CC BY
2Научная статья УДК 538.975: 621.383.52 doi:10.24151/1561-5405-2024-29-4-447-455 EDN: BCJDOR
Лазерное формирование подвешенных графеновых каналов фоточувствительных детекторов
Н. П. Некрасов, Д. Т. Мурашко, П. Н. Василевский, А. Ю. Герасименко, В. К. Неволин, И. И. Бобринецкий
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Аннотация. Формирование используемых в качестве фотодетекторов подвешенных каналов оксида графена фемтосекундным излучением позволяет выполнять операции модификации чувствительного канала с высокой точностью, не повреждая пленку. Однако создание графеновых каналов является задачей, требующей новых нестандартных решений. В работе рассмотрен фотовольтаический эффект в подвешенном канале оксида графена. Показано, что свободностоящие пленки оксида графена, сформированные фемтосекундным излучением, позволяют избежать воздействия зарядов на подложке на проводящий подвешенный графеновый канал. Экспериментально исследовано управление формированием восстановленного канала из оксида графена. Выяснено, что структура представляет собой нанесенный осаждением из раствора пленочный слой оксида графена на подложке из полидиметилсилоксана с отверстием под подвешенную часть пленки. Проведены исследования полученных образцов методами сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния. Установлено, что в данных микроструктурах можно формировать заданный уровень фотоотклика в зависимости от степени восстановления структуры. Фоточувствительность в структурах с подвешенным оксидом графена определена переходами восстановленной и невосстановленной областей канала и составляет 0,8 А/Вт для длины волны 630 нм. Устройство показало высокую фоточувствительность в видимом ближнем ИК-диапазоне.
Ключевые слова: фоточувствительные элементы, двумерные материалы, графен, управление проводимостью, двумерный канал
Финансирование работы: работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант № 19-19-00401-П), https://rscf.ru/project/19-19-00401/
Для цитирования: Лазерное формирование подвешенных графеновых каналов фоточувствительных детекторов / Н. П. Некрасов, Д. Т. Мурашко, П. Н. Василевский и др. // Изв. вузов. Электроника. 2024. Т. 29. № 4. С. 447-455. https://doi.org/ 10.24151/1561-5405-2024-29-4-447-455. - EDN: BCJDOR.
© Н. П. Некрасов, Д. Т. Мурашко, П. Н. Василевский, А. Ю. Герасименко, В. К. Неволин, И. И. Бобринецкий, 2024
Original article
Laser formation of suspended graphene channels for photosensitive detectors
N. P. Nekrasov, D. T. Murashko, P. N. Vasilevsky, A. Yu. Gerasimenko, V. K. Nevolin, 1.1. Bobrinetskiy
National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia
Abstract. Formation of free-standing graphene oxide films used as photodetectors by femtosecond irradiation allows modifying sensitive channel with high precision, without damaging the film. However, graphene channel formation is a task that requires new non-standard solutions. In this work, photovoltaic effect in a free-standing graphene oxide film is considered. It was demonstrated that free-standing graphene oxide films formed by femtosecond irradiation make it possible to avoid the effect of charges on substrate on conductive graphene channel. The control of the formation of a reduced graphene oxide channel was experimentally studied. It was found that the structure is a film layer of graphene oxide deposited from solution on a polydimethylsiloxane substrate with a hole for the free-standing part of the film. The obtained samples were studied using scanning electron microscopy and Raman spectroscopy. It has been established that in these microstructures it is possible to form a given level of photoresponse, depending on the structure restoration degree. Photosen-sitivity in structures with free-standing graphene oxide is determined by the transitions of the reduced and unreduced regions of the channel and is 0.8 A/W for a wavelength of 630 nm. The device has shown high photosensitivity in the near visible infrared region.
Keywords: photosensitive elements, two-dimensional materials, graphene, conductivity control, two-dimensional channel
Funding: the work has been supported by the Russian Science Foundation (grant no. 19-19-00401-P), https://rscf.ru/project/19-19-00401/
For citation: Nekrasov N. P., Murashko D. T., Vasilevsky P. N., Gerasimenko A. Yu., Nevolin V. K., Bobrinetskiy I. I. Laser formation of suspended graphene channels for photosensitive detectors. Proc. Univ. Electronics, 2024, vol. 29, no. 4, pp. 447-455. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-4-447-455. - EDN: BCJDOR.
Введение. Устройства на основе восстановленного оксида графена или его модификаций обладают уникальными свойствами, имеют большую площадь, характеризуются простотой изготовления и низкой стоимостью. Такие устройства применяются в «зеленой» энергетике, биомедицине для создания биосенсоров, в технологии хранения энергии [1, 2]. Исследования оптоэлектронных устройств с применением инженерии поверхности и структуры показали улучшение поглощения света и увеличение времени жизни носителей заряда. Это способствовало появлению фотодетекторов с повышенными чувствительностью и временем отклика [3]. Однако следует отметить, что чешуйки оксида графена, содержащие кислородные функциональные группы и дефекты, ограничивают применение данных устройств в качестве фоточувствительных элементов из-за малого времени жизни сгенерированного заряда.
Электрические свойства пленки оксида графена можно существенно улучшить, создав проводящие каналы для носителей. Оптические характеристики пленки оксида графена меняются в результате преобразования энергии света в энергию фононов в момент поглощения света. Технология изменения морфологии поверхности позволяет модулировать световой отклик, что улучшает характеристики фотодетектора. При контролируемом проценте дефектов в пленке оксида графена достигается значительное улучшение таких параметров фотодетекторов, как чувствительность и обнаруживающая способность. Оксид графена с различными уровнями восстановления в широком диапазоне параметров облучения получают фемтосекундной лазерной обработкой [4] путем изготовления подвешенного канала.
В настоящей работе предлагается новый метод формирования подвешенных восстановленных фоточувствительных каналов оксида графена с использованием двухфо-тонной абляции и метода восстановления пленки оксида графена.
Эксперимент. Подвешенный канал оксида графена формировали модифицированным методом штамповки [5, 6] с использованием подложки (рис. 1). При проведении эксперимента учитывали гидрофобную и гидрофильную природу оксида графена.
Рис. 1. Схема формирования подвешенной пленки оксида графена и контактов к ней Fig. 1. Formation scheme of a free-standing graphene oxide film and contacts to it
Каплю (50 мкл) водного раствора оксида графена (4 мг/мл) наносили на покровное стекло площадью около 2 х 2 см. Каплю сушили 1 ч при температуре 110-120 °С. Для удаления пленки оксида графена со стекла каплю воды (100 мкл) помещали на поверхность пленки. Затем сверху пленки с помощью металлического пресса помещали поли-диметилсилоксан (ПДМС). После того как вода высохла при температуре 70-80 °C, ПДМС медленно удалили с находящейся на нем пленкой. Далее стопку ПДМС / оксида графена помещали в каплю 2-пропанола на подложку из смолы, напечатанную на 3D-принтере, с рисунком на ней, чтобы пленка стала подвешенной. Для того чтобы ПДМС мог отделить пленку, стопку нагревали до температуры 60-70 °С.
Существуют разные методы безмасочной модификации углеродных наноматериа-лов [7]. Лазерная обработка - наиболее доступный способ. Фемтосекундная лазерная обработка является известным безмасочным методом паттернирования наноустройств [8, 9]. В рассматриваемом случае параметры лазерной обработки скорректированы так, чтобы они были неразрушающими, но играли роль модификации поверхности. Варьировали мощность импульса, перекрытие пучка и скорость сканирования, что в совокупности определило общую дозу воздействия на площадь поверхности. Двухфотон-ную модификацию проводили на перестраиваемом фемтосекундном лазере Ti:Sapphire Chameleon (Coherent, г. Санта-Клара, Калифорния, США) с длиной волны 715 нм, длительностью импульса 140 фс, частотой повторения 80 МГц и варьируемой мощностью
до 30 мВт. Для настройки мощности лазерного излучения использовали моторизованный оптический аттенюатор ОАГП-М на основе призмы Глана (ООО «Авеста», г. Москва, Россия). Диаметр пучка на уровне 1/e составлял (1,2 ± 0,1) мм. Образцы помещали на моторизованный сканирующий столик XY 8MTF (Standa, г. Вильнюс, Литва). Лазерные импульсы достигали поверхности образца через оптический прямой микроскоп с объективом 60* (NA = 0,65). Накопленную энергию для двухфотонной модификации при средней мощности импульса варьировали в зависимости от скорости сканирования. Для модификации оксида графена без разрушения использовали следующие параметры: мощность 3 мВт (что соответствует 0,5 фДж), скорость прохода лазера 500 мкм/с с периодом прохода между линиями 10 мкм.
Лазерная обработка пленки оксида графена вызывает изменения морфологических, оптических и электрических свойств. Выбирали схему обработки пленки оксида графе-на таким образом, чтобы она стала периодической электрически и морфологически. Образовавшиеся каналы микронной ширины и, в частности, их края играют существенную роль в фотоотклике. Гетероконтакт восстановленной и невосстановленной области вносит основной вклад в фотоотклик [10].
Для получения изображений сформированной пленки оксида графена использовали сканирующий электронный микроскоп FEI Helios G4 (FEI Ltd., г. Хиллсборо, США). Ускоряющее напряжение электронной колонны составляло 1 кВт, ток электронного зонда равен 21 пА, давление в вакуумной камере 3,9-10-4. Согласно изображению, полученному с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) (рис. 2), толщина пленки равна 2-3 слоям пленки оксида графена.
Рис. 2. СЭМ-изображение подвешенного канала оксида графена: а - общий вид устройства;
б - профиль разреза; в - проводящий канал Fig. 2. SEM image of a free-standing graphene oxide film: а - general view of the device; b - section profile; c - conducting channel
Оптические характеристики сформированных структур исследовали на микроспек-троанализаторе Centaur HR (ООО «Нано Скан Технология», г. Долгопрудный, Россия) с 100x объективом (NA = 0,9) при длине волны 532 нм и мощности 0,5 мВт (лазер Cobolt, Solna, Швеция) с размером сфокусированного пятна ~ 1 мкм2. Измерения электрических и фоточувствительных характеристик проводили на анализаторе характеристик полупроводниковых приборов ИППП 1/5 (МНИПИ, г. Минск, Беларусь). Использовали самодельную установку с анализируемыми полупроводниками и светодиодами мощностью 30 мВт/см2 для измерения фотоотклика на длинах волн 390, 532, 630 и 850 нм. Светодиоды включали и выключали и удерживали в каждом из режимов в течение 120 с. Параллельно с этим фиксировали кривую ВАХ.
Результаты и их обсуждение. Немодифицированная пленка оксида графена не показала значительного фотоотклика в УФ- и ближнем ИК-диапазонах без ее модификации или декорирования наночастицами [11]. После обработки сверхбыстрым лазером пленка оксида графена становится более проводящей и, что важно, имеет неоднородную по проводимости область. При этом край канала играет роль ловушек и под воздействием света захваченные состояния становятся активными в транспорте электронов. Поскольку пленка имеет неоднородную поверхность, фокус лазера перемещается вверх или вниз, что приводит к исчезновению эффекта восстановления.
На рис. 3 приведены ВАХ подвешенных графеновых каналов. Фотоотклики наблюдаются при воздействии светодиодами с длиной волны от 390 до 850 нм и мощностью 30 мВт. На малых длинах волн (390 и 532 нм) отмечается отрицательный фотоотклик. Наибольший фотоотклик наблюдается при длине волны 630 нм. Ввиду геометрии устройства эффективность фотоотклика канала снижается из-за большого количества генерируемого заряда, транспортируемого к электроду. Например, при длине волны 630 нм минимальная входная мощность составляет 5 мВт. Измерение фотоотклика во вре-
-500-1
О -0,02 -0,04 -0,06 -0,08 -0,10
UDS, В
Рис. 3. ВАХ подвешенных каналов пленки оксида графена при воздействии света с разной длиной волны и мощностью 30 мВт Fig. 3. Current-voltage characteristics of suspended channels of graphene oxide film under the light exposure of different wavelengths with a power of 30 mW
*
Рис. 5. Схема установки измерения
фотоотклика Fig. 5. Photoresponse measurement setup scheme
мени показало время отклика не более 10 с (рис. 4). Ток пленки не стабилен из-за теплового шума и взаимодействия чешуек между слоями. Схема измерения фотоотклика приведена на рис. 5.
Для получения более полного представления о свойствах микроканала оксида гра-фена измеряли чувствительность R фотодетекторов:
R = (Ilight - Iclark)IPeff,
где Ьщы и Idark - ток при освещении и темноте соответственно; Peff - эффективная мощность лазера в области перехода.
Чувствительность фотодетектора составила ~ 0,8 А/Вт, что является достаточно хорошим показателем среди детекторов на основе подвешенных графеновых каналов [12]. Наличие нелинейного фотоотклика для различных длин волн (в том числе изменение его знака) свидетельствует о том, что фемтосекундная лазерная модификация оксида графена управляет энергетическими уровнями, сформированными в области контакта оксид графена / восстановленный оксид графена.
Измерены температурно-зависимые ВАХ одного из устройств в диапазоне температур от комнатной до 26-50 °С. Тепловой эффект (болометрический) не соответствует отклику, так как измеренный температурный коэффициент сопротивления составляет 0,8203 ГОм/°С. Это означает, что ток уменьшается с повышением температуры. Это контрастирует с тем, что наблюдалось при освещении в ближнем ИК-диапазоне. Любой тепловой эффект в данном исследовании фотоотклика исключается.
Заключение. Проведенные эксперименты позволили разработать метод создания подвешенных графеновых каналов фоточувствительных детекторов. Обработка полученной пленки фемтосекундным лазером дает возможность сформировать модифицированную чувствительную область фотодетектора. Наибольший фотоотклик (~ 0,8 А/Вт) не связан с болометрическим, а вызван только возбуждением носителей заряда в канале. Устройство показывает высокую фоточувствительность в видимом ближнем ИК-диапазоне.
-150
-200-
-250" -300
-350
-500
¿0 = ' 44 c
П i3 = 173 c 1 д/
'1 = ' 53 с h = 168 c
100
200 Время, с
300
Рис. 4. Зависимость фотоотклика от времени при воздействии света с длиной волны 630 нм
и мощностью 30 мВт Fig. 4. Dependence of the photo response on time when exposed to light with a wavelength of 630 nm and a power of 30 mW
Литература
1. Laser-reduced graphene: Synthesis, properties, and applications / Z. Wan, E. W. Streed, M. Lobino et al. // Adv. Mater. Technol. 2018. Vol. 3. Iss. 4. Art. ID: 1700315. https://doi.org/10.1002/admt.201700315
2. Laser fabrication of graphene-based flexible electronics / R. You, Y.-Q. Liu, Y.-L. Hao et al. // Adv. Mater. 2020. Vol. 32. Iss. 15. Art. ID: 1901981. https://doi.org/10.1002/adma.201901981
3. Free-standing graphene oxide mid-infrared polarizers / X. Zheng, B. Xu, S. Li et al. // Nanoscale. 2020. Vol. 12. Iss. 21. P. 11480-11488. https://doi.org/10.1039/D0NR01619E
4. Laser direct 3D patterning and reduction of graphene oxide film on polymer substrate / 1.1. Bobrinetskiy, A. V. Emelianov, S. A. Smagulova et al. // Mater. Lett. 2017. Vol. 187. P. 20-23. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2016.10.073
5. A novel method for transferring graphene onto PDMS / W. Hiranyawasit, K. Punpattanakul, A. Pimpin et al. // Appl. Surf. Sci. 2015. Vol. 358 (A). P. 70-74. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.08.218
6. PDMS-supported graphene transfer using intermediary polymer layers / S. Vaziri, A. D. Smith,
G. Lupina et al. // 2014 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC). Venice: IEEE, 2014. P. 309-312. https://doi.org/10.1109/ESSDERC.2014.6948822
7. Electron-beam writing of deoxygenated micro-patterns on graphene oxide film / K.-H. Wu,
H.-H. Cheng, A. A. Mohammad et al. // Carbon. 2015. Vol. 95. P. 738-745. https://doi.org/10.1016/ j.carbon.2015.08.116
8. Thermoelectrically driven photocurrent generation in femtosecond laser patterned graphene junctions / A. V. Emelianov, D. Kireev, A. Offenhausser et al. // ACS Photonics. 2018. Vol. 5. Iss. 8. P. 3107-3115. https://doi.org/10.1021/acsphotonics.8b00350
9. Individual SWCNT transistor with photosensitive planar junction induced by two-photon oxidation / A. V. Emelianov, N. P. Nekrasov, M. V. Moskotin et al. // Adv. Electron. Mater. 2021. Vol. 7. Iss. 3. Art. ID: 2000872. https://doi.org/10.1002/aelm.202000872
10. Large bandgap reduced graphene oxide (rGO) based n-p+ heterojunction photodetector with improved NIR performance / M. Singh, G. Kumar, N. Prakash et al. // Semicond. Sci. Technol. 2018. Vol. 33. No. 4. Art. No. 045012. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aab2d9
11. Chandrakalavathi T., Peta K. R., Jeyalakshmi R. Enhanced UV photoresponse with Au nanoparticles incorporated rGO/Si heterostructure // Mater. Res. Express. 2018. Vol. 5. No. 2. Art. No. 025011. https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaa9ac
12. Photodetector-based material from a highly sensitive free-standing graphene oxide/polypyrrole nanocomposite / A. Ben Gouider Trabelsi, A. M. Elsayed, F. H. Alkallas et al. // Coatings. 2023. Vol. 13. Iss. 7. Art. No. 1198. https://doi.org/10.3390/coatings13071198
Статья поступила в редакцию 11.10.2023 г.; одобрена после рецензирования 23.10.2023 г.;
принята к публикации 14.06.2024 г.
Информация об авторах
Некрасов Никита Петрович - инженер научно-образовательного центра «Зондо-вая микроскопия и нанотехнология» Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
Мурашко Денис Тарасович - инженер научно-исследовательской лаборатории «Биомедицинские нанотехнологии» Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
Василевский Павел Николаевич - инженер научно-исследовательской лаборатории «Биомедицинские нанотехнологии» Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
Герасименко Александр Юрьевич - доктор технических наук, доцент, начальник научно-исследовательской лаборатории «Биомедицинские нанотехнологии» Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
Неволин Владимир Кириллович - доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник, руководитель научно-образовательного центра «Зондовая микроскопия и нанотехнология» Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
Бобринецкий Иван Иванович - доктор технических наук, ведущий инженер научно-образовательного центра «Зондовая микроскопия и нанотехнология» Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
References
1. Wan Z., Streed E. W., Lobino M., Wang S., Sang R. T., Cole I. S., Thiel D. V., Li Q. Laser-reduced graphene: Synthesis, properties, and applications. Adv. Mater. Technol., 2018, vol. 3, iss. 4, art. ID: 1700315. https://doi.org/10.1002/admt.201700315
2. You R., Liu Y.-Q., Hao Y.-L., Han D.-D., Zhang Y.-L., You Z. Laser fabrication of graphene-based flexible electronics. Adv. Mater., 2020, vol. 32, iss. 15, art. ID: 1901981. https://doi.org/10.1002/ adma.201901981
3. Zheng X., Xu B., Li S., Lin H., Qiu L., Li D., Jia B. Free-standing graphene oxide mid-infrared polarizers. Nanoscale, 2020, vol. 12, iss. 21, pp. 11480-11488. https://doi.org/10.1039/D0NR01619E
4. Bobrinetskiy I. I., Emelianov A. V., Smagulova S. A., Komarov I. A., Otero N., Romero P. M. Laser direct 3D patterning and reduction of graphene oxide film on polymer substrate. Mater. Lett., 2017, vol. 187, pp. 20-23. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2016.10.073
5. Hiranyawasit W., Punpattanakul K., Pimpin A., Kim H., Jeon S., Srituravanich W. A novel method for transferring graphene onto PDMS. Appl. Surf. Sci., 2015, vol. 358 (A), pp. 70-74. https://doi.org/10.1016/ j.apsusc.2015.08.218
6. Vaziri S., Smith A. D., Lupina G., Lemme M. C., Ostling M. PDMS-supported graphene transfer using intermediary polymer layers. 2014 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC). Venice, IEEE, 2014, pp. 309-312. https://doi.org/10.1109/ESSDERC.2014.6948822
7. Wu K.-H., Cheng H.-H., Mohammad A. A., Blakey I., Jack K., Gentle I. R., Wang D.-W. Electron-beam writing of deoxygenated micro-patterns on graphene oxide film. Carbon, 2015, vol. 95, pp. 738-745. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2015.08.116
8. Emelianov A. V., Kireev D., Offenhausser A., Otero N., Romero P. M., Bobrinetskiy I. I. Thermoelectri-cally driven photocurrent generation in femtosecond laser patterned graphene junctions. ACS Photonics, 2018, vol. 5, iss. 8, pp. 3107-3115. https://doi.org/10.1021/acsphotonics.8b00350
9. Emelianov A. V., Nekrasov N. P., Moskotin M. V., Fedorov G. E., Otero N., Romero P. M., Nevolin V. K., Afinogenov B. I., Nasibulin A. G., Bobrinetskiy I. I. Individual SWCNT transistor with photosensitive planar junction induced by two-photon oxidation. Adv. Electron. Mater., 2021, vol. 7, iss. 3, art. ID: 2000872. https://doi.org/10.1002/aelm.202000872
10. Singh M., Kumar G., Prakash N., Khanna S. P., Pal P., Singh S. P. Large bandgap reduced graphene oxide (rGO) based n-p+ heterojunction photodetector with improved NIR performance. Semicond. Sci. Technol., 2018, vol. 33, no. 4, art. No. 045012. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aab2d9
11. Chandrakalavathi T., Peta K. R., Jeyalakshmi R. Enhanced UV photoresponse with Au nanoparticles incorporated rGO/Si heterostructure. Mater. Res. Express, 2018, vol. 5, no. 2, art. no. 025011. https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaa9ac
12. Ben Gouider Trabelsi A., Elsayed A. M., Alkallas F. H., AlFaify S., Shkir M., Alrebdi T. A., Almugren Kh. S., Kusmatsev F. V., Rabia M. Photodetector-based material from a highly sensitive free-standing graphene oxide/polypyrrole nanocomposite. Coatings, 2023, vol. 13, iss. 7, art. no. 1198. https://doi.org/10.3390/ coatings13071198
The article was submitted 11.10.2023; approved after reviewing 23.10.2023;
accepted for publication 14.06.2024.
Information about the authors
Nikita P. Nekrasov - Engineer of the Scientific and Educational Center "Probe Microscopy and Nanotechnology", National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
Denis T. Murashko - Engineer of the Research Laboratory "Biomedical Nanotechnolo-gies", National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
Pavel N. Vasilevsky - Engineer of the Research Laboratory "Biomedical Nanotechnolo-gies", National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
Alexander Yu. Gerasimenko - Dr. Sci. (Eng.), Assoc. Prof., Head of the Research Laboratory "Biomedical Nanotechnologies", National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
Vladimir K. Nevolin - Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Chief Researcher, Head of the Scientific and Educational Center "Probe Microscopy and Nanotechnology", National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
Ivan I. Bobrinetskiy - Dr. Sci. (Eng.), Senior Engineer of the Scientific and Educational Center "Probe Microscopy and Nanotechnology", National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
/-4
Уважаемые авторы и читатели!
Вышел в свет журнал SEMICONDUCTORS
Vol. 57, No. 1, 2023. - ISSN PRINT: 1063-7826, ISSN ONLINE: 1090-6479,
в котором опубликованы избранные статьи журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника».
http://pleiades.online http://link.springer.com
