CC BY
44
УДК 537.22
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГИДРОФОБИЗИРУЮЩИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРЕТОВ НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ
Н.С.ПЩЕЛКО
Военная академия связи им. СМ.Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Рассмотрены физико-технологические основы формирования электрета на основе диоксида кремния ^Ю2) для использования его в устройствах микросистемной техники. Исследования показали, что лучшими электретными свойствами обладает SiO2, полученный в атмосфере «влажного» кислорода, по сравнению с образцами, полученными другими методами окисления. Вероятно, это связано с большим количеством групп Si-ОН на поверхности оксида во «влажном» SiO2, что повышает эффективность действия гидрофобизирующих покрытий при модификации поверхности SiO2. Выявлено, что другие способы получения окисла, например, электрохимический или плазмохимический, не позволяют получить SiO2 с хорошими электретными свойствами. Уменьшение инжектированного в электрет заряда может происходить вследствие наличия объемной или поверхностной проводимости, а также экранировки этого заряда зарядами противоположного знака из атмосферы, приводящих при высокой окружающей влажности к катастрофическому падению поверхностного потенциала электрета. С целью увеличения стабильности электретного эффекта необходима гидро-фобизация поверхности SiO2 - нанесение на его поверхность тонких (наноразмерных) водоотталкивающих покрытий. Приведены экспериментальные результаты по стабильности электретного поверхностного потенциала при использовании различных гидрофобизаторов. Наиболее перспективными для использования в качестве гидрофобизаторов являются высокотемпературный фоторезист ФПТ-1-40 и полиимидные нанослое-вые композиции - пленки Ленгмюра - Блоджетт.
Ключевые слова: электрическое поле, электрет, диоксид кремния, гидрофобизация
Как цитировать эту статью: Пщелко Н.С. Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий для получения электретов на основе диоксида кремния // Записки Горного института. 2018. Т. 230. С. 146-152. DOI: 10.25515/РЖ2018.2.146
Введение. Стабильный электретный эффект, сравнительно недавно обнаруженный в диоксиде кремния (8Ю2) [2, 13], открывает возможность применения электретов на основе этого материала в качестве источников постоянных полей миниатюрных электроакустических преобразователей, так как технология изготовления микроэлектретного преобразователя может быть совмещена со стандартной кремниевой технологией изготовления микросхем [5, 6, 8]. Очевидно, в этом случае удобно в качестве электрета использовать 8Ю2. Создание стабильного электрета на основе этого материала является актуальной задачей, использование электретов из 8Ю2 позволит широко внедрить их в современную стандартную планарную кремниевую технологию изготовления микросхем. Это, в частности, позволило бы создать миниатюрные электретные микрофоны и другие датчики, встроенные непосредственно в микросхему и изготовляемые одновременно с самой микросхемой в едином технологическом цикле. Хотя на сегодняшний день имеется значительный задел по контролю параметров, расчету и оптимизации таких конструкций [10-13], эта задача окончательно не решена из-за отсутствия стабильного во времени электрета на основе 8Ю2. Задача получения большого по величине стабильного и устойчивого к внешним воздействиям электрического заряда (ЭЗ) в вЮ2 представляет интерес с точки зрения возможности повышения адгезии различных покрытий, наносимых непосредственно на 8Ю2 или на другие объекты с использованием создаваемого электретом электрического поля. Сильное влияние электрического поля на адгезию доказано как теоретически, так и экспериментально [9, 14, 15, 17].
Значительный интерес представляет использование электретов на основе вЮ2 в различных технологиях, которые используются или могут быть применены в металлургии и обогащении. Рассмотрим простой пример. Для использования крупных кусков добытой руды ее подвергают дроблению. Различают крупное дробление, среднее, а также мелкое измельчение и тонкое измельчение. Крупное, среднее и мелкое дробление осуществляют в дробилках, а измельчение - в мельницах. Дробление можно выполнять раздавливанием, истиранием, раскалыванием, ударом и сочетанием перечисленных способов. В этих процессах размеры частиц уменьшаются примерно от 1000 до 1 мм. Очевидно, рассмотренные процессы сопровождаются вибрациями и большим числом других физических эффектов, в частности, акустических. Получение этой информации с помощью электретных преобразователей (акселерометров, микрофонов, пороговых датчиков дозы радиации, запыленности и др.) представляет очевидный интерес. Следует отметить, что элек-
0Н.С.Пщелко 001: 10.25515/РМ1.2018.2.146
Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий...
тризованный диоксид кремния, как неорганический материал, значительно выигрывает в плане возможностей его использования по сравнению с традиционными электретами на основе полимерных материалов. Кроме того, возможность миниатюризации датчиков на основе SiO2 открывает дополнительные возможности. Другим аспектом, связанным с перспективностью использования электретов в металлургии и обогащении, является внешнее электрическое поле электрета. Это поле аналогично традиционно используемому электростатическому полю, создаваемому внешним источником высокого напряжения, которое нашло применение в различных фильтрах, сепараторах, пылеулавливателях и др. Использование электретов открывает перспективы для значительного уменьшения применяемых электрических напряжений или даже отказа от них. Высокая по сравнению с полимерами твердость SiO2 в этом отношении выгодно отличает данный материал от традиционно используемых электретов.
Наконец, электрическое поле электрета на основе SiO2 может оказаться востребованным для самых разнообразных применений. В частности, известно о его влиянии на биологические объекты, на процессы горения и др. [7].
В первых конструкциях полупроводниковых преобразователей в качестве электрета использовалась полимерная пленка, которая закреплялась на поверхности SiO2. Существенные недостатки таких структур выявились в процессе сборки. Операции, связанные с закреплением пленки на диоксиде кремния, плохо согласуются со стандартной интегральной технологией. Кроме того, закрепление пленки происходит при высокой температуре с использованием плазменного разряда, что ухудшает электретные свойства фторопласта и препятствует серийному выпуску таких преобразователей. Использование SiO2 как электретного материала позволяет избавиться от указанных недостатков, сохраняя перечисленные преимущества.
Методология исследования. Несмотря на то, что SiO2 находит широкое применение в технологии изготовления полупроводниковых приборов, многие физические процессы и явления, определяющие эксплуатационные характеристики диоксида кремния, такие как способность сохранять внедренный ЭЗ, локализация этого заряда, влияние поверхностных явлений на спад поверхностного потенциала, не совсем ясны. В этой связи проводятся интенсивные исследования, направленные на изучение механизмов появления и локализации ЭЗ в SiO2 в зависимости от технологии его формирования, а также возможностей использования неразрушающего контроля соответствующих МДП-структур.
В настоящее время на основе данных термоактивационной токовой спектроскопии [1, 2] считается, что в диоксиде кремния существует четыре вида ловушек и соответствующих ЭЗ:
1. ЭЗ, захваченный в окисле Qit, представляющий собой заряд электронных состояний, которые локализованы на границе раздела Si-SiO2.
2. Фиксированный ЭЗ окисла Qf, расположенный на границе раздела или в непосредственной близости от нее.
3. ЭЗ, захваченный в окисле Qot. Этот заряд возникает, например, при рентгеновском облучении структур или инжекции горячих электронов в диэлектрик. Соответствующие ловушки более или менее равномерно распределены по толщине слоя окисла.
4. ЭЗ подвижных ионов Qm обусловлен присутствием в термическом оксиде кремния положительно заряженных ионов щелочных металлов Li+ К+, а также ионов Н+, распределенных по объему оксида.
Из всех этих видов заряда три вида Qit, Qf, Qm, по-видимому, не могут вызвать стабильный электретный эффект в силу своей подвижности, либо местоположения. Можно предположить, что заряд, влияющий на устойчивость электретного эффекта, создается носителями типа Qot, которые в процессе инжекции заменяют нейтральные центры захвата. Вероятно, образование заряда Qot связано с диссоциацией воды в SiO2.
Механизм захвата может быть представлен в виде химической реакции. Первый этап - образование гидроксильных групп:
Si - О - Si + Н2О ~ 2 SiOН.
Второй этап - гидролиз молекул воды на поверхности SiO2:
SiOН + Н2О ~ SiO- + Нз0+.
0Н.С.Пщелко 001: 10.25515/РМ1.2018.2.146
Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий...
Далее предполагается, что входящий электрон захватывается протонодонорным центром:
SiO- + НзО+ + е ^ SiO- + Н2О + Н.
Эта электрохимическая реакция приводит к образованию стабильного отрицательного заряда с малой вероятностью появления в этом месте нейтральной ловушки, что подтверждается экспериментально [2].
Уменьшение инжектированного в электрет заряда может происходить вследствие наличия объемной или поверхностной проводимости, а также экранировки этого заряда зарядами противоположного знака из атмосферы, приводящих при высокой окружающей влажности к катастрофическому падению поверхностного потенциала электрета [3, 16]. Поэтому с целью увеличения стабильности электретного эффекта необходима гидрофобизация поверхности SiO2 -нанесение на его поверхность тонких (наноразмерных) водоотталкивающих покрытий.
Для электретов типична сильная зависимость стабильности как от способа получения, так и от способа модификации их поверхности. Как показали проведенные исследования, в полной мере это наблюдение можно отнести к электретам на основе SiO2. В настоящее время достигнут значительный прогресс в решении проблемы получения стабильного электрета на основе SiO2. Вероятно, наиболее перспективными гидрофобизирующими покрытиями для SiO2 являются по-лиимидные нанослоевые композиции - пленки Ленгмюра - Блоджетт [2, 6, 8]. Использование данных покрытий позволяет получить не только стабильный электрет, но и совместить его получение со стандартным кремниевым процессом, в частности, с использованием высоких температур. Мы производили в ряде этих экспериментов измерения поверхностного потенциала электрета и участвовали в разработке конструкций субминиатюрных преобразователей на основе SiO2. Однако наиболее подробные результаты были нами получены при проведении работ по получению стабильного электрета из SiO2. В отличие от пленок Ленгмюр - Блоджетт, получение которых требует специального оборудования, изучалась возможность применения более доступных материалов и технологий.
Результаты и обсуждение. Исследовались три группы различных образцов: негидрофоби-зированного, гидрофобизированного винилтриэтоксиланом (ВТЭС) и гидрофобизированного гексаметилсилазаном (ГМДС). В результате экспериментов было получено, что отожженный образец обладает большим удельным поверхностным сопротивлением по сравнению с модифицированными образцами [11]. Таким образом, характерное свойство поверхности SiO2 - значительная зависимость удельного сопротивления от исходного состояния гидратного покрова образца, а не только от влажности среды.
На рис.1 показано возможное состояния поверхности SiO2 с учетом происходящих на поверхности процессов адсорбции: физической адсорбции и хемосорбции влаги, которые могут снижать стабильность электретного потенциала.
При взаимодействии паров воды с поверхностью SiO2 происходит реакция
Si - О - Si + Н2О ~ 2SiОН.
В дальнейшем полярные гидроксильные группы притягивают молекулы воды:
SiОН + Н2О ~ SiОН: ОН2.
При обработке гидрофобизатором затрудняется протонная проводимость вследствие движения протонов в гидроксильных группах и образования проводящего монослоя воды на поверхности SiO2. Например, при обработке гидрофобизатором ГМДС происходит следующая реакция (рис.2):
2SiОН + (СНз)з SiNНSi(СНз)з ^ 2Si - О - Si (СНз)з + ВД.
Такая обработка уменьшает количество гидроксильных групп на поверхности, но не уменьшает число внутренних гидроксильных групп.
Высокотемпературное окисление кремния является одним из распространенных методов получения SiO2. Этот метод применяется и для формирования пленок диоксида кремния для электретов. Условия окисления (температура, давление окислителя, среда окисления и т.д.) определяют скорость роста и количество дефектов в оксиде.
н
н
н н \ /
/°\ / \
О 0 0 0 0
Пары Н20
0—81 — 0—81— () — Я — () -
-81-
V
8Ю2
О О
Хемосорбция
0—81 — 0—81 I I
О О
Физическая адсорбция
Рис. 1. Адсорбция паров воды на поверхности SiO2
Окисление может происходить в среде «сухого» кислорода, также возможен процесс с участием воды: влажное окисление, окисление «в парах воды», или окисление во «влажном» кислороде.
При окислении в «сухом» кислороде происходит реакция:
8Ю + О2 ^ 8Ю2,
а при участии воды в процессе окисления:
+ 2Н2О ^ 8Ю2 + 2Н2.
Исследования показали, что лучшими электретными свойствами обладает диоксид кремния, полученный в атмосфере «влажного» кислорода. Вероятно, это связано с большим количеством групп 8ьОН на поверхности оксида во «влажном» 8Ю2, что повышает эффективность
действия гидрофобизирующих покрытий при модификации поверхности 8Ю2.
Выявлено, что другие способы получения окисла, например, электрохимический или плаз-мохимический, не позволяют получить диоксид кремния с хорошими электретными свойствами.
В результате исследований были определены партии образцов, обнаруживших достаточно хорошую стабильность электретного поверхностного потенциала Ц при комнатных условиях хранения. Как видно из приведенных в табл.1 данных, наилучшие результаты по стабильности показали партии А и К (термический окисел), D и Е (плазмохимичский окисел) и L (двухслойная структура 8Ю2-8^4). Были сделаны выводы о целесообразности использования в дальнейших исследованиях именно этих образцов, а также о выборе соответствующих технологий.
Таблица 1
Зависимость спада иэ от времени хранения заряженного образца в комнатных условиях после электризации
Рис.2. Реакция образования гидрофобизирующего покрытия модификации ГМДС на поверхности 8Ю2
Партия Номер исетки, В Цэо, В Цэ, В (после хранения образца в комнатных условиях)
образца 2 ч 1 сут 2 сут 3 сут 5 сут 6 сут 8 сут 9 сут 12 сут 13 сут 15 сут 19 сут 27 сут 29 сут
А А-1 -280 -270 -216 -222 -230 -214 -207 -209 -229 -220 -220 - -221 -215 - -220
А-2 -260 -220 -214 -208 -234 -234 -228 -211 -215 -215 - -220 -221 - -218
В В-1 -255 -166 -141 -135 -136 -128 -120 -123 -119 -119 -115 - -113 -110 - -109
В-2 -166 -140 -126 -126 -125 -123 -121 -116 -116 -114 - -114 -112 - -110
С С-1 -255 -251 -176 -157 -162 -163 -155 -148 -140 -131 -136 - -135 -135 - -132
С-2 -250 -207 -170 -180 -176 -166 -164 -163 -170 -169 - -158 -151 - -149
D D-1 -255 -257 -200 -204 -201 -203 -195 -187 -187 -187 -186 - -175 -173 - -173
D-2 -257 -228 -227 -223 -221 -215 -202 -203 -206 -205 - -202 -192 - -189
Е Е-1 -255 -256 -252 -252 -252 -250 -250 -253 -249 -245 -247 - -247 -232 - -232
Е-2 -256 -232 -208 -195 -197 -185 -185 -181 -174 -173 - -173 -160 - -153
F F-1 F-2 -185 -81 -105 -40 -70 -24 -28 -16 -23 -16 -17 -13 -17 -15 -17 - - - - - - - -
Н Н-1 -160 -69 - -10 - -4 0
К К-1 -280 -280 -282 -282 -280 -280 -282 -280 -279 -273 -271 - -271 -275 - -280
К-2 -280 -279 -283 -280 -279 -283 -285 -278 -274 -182 - -278 -276 - -276
Ь Ь-1 -300 -298 - -286 - -279 -278 -276 -274 -274 - -268 - - - -263
Ь-2 -296 - -292 - -290 -285 -285 -278 -278 - -279 - - - -266
м М-1 М-2 -160 -93 -115 - -7 -18 - 0 -13 0 0 - - - - - - - - -
N N-1 N-2 -160 -123 -122 - -29 -28 - -14 -19 -19 -15 - - - - - - - - -
В рамках проделанной работы отрабатывалась процедура нанесения различных видов гид-рофобизаторов, препятствующих накоплению пленки влаги на гидрофильной поверхности SiO2 и приводящей к катострофическому уменьшению поверхностного потенциала: ГМДС (гексаме-тилдисилазан): ДМДХС (диметилдихлорсилан).
Гидрофобизаторы наносились на образцы партии К и D. Образцы партии D отличаются друг от друга режимом нанесения ГМДС, что выражается различием в величине угла смачивания. После нанесения гидрофобизирующего покрытия были произведены испытания наиболее перспективных образцов во влажной среде.
Образцы были помещены в камеру с относительной влажностью 95-98 % при Т = 20 °С. Основные результаты испытаний представлены в табл.2.
Таблица 2
Зависимость спада иэ от времени хранения после электризации заряженного образца при условиях повышенной влажности, после обработки гидрофобизирующим составом
Партия Образец Номер образца Uсетки, В Угол смачивания, град иэо, В иэ,В
Время хранения образца в условиях повышенной влажности
1 сут 3 сут 4 сут 6 сут 10 сут 13 сут 17 сут 27 сут
1 К-ДМДХС К-1 -300 95 -303 -297 -292 -289 -287 -276 -283 -274 -270
2 К-2 95 -299 -297 -296 -297 -291 -294 -297 -280 -280
3 К-ГМДС К-3 73 -300 -300 -287 -285 -282 -278 -258 -252 -237
4 К-4 70 -298 -300 -295 -294 -290 -294 -293 -278 -270
5 Б-ГМДС Б-1 75 -298 -225 -147 -111 -74 -35 -26 0 0
6 Б-2 80 -298 -290 -264 -260 -239 -207 -182 -150 -73
7 Б-3 80 -298 -269 -260 -248 -220 -172 -137 -106 -34
8 Б-4 77 -300 -192 -77 -61 -34 -21 -18 0 0
9 Б-5 85 -295 -275 -268 -263 -257 -263 -267 -249 -205
Следует отметить, что для образцов одной партии (в частности, D), гидрофобизированных одним и тем же материалом, наблюдается корреляция между увеличением значения угла смачивания и увеличением стабильности электретного потенциала при выдержке образцов в условиях повышенной влажности, но для образцов из различных партий и для разных гидрофобизирую-щих материалов этой корреляции нет.
Была также опробована идея использования позитивного высокотемпературного фоторезиста ФПТ-1-40 в качестве гидрофобизатора для электретных элементов из SiO2 [4].
Гидрофобизатор Ф-П, являясь позитивным фоторезистом, легко встраивается в стандартный планарный процесс и совместим со всеми стандартными процедурами травления, очистки и т.д. Этот тип гидрофобизатора наносился на образцы партии А (толщина слоя диоксида кремния 0,5 мкм). Фоторезист наносился центрифугированием. Толщина нанесенного слоя составляла примерно 0,4 мкм. Затем была выполнена засветка фоторезиста и сформированы образцы размером 10^12 мм2. Электризация проводилась в стандартном режиме через фторопластовую маску с окном 7^7 мм2. Потенциал сетки составлял 250 В. Затем уже электризованные образцы были подвергнуты термообработке при 200 °С в течение 1 ч. В ходе этой термообработки электретный потенциал образцов снизился вследствие дрейфа ЭЗ через слой гидрофобизатора к границе раздела гидрофобизатора с диоксидом кремния. Далее три образца испытывались в нормальных условиях и еще три - в условиях повышенной влажности. Результаты испытаний образцов в комнатных условиях и при повышенной влажности представлены в табл.3, 4.
Таблица 3
Зависимость спада иэ от времени хранения в комнатных условиях для образцов, обработанных высокотемпературным гидрофобизатором ФПТ-1-40
Образец Uсе'Iки, В иэо, В иэ, после т/о, В иэ , В
1 сут 3 сут 5 сут 6 сут 10 сут 15 сут
Ф-4 -250 -240 -169 -171 -170 -171 -171 -166 -166
Ф-5 -237 -161 -164 -164 -160 -162 -157 -159
Ф-6 -237 -171 -171 -168 -172 -170 -172 -171
Таблица 4
Зависимость спада иэ от времени хранения в условиях повышенной влажности для образцов, обработанных высокотемпературным гидрофобизатором ФПТ-1-40
Образец ^^етки В иэо, В иэ, после т/о, В иэ, В (влажность 95-98 %, Т 20 °С)
1 сут 3 сут 5 сут 6 сут 10 сут 15 сут
Ф-1 -250 -253 -143 -143 -133 -119 -118 -107 -95
Ф-2 -240 -142 -142 -135 -124 -120 -102 -76
Ф-3 -240 -144 -144 -140 -130 -125 -113 -89
Первый эксперимент по использованию этого материала в качестве гидрофобизатора дал следующие результаты:
• термообработка при 200 °С в течение 1 ч для стабилизации электретного потенциала привела к примерно 30-40 %-ному спаду потенциала, что объясняется, на наш взгляд, дрейфом ЭЗ сквозь слой гидрофобизатора с последующим закреплением заряда на поверхности диоксида кремния;
• при хранении в комнатных условиях в течение двух недель электретный потенциал практически не изменился;
• выдержка в условиях повышенной относительной влажности (95 %) при комнатной температуре в течение 10 суток привела к 28 % - ному спаду электретного потенциала, что значительно хуже, чем в случае ГМДС. Однако, есть реальная перспектива существенно улучшить этот результат при продолжении экспериментов по отработке режимов нанесения и использования гидрофобизатора.
На основе проведенных исследований можно сформулировать предлагаемые варианты технологического процесса для получения стабильного электрета из SiO2:
Первый вариант:
1. Термическое окисление исходной пластины в стандартном режиме по технологии ТЦ (кислород сухой - влажный - сухой).
2. Термообработка в вакууме при Т = 550 °С, 1 ч.
3. Нанесение ГМДС из паровой фазы. Пластина предварительно должна быть отмыта и высушена при Т = 100 °С. Затем выдержка в замкнутом объеме в течение 10 мин в парах ГМДС, нагретого до Т = 60 °С. Краевой угол смачивания гидрофобизированных образцов должен быть не меньше 80 град.
4. Электризация электретных элементов в коронном разряде с использованием трехэлек-тродной схемы. Требуемое значение потенциала электретного элемента задается потенциалом сеточного электрода и может варьироваться от -50 до -300 В. Рекомендуемое время электризации 3 мин.
5. Термостабилизация электретного потенциала при Т = 130 °С в течение 1 ч.
Второй вариант:
1. Термическое окисление исходной пластины по технологии ТЦ (кислород сухой - влажный - сухой).
2. Термообработка в вакууме при Т = 550°С в течение 1 ч.
3. Нанесение в качестве гидрофобизатора на всю пластину слоя позитивного фоторезиста марки Ф-П толщиной 0,1 -0,4 мкм методом центрифугирования.
4. Засветка с целью формирования электретных элементов заданной геометрии.
5. Травление фоторезиста.
6. Задубливание (температура задубливания должна на 20 °С превышать максимальную температуру, используемую в последующих технологических операциях). Максимальная рабочая температура гидрофобизатора Ф-П 450 °С.
7. Электризация электретных элементов в коронном разряде с использованием трехэлек-тродной схемы. Требуемое значение потенциала электретного элемента задается потенциалом сеточного электрода и может варьироваться от -50 до -300 В. Рекомендуемое время электризации 3 мин.
8. Термостабилизация электретного потенциала путем нагрева со средней скоростью 10 град/мин до Т = 300 °С с последующим охлаждением примерно с той же скоростью.
Заключение. По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы:
1. Для получения стабильного электрета на основе диоксида кремния окисный слой необходимо получать в режиме окисления в атмосфере «влажного» кислорода
2. Все исследованные гидрофобизаторы позволили существенно повысить стабильность заряда SiO2 до уровней, позволяющих использовать такой электрет в некоторых устройствах электроники.
3. Наиболее перспективными для использования в качестве гидрофобизаторов являются высокотемпературный фоторезист ФПТ-1-40 и полиимидные нанослоевые композиции - пленки Ленгмюра - Блоджетт.
4. Многолетней стабильности электретов на основе диоксида кремния, требуемой в устройствах электроники в ряде случаев, достигнуто не было. Необходимы и перспективны дополнительные исследования.
ЛИТЕРАТУРА
1. Гороховатский Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков / Ю.А.Гороховатский, Г.А.Бордовский. М.: Наука, 1991. 248 с.
2. КозодаевД.А. Электретный эффект в структурах Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3 N4: Автореф. дис...канд. техн. наук / Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет. СПб, 2002. 16 с.
3. Кузьмин Ю.И. Перколяционная модель релаксации электрета / Ю.И.Кузьмин, В.Н.Таиров // ЖТФ. 1984. Т. 54. № 5. С. 964-965.
4. Модификация термостойких фотолаков для новых областей применения / Н.В.Климова, Г.К.Лебедева, Н.С.Пщелко, Л.В.Рудая, И.М.Соколова, Т.А.Юрре // Петербургский журнал электроники. 2002. № 3. С. 33-37.
5. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. В.В.Лучинина, Ю.М.Таирова. М.: Физматлит. 2006. 552 с.
6. От молекулярного наслаивания к эпитаксии органических веществ методом Ленгмюра - Блоджетт / С.И.Голоудина, П.П.Карагеоргиев, В.В.Лучинин, В.М.Пасюта // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 12. С. 34-38.
7. Патент РФ № 2562505. Способ повышения эффективности сгорания углеводородного топлива / В.С.Нагорный, Д.Ю.Колодяжный, Е.Ю.Марчуков, С.А.Федоров, Н.С.Пщелко. Опубл. 27.06.2015. Бюл. № 25.
8. Полиимидные нанослоевые композиции, как стабилизирующие покрытия микроэлектронных структур / С.И.Голоудина, В.М.Пасюта, Д.А.Козодаев, В.В.Кудрявцев, В.В.Лучинин, В.П.Склизкова, В.И.Закржевский, Д.Э.Темнов // Петербургский журнал электроники. 2001. № 4. С. 79-86.
9. Пщелко Н.С. Анализ влияния пространственного распределения заряда на электроадгезионные силы // Записки Горного института. 2016. Т. 218. С. 296-305.
10. Пщелко Н.С. Методика определения параметров капсюлей конденсаторных структур с подвижными обкладками // Записки Горного института. 2010. Т. 187. С. 117-124.
11. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015661225. Программа для определения диэлектрической проницаемости и удельного сопротивления высокоомных материалов / Т.Р.Акчурин, Н.С.Пщелко, Е.Г.Водкайло. 0публ.20.11.2015.
12. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2016610272. Программа для контроля параметров емкостных структур методом вольт-фарадных характеристик / Т.Р.Акчурин, Е.Г.Водкайло, Н.С.Пщелко. Опубл. 20.02.2016.
13. Kozodaev D.A. Analysis of Electret Sub-Miniature Microphones / D.A.Kozodaev, N.S.Pshchelko, V.I.Zakrzhevskiy // Proc. ISE - 10. Athens. 1999. P. 973-978.
14. Low temperature wafer anodic bonding / J.Wei, H.Xie, M.L.Nai, C.K.Wong, L.C.Lee // J.Micromech. Microeng. 2003. Vol. 13. P. 217-222.
15. Pshchelko N.S. Modeling of physical and chemical processes of anodic bonding technology / N.S.Pshchelko, M.P.Sevryugina // Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 513-518.
16. The Percolation Behavior of Electret at Presence of Water Condensation / U.I.Kuzmin, N.S.Pshchelko, I.M.Sokolova, V.I.Zakrzhevskiy // Proc. ISE -8. Paris. 1994. P. 124-129.
17. Tomaev V. V. Polarization of Surface Layers of Ionic Dielectrics at the Interface Between the Electroadhesive Contact and a Dielectric / V.V.Tomaev, N.S.Pshchelko // Glass Physics and Chemistry. 2016. Vol. 42. № 1. P. 105-109.
Автор Н.С.Пщелко, д-р техн. наук, профессор, nikolsp@mail.ru (Военная академия связи им. С.М.Буденного, Санкт-Петербург, Россия).
Статья принята к публикации 11.05.2017.
