CC BY
7
[5] = -^
| + „2 . _ 2и _Ь_ +
ц II -Ь М !
9,/ I I . (Л ^ ~ 1 «
^ ц2 +ц2 + ' + ^ и2 Т „2 +
Мц и а
+ ,2<УС +
Ич
и2ц + 1»!
(3)
2 2
где Оу = 1 - £/2 ^ ~ ^ + 12ус
^ + И'
Т—Г" + 12Ус-"и + 1*1
/С* =
Поскольку в матрице [51 5П Ф 521. то рассматриваемый четырехполюсник является необратимым и может быть представлен в виде каскадного соединения обратимого четырехполюсника и идеального преобразователя мощности [I]. Условием согласования вентиля по входу и по выходу является равенство нулю 5и и 522. Внедиа-гональные элементы матрицы рассеяния являются коэффициентами передачи вентиля в прямом (+) и обратном (—) направлениях
_± + Оус (и2ц +Ц2!>_
А + М2х - А (И2,, - + [2, + 2ус (ц2„ + ц\)1 '
При оптимизации параметров вентиля добиваемся максимума /С1" и минимума К~.
1. Зелях Э. В. Идеальный преобразователь мощности — новый элемент элект ронной цепи//Электросвязь. 1957. № 1. С. 35—47. 2. Красилич Г. П. Эквивалент ная схема полупроводникового вентиля // Вестн. Киев, политехи, ин-та. Радиотех ника. 1978. Вып. 15. С. 80—82. 3. Красилич Г. П. Полупроводниковый вентиль мет рового диапазона волн//Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1976. 19, № 3. С. 122—123 4. Ортюзи Ж..'.Теория электронных цепей. М.: Мир, 1976. 400 с. 5. Толутис Р. Б О свойствах полупроводниковых ВЧ-вентилей на эффект размерного резонанса электромагнитных магнитоплазменных волн // Радиотехника и электроника. 1978. Т. 23, № 3. С. 608.
Поступила в редколлегию 17.09.84
УДК 621.374
Г. А. ГАЛИНА, мл. науч. сотр., Г. И. КАЛЬНАЯ, С. В. ОГУРЦОВ, кандидаты физ.-мат. наук
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОСАЖДЕННЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ ПЛЕНОКгпО
Обработка технологии получения пленок для'^устройств
функциональной электроники нами осуществлялась с привлечением рентгеновских и оптических исследований. Пленки окиси цинк; толщиной до 6 мкм наносились на подножки из плавленного кварца маг-
нм/с (А^) Микро' % (Д ¿/¿)маКро- О/ 'о
0,28 0 0
0,56 0,05 0,10
0,84 0,10 0,50
1,12 0,15 0,70
1,40 0,20 0,90
нетронным распылением мишени из спрессованного порошка 2пО при температуре подложек Тп = 473 К, скоростях нанесения V„ до 1,4 нм/с, 50 %-ном содержании кислорода в Аг —02 распылительной среде и рабочем давлении 0,66 Па. Рентгеновские исследования проводились на дифрактометре ДРОН-2,0 в Си и Ре Ка-излучении, оптические — на спектрофотометрах иИ-20 и Р1з-3.
Наличие на дифрактограммах только интерференционных отражений от плоскостей (001) — сильного (002) и слабых (004) и (006) указывало, что рост кристаллитов пленок осуществлялся базисной плоскостью (001) параллельно подложке. Кривые качания соответствовали гауссовым и характеризовались стандартным отклонением а, не превышающим±1°, что указывало на высокую нормальную ориентацию пленок, необходимую для устройств на ПАВ [1].
Однако пленки, осажденные со скоростями, превышающими 0,28 нм/с, характеризовались механическими микро- и макронапряжениями, что соответственно сказывалось на уширении и смещении дифракционных линий. В таблице приведены относительные микро- и макродеформации кристаллической решетки ((ДЛ^)„Икро и (М/ /фмакро) в зависимости от скорости напыления Как видно, при магнетронном распылении критичной к величине Ун при заданной Тп является величина механических напряжений.
Механические напряжения в пленке влияли на спектры внешнего и нарушенного полного внутреннего отражения пленки и подложки. Обнаружено изменение интенсивности и смещение по частоте полос колебаний в области остаточных лучей в 2пО и плавленном кварце. Наблюдалось появление добавочного максимума (V « 1250 см-1) в высокочастотном плече полосы отражения кварца, что обусловлено изменениями в структуре поверхностного слоя кварца под воздействием механических напряжений в осажденной пленке окиси цинка. Эти изменения в подложке, частично сохраняющиеся и после термообработки, устраняющей механические напряжения в пленках, могут приводить к нестабильной работе устройств на основе слоистых систем ХпО — БЮз в процессе их эксплуатации. Поэтому необходимо получать равновесные пленки 2пО непосредственно в процессе осаждения, работая на небольших скоростях — в нашем случае Уравн « « 0,28 нм/с.
1. Хикернелл Ф. Преобразователи поверхностных волн на тонких пленках окиси цинка // ТИИЭР. 1976. Т. 64, № 5. С. 70—76.
Поступила в редколлегию 21.09.84
