвергнутых действию импульса МП длительностью 200 мкс (вторая строка) и не подвергавшихся обработке полем (третья строка)
Тип Отожжен- Отожжен- выращен-
кристаллов ные при ные при ные
\ 700 К в 700 К в “as grown”
\ течение 4 ч течение 4 ч
АмплитудаЧ и охлаж- и медлен-
импульса денные ДО но охлаж-
магнитного 290 К денные до
поля за 10 мин 290 К
\ за 6 ч
В - 21 Т 1,56 ± 0,02 1,63 ± 0,02 1,56 ±0,02
В - 0 1,69 ± 0,02 1,68 ± 0,02 1,81 ±0,02
магнитного поля, по сравнению с ее значением в необработанных полем кристаллах Н0 (табл. 1). Следовательно, точечные дефекты, от состояния которых зависит микротвердость, “запоминали” факт экспозиции кристалла в МП. Эффективность запоминания также зависела от режима предварительной термообработки. Так, изотермический отжиг кристаллов при Т = 700 К в течение суток и последующее медленное охлаждение до Т = 290 К за 6 часов приводило к исчезновению различия между Н{) и Нр характеризующего остаточные изменения, вызываемые импульсом МП в подсистеме точечных дефектов (табл. 1). Таким образом, МП могло модифицировать точечные дефекты только в том случае, когда в кристалле имелась исходная неравно-весность, устранение которой с помощью изотермического отжига приводило к исчезновению магнитопластического эффекта. Отметим, что МП могло инициировать изменение микротвердости не только в предварительно закаленных кристаллах, но и в выдержанных при комнатной температуре несколько лет (табл. 1). Отжиг таких кристаллов также устранял их чувствительность к МП. По нашему мнению, это свидетельствует о наличии в кристаллах долгоживущей биографической неравновесности в подсистеме точечных дефектов и демонстрирует, сколь высокое увеличение скорости релаксации может быть достигнуто с помощью МП.
Тестирование модифицированного в МП состояния точечных дефектов во второй серии опытов осуществляли с помощью измерений пробегов индивидуальных дислокаций, вводимых в кристалл и продвигаемых по нему механической нагрузкой после экспозиции кристалла в МП. Обнаружено, что зависимость пробега дислокаций от длительности экспозиции в МП не является монотонной (рис. 2). Она имеет восходящий и нисходящий участки различной продолжительности. Это свидетельствует о том, что постоянное МП инициирует в кристалле двухстадийный релаксационный процесс в подсистеме точечных дефектов. Аналогичный результат получается, если после экспозиции кристалла в МП смещение дислокаций инициировать импульсом МП (рис. 2), однако в этом случае зависимость L(t) характеризуется наличием минимума L, а не максимума. Если экспозиция кристалла в МП прекращается сразу после достижения минимума кривой L(t), дальнейшая эволюция состояния точечных дефектов не сильно отличается от той, которая наблюдается при включенном МП (рис. 2). Следовательно, влияние МП на состояние дислокаций наблюдается преимущественно на первой стадии процесса релаксации точечных дефектов.
Такое же по глубине изменение состояния точечных дефектов, которое достигалось на первой стадии их эволюции в постоянном МП с В = 1,5 Т, могло быть достигнуто в 104 раз быстрее при увеличении магнитного поля до В = 7 Т. Т.е. первая стадия успевала протекать за время действия импульса поля 10"2 с, а ско-
рость протекания второй оставалась той же, что и после длительной экспозиции кристаллов в постоянном МП. С одной стороны, это позволяет считать, что и в импульсном, и в постоянном МП с точечными дефектами происходят одни и те же процессы, с другой - помогает создать экспериментальные условия для исследования кинетики протекания второй стадии независимо от первой. В [8] показано, что зависимость L(t), с учетом известной связи между пробегами дислокаций и концентрацией стопоров С (L ~ С1/2), позволяет устанавливать характер изменения концентрации стопоров со временем C(t) и, таким образом, различать, какому типу реакций (би- или мономолекулярному) соответствуют изучаемые релаксационные процессы. Как и в [8], наилучшее спрямление L(t) достигалось в двойных логарифмических координатах (рис. 3), что свидетельствует о бимолекулярном характере процессов на второй стадии магнитостимулированного процесса в подсистеме точечных дефектов [13].
Протекание второй стадии магнитостимулированного преобразования точечных дефектов значительно (в 102 раз) ускорялось, если в паузе между двумя импульсами МП кристалл подвергался действию переменного электрического поля (ЭП) частотой 50 Гц и амплитудой ЗхЮ5 В/м (рис. 3). Результаты этой серии опытов позволяют предполагать, что дефекты, чувствительные к МП, могут оказаться чувствительными и к ЭП, например, за счет их заряженности или поляризованности.
Рассмотрим, какие превращения в подсистеме точечных дефектов кристалла, затронутой действием МП, в принципе могли бы реализовываться в наших опытах. Поскольку во время включения МП с В ~ 10 Т сообщает ионному кристаллу пренебрежимо маленькую энергию, а в течение экспозиции кристаллов в постоянном МП вообще не сообщает (хотя и продолжает способствовать откреплению дислокаций [1, 2]), его роль не может сводиться к возбуждению каких-либо дефектов и к переводу их в метаста-бильные состояния, которые могли бы релакси-ровать после отключения поля. Т.е. МП может лишь способствовать ускоренной релаксации подсистемы точечных дефектов в состояние с более низкой энергией. Об этом свидетельствует необходимость закаливания кристаллов для проявления в них магнитопластического эффекта (рис. 1). Возможность сенсибилизировать кристалл к МП с помощью закаливания лишь при условии достаточной его выдержки при повышенной температуре (рис. 1) означает, что для магнитопластического эффекта существенно наличие именно точечных дефектов, находящихся в метастабильном состоянии.
Запоминание точечными дефектами факта экспозиции кристаллов в МП (рис. 2) также может быть объяснено с учетом термодинамики переходных процессов, стимулированных импульсом МП в кристаллах. Из рис. 2 следует,
Рис. 2. Зависимость среднего пробега краевых дислокаций Ь от длительности предварительной экспозиции кристаллов ЫаС1 в постоянном МП В = 1,5 Т. Смещения дислокаций были инициированы:
1 - прямоугольным механическим импульсом сжатия (амплитудой 105 Па и длительностью 6 с); 2, 3 - импульсом магнитного поля амплитудой В = 7 Т и длительностью 10"2 с. При измерении зависимости 3, экспозиция кристаллов в МП была прервана через З,6х103 с после начала опыта. Пунктиром показано значение среднего пробега дислокаций, инициированного механическим нагружением или импульсом магнитного поля в кристаллах, не подвергавшихся предварительной обработке в постоянном МП. На врезке изображена последовательность процедур в каждом типе опытов. (ПМП - экспозиция в постоянном магнитном поле, В - импульс магнитного поля, о - механическое нагружение, звездочка - травление, стрелка - введение дислокаций.)
1д с
Рис. 3. Зависимость среднего пробега дислокаций, инициированного повторным импульсом МП, в кристаллах №С1, подвергнутых предварительной обработке первым импульсом МП, от длительности паузы между первым и вторым импульсами. 1 - в
паузе между импульсами кристалл не подвергался действию внешних полей; 2 - в паузе между импульсами кристалл подвергался действию переменного электрического поля амплитудой Е = ЗхЮ5 В/м и частотой 50 Гц.
что отключение поля в момент достижения в МП наибольшего отклонения пластических свойств кристалла от исходных практически не изменяет дальнейшей эволюции кристалла, который восстанавливает свою чувствительность независимо от факта присутствия поля. Следовательно, имеются две стадии переходного процесса, стимулированного полем в кристалле. На первой стадии подвижность вводимых в кристалл дислокаций увеличивается по мере выдержки кристалла в МП, а на второй - уменьшается (рис. 2). Заметное различие между скоростями изменения состояний дефектов на первой и второй стадиях свидетельствует о том, что в МП в кристалле последовательно происходят два различных процесса в подсистеме точечных дефектов. Каждый из этих процессов, как отмечено выше, может заключаться только в переходе точечных дефектов из метастабильных состояний с энергией Ел в нижележащие по энергии состояния (рис. 4). Наличие двух стадий переходного процесса, инициированного в кристалле постоянным полем, может быть объяснено существованием, помимо уровня с энергией Ел, еще как минимум двух энергетических состояний точечных дефектов с энергиями Ев и Ес. Каждый уровень энергии может соответствовать определенным состояниям эволюционирующих дефектов определенного типа. Например, диссоциация кластеров и преципитатов, вызванная внешним воздействием, и последующее агрегирование продуктов диссоциации в комплексы нового типа обычно происходит в две или более стадий [13].
В реальных кристаллах всегда имеются глубокие метастабильные уровни энергии, выход из
Рис. 4. Схематическое изображение энергетических уровней точечных дефектов, переходы между которыми стимулируются магнитным полем. Стрелками показаны переходы между уровнями, отвечающие:
1 - первой стадии зависимости Щ) (рис. 2),
2 - второй стадии зависимости Щ), 3 - изменению состояния точечных дефектов, инициированному закалкой или введением дислокаций.
которых и взаимные превращения дефектов с понижением термодинамического потенциала могут происходить в отсутствие внешнего поля настолько медленно, что кристалл может находиться в течение десятилетий в метастабильном состоянии. Этим может объясняться возможность влияния постоянного МП на кристаллы, не подвергавшиеся перед помещением в поле никакой предварительной возбуждающей обработке. Результаты опытов, в которых кристаллы перед экспозицией в МП подвергались тщательному многочасовому отжигу и дальнейшему медленному охлаждению (табл. 1), свидетельствуют о том, что во время отжига устраняется биографическая неравновесность в подсистеме точечных дефектов и, как следствие, ухудшаются условия для эффективного влияния МП на пластичность кристаллов.
Из термодинамических соображений должно быть Ес < Ен < Еа, но дефекты, пребывающие в каждом из состояний с этими энергиями, могут иметь различную атомную и электронную конфигурацию и поэтому с разной эффективностью взаимодействовать с дислокациями. В соответствии с рис. 2 (кривая 1) можно было бы предполагать, что точечные дефекты, находящиеся в состояниях А и С, оказывают одинаковое (или близкое по эффективности) влияние на подвижность дислокаций. Однако вид кривых 2 и 3 на рис. 2 свидетельствует о том, что в результате попадания подсистемы точечных дефектов на самый низкий уровень С, кристалл снова становится чувствителен к воздействию МП. На первый взгляд, это противоречит предположению о том, что для эффективного влияния МП на состояние дефектов необходимо их пребывание в метастабильном состоянии. Однако необходимо учитывать, что тестирование состояний точечных дефектов в наших экспериментах производится с помощью дислокаций, вводимых после отключения МП. Сама эта процедура, вообще говоря, создает в кристалле неравновесность и может рассматриваться как возбуждающее воздействие, в принципе способное повлиять и на состояние точечных дефектов. Можно предполагать, что введение дислокаций по-разному отражается на состоянии точечных дефектов в зависимости от того, на каком уровне энергии они находятся. В какой-то мере эта ситуация напоминает известную проблему измерения в квантовой механике.
Роль процедуры введения дислокаций помогает прояснить серия опытов, в которой дислокации вводили в самом начале эксперимента, а затем измеряли пробег дислокаций, вызванный двумя последовательными импульсами МП. В этой серии опытов после введения дислокаций ни одна из экспериментальных процедур (травление, экспозиция в МП) не могла играть роль возбуждающего воздействия. Поскольку варьирование времени между импульсами МП не приводило к изменению суммарного пробега дислокаций, не отличающегося от их пробега в одном импульсе, можно считать, что уже во
время первого импульса термодинамический потенциал кристалла был понижен полем и, конечно, не восстанавливался в отсутствие внешних энергетических воздействий. Из рис. 2 следует, что на дефекты, находящиеся в состоянии В, введение дислокаций не оказывает возбуждающего воздействия и не переводит их обратно, на уровень А. Восстановление же чувствительности кристалла к МП при достижении точечными дефектами состояния С может означать, что введение дислокаций приводит к переходам типа С —> А. Отметим, что этот процесс в принципе может происходить и без участия в нем уровня В.
Конечно, напряжения, создаваемые при введении дислокаций, на расстоянии ~ 10 5 м от царапины, на котором еще заметно облегченное предварительной экспозицией в МП скольжение дислокаций, могут оказаться недостаточными для модификации состояний точечных дефектов. Однако перемещение дислокаций по кристаллу может рассматриваться как перенос источника возбуждения, вокруг которого существуют повышенные механические напряжения и электрические поля, способные трансформировать встречающиеся в плоскости скольжения точечные дефекты, переводя их в состояния А, неблагоприятные для преодолева-ния дислокацией точечных дефектов. Если этот процесс происходит в МП, то возбужденные дефекты могут под влиянием поля ускоренно релаксировать в состояние С, тем самым “уступая дорогу” дислокации и давая возможность повторить этот процесс в соседней области. Если МП отсутствует, дислокация не может преодолеть точечные дефекты, переведенные ее же полями напряжений в состояние А. Такое влияние дислокаций на точечные дефекты в ионных кристаллах хорошо известно и является, например, причиной деформационной люминесценции [14, 15]. В полупроводниках перемещающиеся дислокации могут вызывать возмущение состояния зонных электронов [16].
Действие переменного электрического поля в паузе между двумя экспозициями кристалла в магнитном поле приводит к дополнительному изменению состояния точечных дефектов. Это выражается в ускоренном восстановлении чувствительности кристалла ко второму импульсу МП (рис. 3).
Предположительно, сенсибилизирующее действие ЭП заключается в стимулировании переходов точечных дефектов типа С -> В или А -» В. В отличие от МП, электрическое поле способно передавать кристаллу энергию и таким образом способствовать воспроизводству неравновесного состояния точечных дефектов.
Возможность модифицирования точечных дефектов коротким импульсом МП, недостаточным по длительности для встреч реагентов и их агрегирования при Т = 290 К, позволяет предполагать, что первая стадия переходного процесса, инициированного магнитным полем, является мономолекулярной. По-видимому,
времени 10'2 с может хватить лишь на протекание в подсистеме точечных дефектов мономолекулярного процесса, например, термостимулированного распада комплексов. Известно, что именно распады комплексов способствуют пластификации кристаллов [17]. В наших опытах знак эффекта на первой стадии магнитостимулированного преобразования точечных дефектов как раз таков, как если бы в МП распадались комплексы дефектов (рис. 2).
Наблюдение кинетики переходного процесса на второй стадии (после отключения МП) приводит к выводу о бимолекулярном процессе, протекающем в подсистеме точечных дефектов. Т.е. после распада в МП комплексов с энергией Ел получившиеся в результате реагенты (имеющие энергию Ев) хаотически блуждают по кристаллу под действием термических флуктуаций и, сближаясь до необходимого расстояния, образуют новые комплексы с энергией Ес. В пользу этого предположения свидетельствуют также и диффузионные времена, необходимые для протекания второй стадии (В О независимо от продолжительности действия импульса МП. Эти рассуждения подкрепляются также и результатами, полученными в [18], где изучалась скорость перехода типа В -» С в зависимости от температуры опыта. В [18] установлено, что эта скорость заметно увеличивается при повышении температуры, что, возможно, также является следствием увеличения подвижности реагентов типа В. Эта точка зрения позволяет отчасти понять возможный механизм влияния ЭП на скорость протекания стадии В С. Как известно, переменное ЭП способно приводить к увеличению эффективной скорости хаотических блужданий заряженных реагентов в кристаллической решетке. Поэтому так же, как нагревание кристалла, ЭП способно приводить к увеличению скорости перехода дефектов из состояния В в С, учащая их случайные встречи. О стимулировании переменным ЭП процессов агрегирования дефектов в комплексы сообщалось в [19], где использовалось ЭП того же порядка по амплитуде и частоте, что и в наших опытах.
Таким образом, установлено, что магнитопластический эффект в ионных кристаллах возможен благодаря наличию в них точечных дефектов, пребывающих в долгоживущем (при Т = 290 К) метастабильном состоянии. Роль магнитного поля заключается в стимулировании ускоренного перехода этих дефектов в нижележащие состояния путем снятия локальных энергетических барьеров. Процессами, которые могут инициировать такого типа метастабиль-ные состояния, могут быть закалка, введение свежих дислокаций, выдержка кристалла в переменном электрическом поле. Выделены две стадии эволюции точечных дефектов при их магнитостимулированном переходе в равновесное состояние. Из общих термодинамических соображений прояснен механизм магнитной “памяти” точечных дефектов. Установлен сце-
нарий микропроцессов взаимодействия между точечными дефектами на каждой стадии их эволюции после экспозиции кристалла в МП.
ЛИТЕРАТУРА
1. Алыииц В. И., Дари некая Е.В., Петржик Е.А. II ФТТ. 1991. Т. 33. № 10. С. 3001.
2. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. // Изв. РАН (сер. физическая). 1997. Т. 61. № 5. С. 965.
3. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. II Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 61. № 7. С. 583.
4. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 3. С. 495.
5. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Lopatin D.V., Baskakov A.A. И Phys. Stat. Sol. (a). 1997. V. 160. № 2. P. 3.
6. Mololskii М., Fleurov V. H Phys. Rev.Letters. 1997. V. 78. P. 1.
7. Молоцкий М.И. II ФТТ. 1993. Т. 35. № 1. С. li.
8. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д.В. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 4. С. 634.
9. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. И Изв. РАН (сер. фи-
зическая). 1997. Т. 61. № 5. С. 850.
10. Соколик И.А., Франкевич Е.Л. /7 Успехи физ. наук. 1973. Т. 111. № 2. С. 261.
11. Бучаченко А.Л., Сагдеев Р.З., Салихов К.З. Магнитные и
спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск: Наука, 1978. 350 с.
12. $с/те$£ Р.А., Jaccard С., Aegerter М. II РИув. 81а1. 5о1. (Ь). 1974. V. 63. Р. 587.
13. Закис Ю.Р., Канторович Л.Н.. Котомин Е.А. Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами. Рига, 1991. 382 с.
14. Шмурак С.З., Сенчуков Ф.Д. // ФТТ. 1973. Т. 15. № 10 С. 2976,
15. Шмурак С.З. // Изв. АН СССР (сер. физическая). 1976. Т. 40. № 9. С. 1886.
16. Зарецкий А.В., Петренко В.Ф. /I ФТТ. 1984. Т. 26. № 8. С. 2328.
17. Шаркези И., Предводителев А.А. Н Кристаллография. 1979. Т. 24. № 3. С. 622.
18. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. // ФТТ. 1995. Т. 37. № 4. С. 1239.
19. Зуев Л.Б., Рыбянец В.А., Шебалин А.А. II ФТТ. 1986. Т. 28. № 7. С. 2175.
Работа выполнена при финансовой поддержке Госкомитета РФ по высшему образованию (грант № 95-0-7.1-58), а также Российского Фонда Фундаментальных Исследований (грант № 97-02-16074).
Поступила в редакцию 15 июля 1997 г.
