CC BY
21
УДК 621.38-022.532 DOI 10.23683/2311-3103-2019-6-35-43
А.А. Гелдаш, М.М. Ерёменко, В.С. Климин, Н.Е. Черненко, Ю.Ю. Житяева,
В.Н. Джуплин
ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМА ДВУХСТАДИЙНОГО РОСТА ГЕТЕРОСТРУКТУР GaAs/Si МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ
ЭПИТАКСИИ
Целью данной работы является разработка технологии изготовления, формирование и исследование гетероструктур GaAs/Si, созданных по двухстадийной методике, а также проведение сравнения с гетероструктурами GaAs/Si, полученными по одностадийной методике. В данной работе проведено исследование режимов двухстадийного роста гетероструктур GaAs/Si, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), которые могут быть использованы в качестве основы для создания элементов оптоэлектроники. Проведены исследования морфологии поверхности гетероструктур GaAs/Si и структур, созданных с применением встраиваемых слоев (буферных слоев). По результатам исследования морфологии поверхности слоя GaAs выявлено, что поверхность образца, созданного по одностадийной технологии, сформирована монокристаллическими ячейками GaAs c размерами 1,5x2 мкм. В то время как поверхность образца, сформированная по двухстадийной методике, имеет более мелкие монокристаллы GaAs с размерами 250x250 нм. В первом и втором случае пленки состоят из отдельных монокристаллических блоков, которые в процессе роста сливались между собой, образуя сплошную пленку, с наличием определенного коэффициента шероховатости поверхности, который виден из РЭМ-изображений. Разработаны технологические режимы нанесения пленок GaAs - методом МЛЭ на Si, а также слоя SiO2 на Si, полученного методом плазмохимического осаждения в индуктивно-связанной плазме. Осуществлено формирование окон в слое SiO2 методом фотолитографии и химического травления диаметром 4 мкм. Проведено сравнение методик двухстадийного и одностадийного роста GaAs на Si. Исследовано распределение поверхностного потенциала, а также построена зонная энергетическая модель. Были построены и исследованы вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур GaAs/Si под воздействием излучения и в темноте. Во время исследования образцов было выявлено, что гете-роструктуры, выращенные по методике двухстадийного роста, обладают фоточувствительностью, которая особенно четко проявляется при ультрафиолетовом излучении, на длине волны светового излучения порядка 400 нм. Результаты исследования позволяют говорить о перспективности применения гетероструктур GaAs/Si, созданных по двухста-дийной методике роста, в качестве основы для создания оптоэлектронныхустройств.
Молекулярно-лучевая эпитаксия; GaAs; тонкие пленки; двухступенчатая технология; оптоэлектронные устройства.
A.A. Geldash, M.M. Eryomenko, V.S. Klimin, M.S. Solodovnik, J.Y. Jityaeva,
E.Y. Gusev, V.N. Dzhuplin
STUDY OF THE TWO-STAGE GROWTH MODE IN GaAs/Si HETEROSTRUCTURES BY THE METHOD OF MOLECULAR RADIATION
EPITAXIA
The aim of this work is to develop manufacturing technology, the formation and study of GaAs/Si heterostructures created by a two-stage method, as well as comparison with GaAs/Si heterostructures obtained by a one-stage method. In this work, we study the two-stage growth regimes of GaAs/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy (MBE), which can be used as the basis for creating elements of optoelectronics. The morphology of the surface of GaAs/Si heterostructures and structures created using embedded layers (buffer layers) were studied. According to the results of the morphology of the surface of the GaAs layer, it was revealed that the surface of the sample created by the single-stage technology was formed by single-crystal GaAs cells with sizes 1.5x2 ¡m. At the same time, the surface of the sample formed by the two-
stage technique has smaller GaAs single crystals with sizes of 250x250 nm. In the first and second cases, the films consist of separate single-crystal blocks, which in the process of growth merged with each other, forming a continuous film, with a certain surface roughness coefficient, which is visible from SEM images. Technological conditions for the deposition of GaAs films by the MBE method on Si, as well as the SiO2 layer on Si obtained by plasma-chemical deposition in an inductively coupled plasma, have been developed. Windows were formed in the SiO2 layer by photolithography and chemical etching with a diameter of 4 ¡m. The methods of two-stage and one-stage growth of GaAs on Si are compared. The distribution of the surface potential was studied, and a band energy model was constructed. The current-voltage characteristics of the obtained GaAs/Si heterostructures under the influence of radiation and in the dark were constructed and studied. During the study of the samples, it was found that heterostructures grown by the two-stage growth technique have a photosensitivity, which is especially pronounced with ultraviolet radiation, at a wavelength of light radiation of about 400 nm. The results of the study suggest the promise of using GaAs/Si heterostructures created by the two-stage growth technique as the basis for creating optoelectronic devices.
Molecular beam epitaxy; GaAs; thin films; two-stage technology; optoelectronic devices.
Введение. В настоящее время соединения A3B5, выращенные эпитаксиально на Si-подложках, вызывают большой интерес из-за возможности монолитной интеграции оптоэлектронных устройств с микроэлектроникой на Si-основе. Однако, получение гетероструктур GaAs/Si с высоким качеством, является сложной задачей, в первую очередь, из-за формирования антифазных доменов в результате роста полярного GaAs на неполярной подложке Si, границы которых дают высокую плотность дефектов. Кроме того, дополнительно образуется высокая плотность пронизывающих дислокаций, возникающих из-за значительного различия параметров кристаллических решеток и коэффициентов теплового расширения.
Одним из методов, с помощью которого может быть выращен GaAs на Si подложке, является метод молекулярно-лучевой эпитаксии [1-8]. К достоинствам метода МЛЭ можно отнести то, что метод обеспечивает высокое качество формируемых пленок, а также границ между различными слоями. Созданные, с помощью данного метода пленки, удовлетворяют требованиям, которые предъявляются для формирования совершенных полупроводниковых структур с различной конфигурацией слоев. Также этот метод позволяет выращивать пленки практически любой толщины, начиная с пленок моноатомной толщины. При этом задается необходимый химический состав и концентрация примесей. В этом методе возможно осуществлять контроль и анализ параметров формируемых слоев. Для оптики этот метод важен тем, что с помощью него, можно осуществлять гетероэпитаксию различных материалов.
Кристаллические несовершенства, обусловленные большой разницей параметров решетки (около 4 %) и коэффициентов термического расширения GaAs и Si, как правило, сосредоточены внутри пленки GaAs. Для уменьшения кристаллического несовершенства пленок GaAs используются различные технологические приемы, направленные на подавление генерации дефектов и их распространения в вышележащие слои [9-15].
Методическая часть. В данной работе для получения гетероструктур GaAs/Si использовалась методика двухступенчатого роста [16] методом МЛЭ на структурах SiOx/Si с окнами в окисном слое. Для этого первоначально на очищенные пластины Si(100) КДБ-10 осаждался оксидный слой SiOx толщиной 600 нм с помощью установки плазмохимического осаждения SemiTEq STE 1СРв 47 в индуктивно-связанной плазме.
Технологические параметры были таковы, что оксидный слой Si осаждался при T= 23 0C, времени осаждения t= 9 минут, заданных потоках SiH4 15 см3/мин. и N2O 60 см3/мин., а также мощности источника индуктивно-связанной плазмы WICP = 500 Вт и мощности источника емкостной плазмы (при реактивном ионном травлении) PRIE= 5 Вт.
На основе исследованных методов жидкостного травления [17, 18] слоя SiO2 для формирования различных типов структур была осуществлена фотолитография в слое SiOx для формирования массива окон. В фотошаблоне для этой процедуры диаметр окон был 3 мкм и шаг 3 мкм.
Последовательность операций при МЛЭ состоит в том, что на перед нанесением первого слоя GaAs, происходит высокотемпературный отжиг при температуре T= 8100 С, продолжительностью t= 30 мин. и с использованием потока Si с концентрацией носителей 3 1018 см-3. Он производится для отчистки поверхности Si от остатков окисла. Для нас важно, чтобы поверхность чистого Si была основанием для роста монокристаллов GaAs. На первом этапе происходит рост аморфного низкотемпературного слоя при температуре T= 200°-250° С, толщиной h= 5 нм, с концентрацией носителей тока в GaAs 3 1018 см-3. В этом же этапе происходит рост кристаллического низкотемпературного слоя при температуре T= 3000-3500 С, с толщиной h= 25 нм, с концентрацией носителей тока в GaAs 3 1018 см-3. На втором этапе осуществляется рост высокотемпературного слоя, при температуре T= 6000 C, толщиной h= 650 нм, с концентрацией носителей тока в GaAs 3 • 1018 см-3. Таким образом суммарная толщина слоя, нанесенного с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии, составляет около 700 нм.
Второй образец был создан по технологическим этапам, отличным от тех, по которым был создан первый образец. Перед нанесением первого слоя GaAs происходит при температуре T= 8300 С, продолжительностью t= 30 минут и с использованием потока Si. На первом этапе происходит рост при температуре 2000 - 250 0С, толщиной h= 50 нм. Перед нанесением второго слоя происходит при температуре T= 6500 С., продолжительностью t= 30 мин и с использованием потока As. На втором этапе осуществляется рост, при температуре T= 600 гр., толщиной h= 650 нм, с концентрацией носителей тока в GaAs 3 • 1018 см-3.
После формирования гетероструктур, метом МЛЭ, проведено исследование поверхности гетерострукутр GaAs/Si(111), с помощью растрового электронного микроскопа Nova NanoLab 600. РЭМ-изображения первого образца с гетерострук-турой GaAs/Si представлены на рис. 1.
Рис. 1. РЭМ-изображения первого образца с гетероструктурой GaAs/Si: a - поверхность слоя GaAs в окне SiO2 диаметром 4,6 мкм на Si; б - массив окон SiO2 диаметром 4,1-4,6 мкм с нанесенным слоем GaAs на Si
Диаметр окон в слое 8ЮХ получился 4,1-4,6 мкм в результате травления большей области отверстий, что обусловлено технологическим режимом и оборудованием фотолитографии и травления.
РЭМ-изображения второго образца с гетероструктурой GaAs/Si представлены на рис. 2.
Рис. 2. РЭМ-изображения второго образца с гетероструктурой ОаЛз/Б(: а — группы нановискеров в окнах 81^2 на поверхности слоя ОаЛз; б — группы нановискеров с ортогональной ориентацией и длинной 17—20 мкм
На рис. 3 приведены РЭМ-изображения морфологии поверхности пленки GaAs, созданной по двухстадийной (3,а) и одностадийной (3,б) методике. Видно различие структуры поверхностного слоя GaAs, полученного в разных условиях, зависящих от технологии роста. Образец, сформированный по одностадийной методике характерен монокристаллическими ячейками размерами 1,5x2 мкм, в то время как образец, сформированный по двухстадийной технологии характерен более мелкими кристаллами GaAs размерами 250x250 нм.
Рис. 3. РЭМ-изображения образцов с гетероструктурой ОаЛ>ъ/81: а — морфология поверхности образца, созданного по двухстадийной методике; б — морфология поверхности образца, созданного по одностадийной методике
Структура GaAs на (рис. 3,б) получилась благодаря введенной операции высокотемпературного отжига, что создало условие для кристаллического роста.
Для иллюстрации электрических свойств созданных слоев GaAs на Si проведено исследование распределения поверхностного потенциала методом атомно-силовой микроскопии, результаты которого показаны на рис. 4.
Видно, что подъем темного участка соответствует краю пленки GaAs. От этого места потенциал на GaAs сдвигается на 0.5 мкм при освещении. На основании полученной величины потенциального барьера на границе пленки GaAs, построена зонная энергетическая диаграмм (рис. 5) гетероструктуры GaAs/Si [19, 20].
x-ifll зЕ
X = 4,01 эВ
p-Si 22 - GaAs
F¿= 1,21 эВ -
ES=1A2 эВ
Рис. 5. Зонная энергетическая диаграмме гетероструктуры GaAs/Si
В области объемного пространственного заряда на границе раздела материалов есть две «стенки» - на линиях обозначающих дно валентной зоны и зоны проводимости.
Измеренные вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур ваАБ/81 представлены на (рис. 6, 7). Их вид представляет зависимостей токов от напряжений гетерострутуры р^/п-ваАБ в соответствии с нашей зонной моделью. Воздействие света на эту структуру вызывает сдвиг характеристики в сторону увеличения прямого тока.
Рис. 6. Волып-амперная характеристика гетероструктуры GaAs/Si (при освещении и в темноте)
1.2E-4 4.5E-5 1.6E-5 6.1E-6 < 2.2E-8
ЗЕ-7 1.1Е-7 4.1 Е-8 1.5Е-8
-1.0 -0.8 -0,8 -0,4 -0.2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1.0
им
Рис. 7. Вольт-амперная характеристика гетероструктуры ОаЛ^'^ в полулогарифмическом масштабе (при освещении и в темноте)
Исследование электрических характеристик (рис. 6, 7) гетероструктуры GaAs/Si, говорит о наличии фоточувствительности, которая предполагается в структурах c пленкой GaAs в окнах SiO2 на Si.
Обсуждение полученных результатов. Сравнение изображений поверхностей образцов показывает, что методика создания слоя GaAs на дне окон дала два принципиально разных результата. Во втором случае (рис. 2) выросли нановискеры.
Они могли вырасти только на идеально монокристаллическом затравочном материале. Ориентация нановискеров на рис. 2 такова, что они ортогонально расположены друг к другу. Это говорит о наличии влияния кремниевой подложки на зарождение кристаллов GaAs на ней. То есть, в процессе осаждения GaAs касался 81 на дне окон. Кристаллы GaAs, являющиеся зародышами в каждом нановискере, сформировались при термообработке в идеальной вакуумной чистоте экспериментальной установки. Таким образом условия для формирования нановискеров большого диаметра при данном соотношении компонентов веществ АШБУ (Ga, АБ) были достигнуты.
Вольт-амперные характеристики соответствуют моделям токопереноса в ге-тероструктурах p-Si/n-GaAs [15]. Сдвиг характеристик при освещении обусловлен фототоком.
Заключение. В работе проведены экспериментальные исследования по получению гетероструктур GaAs/Si, сформированных по двухступенчатой методике. Структурой каркаса для GaAs послужил слой 8Ю2, толщиной 600 нм, сформированный методом плазмохимического осаждения в индуктивно-связанной плазме. Двухступенчатый рост GaAs в окнах 8Ю2 на 81 был осуществим с помощью методов молекулярно-лучевой эпитаксии.
Как показали РЭМ-изображения поверхности структур GaAs/Si второго образца (рис. 2), нановискеры, выросшие из вершин монокристал-лических блоков GaAs, являются предпосылкой для формирования вертикальных гетероструктур GaAs на 81. В результате проведенных исследований морфологии поверхности гетероструктуры GaAs/Si было выявлено, что важную роль в процессе роста нано-размерных кристаллов играет кристаллографическая ориентация кремниевой подложки, а также глубокая очистка поверхности Si. В нашем случае нановискеры сформировались в результате влияния низкотемпературного аморфного слоя GaAs на Si. Нановискеры не образовались на первом образце из-за того, что присутствовал как низкотемпературный рост аморфного слоя GaAs, так и низкотемпературный кристаллический слой GaAs. При дальнейшей разработке этого метода плани-
руется создавать структуры только на поверхности Si без заполнения молекулами GaAs поверхности SiO2. Данная методика может быть применима для создания оптоэлектронных устройств.
Благодарности. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта ВнГр-07/2017-02, а также Российского Фонда Фундаментальных Исследований (проект 19-37-90139) с использованием оборудования Научно-образовательного центра и Центра коллективного пользования «Нанотехнологии» Южного Федерального Университета.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Климин В.С., Резван А.А., Агеев О.А. Исследование применения плазменных методов для формирования полевых эмиттеров на основе углеродных наноразмерных структур // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Т. 1124. - С. 071020.
2. Томинов Р.В., Смирнов В.А., Авилов В.И., Федотов АА., Климин В.С., Черненко Н.Е. Формирование мемристорных структур ZnO методом сканирующей зондовой нанолитографии // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. - 2018. - Т. 443. - С. 012036.
3. Murdick D.A., Wadley H.N., Zhou X.W. Механизмы конденсации пара, обогащенного мышьяком, на поверхности GaAs (001) // Phys. Rev. B. - 2007. - Т. 75. - С. 125318.
4. Вакулов З.Е., Ивонин М, Замбург Е.Г., Климин В.С., Волик Д.П., Голосов Д.А., Завадский С.М., Достанко А.П., Миаконкикх А.В., Клементе И.Е., Руденко К.В., Агеев О.А. Размерные эффекты в тонких пленках LiNbO3, полученных методом импульсного лазерного напыления // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Т. 1124. - С. 022032.
5. Балакирев С.В., Еременко М.М., Михайлин И.А., Климин В.С., Солодовник М.С. Капельная эпитаксия наноструктур In/AlGaAs на As-стабилизированной поверхности // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Т. 1124. - С. 022018.
6. Tseng A. Последние разработки в области микрообработки с использованием технологии сфокусированных ионных пучков // Journal of Micromechanics and Microengineering.
- 2004. - Т. 14. - С. 15.
7. Han J., Lee H., Min B., Lee S. Прогнозирование топологии наноматериалов с использованием двумерного фокусированного ионного фрезерования с интервалами облучения пучком // Microelectronic Engineering. - 2010. - Т. 87. - С. 1-9.
8. Климин В.С., СолодовникМ.С., Лисицин С.А., Резван А.А., Балакирев С.В. Формирование наноразмерных структур на поверхности арсенида галлия при локальном анодном окислении и плазмохимическом травлении // Journal of Physics: Conference Series. - 2018.
- Т. 1124. - С. 041024.
9. Adachi S. Свойства полупроводников группы IV, III-V и II-VI. - John Wiley & Son, 2005.
- 408 с.
10. Cao G. Наноструктуры и наноматериалы. Синтез, свойства и применение. - Imperial College Press, 2004. - 448 с.
11. Асеев А.Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. - 368 с.
12. Jha N.K., Chen D. Проектирование наноэлектронных схем design. - Springer, 2011. - 290 p.
13. Piccin P. et al. Рост методом молекулярно-лучевой эпитаксии и электрическая характеристика нановискеров GaAs // Physica E. - 2007. - Т. 37. - С. 134-137.
14. Черненко Н.Е., Балакирев С.В., Еременко М.М., Солодовник М.С. Межфазное взаимодействие в системе Ga-As-ZnO в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2019. - № 2. - C. 184-192.
15. Балакирев С.В., Блинов Ю.Ф., Солодовник М.С. Модель начальной стадии гомоэпитак-сиального роста GaAs методом МЛЭ с учетом соотношения потоков ростовых компонент // Известия ЮФУ. Технические науки. 2014. - № 9 (158). - С. 94-105.
16. Chu C-P., Arafin S., Nie T. Наноразмерный рост GaAs на узорчатых подложках Si (111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Crystal Growth & Design. - 2014. - Т. 14.
- С. 593-598.
17. Гусев Е.Ю., Житяева Ю.Ю., Агеев О.А. Влияние условий PECVD на механическое напряжение пленок кремния // Materials Physics and Mechanics. - 2018. - Т. 37, № 1.
- С. 67-72.
18. Гусев Е.Ю., Житяева Ю.Ю., Коломийцев А.С., Гамалеев В.А., Коц И.Н., Быков А.В. Исследование режимов жидкостного травления жертвенного слоя SiO2 для формирования микромеханических структур на основе si /SiO2/Si // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2015. - № 2 (163). - С. 236-245.
19. Sze S. Физика полупроводниковых приборов. - Т. 1. - М.: Мир, 1984. - С. 258-261.
20. Епифанов Г.И. Физика Основы микроэлектроники. - М.: Советское радио, 1971. - С. 145-156.
REFERENCES
1. Klimin V.S., Rezvan A.A., Ageev O.A. Issledovanie primeneniya plazmennykh metodov dlya formirovaniya polevykh emitterov na osnove uglerodnykh nanorazmernykh struktur [Research of using plasma methods for formation field emitters based on carbon nanoscale structures], Journal of Physics: Conference Series [.Journal of Physics: Conference Series], 2018, Vol. 1124, pp. 071020.
2. Tominov R.V., Smirnov V.A., Avilov V.I., Fedotov A.A., Klimin V.S., Chernenko N.E. Formirovanie memristornykh struktur ZnO metodom skaniruyushchey zondovoy nanolito-grafii [Formation ZnO memristor structures by scratching probe nanolithography], IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering, 2018, Vol. 443, pp. 012036.
3. Murdick D.A., Wadley H.N., Zhou X.W. Mekhanizmy kondensatsii para, obogashchennogo mysh'yakom, na poverkhnosti GaAs (001) [Condensation mechanisms of an arsenic-rich vapor on GaAs (001) surfaces], Phys. Rev. B, 2007, Vol. 75, pp. 125318.
4. Vakulov Z.E., Ivonin M., Zamburg E.G., Klimin V.S., Volik D.P., Golosov D.A., Zavadskiy S.M., Dostanko A.P., Miakonkikkh A. V., Klemente I.E., Rudenko K. V., Ageev O.A. Razmernye effekty v tonkikh plenkakh LiNbO3, poluchennykh metodom impul'snogo lazernogo napyleniya [Size effects in LiNbO3 thin films fabricated by pulsed laser deposition], Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1124, pp. 022032.
5. Balakirev S.V., Eremenko M.M., Mikhaylin I.A., Klimin V.S., Solodovnik M.S. Kapel'naya epitaksiya nanostruktur In/AlGaAs na As-stabilizirovannoy poverkhnosti [Droplet epitaxy of In/AlGaAs nanostructures on the As-stabilized surface], Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1124, pp. 022018.
6. Tseng A. Poslednie razrabotki v oblasti mikroobrabotki s ispol'zovaniem tekhnologii sfokusirovannykh ionnykh puchkov [Recent developments in micromilling using focused ion beam technology], Journal of Micromechanics andMicroengineering, 2004, Vol. 14, pp. 15.
7. Han J., Lee H., Min B., Lee S. Prognozirovanie topologii nanomaterialov s ispol'zovaniem dvumernogo fokusirovannogo ionnogo frezerovaniya s intervalami oblucheniya puchkom [Prediction of nanopattern topography using two-dimensional focused ion beam milling with beam irradiation intervals], Microelectronic Engineering, 2010, Vol. 87, pp. 1-9.
8. Klimin V.S., Solodovnik M.S., Lisitsin S.A., Rezvan A.A., Balakirev S.V. Formirovanie nanorazmernykh struktur na poverkhnosti arsenida galliya pri lokal'nom anodnom okislenii i plazmokhimicheskom travlenii [Formation of nanoscale structures on the surface of gallium arsenide by local anodic oxidation and plasma chemical etching], Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1124, pp. 041024.
9. Adachi S. Svoystva poluprovodnikov gruppy IV, III-V i II-VI [Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors]. John Wiley & Son, 2005, 408 p.
10. Cao G. Nanostruktury i nanomaterialy. Sintez, svoystva i primenenie [Nanostructures & nanomaterials. Synthesis, properties & applications]. Imperial College Press, 2004, 448 p.
11. Aseev A.L. Nanotekhnologii v poluprovodnikovoy elektronike [Nanotechnology in semiconductor electronics]. Novosibirsk: Izd-vo SO RAN, 2004, 368 p.
12. Jha N.K., Chen D. Proektirovanie nanoelektronnykh skhem design [Nanoelectronic circuit design]. Springer, 2011, 290 p.
13. Piccin P. et al. Rost metodom molekulyarno-luchevoy epitaksii i elektricheskaya kharakteristika nanoviskerov GaAs [Growth by molecular beam epitaxy and electrical characterization of GaAs nanowires], PhysicaE, 2007, Vol. 37, pp. 134-137.
14. Chernenko N.E., Balakirev S.V., Eremenko M.M., Solodovnik M.S. Mezhfaznoe vzaimodeystvie v sisteme Ga-As-ZnO v usloviyakh molekulyarno-luchevoy epitaksii [Interfacial interaction in the Ga-As-ZnO system under molecular beam epitaxy], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2019, No, 2, pp. 184-192.
15. Balakirev S.V., Blinov Yu.F., Solodovnik M.S. Model' nachal'noy stadii gomoepitaksial'nogo rosta GaAs metodom MLE s uchetom sootnosheniya potokov rostovykh komponent [The model of the initial stage of GaAs homoepitaxial growth by the MBE method taking into account the ratio of the fluxes of growth components], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2014, No. 9 (158), pp. 94-105.
16. Chu C-P., Arafin S., Nie T. Nanorazmernyy rost GaAs na uzorchatykh podlozhkakh Si (111) metodom molekulyarno-luchevoy epitaksii [Nanoscale Growth of GaAs on Patterned Si (111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy], Crystal Growth & Design, 2014, Vol. 14, pp. 593-598.
17. Gusev E.Yu., Zhityaeva Yu.Yu., Ageev O.A. Vliyanie usloviy PECVD na mekhanicheskoe napryazhenie plenok kremniya [Effect of PECVD conditions on mechanical stress of silicon films], Materials Physics and Mechanics, 2018, Vol. 37, No. 1, pp. 67-72.
18. Gusev E.Yu., ZHityaeva Yu.Yu., Kolomiytsev A.S., Gamaleev V.A., Kots I.N., Bykov A.V. Issledovanie rezhimov zhidkostnogo travleniya zhertvennogo sloya SiO2 dlya formirovaniya mikromekhanicheskikh struktur na osnove si*/SiO2/Si [Study of liquid etching modes of a sacrificial SiO2 layer for the formation of micromechanical structures based on Si*/SiO2/Si], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2015, No. 2 (163), pp. 236-245.
19. Sze S. Fizika poluprovodnikovykh priborov [Physics of semiconductor devices]. Vol. 1. Moscow: Mir, 1984, pp. 258-261.
20. Epifanov G.I. Fizika Osnovy mikroelektroniki [Physics Fundamentals of Microelectronics]. Moscow: Sovetskoe radio, 1971, pp. 145-156.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н., профессор И.Е. Лысенко
Гелдаш Андрей Александрович - Южный федеральный университет; e-mail: andrewgeldash@gmail.com; 347922, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2; тел.: 89515242876; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; аспирант.
Ерёменко Михаил Михайлович - e-mail: eryomenko@sfedu.ru; научно-образовательный Центр "Нанотехнологии"; техник-проектировщик.
Климин Виктор Сергеевич - e-mail: kliminv.s@mail.ru; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; к.т.н.; доцент.
Черненко Наталья Евгеньевна - e-mail: nchernenko@sfedu.ru; научно-образовательный Центр "Нанотехнологии"; техник-проектировщик.
Житяева Юлия Юрьевна - e-mail: zhityaeva@sfedu.ru; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; аспирант.
Джуплин Владимир Николаевич - e-mail: dzhuplin@mail.ru; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; к.т.н.; доцент.
Geldash Andrei Aleksandrovich - Southern Federal University; e-mail: andrewgeldash@gmail.com; 2, Shevchenko street, Taganrog, 347922, Russia; phone: +79515242876; the department of nanotechnologies and microsystems; graduate student.
Eryomenko Mihail Mihajlovich - e-mail: eryomenko@sfedu.ru; the department of nanotechnol-ogies and microsystems; technician-designer.
Klimin Viktor Sergeevich - e-mail: kliminv.s@mail.ru; the department of nanotechnologies and microsystems; cand. of eng. sc.; assistant professor.
Chernenko Natalia Evgenevna - e-mail: nchernenko@sfedu.ru; the department of nanotechnolo-gies and microsystems; technician-designer.
Jityaeva Julia Yur'evna - e-mail: zhityaeva@sfedu.ru; the department of nanotechnologies and microsystems; graduate student.
Dzhuplin Vladimir Nikolaevich - e-mail: dzhuplin@mail.ru; the department of nanotechnologies and microsystems; senior Researcher.
