CC BY
45Конденсированные среды и межфазные границы
Оригинальные статьи
DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2020.22/2835 ISSN 1606-867Х
Поступила в редакцию 28.01.2020 elSSN 2687-0711
Принята к публикации 15.05.2020 Опубликована онлайн 25.06.2020
УДК 546.72.68:546.57.22
Исследование квазитройной системы FeS-Ga2S3-Ag2S по разрезу FeGa2S4-AgGaS2
© 2020 Ш. Г. Мамедов
Институт катализа и неорганический химиии им. М. Ф. Нагиева HAH Азербайджана, пр. Г. Джавида, 113, Баку Az1143, Азербайджан
Аннотация
Интерес к изучению систем, содержащих сульфиды формулой AIBIIICVI2, обусловлен, прежде всего, открывающимися возможностями их практического использования в изготовлении нелинейных оптических приборов, детекторов, солнечных батарей, фотодиодов, люминофоров и др. Поэтому в связи с поиском новых перспективных материалов на основе тиогаллата серебра и железа целью этой работы является исследование квазибинарного разреза FeGa2S4-AgGaS2 четырехкомпонентной системы Fe-Ag-Ga-S.
Синтез сплавов системы AgGaS^FeGa^ проводили из лигатур с использованием высокой чистоты: железа - 99.995 %, галлия - 99.999 %, серебра - 99.99 % и серы - 99.99 %. Исследование сплавов проводили методами дифференциально -термического, рентгенофазового, микроструктурного анализов, а также измерением микротвердости и определением плотности.
Методами физико-химического анализа впервые изучена и построена T-x фазовая диаграмма разреза AgGaS2-FeGa2S4, который является внутренним сечением квазитройной системы FeS-Ga2S3-Ag2S. Установлено, что система относится к простому эвтектическому типу. Состав эвтектической точки: 56 мол. % FeGa2S4 и Т = 1100 К. На основе исходных компонентов были определены области твердых растворов. Растворимость на основе FeGa2S4 и AgGaS2 при эвтектической температуре достигает до 10 и 16 мол. % соответственно. С уменьшением температуры твердые растворы сужаются и при комнатной температуре составляют на основе тиогаллата железа (FeGa2S4) 4 мол. % AgGaS2, а на основе тиогаллата серебра (AgGaS2) 11 мол. % FeGa2S4.
Ключевые слова: фазовая диаграмма, твердый раствор, FeGa2S4, AgGaS2, квазитройная система, эвтектика, рентгенографический анализ, FeS-Ga2S3-Ag2S.
Для цитирования: Мамедов Ш. Г. Исследование квазитройной системы FeS-Ga2S3-Ag2S по разрезу FeGa2S4-AgGaS2. Конденсированные среды и межфазные границы. 2020;22(2): 232-237. DOI: https://doi.org/10.17308/ kcmf.2020.22/2835.
1. Введение др.) ионы, являются функциональными матери-
Интерес к изучению систем, содержащие аламии используются в изготовлении магнито-сульфиды формулой AiBiiiCvi2, обусловлен, пре- оптических пpибopoв, фoтoдeтeктopoв, лазеров, жде всего, открывающимися возможностями модуляторов света и др. [I8-25]. их практического использования в изготовле- Исходные компоненты, составляющие чет-нии нелинейных оптических приборов, детек- верную системуAg^-^-^ подробно изучены торов, солнечных батарей, фотодиодов, люми- в [26-42].Соединения AgGaS2, Ag9GaS6 и Ag2Ga20S31 нофоров и др. [1—17]. установлены при исследовании двойной сис-
Из литературных данных известно, что много- темы Ag2S-Ga2S3 [26, 3°, 31]. Из них Ag2Ga20S31 компонентные сульфидные соединения, особенно образуется по перитектической реакции при содержащие магнитные (FeGa2S4Fe2Ga2S5 FeIn2S4 и 1268 ^ а AgGaS2 и Ag9GaS6 плавятся конгруэнтно
--при 1270 и 1063 К соответственно. AgGaS2 крис-
М Мамедов Шарафат Гаджиага, e-mail: [email protected] таллизуется в структурном типе халькопирита
-'У Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.
(а = 5.7544, с = 10.299 А пр.гр. I42d) [27] и является полупроводником р-типа проводимости с шириной запрещенной зоны АЕ = 2.75 эВ [32].
Фазовая диаграмма разреза Ga2S3-FeS изучена в [33-42]. Авторы установили, что в системе Ga2S3-FeS образуются тройные соединения FeGa2S4 и Fe2Ga2S5[38, 42].
Микротвердость соединений FeGa2S4 и Fe2Ga2S5 составляет 4000±5 и 3500±5 МПа соответственно [42].
Соединение FeGa2S4 плавится конгруэнтно при 1418 К [38], однако согласно [39], FeGa2S4 образован по перитектической реакции при 1343 К и претерпевает полиморфное превращение при 1283 К. FeGa2S4 кристаллизуется в ромбической сингонии типа ZnAl2S4 с параметрами: а = 1.289 нм, b = 0.751, с = 0.609 нм [40]. Согласно [41] это соединение имеет две кристаллические модификации: низкотемпературную три-гональную P3ml: a = 0.3654 нм, с = 1.2056 нм; и высокотемпературную ромбическую: а = 1.289, b = 0.751, с = 0.609 нм.
Целью этой работы является исследование квазибинарного разреза FeGa2S4-AgGaS2 четы-рехкомпонентной системы Fe-Ag-Ga-S.
2. Экспериментальная часть
Синтез сплавов системы AgGaS2-FeGa2S4 проводили из лигатур. Лигатуры (AgGaS2 и FeGa2S4) были синтезированы с использованием высокой чистоты: железа - 99.995 %, галлия - 99.999 %, серебра - 99.99 % и серы - 99.99 %. Стехиомет-рические смеси элементов были помещены в вакуумированные кварцевые ампулы (17 см в длину и 1.5 см в диаметре) с остаточным давлением ~0.133 Па [43]. Затем ампула помещалась в двухзонную печь. Печь медленно нагревали от комнатной температуры до температуры плавления соединения FeGa2S4. В холодной зоне сера конденсируется и возвращается в зону взаимодействия. В жидком состоянии сплавы периодически перемешивали. Внешнюю часть ампулы охлаждали водой. После 1.5-2 часов в холодной зоне масса серы уменьшается. После этого ампулу полностью помещали в печь и выдерживали при температуре 1450 К 2.5 часа. Процесс синтеза продолжался не менее 4 часов. Затем полученные образцы гомогенизировали при температуре 800 К в течение 150 ч. Исследование сплавов проводили методами дифференциально-термического (ДТА), рентгенофазового (РФА), микроструктурного (МСА) анализов, а также измерением микротвердости и определением плотности. РФА проводили на рентгеновском приборе мо-
дели Д 2 PHASER с использованием CuKa- излучении Ni-фильтр.
ДТА сплавов системы проводили на приборе НТР-73 со скоростью нагревания 10 град/мин. Использовали калибровочные хромель-алюме-левые термопары, эталоном служил Al2O3. При исследовании микроструктуры сплавов использовали травитель состава NH4NO3 (3-8 вес. %)+ K2Cr2O7 (0.02-0.5 вес. %) + конц. H2SO4, время травления - 20 с. Микротвердость сплавов измеряли на микротвердомере ПМТ-3 при нагрузках 0.01 и 0.02 Н. МСА сплавов системы исследовали на металлографическом микроскопе МИМ-8 на предварительно протравленных шлифах полированных пастой.
3. Результаты и обсуждение
На основании результатов физико-химического анализа (ДТА, РФА, МСА и определение плотности) построена фазовая диаграмма системы AgGaS2-FeGa2S4. Результаты ДТА показали, что на всех термограммах сплавов системы (90-10 мол. % AgGaS2) имеется по три эндо-еффекта, кроме сплава содержащего 56 мол. % FeGa2S4, а в сплавах, содержащих 90 и 10 мол. % AgGaS2, наблюдается по два и четыре эндоэффек-та соответственно (табл. 1). Эффекты при 905 К соответствуют фазовому переходу a-FeGa2S4 ^ p-FeGa2S4.
Как видно из рис. 1, диаграмма состояния системы AgGaS2-FeGa2S4 относится к эвтектическому типу с ограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии. Растворимость при 300 К на основе AgGaS2 составляет 11 мол. % FeGa2S4, на основе FeGa2S4 4 мол. % AgGaS2, при
т, к
1400 1200
1000
S00
600
400
- ж 7
- ж+и Т
- 1 р^а / - 9BS л
у
"а. \
1 1 I
20
40
60
80
FeGajSj
AgGaSj
Рис. 1. Фазовая AMarpaMMa системы AgGaS2-FeGa2S4
Таблица 1. Состав, результаты ДТЛ сплавов системы AgGaS2-FeGa2S4
Таблица 2. Отжиг сплавов системы AgGaS2-FeGa2S4 при температурах 650 К и 800 К
Состав мол. % Термические
FeGa2S4 эффекты, К
100 1420
90 905, 980, 1235, 1405
80 905,1100, 1375
70 905,1100, 1310
60 905,1100, 1175
56 1100 (эвтектика)
50 905,1100, 1145
40 905,1100, 1195
30 905, 1100, 1230
20 905,1100, 1250
10 1175, 1260
0.0 1270
эвтектической температуре растворимость достигает 16 и 10 мол. % соответственно. Эвтектика имеет состав 56 мол. % FeGa2S4 и кристаллизуется при 1100 К.
Ликвидус системы AgGaS2-FeGa2S4 состоит из ветвей первичных кристаллизаций а- и р-твер-дых растворов, пересекающихся при 56 мол. % FeGa2S4 и Т = 1100 К. Под влиянием второго компонента температура фазового перехода p(FeGa2S4)^p'(FeGa2S4) уменьшается до 905 К. МСА отожженных сплавов показал, что сплавы системы AgGaS2-FeGa2S4 однофазны за исключением сплавов, содержащих 11-96 мол. % FeGa2S4
Ниже солидуса совместно кристаллизуются а и р-твердые растворы. Область растворимости на основе исходных компонентов узкие: на основе AgGaS2 11 мол. % FeGa2S4, а на основе второго компонента - 4 мол. % AgGaS2. Границы растворимости установлены методами РФА и МСА сплавов, отожженных и закаленных при температуре 700 К.
Для определения границ областей твердых растворов исходных компонентов (AgGaS2 и FeGa2S4) дополнительно синтезировали 98, 96, 95, 93, 91, 90, 89, 88 мол. % с обеих сторон. Эти сплавы отжигали при 650 и 800 К, длительность отжига 1 месяц (табл. 2).
После отжига проведен микроструктурный анализ сплавов, который показал, что вблизи AgGaS2 и FeGa2S4 имеются ограниченные области растворимости. Твердые растворы на основе AgGaS2 относятся к структурному типу Ag2GeS3 и кристаллизуются в моноклинной сингонии. В пределах растворимости параметры кристаллической решетки увеличиваются: a = 0.627^0.748, b = 0.580^0.664,
Состав мол. % 650 K, количество фаз 800 K, количество фаз
AgGaS2 FeGa2S4
0.0 100 a a
2.0 98 a a
4.0 96 a+ß a
5.0 95 a+ß a+ß
7.0 93 a+ß a+ß
9.0 91 a+ß a+ß
10 90 a+ß a+ß
11 89 a+ß a+ß
12 88 a+ß a+ß
100 0,0 ß ß
98 2,0 ß ß
96 4,0 ß ß
95 5,0 ß ß
93 7,0 ß ß
91 9,0 ß ß
90 10 a+ß ß
89 11 a+ß ß
88 12 a+ß a+ß
с = 1.318^1.386 нм, р = 93.27^93°61.
Результаты рентгенофазового анализа хорошо согласуются с данными микроструктурного анализа и подтверждают образование в системе AgGaS2-FeGa2S4 твердых растворов на основе исходных компонентов
Данные порошковых рентгенограмм сплавов системы AgGaS2-FeGa2S4 показали что, образцы составов 0-11 и 95-100 мол. % FeGa2S4 однофазны. Их дифракционные линии идентичны с диф-рактограммами исходных компонентов (тиогал-лата серебра и тиогаллата железа). Дифракционная картина сплавов, содержащих 11-96 мол. % FeGa2S4, двухфазна (рис. 2).
4. Выводы
1. Методами физико-химического анализа (РФА, ДТА, МСА) впервые изучена и построена фазовая диаграмма системы AgGaS2-FeGa2S4. Установлено, что система является квазибинарным сечением квазитройной системы FeS-Ga2S3-Ag2S и относится к эвтектическому типу.
2. В системе AgGaS2-FeGa2S4 обнаружили образование твердых растворов на основе исходных компонентов. Растворимость на основе тиогаллата железа при комнатной температуре 4 мол. % AgGaS2 , а на основе тиогаллата серебра 11 мол. % FeGa2S4.
Icn-:
-1 1 1 1 1
.1 ... i 1 I
i .11 I 1 i I
1_, Jl i J i i j 11. 4
_1_J ,---- . jlJ1!-1 ... * l 1. .J--«U-----lL — — - -i
2-Theta - Scale
Рис. 2. Дифрактограмма сплавов системы AgGaS2-FeGa2S4: 1 - AgGaS2; 2 - 11 мол.% FeGa2S4; 3 - 40 мол.%
FeGa2S4; 4
96 мол.% FeGa2S4; 5 -
FeGa2S4
Конфликт интересов
Автор заявляет, что у него нет известных финансовых конфликтов интересов или личных отношений, которые могли бы повлиять на работу, представленную в этой статье.
Список литературы
1. Zhao B., Zhu S., Li Z., Yu F., Zhu X., Gao D. Growth of AgGaS2 single crystal by descending crucible with rotation method and observation of properties. Chinese Sci. Bull. 2001; 46(23): 2009-2013. DOI: https://doi.org/10.1007/BF02901918
2. Горюнова H. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. M.: Сов. радио; 1968. 215 с.
3. Абрикосов Н. X., Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AiVBVi. M.: Наука; 1975. 195 с.
4. Kushwaha A. K., Khenata R., Bouhemadou A., Bin-Omran S., Haddadi K. Lattice dynamical properties and elastic constants of the ternary chalcopyrite compounds CuAlS2, CuGaS2, CuInS2, and AgGaS2. Journal of Electronic Materials. 2017;46(7): 4109-4118. DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-017-5290-6
5. Uematsu T., Doi T., Torimoto T., Kuwabata S. Preparation of luminescent AgInS2-AgGaS2 solid solu-
tion nanoparticles and their optical properties. The Journal of Physical Chemistry Letters. 2010;1(22): 3283-3287. DOI: https://doi.org/10.1021/jz101295w
6. Karaagac H., Parlak M. The investigation of structural, electrical, and optical properties of thermal evaporated AgGaS2 thin films. J. Thin Solid Films. 2011;519(7): 2055-2061. DOI: https://doi.org/10.1016/ j.tsf.2010.10.027
7. Karunagaran N., Ramasamy P. Synthesis, growth and physical properties of silver gallium sulfide single crystals. Materials Science in Semiconductor Processing. 2016;41: 54-58. DOI: https://doi.org/10.1016/'. mssp.2015.08.012
8. Zhou H., Xiong L., Chen L., Wu L. Dislocations that decrease size mismatch within the lattice leading to ultrawide band gap, large second-order susceptibility, and high nonlinear optical performance of AgGaS2 Angewandte Chemie International Edition. 2019;58(29): 9979-9983. DOI: https://doi.org/10.1002/ anie.201903976
9. Li G., Chu Y., Zhou Z. From AgGaS2 to Li2ZnSiS4: Realizing impressive high laser damage threshold together with large second-harmonic generation response. Journal Chemistry of Materials. 2018;30(3): 602-606. DOI: https://doi.org/10.1021/acs. chemmater.7b05350
10. Yang J., Fan 0., Yu Y., Zhang W. Pressure effect of the vibrational and thermodynamic properties of chalcopyrite-type compound AgGaS2: A first-principles investigation. Journal Materials. 2018;11(12): 2370. DOI: https://doi.org/10.3390/ma11122370
11. Paderick S., Kessler M., Hurlburt T. J., Hughes S. M. Synthesis and characterization of AgGaS2 nanoparticles: a study of growth and fluorescence. Journal Chemical Communications. 2018;54(1): 62-65. DOI: https://doi.org/10.1039/C7CC08070K
12. Kato K., Okamoto T., Grechin S., Umemura N. New sellmeier and thermo-optic dispersion formulas for AgGaS2. Journal Crystals. 2019;9(3): 129-135. DOI: https://doi.org/10.3390/cryst9030129
13. Li W., Li Y., Xu Y., Lu J., Wang P., Du J., Leng Y. Measurements of nonlinear refraction in the mid-infrared materials ZnGeP2 and AgGaS2. Journal Applied Physics B. 2017;123(3). DOI: 10.1007/s00340-017-6643-9
14. Jahangirova S. K., Mammadov Sh. H., Ajdaro-va D. S., Aliyev O. M., Gurbanov G. R. Investigation of the AgGaS2-PbS and some properties of phases of variable composition. Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2019;64(9): 1169-1171. DOI: https://doi. org/10.1134/S0036023619090092
15. Asadov S. M., Mustafaeva S. N., Guseinov D. T. X-ray dosimetric characteristics of AgGaS2 single crystals grown by chemical vapor transport. Inorganic Materials. 2017;53(5): 457-461. DOI: https://doi. org/10.1134/S0020168517050028
16. Mys O., Adamenko D., Skab I., Vlokh R. Anisot-ropy of acousto-optic figure of merit for the collinear diffraction of circularly polarized optical waves at the wavelength of isotropic point in AgGaS2 crystals. Ukrainian Journal of Physical Optics. 2019;20(2): 73-80. DOI: https://doi.org/10.3116/16091833/20/2Z73/201
17. Karunagaran N., Ramasamy P. Investigation on synthesis, growth, structure and physical properties of AgGa0.5In0.5S2 single crystals for Mid-IR application. Journal of Crystal Growth. 2018;483: 169-174. DOI: https://doi.org/10.10Wj.jcrysgro.2017.11.030
18. Ranmohotti K. G. S., Djieutedjeu H., Lopez J., Page A., Haldolaarachchige N., Chi H., Sahoo P., uher C., Young D., Poudeu P. F. P. Coexistence of high-Tc ferromagnetism and n-type electrical conductivity in FeBi2Se4. J. ofthe American Chemical Society. 2015;137(2): 691-698. DOI: https://doi.org/10.1021/ja5084255
19.Karthikeyan N.,Aravindsamy G.,Balamurugan P., Sivakumar K. Thermoelectric properties of layered type FeIn2Se4 chalcogenide compound. Materials Research Innovations. 2018;22(5): 278-281. DOI: https://doi.org/10.1080/14328917.2017.1314882
20. Nakafsuji S., Tonomura H., Onuma K., Nambu Y., Sakai O., Maeno Y., Macaluso R. T., Chan J. Y. Spin disorder and order in quasi-2D triangular Heisenberg antiferromagnets: comparative study of FeGa2S4, Fe2Ga2S5 and NiGa2S4. Phys. Rev. Letters.
2007;99(1-4): 157-203. DOI: https://doi.org/10.1103/ PhysRevLett.99.157203
21. Rushchanskii K. Z., Haeuseler H., Bercha D. M. Band structure calculations on the layered compounds FeGa2S4 and NiGa2S4. J. Phys. Chem. Solids. 2002;63(11): 2019-2028. DOI: https://doi.org/10.1016/S0022-3697(02)00188-9
22. Dalmas de Reotier P., Yaouanc A., MacLaugh-lin D. E., Songrui Zhao. Evidence for an exotic magnetic transition in the triangular spin system FeGa2S4. J. Phys. Rev. B. 2012;85(14): 140407.1-140407.5. DOI: https:// doi.org/10.1103/physrevb.85.140407
23. Myoung B. R., Lim J. T., Kim C. S. Investigation of magnetic properties on spin-ordering effects of FeGa2S4 and FeIn2S4. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2017;438: 121-125. DOI: https://doi. org/10.1016/j.jmmm.2017.04.056
24. Asadov M. M., Mustafaeva S. N., Hasanova U. A., Mamedov F. M., Aliev O. M., Yanushkevich K. I., Nikitov S. A., Kuli-Zade E. S. Thermodynamics of FeS-PbS-In2S3 and properties of intermediate phases. Journal Defect and Diffusion Forum.2018;385: 175-181. DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ DDF.385.175
25. Li K., Yuan D., Shen S., Guo J. Crystal structures and property characterization of two magnetic frustration compounds. Journal Powder Diffraction. 2018;33(3): 190-194. DOI: https://doi.org/10.1017/ S0885715618000507
26. Chen B., Zhu S., Zhao B., Lei Y., Wu X., Yuan Z., He Z. Differential thermal analysis and crystal growth of AgGaS2. Journal of Crystal Growth. 2008;310(3): 635-6382. DOI: https://doi.org/10.1016/". jcrysgro.2007.10.067
27. Sinyakova E. F., Kosyakov V. I., Kokh K. A. Oriented crystallization of AgGaS2 from the melt system Ag-Ga-S. J. Inorganic Materia2s. 2009;45(11): 12171221. DOI: https://doi.org/10.1134/ S0020168509110041
28. Chykhrij S. I., Parasyuk O. V., Halka V. O. Crystal structure of the new quaternary phase AgCd2GaS4 and phase diagram of the quasibinary system AgGaS2-CdS. Journal of Alloys and Compounds.2000;312(1-2): 189-195. DOI: https://doi.org/10.1016/S0925-8388(00)01145-2
29. Olekseyuk I. D., Parasyuk O. V., Halka V. O., Piskach L. V. F., Pankevych V. Z. Romanyuk Ya. E. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S-CdS-Ga2S3. J. Alloys and compounds. 2001;325(10): 167-179. DOI: https://doi.org/10.1016/S0925-8388(01)01361-5
30. Brand G., Kramer V. Phase equilibrium in the quasi-binary system Ag2S-Ga2S3. Mater. Res. Bull. 1976; 11(11): 1381-1388. DOI: https://doi. org/10.1016/0025-5408(76)90049-0
31. Лазарев В. Б., Киш 3. 3., Переш Е. Ю., Семрад Е. Е. Сложные халькогениды в системе Аэ-B333-CVI. М.: Металлургия; 1993. 229 с.
32. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа; 1975. 302 с.
33. Pardo M. E, Dogguy-Smiri L., Flahaut J., Nguyen H. D. System Ga2S3-FeS Diagramme de phase — etude cristallographique. Mater. Res. Bull. 1981 ; 16(11) : 1375-1384. DOI: https://doi. org/10.1016/0025-5408(81)90056-8
34. Wintenberger M. About the unit cells and crystal structures of ~MGa2X4 (M = Mn, Fe, Co; X = S, Se) and ZnAI2S4 Type. In: Proc. VII Int. Conf. on Solid Compounds of Transition Elements, CNRS. Grenoble, France: IA 14/1-3, 1983.
35. Rustamov P. G., Babaeva P. K., Azhdarova D. S., Askerova N. A., Ailazov M. R. Nature of interaction in Mn(Fe,Co,Ni)-Ga(In)-S(Se) ternary systems. Azerb. Khim. Zh. 1984;15: 101-103.
36. Raghavan V. Fe-Ga-S (Iron-Gallium-Sulfur). J. Phase Equil. 1998;19: 267-268. DOI: https://doi.org/1 0.1361/105497198770342319
37. Ueno T., Scott S. D. Phase relations in the Ga-Fe-S system at 900 and 800 C. The Canadian Mineralogist. 2002;40(2): 568-570. DOI: https://doi. org/10.2113/gscanmin.40.2.563
38. Allazov M. R. The system of FeS-GaS-S. Bulletin of Baku State University. 2009;(2): 42-47. Режим доступа: http://static.bsu.az/w8/Xeberler%20Jurnali/ Tebiet%202009%203/42-47.pdf
39. Dogguy-Smiri L., Dung Nguyen Huy, Pardo M. P. Structure crystalline du polytype FeGa2S4 a 1T. Mater. Res. Bull. 1980;15(7): 861-866. DOI: https://doi. org/10.1016/0025-5408(80)90208-1
40. Hahn H., Klingler W. Unter such ungen uber ternare chalkogenide. I. Uber die, kristall structure iniger ternaerer sulfi de, die sichvom In2S3 ableiten. Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie. 1950; 263(4): 177-190. DOI: https://doi.org/10.1002/ zaac.19502630406
41. Dogguy-Smiri L., Pardo M. P. Etude cristallographique du systeme FeS-Ga2S3. Compt. Rend. Acad. Sci. 1978;287: 415-418.
42. Аллазов M. Р., Мусаева С. С., Аббасова Р. Ф., Гусейнова А. Г. Области кристаллизации фаз по изотермическим сечениям систем Fe-Ga-S. Известия Бакинского государственного университета. 2013;(3): 11-14. Режим доступа: http://static.bsu. az/w8/Xeberler%20Jurnali/Tebiet%20%202013%20% 203/11-15.pdf
43. Рзагулуев В. А., Керимли О. Ш., Аждаро-ва Д. С., Мамедов Ш. Г., Алиев О. М. Фазовые равновесия в системах Ag8SnS6-Cu2SnS3 и Ag2SnS3-Cu2Sn4S9. Конденсированные среды и межфазные границы. 2019;21(4): 544-551. DOI: https://doi. org/10.17308/kcmf.2019.21/2365
Информация об авторе
Мамедов Шарафат Гаджиага оглы, доктор PhD по химии, доцент, с. н. е., институт катализа и неорганической химии им. академика М. Ф. Нагиева Национальной АН Азербайджана, Баку, Азербайджан; e-mail: [email protected]. ORCID iD: https://orcid. org/0000-0002-1624-7345.
Автор прочитал и одобрил окончательный вариант рукописи.
