CC BY
9МИКРО- И НАНОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА MICRO- AND NANOSYSTEM TECHNOLOGY
УДК 621.3.049.772.1.002 DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-6-539-547
Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO2 к концентрации водорода в воздухе
В.В. Амеличев1, С.С. Генералов1, А.В. Николаева1, С.А. Поломошнов1'3,
2 3 2
В.А. Ковалев , А.М. Ковалев , В.В. Кривецкий
1НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия
2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
A.Nikolaeva@tcen.ru
Полупроводниковые датчики состава газа на основе оксидов металлов характеризуются высокой чувствительностью и быстродействием при низком энергопотреблении. Особенности технологии изготовления данных преобразователей позволяют уменьшать их габаритные размеры, открывая широкие возможности для интеграции в мобильные устройства. При производстве полупроводниковых датчиков газа важным этапом является формирование металлооксидного чувствительного слоя, в частности процесс совмещения высокопористого металлооксидного слоя и интегральных структур. В работе представлены результаты исследования экспериментальных образцов преобразователей состава газа с пористым газочувствительным слоем. Газочувствительный слой сформирован методом струйной микропечати суспензии на основе SnO2 с последующим отжигом. Проведено сравнение чувствительности экспериментальных образцов преобразователей состава газа с газочувствительными слоями, сформированными из двух вариантов исходной суспензии: на основе чистого SnO2 и на основе SnO2, легированного Cr и Nb. Получена зависимость изменения проводимости экспериментального образца интегрального преобразователя состава газа от концентрации H2 в воздушной среде. Установлено, что газочувствительный слой на основе SnO2 с добавками Cr и Nb имеет более высокую чувствительность к изменению концентрации детектируемого газа за счет более высокой удельной площади поверхности и меньшей агломерации частиц.
Ключевые слова: полупроводниковый датчик газа; газочувствительный слой; микроэлектромеханическая система; струйная микропечать; диоксид олова
© В.В. Амеличев, С.С. Генералов, А.В. Николаева, С.А. Поломошнов, В.А. Ковалев, А.М. Ковалев, В.В. Кривецкий, 2020
Для цитирования: Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO2 к концентрации водорода в воздухе / В.В. Амеличев, С.С. Генералов, А.В. Николаева и др. // Изв. вузов. Электроника. 2020. Т. 25. № 6. С. 539-547. DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-6-539-547
Финансирование работы: работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект № 18-33-20220) с использованием оборудования ЦКП «Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники» на базе НПК «Технологический центр».
Study of Sensitivity of Porous Thick-Film Elements Based on SnO2 towards Hydrogen Concentration in Air
V. V. Amelichev1, S.S. Generalov1, A.V. Nikolaeva1, S.A. Polomoshnov1'3, V.A. Kovalev2, A.M. Kovalev3, V. V. Krivetskiy2
JSMC «Technological Centre», Moscow, Russia
2
Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia 3National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia
A.Nikolaeva@tcen.ru
Abstract: The semiconductor gas sensors with low power consumption have high sensitivity and fast response and their manufacturing technologies permit to reduce the dimensions of the transducer. In production of the semiconductor gas sensors the formation of metal-oxide sensitive layer is an important issue, in particular, the process of combination of the high-porous metal-oxide layer and integrated structures. In the paper, the results of the study on experimental transducers of the composition of gas with porous gas-sensitive layer have been presented. The gas-sensitive layer has been formed by the method of suspension inkjet printing of SnO2 based suspension with further annealing. The comparison of the sensitivity of the experimental samples of the gas composition transducers with the gas-sensitive layers, formed from two variants of initial suspension: based on pure SnO2 and SnO2 doped with Cr and Nb, has been performed. The dependence of variation of conductivity of the gas composition of the integrated transducer specimen on the H2 concentration in the air has been obtained. It has been found that the gas-sensitive layer based on SnO2 with Cr and Nb additives has higher sensitivity to changes in the detected gas concentration due to higher effective surface area and suppressed grains agglomeration.
Keywords: semiconductor gas sensors; gas-sensitive layer; microelectromechanical system; inkjet microprinting; tin dioxide
For citation: Amelichev V.V., Generalov S.S., Nikolaeva A.V., Polomoshnov S.A., Kovalev V.A., Kovalev A.M., Krivetskiy V.V. Study of sensitivity of porous thick-film elements based on SnO2 towards hydrogen concentration in air. Proc. Univ. Electronics, 2020, vol. 25, no. 6, pp. 539-547. DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-6-539-547
Funding: the study has been funded by RFBR (project № 18-33-20220). The study has been performed using the equipment of core facility «Functional control and diagnostics of micro- and nanosystem technics» of SMC «Technological Centre»
Введение. В настоящее время изготовление резистивных полупроводниковых датчиков газа, или МЭМС-преобразователей состава газа, содержащих в конструкции кристалла диэлектрическую мембрану, является перспективным направлением. Газочувствительный элемент МЭМС-преобразователей представляет собой оксид металла ^п02, 2п0, Бе203, WOз, С03О4) с легирующей добавкой металлов из платиновой группы и др. [1-3]. Для данных преобразователей состава газа характерны более высокая чувствительность, селективность и быстродействие при значительно меньших рабочих температурах и энергопотреблении. Они имеют широкий диапазон измерения концентрации (около четырех порядков), что позволяет одновременно измерять и регистрировать как низкие, так и высокие концентрации газов одним сенсором.
При производстве полупроводниковых датчиков газа металлооксидный чувствительный слой может быть сформирован несколькими методами. При выборе метода необходимо учитывать следующие факторы: чистоту материала, пористость, надежность, воспроизводимость и себестоимость процесса изготовления. К распространенным методам формирования металлооксидного чувствительного элемента относятся химическое осаждение из паровой фазы (СУВ-метод), трафаретная печать, золь-гель-методы и физическое осаждение из паровой фазы (РУВ-метод) [4]. Принципиальным вопросом при формировании чувствительного слоя является процесс совмещения высокопористого металлооксидного слоя и интегральных структур, создаваемых с использованием планарных технологий интегральных микросхем [5]. В последнее время активно применяется метод струйной микропечати. Преимущество данного метода - универсальность с точки зрения использования паст разного химического состава и структуры наносимого металлооксидного слоя, а также возможность его применения в мелкосерийном производстве газовых датчиков [6, 7].
Конструкция МЭМС-преобразовате-ля состава газа. Экспериментальный образец представляет собой МЭМС-кристалл с жесткой рамкой из монокристаллического кремния размером 2*2 мм, толщиной 420 мкм и диэлектрической мембраной, со сформированными на ней тонкопленочным нагревателем и толстопленочным пористым газочувствительным слоем (рис.1 и 2).
Диэлектрическая мембрана сформирована нанесением на кремниевую подложку диэлектрических слоев диоксида кремния (БЮ2) и нитрида кремния (Б13К4) и последующим глубоким травлением кремния до диэлектрических слоев [8, 9]. На поверхности мембраны в центральной области методами магнетронного напыления и последующей фотолитографии сформирован тонкопленочный нагреватель из вольфрама. Выбор материала нагревателя обусловлен высокой температурой плавления
Рис.1. Экспериментальный образец интегрального преобразователя состава газа с разваренными контактными площадками: 1, 3 - контактные площадки нагревателя; 2, 4 - площадки электродов - контактов к газочувствительному слою; I - структура нагревателя с платиновыми контактами к газочувствительному слою; II - граница тонкопленочной мембраны с нанесенным
газочувствительным слоем Fig. 1. The gas sensor chip with contact pads: 1, 3 - the heater contact pads; 2, 4 - the contact pads of the contact electrodes to the gas sensitive layer; I - the heater and the platinum contact to the gas sensing layer; II - thin-film membrane area with coated gassensitive layer (haloing appear according to chip topography)
5 \ / «gtasti&k □ ШАМШИН- 6 5
г \ 2 / " Si
Рис.2. Структура поперечного сечения экспериментального образца интегрального преобразователя состава газа: 1 - подложка; 2 - диэлектрические слои SiO2 и Si3N4; 3 - слой нагревателя;
4 - изолирующий слой SiO2; 5 - платиновые электроды и контакты; 6 - газочувствительный слой
Fig.2. Cross-sectional structure of gas sensor chip: 1 - substrate; 2 - dielectric films (SiO2 and Si3N4);
3 - heater; 4 - silicon oxide insolation film; 5 - platinum electrodes and contacts; 6 - gas sensitive layer
вольфрама, а также его стабильностью в области рабочих температур (400-600 °C) и высоким температурным коэффициентом сопротивления. Для минимизации механических напряжений в диэлектрической мембране и равномерного распределения тепла топология тонкопленочного нагревателя выполнена в форме круглого симметричного меандра. Над тонкопленочным нагревателем сформированы платиновые электроды -контакты к газочувствительному слою. Платина имеет низкое контактное сопротивление и высокую электрическую проводимость, что минимизирует время отклика преобразователя. Металлические слои изолированы пленкой осажденного SiO2. Заключительным этапом изготовления экспериментальных образцов является процесс создания газочувствительного слоя на мембране в области нагревателя.
Газочувствительный слой сформирован методом струйной микропечати металло-оксидных полупроводниковых слоев на специализированном стенде. Одной из основных проблем в технологии струйной микропечати является получение чернил - устойчивых суспензий с необходимыми функциональными параметрами вязкости и поверхностного натяжения. Устойчивость таких суспензий определяется как размерами зерен полупроводниковых оксидов, так и размерами их агломератов, формируемых в процессе термической обработки на стадии получения материала [10, 11]. В настоящей работе на кристаллы с тонкопленочным нагревателем нанесена суспензия ультрадисперсного нанокристаллического SnO2 в этиленгликоле. Использованы два вида суспензии: на основе чистого SnO2 и на основе SnO2, легированного хромом Cr (1,0 % моль) и ниобием Nb (0,5 % моль). Далее с целью удаления органического связующего компонента и формирования пористого газочувствительного слоя проведена высокотемпературная (500 °C) термическая обработка (спекание) кристаллов. При этом за счет растекания и последующего затвердевания толстопленочный чувствительный элемент характеризуется разнотолщинностью, которая имеет вид ореола (см. рис.1).
Исследование параметров преобразователя состава газа. Исследована зависимость чувствительности экспериментальных образцов интегральных преобразователей состава газа от концентрации водорода в воздушной смеси. Измерения проведены при рабочей температуре нагревателя 500 °С и влажности среды в камере 2 %. При возрастании концентрации водорода в измерительной камере увеличивалась проводимость газочувствительного слоя преобразователя, что фиксировалось измерительной электронной схемой с делителем напряжения. На рис.3 представлена зависимость измене-
ния относительной проводимости газочувствительного пленочного элемента преобразователя состава газа от концентрации водорода в среде для двух видов газочувствительных слоев: Бп02 и SnO2-Cr-Nb.
Из графика на рис.3 видно, что у экспериментальных образцов с чувствительным слоем SnO2-Cr-Nb во всем интервале концентраций отклик почти в 2 раза выше, чем со слоем из чистого SnO2. Данный эффект коррелирует со значением удельной площади поверхности образцов, измеренным методом Брунауэра - Эметта - Телле-ра. Определено, что удельная поверхность чувствительного слоя на основе SnO2, легированного Сг и N6, примерно в 1,5 раза больше (41 м /г), чем у слоя на основе SnO2 (26 м2/г). Это свидетельствует о более пористой поверхности пленки и меньшей агломерации частиц [12].
Оценочное значение потребляемой мощности экспериментальных образцов интегральных преобразователей состава газа при рабочей температуре 500 °С составило 30 мВт, что соответствует характеристикам известных аналогов [13, 14]. В таблице представлены характеристики экспериментального образца и известных аналогов.
Характеристики экспериментального образца интегрального преобразователя состава газа и известных аналогов The characteristics of the experimental sample and known analogues
Чувствительный слой Детектируемый газ Рабочая температура, °С Потребляемая мощность, мВт Источник
SnO2-Cr-Nb H2 500 30 Настоящая работа
SnO2-Pd H2 185 10 [15]
SnO2-Pt C6H5CH3 HCHO 300-440 45 (C6H5CH3) 32 (HCHO) [16]
SnO2-Au CH4 CO 250 (CH4) 100 (CO) 80 20 [17]
SnO2-Au C2H5OH 400 50 [18]
SnO2 C2H5OH 400 9 [19]
В процессе экспериментов подтверждена восприимчивость разработанного преобразователя к другим опасным газам (N№3, СО, И28, N0, NO2 и др.) и проведены дополнительные исследования по количественной оценке его чувствительности к указанным газам.
Заключение. Разработанная конструкция МЭМС-преобразователя с тонкопленочной мембраной позволяет детектировать водород и другие газы разной химической природы. В результате измерения параметров преобразователя состава газа установлено, что газочувствительный слой на основе Бп02 с добавками Сг и N6, сформированный на поверхности мембраны методом струйной микропечати, по сравнению с слоем,
10 20 40 80 160 320 Н2, ррш
Рис.3. Зависимость чувствительности экспериментальных образцов интегрального преобразователя состава газа от концентрации водорода
в воздушной среде Fig.3. Sensor response dependence on the hydrogen concentration in the air
полученным из суспензии на основе чистого SnO2, имеет более высокую чувствительность к изменению концентрации детектируемого газа из-за развитой пористой структуры, а также большую площадь внешней поверхности за счет меньшей агломерации частиц оксидного полупроводника.
Литература
1. Review on smart gas sensing technology / S. Feng, F. Farha, Q. Li et al. // Sensors. 2019. Vol. 19 (17). 22 p. URL: http://doi.org/10.3390/s19173760 (дата обращения: 10.06.2020).
2. Поломошнов С.А., Николаева А.В. Разработка конструкции газочувствительного полупроводникового преобразователя состава газа с использованием средств моделирования // Материалы науч.-техн. конф. «Микроэлектроника и информатика - 2017»: сб. статей. М.: МИЭТ, 2017. С. 152-157.
3. Преобразователь датчика взрывоопасных газов на диэлектрической мембране / С.А. Поломошнов, Ю.А. Чаплыгин, В.В. Амеличев и др. // Нано- и микросистемная техника. 2005. № 10. С. 39-42.
4. Fine G.F., Cavanagh L.M., Afonja F., Binions R. Metal oxide semi-conductor gas sensors in environmental monitoring // Sensors. 2010. Vol. 10 (6). P. 5469-5502. URL: https://doi.org/10.3390/s100605469 (дата обращения: 23.06.2020).
5. Tin oxide nanosensors for highly sensitive toxic gas detection and their 3D system integration / С. Griessler, E. Brunet, T. Maier et al. // Microelectronic Engineering. 2011. Vol. 88 (8). P. 1779-1781. URL: https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.02.017 (дата обращения: 23.06.2020).
6. Organometallic synthesis of ZnO nanoparticles for gas sensing: towards selectivity through nanoparticles morphology / A. Ryzhikov, J. Jonca et al. // Journal of Nanoparticle Research. 2015. Vol. 17 (280). 10 p. URL: https:// doi.org/10.1007/s11051-015-3086-2 (дата обращения: 05.07.2020).
7. Micromachined hotplate platform for the investigation of ink-jet printed, functionalized metal oxide nanoparticles / P. Walden, J. Kneer, S. Knobelspies et al. // Journal of Microelectromechanical Systems. 2015. Vol. 24 (5). P. 1384-1390. URL: https:// 10.1109/JMEMS.2015.2399696 (дата обращения: 05.07.2020).
8. Амеличев В.В., Поломошнов С.А., Чаплыгин Ю.А. Разработка и проектирование интегральных термоэлементов // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006: сб. науч. тр. / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2006. С. 416-420.
9. Амеличев В.В., Годовицын И.В, Поломошнов С.А., Чаплыгин Ю.А. Оптимизация конструкции мембраны в теплодисперсионном датчике взрывоопасных газов // Изв. вузов. Электроника. 2005. № 3. С. 50-57.
10. Peter C., Kneer J., Wollenstein J. Inkjet printing of titanium doped chromium oxide for gas sensing application // Sensor Letters. 2011. Vol. 9(2). P. 807-811. URL: https://doi.org/10.1166/sl.2011.1619 (дата обращения: 03.07.2020).
11. Khan S., Briand D. All-printed low-power metal oxide gas sensors on polymeric substrates // Flexible and Printed Electronics. 2019. Vol. 4 (1). URL: https://doi.org/10.1088/2058-8585/aaf848 (дата обращения: 05.07.2020).
12. Кривецкий В.В., Румянцева М.Н., Гаськов А.М. Химическая модификация нанокристалличе-ского диоксида олова для селективных газовых сенсоров // Успехи химии. 2013. Т. 82 (10). С. 917-941.
13. Liu H., Zhang L., LiK. H. H., Tan O. K. Microhotplates for metal oxide semiconductor gas sensor applications - towards the CMOS-MEMS monolithic approach // Micromachines. 2018. Vol. 9 (11). 24 p. URL: https://doi.org/10.3390/mi9110557 (дата обращения: 10.07.2020).
14. Abdeslam A.A., Fouad K., Khalifa A. Design and optimization of platinium heaters for gas sensor applications // Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures. 2020. Vol. 15(1). P. 133-141.
15. Electrohydrodynamic inkjet printing of Pd loaded SnO2 nanofibers on a CMOS micro hotplate for low power H2 detection / H. Wu, J. Yu, R. Cao et al. // AIP Advances. 2018. Vol. 8 (5). 7 p. URL: https://doi.Org/10.1063/1.5029283 (дата обращения: 10.07.2020).
16. Kang J.G., Park J.S., Lee H.J. Pt-doped SnO2 thin film based micro gas sensors with high selectivity to toluene and HCHO // Sensors. Actuators B Chemical. 2017. Vol. 248. P. 1011-1016. URL: https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.03.010 (дата обращения: 15.07.2020).
17. Kim I., Seo K.W., Kim I. Ultra-thin filmed SnO2 gas sensor with a lowpower micromachined hotplate for selective dual gas detection of carbon monoxide and methane // Proc. of the 2017 Eleventh International Conference on Sensing Technology (ICST). Sydney, Australia, 2017. 5 p.
18. Mask-less deposition of Au-SnO2 nanocomposites on CMOS MEMS platform for ethanol detection / S. Santra, A.K. Sinha, A. De Luca et al. // Nanotechnology. 2016. Vol. 27(12). 9 p. URL: https://doi: 10.1088/0957-4484/27/12/125502 (дата обращения: 20.07.2020).
19. Micro-machined gas sensor array based on metal film micro-heater / Y. Mo, Y. Okawa, M. Tajima et al // Sensors Actuators B Chemical. 2001. Vol. 79. P. 175-181. URL: https:// doi.org/10.1016/S0925-4005(01)00871-1 (дата обращения: 20.07.2020).
Поступила в редакцию 27.07.2020 г.; после доработки 27.07.2020 г.; принята к публикации 22.09.2020 г.
Амеличев Владимир Викторович - кандидат технических наук, начальник отдела микросистемной техники НПК «Технологический центр» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1),V.Amelichev@tcen.ru
Генералов Сергей Сергеевич - начальник научно-исследовательской лаборатории наномикроэлектромеханических систем НПК «Технологический центр» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), S.Generalov@tcen.ru
Николаева Анастасия Владимировна - младший научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории новых технологических процессов НПК «Технологический центр» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), A.Nikolaeva@tcen.ru
Поломошнов Сергей Александрович - кандидат технических наук, начальник научно-исследовательской лаборатории новых технологических процессов НПК «Технологический центр» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина), доцент кафедры интегральной электроники и микросистем Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), S.Polomoshnov@tcen.ru
Ковалев Виталий Андреевич - студент Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (Россия,119991, г. Москва, Ленинские горы, 1, стр. 3), vitaly 1195@mail.ru
Ковалев Алексей Михайлович - эксперт научно-исследовательской лаборатории интегральных технологий Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), A.kovalev@gmail.com
Кривецкий Валерий Владимирович - кандидат химических наук, старший научный сотрудник химического факультета Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (Россия,119991, г. Москва, Ленинские горы, 1, стр. 3), vkrivetsky@inorg. chem.msu. ru
References
1. Feng S., Farha F., Li Q., Wan Y., Xu Y., Zhang T., Ning H. Review on smart gas sensing technology. Sensors, 2019, vol. 19 (17), 3760. 22 p. Available at: http://doi.org/10.3390/s19173760 (accessed: 10.06.2020).
2. Polomoshnov S.A., Nikolaeva A.V. Design of gas semiconductor sensor using modeling tools. Proceedings of the scientific and technical conference «Microelectronics and Informatics-2017». Moscow, MIET Publ., 2017, pp. 152-157. (in Russian).
3. Polomoshnov S.A., Chaplygin Yu.A., Godovitsyn I.V., Ivanova O.M., Krutovertsev S.A. Transducer of explosive gas sensor based on dielectric diaphragm. Nano- i mikrosistemnaya tekhnika = Nano- and Microsystems technology, 2005, no. 10, pp. 39-42. (in Russian).
4. Fine G.F., Cavanagh L.M., Afonja F., Binions R. Metal oxide semi-conductor gas sensors in environmental monitoring. Sensors, 2010, vol. 10 (6), pp. 5469-5502. Available at: https://doi.org/10.3390/s100605469 (accessed: 23.06.2020).
5. Griessler С., Brunet E., Maier T., Steinhauera S., Köck A., Jordi T., Schrank F., Schrems M. Tin oxide nanosensors for highly sensitive toxic gas detection and their 3D system integration. Microelectronic Engineering, 2011, vol. 88 (8), pp. 1779 - 1781. Available at: https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.02.017 (accessed: 23.06.2020).
6. Ryzhikov A., Jonca J. et al. Organometallic synthesis of ZnO nanoparticles for gas sensing: towards selectivity through nanoparticles morphology. Journal of Nanoparticle Research, 2015, vol. 17 (280). 10 p. Available at: https:// doi.org/10.1007/s11051-015-3086-2 (accessed: 05.07.2020).
7. Walden P., Kneer J., Knobelspies S. et al. Micromachined hotplate platform for the investigation of inkjet printed, functionalized metal oxide nanoparticles. Journal of Microelectromechanical Systems, 2015, vol. 24 (5), pp. 1384-1390. Available at: https:// 10.1109/JMEMS.2015.2399696 (accessed: 05.07.2020).
8. Amelichev V.V., Polomoshnov S.A., Chaplygin Yu.A. Development and design of integrated thermoelements. Problems of Perspective Microelectronic Systems Development - 2006. Proceedings. Ed. by A.L. Stempkovsky. Moscow, IPPM RAS Publ., 2006, pp. 416-420. (in Russian).
9. Amelichev V.V., Godovitsyn I.V., Krasukov A.Yu., Polomoshnov S.A., Chaplygin Yu.A. Design optimization of membrane in mems explosive gas sensor. Izvestiya vuzov. Elektronika = Proceedings of Universities. Electronics, 2005, no. 3, pp. 50-57. (in Russian).
10. Peter C., Kneer J., Wollenstein J. Inkjet printing of titanium doped chromium oxide for gas sensing application. Sensor Letters, 2011, vol. 9(2), pp. 807-811. Available at: https://doi.org/10.1166/sl.2011.1619 (accessed: 03.07.2020).
11. Khan S., Briand D. All-printed low-power metal oxide gas sensors on polymeric substrates. Flexible and Printed Electronics, 2019, vol. 4 (1) Available at: https://doi.org/10.1088/2058-8585/aaf848 (accessed: 05.07.2020).
12. Krivetskiy V.V., Rumyantseva M.N., Gaskov A.M. Chemical modification of nanocrystalline tin dioxide for selective gas sensors. Russ. Chem. Rev., 2013, 82 (10), pp. 917-941. Available at: https://doi.org/10.1070/RC2013v082n10ABEH004366 (accessed: 05.07.2020). (in Russian).
13. Liu H., Zhang L., Li K.H.H., Tan O.K. Microhotplates for metal oxide semiconductor gas sensor applications - towards the CMOS-MEMS monolithic approach. Micromachines, 2018, vol. 9 (11), 557. 24 p. Available at: https://doi.org/10.3390/mi9110557 (accessed: 10.07.2020).
14. Abdeslam A.A., Fouad K., Khalifa A. Design and optimization of platinium heaters for gas sensor applications. Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures, 2020, vol. 15(1), pp. 133-141.
15. Wu H., Yu J., Cao R., Yang Y., Tang Z. Electrohydrodynamic inkjet printing of Pd loaded SnO2 nanofbers on a CMOS micro hotplate for low power H2 detection. AIP Advances, 2018, vol. 8 (5), 7 p. Available at: https://doi.org/10.1063/L5029283 (accessed: 10.07.2020).
16. Kang J.G., Park J.S., Lee H.J. Pt-doped SnO2 thin film based micro gas sensors with high selectivity to toluene and HCHO. Sensors Actuators B Chemical, 2017, vol. 248, pp. 1011-1016. Available at: https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.03.010 (accessed: 15.07.2020).
17. Kim I., Seo K.W., Kim I. Ultra-thin filmed SnO2 gas sensor with a lowpower micromachined hotplate for selective dual gas detection of carbon monoxide and methane. In Proceedings of the 2017 Eleventh International Conference on Sensing Technology (ICST). Sydney, Australia, 2017, p 5.
18. Santra S., Sinha A.K., De Luca A., Ali S.Z., Udrea F., Guha P.K. et al. Mask-less deposition of Au-SnO2 nanocomposites on CMOS MEMS platform for ethanol detection. Nanotechnology, 2016, vol. 27(12), 9 p. Available at: https://doi: 10.1088/0957-4484/27/12/125502 (accessed: 20.07.2020).
19. Mo Y., Okawa Y., Tajima M., Nakai T., Yoshiike N., Natukawa K. Micro-machined gas sensor array based on metal film micro-heater. Sensors Actuators B Chemical, 2001, vol. 79, pp. 175-181. Available at: https:// doi.org/10.1016/S0925-4005(01)00871-1 (accessed: 20.07.2020).
Received 27.07.2020; Revised 27.07.2020; Accepted 22.09.2020. Information about the authors:
Vladimir V. Amelichev - Cand. Sci. (Eng.), Head of the Microsystem Technology Department, SMC «Technological Centre» (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), V.Amelichev@tcen.ru
Sergey S. Generalov - Head of the Research Laboratory Nanomicroelectromechanical Systems, SMC «Technological Centre» (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), S.Generalov@tcen.ru
Anastasiya V. Nikolaeva - Junior Researcher of the Research Laboratory New Technological Processes, SMC «Technological Centre» (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), A.Nikolaeva@tcen.ru
Sergey A. Polomoshnov - Cand. Sci. (Eng.), Head of the Research Laboratory New Technological Processes, SMC «Technological Centre» (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), Assoc. Prof. of the Integrated Electronics and Microsystems Department, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), S.Polomoshnov@tcen.ru
Vitaliy A. Kovalev - Student, Lomonosov Moscow State University (Russia, 119991, Moscow, Leninskie Gory, 1, bld. 3), vitaly1195@mail.ru
Alexey M. Kovalev - Expert of the Research Laboratory of Integrated Technologies, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), A.kovalev@gmail.com
Valeriy V. Krivetskiy - Cand. Sci. (Chem.), Senior Researcher of the Chemistry Department, Lomonosov Moscow State University (Russia, 119991, Moscow, Leninskie Gory, 1, bld. 3), vkrivetsky@inorg.chem.msu.ru
/-N
Вниманию читателей журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника»
Подписку на электронную версию журнала можно оформить на сайтах:
• Научной электронной библиотеки: www.elibrary.ru
• ООО «Агентство «Книга-Сервис»: www.rucont.ru;www.akc.ru;
www.pressa-rf.ru
• ООО «УП Урал-Пресс»: www.delpress.ru
• ООО «ИВИС»: www.ivis.ru
\_/
