Исследование процесса обесцвечивания нанокомпозита «Диффен» при использовании светодиодных источников излучения Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

НАНОСИСТЕМЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, МАТЕМАТИКА, 2012, 3 (6), С. 25-35 УДК 778.38

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОБЕСЦВЕЧИВАНИЯ НАНОКОМПОЗИТА «ДИФФЕН» ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ СВЕТОДИОДНЫХ ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

О. В. Андреева, С. А. Диденко, О. В. Бандюк, А. В. Обрезков

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия

olga_andreeva@mail.ru, didenkostas@yandex.ru

РАСв 78.67.Sc

Проведено исследование процесса обесцвечивания образцов полимерного регистрирующего материала «Диф-фен», разработанного для целей объемной голографии. Основное внимание уделено определению зависимости пропускания образцов от времени обесцвечивания, для характеризации которой предложено использовать два основных параметра: характерное время обесцвечивания, определяющее длительность начальной, «быстрой» фазы процесса, и пропускание образца на длине волны обесцвечивания в стабильной фазе процесса. Продемонстрирована результативность такого подхода, позволяющего проводить сравнение результатов, полученных в различных условиях. Показано, что плотность мощности излучения (диапазон изменений 0,2 20 мВт/см2) в интервале длин волн (405 470) нм независимо от длины волны и модификации образцов однозначно определяет характерное время обесцвечивания.

Полученные результаты могут быть использованы при выборе условий проведения процессов, связанных с обесцвечиванием образцов полимерных материалов с диффузионным усилением, содержащих фе-нантренхинон.

Ключевые слова: регистрирующая среда для объемной голографии, нанокомпозиты, фотообесцвечивание, светодиодные источники излучения.

1. Введение

Нанокомпозит «Диффен» относится к регистрирующим средам для объемной голографии, комплекс основных параметров которых включает высокую разрешающую способность — до нескольких тысяч линий на миллиметр. В связи с этим фотофизические и фотохимические процессы, протекающие при получении голограмм, имеют, как правило, нано-размерные масштабы, и их наблюдение и визуализация стандартными оптико-физическими методиками практически невозможна. Для изучения и характеризации процессов, протекающих в таких средах, необходимо применять методики, использующие сопоставление макропараметров, получаемых традиционными способами измерений, с величинами, которые характеризуют наноразмерные объекты и структуры.

Именно наличие установленных феноменологических закономерностей дает основание для верификации разрабатываемых и предлагаемых математических моделей и теоретических методов описания процессов, происходящих при синтезе образцов и получении голограмм в объемных регистрирующих средах — нанокомпозитах .

Изучение процесса обесцвечивания образцов материала «Диффен» находится в самом начале своего пути. Закономерности процесса обусловлены не только физическими

принципами, определяющими характер протекания процессов, но и условиями синтеза образцов и условиями проведения каждого этапа получения голограмм.

Результаты экспериментов, представленные в данной работе, и их анализ направлены на выявление основных закономерностей процесса обесцвечивания образцов материала, которые необходимы как для отработки режимов получения голограмм, так и для построения теоретических моделей записи и считывания информации в таких средах.

2. Объект исследования

«Диффен» является одной из модификаций полимерных светочувствительных сред на основе фенантренхинона, в которых реализован принцип диффузионного усиления [13]. Принципиальная схема получения голограмм на таких средах приведена на рис.1а. Название «Диффен» (от слов ДИФфузионный и ФЕНантренхинон) позволяет выделить данный материал из ряда других модификаций полимерной среды с диффузионным усилением на основе фенантренхинона: разработчиками предложена технология получения материала, образцы которого имеют определенные голографические и физико-механические параметры, обусловленные режимом синтеза образцов и режимом получения голограмм [1,4,5].

Образцы материала «Диффен» (как и ряд других материалов данной группы) представляют собой твердый раствор фенантренхинона (ФХ) в полиметилметакрилате (ПММА) (рис. 1а, позиция 1). Светочувствительность материала обусловлена способностью ФХ при облучении присоединяться к полимеру, превращаясь в 9,10-дизамещенное производное фе-нантрена [2]. На рис. 1б (кривая 1) приведен спектр поглощения блочного образца (толщина 0,4 мм, концентрация ФХ 8,5 Ю-3 М) с явно выраженным максимумом поглощения при Л = 405 -I- 410 нм, который обусловлен наличием ФХ. Под действием излучения ФХ изменяет свою химическую структуру, а образовавшийся фотопродукт (семихиноновый радикал) присоединяется к молекуле ПММА и теряет свою подвижность. Спектр поглощения фотопродукта (ФП) отличается от спектра поглощения ФХ — максимум в видимой области исчезает (рис. 1б, кривая 4). Разница спектров поглощения ФХ и его фотопродукта обуславливает разницу их показателей преломления и определяет эффективность зарегистрированной голограммы скрытого изображения (без воздействия постэкспозиционной обработки) на данной длине волны (см. рис. 1а, позиция 2).

Процесс постэкспозиционного прогрева приводит к перераспределению концентрации неэкспонированных молекул ФХ равномерно по объему образца (рис. 1а, позиция 3), что обеспечивает усиление зарегистрированной интерференционной структуры, сформированной фотопродуктом, то есть происходит «проявление» голограммы. После фиксирования (рис. 1а, позиция 4) образец становится не светочувствительным и может быть использован для работы в видимой и ИК областях спектра. Таким образом, получение голограмм на данном материале включает следующие основные этапы:

— Регистрация голограммы излучением с длиной волны в диапазоне 400< Л <530 нм (рис. 1а, позиция 2);

— Прогрев образцов в течение 50 часов при температуре 50 °С (рис. 1а, позиция 3);

— Фиксирование голограммы некогерентным излучением с длиной волны в области поглощения ФХ (рис. 1а, позиция 4).

Образцы, которые получают путем блочной полимеризации между двумя формующими пластинами (так называемые «блочные» образцы), имеют форму дисков диаметром от 20 мм до 60 мм с толщиной (0,4 н- 6,0) мм. Разработан режим получения образцов материала [6], позволяющий получать однородные, равномерно прокрашенные пленки размером более 10x10 см с толщиной от 80 мкм до 350 мкм, объемная концентрация ФХ

» * • • *

Запись J, J, |h. l

v.v ; • ••• • *• • * • • ••• • • • •

Прогрев Т= 50С

• "И .îni/ДВ ■ • * к •

Фиксирование Ц.^Д]].]].JJ.{iJ}

Рис. 1. а) схема, поясняющая процесс получения голограмм-решеток на материале «Диффен»: распределение молекул фенатренхинона (•) и фотопродукта (о) в объеме образца в исходном состоянии (1), после записи голограммы-решетки (2), после прогрева (3), после фиксирования (4); б) спектральная зависимость оптической плотности, D, исходного образца (1) и образца после фиксирования (4): условия фиксирования — А = 470 нм (сплошная линия), Л = 405 нм (штриховая линия); толщина образца (Т) — 0,4 мм, плотность мощности обесцвечивающего излучения (Eq) — 16 мВт/см2. Измерения оптической плотности проведены на спектрофотометре Evolution 300

в которых в несколько раз выше, чем в блочных образцах. Эластичность пленок позволяет вырезать из них образцы различной формы. Разработанная технология обеспечивает получение объемной концентрации ФХ в пленочных образцах в несколько раз выше, чем в блочных образцах.

Отметим основные особенности материала, обеспечивающие его применение в качестве высокоразрешающего светочувствительного нанокомпозита для регистрации информации:

1. Разрешающая способность материала более 3000 мм-1 и ограничена размерами молекул ФХ и подвижностью молекул фотопродукта;

2. Область спектральной чувствительности материала 370 нм -1-530 нм. Длинноволновая граница чувствительности определена экспериментально: при использовании излучения с длиной волны 532 нм удалось получить голограммы, эффективность которых не превышает 1% [5], в то время как при использовании излучения с А = 514 нм (ионный аргоновый лазер) успешно осуществляется запись высокоэффективных голограмм [4]. Коротковолновая граница указанной полосы поглощения определяется тем, что в области А <350 нм значительный вклад в поглощение образца вносит матрица ПММА, и разделить парциальные вклады, вносимые матрицей и фенантренхиноном, не представляется возможным;

3. Возможность получения голограмм скрытого изображения и последующего их усиления в условиях неизменности интерференционной структуры, сформированной на этапе регистрации, что обеспечивает широкий динамический диапазон и возможность получения высокоэффективных наложенных голограмм [7];

4. Возможность получения образцов с толщиной от десятков микрон до нескольких миллиметров;

5. Функция передачи модуляции (частотно-контрастная характеристика) необычна по сравнению с традиционными светочувствительными материалами. В области низких пространственных частот (менее 50 мм-1) получение голограмм на данном материале невозможно; эффективность зарегистрированных голограмм увеличивается с увеличением пространственной частоты голограммы. Использование таких сред может быть весьма полезным при записи информации, требующей исключения низкочастотной составляющей пространственного спектра излучения.

Область длин волн А >530 нм находится вне полосы поглощения ФХ и определяет спектральный диапазон прозрачности неэкспонированных регистрирующих сред данного типа, то есть, область видимого излучения, в которой образцы нечувствительны к воздействию излучения, даже если они содержат неэкспонированные молекулы ФХ в исходном состоянии.

3. Методика проведения эксперимента

Основной характеристикой процесса обесцвечивания исследуемых образцов материала «Диффен» в данной работе являлась зависимость изменения пропускания образца от времени воздействия излучения, оцениваемая на длине волны обесцвечивающего излучения. Получение данной зависимости производилось для разных условий проведения эксперимента, указанных в таблице 1 (см. также рис. 2), на экспериментальном стенде, принципиальная оптическая схема которого изображена на рис. 3а. Разработанный экспериментальный стенд позволяет производить замену источника излучения, в качестве которого были использованы три светодиода с различной длиной волны излучения и полушириной спектра излучения от 15 нм до 30 нм (см. рис. 2а и табл. 2) в пределах области поглощения образцов (см. рис. 2б). Изменение плотности мощности обесцвечивающего излучения, Е0, падающего на образец, производилось регулировкой питания светодиодов.

Кассета для крепления исследуемого образца имела сопряжение с диафрагмой, выделяющей засвечиваемый участок диаметром 5 мм (см. рис. 3б). При обесцвечивании одного участка остальная часть образца оставалась неэкспонированной, не подвергаясь воздействию излучения, т.к. рассеяние в образцах практически отсутствует. На одном образце на различных его участках производились измерения требуемой (искомой) зависимости в различных условиях (см. табл. 1). Регистрация излучения производилась приемником

Таблица 1. Образцы материала «Диффеи», использованные в работе, и условия проведения обесцвечивания

Номер п/п Образцы Условия обесцвечивания

Тип Толщина Дата изготовления Концентрация ФХ (вес, %) Ащах, нм Е0:> мВт/см2

1 2 3 4 5 6 7

1 Блочный 1,7 мм окт. 2010 г. 0,7% 470 0,2^20

2 Блочный 0,4 мм окт. 2011 г. 0,7% 405, 470 0,4^16

3 Блочный 1,2 мм окт. 2008 г. 0,7% 455 7,5; 20

4 Блочный 0,7 мм окт. 2008 г. 0,7% 455 7,2; 20

5 Пленочный 0,18 мм июль 2010 г. 4,0% 405, 455, 470 2; 7,2; 20

0,8 0,6 -0,4 -0,2 -0 F= 300

Рис. 2. а) спектры излучения светодиодов, используемых в качестве источников излучения различного спектрального состава: Хтах = 405 нм (1), 470 нм (2), 455 нм (3); б) спектральная зависимость пропускания (г) исходного образца (кривая 1) и образца после фиксирования в различных условиях: при А щах = 405 нм, Eq = 16 мВт/см2 — штриховая линия, 4-1; при А щах = 470 нм, Eq = 16, 5 мВт/см2 — сплошная линия, 4-2; толщина образца 0,4 мм; обозначения кривых 1 и 4 соответствуют позициям рис. 1а. Измерения пропускания образцов проведены на спектрофотометре Evolution 300

излучения (ПИ), в качестве которого использовался измеритель мощности лазерного излучения фирмы «Ophir», включающий фотодиодный сенсор PD-300 и мультиметр NOVA-II, подключенный к компьютеру. Используемая программа позволяла проводить регистрацию данных в течение всего времени обесцвечивания образцов — от нескольких десятков минут до нескольких часов. В процессе исследования на данном стенде проводилось измерение мощности излучения на данной длине волны (Р\) в течение всего процесса обесцвечивания, t, — P\{t). Как правило, зависимость l\(t) имеет вид, представленный на рис. 4а, типичный для данного процесса — быстрый рост мощности излучения за образцом в начальный период облучения и выход на уровень «насыщения», при котором, в зависимости

Таблица 2. Дополнительная информация об используемых светодиодах

№ п/п Атах, нм Информация изготовителя Измерения авторов

Тип источника излучения Рабочие параметры Мощность излучения, мВт Полуширина спектра излучения, нм

Напряжение питания, В Ток, мА Температура

1 405 на алюминиевой подложке 3,2 < 350 25 °С 8 15

2 455 на алюминиевой подложке < 4 < 350 25 °С 30 22

3 470 в стеклянной колбе < 4 < 350 25 °С 16 30

Рис. 3. а) оптическая схема стенда для исследования процесса обесцвечивания: 1 — источник излучения; 2, 4 — линзы; 3 — исследуемый образец; 5 — приемник излучения; б) вид исследуемого образца в двух проекциях: Д, — диаметр образца, Д2 — диаметр засвеченного участка, Т — толщина образца

от свойств образца и условий обесцвечивания, изменение мощности излучения, прошедшего образец либо практически не происходит, либо происходит очень медленно по сравнению с начальным периодом.

В качестве основных параметров при изучении процесса обесцвечивания кроме длины волны и спектрального интервала обесцвечивающего излучения использовалась плотность мощности излучения, освещающего образец: Еа = Р\/Б, где Р\ — мощность излучения, падающего на поверхность образца, 5 — площадь поверхности исследуемого участка.

Состояние образца оценивалось по изменению его пропускания, та, на данной длине волны: та = (-Рл)прош/(-Рл)пад, где (Ра)прош — мощность излучения, прошедшего образец.

Рис. 4. Изменение пропускания образца (г) в процессе обесцвечивания при использовании излучения с Хтах = 470 нм: а) аппроксимация зависимости т(£) двумя прямыми (пунктир): 1Х — характерное время обесцвечивания, Тстаб — пропускание образца в стабильном состоянии; б) зависимости, полученные при использовании разной плотности мощности обесцвечивающего излучения: Е0 = 2,1 мВт/см2 (1), 7,6 мВт/см2 (2), 8,8 мВт/см2 (3). Толщина образца 1,7 мм

регистрируемая приемником излучения, (Рл)пад — мощность излучения, падающего на образец. Измерения (-Рл)пад проводились в данной схеме в отсутствие образца — контроль осуществлялся до начала процесса и после его окончания.

4. Экспериментальные результаты и их обсуждение

Типичный вид зависимости, характеризующей изменение пропускания образцов при их обесцвечивании, представлен на рис. 4а: пропускание образца резко изменяется в начальный период процесса и затем выходит на максимальный уровень, характеризующий пропускание образца на данной длине волны в стабильном состоянии, которое в дальнейшем под действием излучения уже не изменяется. Для проведения сравнительного анализа

экспериментальных результатов, полученных при использовании различных образцов в различных условиях обесцвечивания такую зависимость удобно аппроксимировать двумя прямыми, как это показано на рис. 4а пунктиром. Первая пунктирная прямая определяет быстрый рост пропускания образца, характерный для начального периода обесцвечивания, и ее наклон к оси времени определяется скоростью преобразования молекул ФХ в ФП при данных условиях обесцвечивания, основными из которых являются длина волны, Л, и плотность мощности обесцвечивающего излучения, Ео. Вторая прямая характеризует поведение образца в достаточно стабильной фазе процесса, в продолжение которой под действием излучения практически не происходит изменений пропускания, либо эти изменения незначительны по сравнению с изменениями в начальной, «быстрой», фазе. Точка пересечения пунктирных аппроксимирующих прямых задает два параметра: 1Х — характерное время обесцвечивания, определяющего длительность «быстрой» фазы процесса обесцвечивания, и Тстаб — пропускание образца в стабильной фазе процесса, при которой пропускание близко к максимально достижимым значениям пропускания образца при данной длине волны обесцвечивающего излучения.

Таким образом, типичный процесс обесцвечивания можно характеризовать двумя основными параметрами — тстаб и ¿х, что и было использовано при проведении дальнейших исследований для сравнения экспериментальных данных, полученных в разных условиях.

Изучение процесса обесцвечивания проводилось на основе анализа экспериментальных данных, представляемых зависимостью т(£), полученной для разных образцов в различных условиях проведения обесцвечивания — см. таблицу 1. Одним из главных параметров, определяющих эти условия, является плотность мощности обесцвечивающего излучения — Ео.

На рис. 4б приведены три зависимости, полученные в процессе обесцвечивания образца толщиной 1,7 мм при использовании обесцвечивающего излучения одного спектрального состава, но различной мощности. Как видно, в данных условиях проявляется влияние плотности мощности излучения на достижение максимальных значений пропускания, Тстаб: при малых значениях плотности мощности обесцвечивающего излучения после начального быстрого изменения пропускания образца за период времени (£х), происходит дальнейший очень медленный рост пропускания образца. Таким образом, вторая аппроксимирующая пунктирная прямая может не быть параллельной оси времени, а составляет с ней небольшой угол. Как показал дальнейший анализ экспериментальных данных, полученных в различных условиях проведения процесса обесцвечивания, наклон данной аппроксимирующей прямой увеличивается с увеличением толщины образца и стремится к нулю при увеличении плотности мощности обесцвечивающего излучения.

Проведенные эксперименты показали, что параметр тстаб зависит не только от плотности мощности излучения, но и ряда других параметров, таких как длина волны обесцвечивающего излучения и толщина образца. На рис. 5 приведены экспериментальные результаты, демонстрирующие зависимость тстаг>() при использовании обесцвечивающего излучения с Хтах = 470 нм и Хтах = 405 нм для образцов блочного типа различной толщины. Обнаружено, что в исследованном диапазоне 0 < Ео < 20 мВт/см2 стабильное пропускание, тстаб, образца толщиной 0,4 мм выше, чем у образца толщиной 1,7 мм и не зависит от плотности мощности излучения, в то время как для образца толщиной 1,7 мм наблюдается увеличение тстаб при увеличении Е0. Однако, при Е0 > 15 мВт/см2 в пределах погрешности измерения тстаб одинакова для обоих образцов. Этот результат физически понятен, т.к. при определенной величине Ео все молекулы ФХ преобразуются в ФП, а пропускание образца на данной длине волны определяет не толщина образца (ПММА не обладает поглощением в видимой области спектра), а эффекты на поверхностях образца,

связанные с переотражением излучения на границах раздела и рассеянием на дефектах поверхности, которые впрямую не связаны с толщиной образца.

Рис. 5. Зависимость пропускания образцов различного типа в стабильном состоянии (тстаб) от плотности мощности излучения (Е0): а) при использовании излучения с Хтах = 470 нм и образцов блочного типа с различной толщиной; б) при обесцвечивании образца блочного типа излучением с различной длиной волны. Образец толщиной 0,4 мм при Хгпах = 470 нм (■), при Хтах = 405 нм (Д); образец толщиной 1,7 мм при Хтах = 470 нм (у); образец пленочного типа толщиной 0,18 мм при Хтах = 470 нм (О)? ПРИ Хтах = 405 нм (х). Сплошные линии — аппроксимация методом наименьших квадратов для образцов блочного типа

Зависимость тстаб от Хтах особенно заметно проявляется при использовании излучения, спектр которого находится вблизи максимума полосы поглощения образца — в коротковолновой области видимого спектра, как это видно из приведенных на рис. 5б экспериментальных данных. Разница в спектрах пропускания участков одного образца, обесцвеченных излучением с различной длиной волны, поясняет рис. 2б. При использовании обесцвечивающего излучения с Хтах = 405 нм (рис. 26, кривая 4-1) пропускание

полностью обесцвеченного образца в видимой области спектра (Л > 400 нм) несколько меньше, чем при обесцвечивании излучением с Атах. = 470 нм. Это свидетельствует о том, что при использовании излучения коротковолновой области спектра фотохимические реакции и фотопродукты преобразования фенантренхинона несколько отличаются от ситуации, при которой используется более длинноволновая область спектра. Авторы работы [2], специалисты по исследованию фотопревращений ФХ, не рекомендовали использовать для фиксирования светочувствительных образцов излучение с Л < 430 нм. Проведенные эксперименты подтвердили правильность данной рекомендации, которая важна для практического использования образцов материала «Диффен» — проведения фиксирования голограммных оптических элементов.

Другой важный для практики параметр процесса обесцвечивания — характерное время обесцвечивания, £х, определяющее время фиксирования голограмм при их получении на образцах данного материала. Зависимость (Ео), демонстрирующая зависимость характерного времени обесцвечивания, £х, от плотности мощности обесцвечивающего излучения, Ео, при различных условиях эксперимента и включающая все экспериментальные результаты, полученные при исследовании образцов на данном стенде, приведена на рис. 6. Очевидно, что указанная зависимость представляет собой (в пределах погрешности измерений) ярко выраженную феноменологическую закономерность, объединяющую все имеющиеся экспериментальные данные, полученные по единой методике при использовании образцов различного типа и светодиодных источников излучения различного спектрального состава (в пределах полосы поглощения, определяющей чувствительность исследуемых образцов). Данная закономерность может быть полезна при выработке режима фиксирования голограмм, так как позволяет производить выбор оптимальных условий проведения фиксирования для образцов любого типа и толщины, независимо от длины волны обесцвечивающего излучения.

5. Заключение

Проведено исследование процесса обесцвечивания образцов материла «Диффен» блочного и пленочного типов при использовании светодиодных источников излучения различного спектрального состава, находящегося в пределах полосы поглощения образцов.

Использован экспериментальный стенд и оптическая схема, позволяющие производить измерения и контролировать параметры образцов в течение длительного времени, а также обеспечивать возможность смены источника излучения и регулировку плотности мощности обесцвечивающего излучения при проведении экспериментов.

Предложено для характеризации процесса обесцвечивания использовать два параметра, определяющих важную для практики зависимость пропускания образца от времени его обесцвечивания: характерное время обесцвечивания, £х, определяющее длительность начальной, «быстрой» фазы процесса; и пропускание образца на длине волны обесцвечивания в стабильной фазе процесса, тстаб- Продемонстрирована результативность такого подхода, позволяющего проводить сравнение результатов, полученных в различных условиях.

Показано, что плотность мощности излучения (диапазон изменений 0,2 -I- 20 мВт/см2) в интервале длин волн (405 -т- 470) нм независимо от длины волны и модификации образцов однозначно определяет характерное время обесцвечивания. Выявленная феноменологическая закономерность полезна при выборе условий проведения процессов, связанных с обесцвечиванием образцов полимерных материалов на основе ФХ и может быть использована при разработке режимов записи и фиксирования голограмм, полученных на образцах материала «Диффен», и при аналитическом описании процесса

t* мин

_,_I_,_I_,_I_,_I_,_I_,_I_,_I_,_I_,_I_,_I_

О 2 4 б S 10 12 14 16 18 20

7

Е , мВт/см"

Рис. 6. Зависимость характерного времени обесцвечивания (ix) от плотности мощности излучения (Е0) для исследованных образцов и использованных источников излучения. Блочные образцы: Т = 0,4 мм при

А шах = 405 нм (о), при Хтах = 470 нм (•); Т = 0, 7 мм при Хтах = 455 нм (х); Т = 1,2 мм при Хтах = 455 нм (+); Т = 1,7 мм при Хтах = 470 нм (■); пленочный образец (Т = 0,18 мм) при Хгпах = 405 нм (Д), при Хтах = 455 нм (О), при ХТПах = 470 нм (А). Пунктирная кривая демонстрирует характер процесса

получения голограмм на образцах полимерных материалов с диффузионным усилением, содержащих фенантренхинон.

Литература

[1] Andreeva O.V., Bandyuk O.V. Light-Sensitive Media-Composites for Recording Volume Holograms Based on Porous Glass and Polymer // Holograms — Recording materials and Applications. — 2011. — P. 45-70.

[2] Черкасов A.C., Шелехов H.C., Бандюк О.В. и др. Спектроскопические и фотохимические свойства фе-нантренхинона в кварцоидных пористых стеклах // Оптика и спектр. — 1991. — Т. 71, № 2. — С. 344-350

[3] Вениаминов А.В., Гончаров В.Ф., Попов А.П. Усиление голограмм за счет диффузионной деструкции противофазных периодических структур // Оптика и спектр. — 1991. — Т. 70, № 4. — С. 864-868.

[4] О.В.Андреева, О.В.Бандюк, А.А.Парамонов, и др. Объемные пропускающие голограммы в полимерной

[5] Н.В.Ионина, О.В.Андреева, О.В.Бандюк. Особенности записи голограмм в полимерной среде «Диффен»

наносекундными лазерными импульсами // Оптический журнал. — 2005. — Т. 72, № 11. — С.91-92.

[6] Андреева О.В., Бандюк О.В., Парамонов А.А., Андреева Н.В. Полимерный регистрирующий материал пленочного типа для голографии // Научно-технический вестник ИТМО. — 2006. — Вып. 34. — С. 34-37.

[7] Андреева О.В., Бандюк О.В., Парамонов А.А., и др. Высокоэффективные мультиплексные голограммы

на полимерном материале «Диффен» // Оптический журнал. — 2006. — Т. 73, № 9. — С. 60-63.

BLEACHING PROCESS OF DIFPHEN NANOCOMPOSITE STUDIED WITH THE USE OF LED LIGHT SOURCES

O.V. Andreeva, S.A. Didenko, O.V. Bandyuk, A.V. Obrezkov The bleaching process of samples of the polymer recording material «Difphen» has been studied. Material Difphen is developed for the purpose of the volume holography. It was proposed to characterize the bleaching process conducted under different conditions, using two parameters that determine how transmittance of samples depends on time of bleaching. Keywords: recording medium for volume holography, nanocomposites, photobleaching, LED light sources. O. V. Andreeva - Saint Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics, Saint Petersburg, Russia, Department of Photonics and Optical Informatics, associate professor, Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Senior Research Fellow, olga_andreeva@mail.ru

S.A. Didenko - Saint Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics, Saint Petersburg, Russia, Student, Bachelor of technique and technology, didenkostas@yandex.ru O. V. Bandyuk - Lumex Instruments, Research Fellow, Bandyuk@yandex.ru

A. V. Obrezkov - Saint Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics, Saint Petersburg, Russia, Student, Master of technique and technology, obrezkovand@gmail.com