CC BY
82
Оригинальная статья / Original article
УДК 661.847.2; 621.315.592
DOI: 10.21285/1814-3520-2017-8-167-175
ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ КИСЛОРОДА НА МИКРОСТРУКТУРУ, МОРФОЛОГИЮ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ ДУАЛЬНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
© С.В. Зайцев1, В.С. Ващилин2, В.В. Колесник3, М.В. Лимаренко4, Д.С. Прохоренков5, Е.И. Евтушенко6
Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова, Российская Федерация, 308012, г. Белгород, ул. Костюкова, 46.
РЕЗЮМЕ. ЦЕЛЬ. Тонкие пленки ZnO получены на сапфире методом дуального магнетронного распыления Zn-мишени в смеси аргона и кислорода. Исследована роль концентрации кислорода в плазме на микроструктуру, морфологию и оптические свойства синтезированных пленок ZnO. МЕТОДЫ. Проведен анализ изменения скорости осаждения пленок ZnO при различной концентрации кислорода. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ. Установлено, что при содержании кислорода 18-36 об.% покрытия имеют плотную столбчатую кристаллическую структуру, с преимущественной текстурой роста (002). ЗАКЛЮЧЕНИЕ. Отмечено, что среднее значение шероховатости, прозрачность и ширина запрещенной зоны пленки ZnO зависит от концентрации кислорода в плазме. Ключевые слова: магнетронное распыление, оксид цинка, рентгеновская дифракция, морфология поверхности, тонкие пленки.
Формат цитирования: Зайцев С.В., Ващилин В.С., Колесник В.В., Лимаренко М.В., Прохоренков Д.С., Евту -шенко Е.И. Влияние концентрации кислорода на микроструктуру, морфологию и оптические свойства пленок оксида цинка, формируемых методом дуального магнетронного распыления // Вестник Иркутского государственного технического университета. 2017. Т. 21. № 8. С. 167-175. DOI: 10.21285/1814-3520-2017-8-167-175
THE EFFECT OF OXYGEN CONCENTRATION ON MICROSTRUCTURE, MORPHOLOGY
AND OPTICAL PROPERTIES OF ZINC OXIDE FILMS FORMED BY DUAL MAGNETRON SPUTTERING
S.V. Zaitsev, V.S. Vashchilin, V.V., Kolesnik, M.V. Limarenko, D.S. Prokhorenkov, E.I. Evtushenko
Belgorod State Technological University named after V.G. Shoukhov, 46, Kostyukov St., Belgorod, 308012, Russian Federation.
ABSTRACT. PURPOSE. ZnO thin films have been obtained on sapphire by the method of dual magnetron sputtering of a Zn target in argon and oxygen mixture. The study is given to the effect of oxygen concentration in plasma on the microstructure, morphology and optical properties of the synthesized ZnO films. METHODS. The changes in the deposition rate of ZnO films under different oxygen concentrations are analyzed. RESULTS AND THEIR DISCUSSION. It is found that coatings have a dense columnar crystal structure with the predominant growing texture (002) under the oxygen content of 18-36 vol. %. CONCLUSION. The average value of roughness, transparency and the width of the ZnO film band gap depends on the oxygen concentration in plasma.
1
Зайцев Сергей Викторович, инженер-исследователь центра высоких технологий, e-mail: [email protected] Sergey V. Zaitsev, Research Engineer of the Center of High Technologies, e-mail: [email protected]
2Ващилин Владимир Сергеевич, кандидат биологических наук, доцент, центр высоких технологий, e-mail: [email protected]
Vladimir S. Vashchilin, Candidate of Biology, Associate Professor, Center of High Technologies, e-mail: [email protected]
3Колесник Валерий Владимирович, кандидат технических наук, доцент, центр высоких технологий, e-mail: [email protected]
Valery V. Kolesnik, Candidate of technical sciences, Associate Professor, Center of High Technologies, e-mail: [email protected]
4Лимаренко Михаил Витальевич, инженер-исследователь центра высоких технологий, e-mail: [email protected] Mikhail V. Limarenko, Research Engineer of the Center of High Technologies, e-mail: [email protected]
5Прохоренков Дмитрий Станиславович, инженер-исследователь центра высоких технологий, e-mail: [email protected]
Dmitry S. Prokhorenkov, Research Engineer of the Center of High Technologies, e-mail: [email protected]
6Евтушенко Евгений Иванович, доктор технических наук, профессор, проректор по научной работе, e-mail: [email protected]
Evgeny I. Evtushenko Doctor of technical sciences, Professor, Vice-Rector for Research, e-mail: [email protected]
Keywords: magnetron sputtering, zinc oxide, X-ray diffraction, surface morphology, thin films
For citation: Zaitsev S.V., Vashchilin V.S., Kolesnik V.V., Limarenko M.V., Prokhorenkov D.S., Evtushenko E.I. The effect of oxygen concentration on microstructure, morphology and optical properties of zinc oxide films formed by dual magnetron sputtering. Proceedings of Irkutsk State Technical University, vol. 21, no. 8, pp. 167-175. (In Russian) DOI: 10.21285/1814-3520-2017-8-167-175
Введение
Оксид цинка (2пО) - это прозрачный полупроводниковый материал, обладающий хорошей комбинацией электрофизических и оптических свойств. Он широко применяется в оптоэлектронных преобразователях, прозрачных электродах солнечных элементов, в качестве чувствительных слоев газовых и биологических сенсоров [1-4]. В последнее время широкий интерес вызывают люминесцентные свойства пленок оксида цинка для создания твердотельных источников, а также приемников излучения в ультрафиолетовой области [5, 6].
Нанесение тонких пленок методом реактивного магнетронного распыления -простой и хорошо известный способ, однако существует множество методов осаждения или роста тонких пленок 2пО на различных поверхностях. Например, молеку-лярно-лучевая эпитаксия (МВЕ) [7], химическое осаждение из газовой фазы (CVD) [8], металлоорганическая эпитаксия (MOCVD) [9], импульсное лазерное напыление (PLD) [10]. В большинстве случаев упомянутые выше методы подразумевают высокую температуру осаждения, что приводит к деградации подложки и пленки 2пО, в результате диффузионных процессов и разницы коэффициентов термического расширения. Метод реактивного магне-
тронного распыления позволяет получать тонкие пленки при относительно низких температурах, а также проводить послойный синтез новых структур, создавая пленку буквально на уровне атомных плоскостей [11-13]. Кроме того, данный метод обеспечивает длительную стабильность процесса роста пленок, воспроизводимость свойства пленок, адгезию и высокую плотность упаковки осажденных материалов.
Эффективность покрытий 2пО в значительной степени зависит от ее микроструктуры. Например, в устройствах поверхностно-акустических волн пленки 2пО должны иметь преимущественную ориентацию вдоль кристаллографического направления (002) [14]. Кроме того, большое значение имеет качество морфологии поверхности пленок ZnO, поскольку надежность и стабильность всех полупроводниковых приборов тесно связаны с их условиями соединения.
Целью данной работы является исследование влияния плазмообразующего газа на микроструктурные и оптические свойства пленок окиси цинка, синтезированных методом дуального магнетронного распыления на подложках из сапфира.
Материал и методы исследования
Пленки оксида цинка синтезировали с помощью вакуумной установки QUADRA 500TM методом дуального магнетронного распыления. В вакуумную камеру на предметный стол помещали сапфировые подложки с-ориентации. Перед нанесением покрытий подложки подвергали ультразвуковой очистке в ацетоне, этаноле и промывали в деионизованной воде с последую-
щей сушкой чистым азотом. Вакуумная камера была откачана до давления ниже 5* 10-3 Па с помощью турбомолекулярного насоса. Рабочие газы аргон (Аг) и кислород (О2) вводили в камеру отдельно и регулировали контроллерами массового расхода. Расстояние от подложек до магнетрона и ионного источника составляло 100 мм. Покрытие осаждали на подложку после пред-
варительной десятиминутной ионной очистки. Рабочее давление газа в камере составляло 0,22 Па. В таблице приведены условия осаждения оксида цинка.
Кристаллическую структуру пленок 2пО исследовали с помощью рентгеновской дифракции (ДРЬ Х'ТРД, ТИегтоТеоИпо) в диапазоне углов (20) 20-70° в режиме асимметричной компланарной съемки со скользящим углом падения а = 3о (0^сап) для исключения пиков от подложки. Идентификацию фаз и индекси-
Проведено исследование влияния содержания кислорода в газовой смеси Дг/О2 на рост и микроструктуру пленок оксида цинка.
На рис. 1 показана зависимость скорости осаждения от к кислорода в газовой смеси Дг/О2. Скорость роста пленок уменьшалась при увеличении концентрации кислорода в газовой среде Дг/О2. Что связано с уменьшением средней массы бомбардирующих ионов и формированием окисного слоя на поверхности мишени [15].
рование пиков осуществляли по базе JCPDF.
Исследование морфологии поверхности и сколов покрытий проводили с помощью сканирующего электронного микроскопа (TESCAN MIRA 3 LMU). Микрорельеф поверхности пленок ZnO исследовали с помощью сканирующего зондового микроскопа «NanoEducator» фирмы NT MDT. Спектры пропускания в диапазоне 350-1100 нм получены с помощью спектрофотометра ПЭ-6100УФ.
Дифрактограммы пленок оксида цинка, нанесенных в среде Аг-О2 с разной концентрацией кислорода, приведены на рис. 2. Согласно данным рентгеновской дифракции, синтезированные пленки 2пО имеют кристаллическую структуру вюрцита.
Из рис. 2, а видно, что при низком содержании кислорода в плазме присутствуют пики, соответствующие 2пО с поликристаллической гексагональной структурой, кроме того есть пики, характерные для металла 2п. С увеличением доли О2 до
Условия процесса осаждения оксида цинка _Zinc oxide deposition conditions_
Параметры / Parameters Значения / Values
Мишени / Targets Zn (чистота 99,999%, 372*74*6 мм), 2 шт. / Zn (purity 99.999%), 372*74*6 mm, 2 pcs
Рабочий газ/ Working fluid Ar (чистота 99,999%) / Ar (purity 99,999%)
Реакционный газ / Reaction gas О2 (чистота 99,999%) / О2 (purity 99.999%)
Доля реакционного газа, об.% / Proportion of reaction gas, vol. % 9; 18; 36
Разрядный ток магнетрона, А / Magnetron discharge current, A 2
Напряжение разряда, В / Discharge voltage, V 346-436
Частота разрядных импульсов, кГц / Frequency of discharge pulses, KHz 22
Вращение карусели с образцами, об/мин / Rotation of carousel with samples, rpm 18
Результаты исследования и их обсуждение
Рис. 1. Зависимость скорости роста пленок ZnO от содержания O2 в плазме. Fig. 1. Dependence of ZnO film growth rate on O2 content in plasma.
Рис. 2. Дифрактограммы пленок ZnO, синтезированных при различных концентрациях кислорода: а - 9 об.%; b - 18 об.%; с - 36 об.% Fig. 2. Diffraction patterns of ZnO films synthesized at different oxygen concentrations: a - 9 vol.%; b - 18 vol.% .; c - 36 vol.%
18 об.% наблюдается переход от поликристаллической структуры к ориентированной вдоль (002) кристаллографического направления (рис. 2, Ь). Наличие преимущественно пика (002) свидетельствует о сильной ориентации вдоль оси с, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки. Пленки, синтезированные при 36 об.% О2 (рис. 2, с), демонстрируют уменьшение интенсивности пика (002), что указывает на снижение степени кристалличности покрытия 2пО.
Оптимальная скорость роста качественных пленок 2пО, с высокой ориентацией кристаллов по оси с, достигается при концентрации кислорода 18 об.%. Это может быть связано с уравновешиванием частиц цинка и кислородных вакансий при таком содержании кислорода. Но с увеличением концентрации кислорода происходит подавление кислородных вакансий в пленках, и по мере того как содержание кислорода увеличивается до 36 об.%, происхо-
дит окисление поверхности мишени, что приводит к ухудшению роста пленок [16].
На рис. 3 приведена морфология поверхности и фрактограммы пленок 2пО на сапфире. Пленки ZnO при содержании О2 до 9 об.%, не прозрачны, а пленки, которые синтезировали при концентрации О2 от 18 до 36 об.% являются прозрачными и обладают хорошей адгезией к подложке.
По фрактограмме излома, представленной на рис. 3, а, видно, что пленка 2пО, синтезированная при содержании кислорода 9 об.%, состоит из пористого слоя. Пленки 2пО, сформированные с концентрацией кислорода 18 и 36 об.%, имеют плотную столбчатую структуру, причем ось колонны перпендикулярна поверхности подложки (рис. 3, Ь, о). Изображение морфологии поверхности показывает, что синтезированная пленка ZnO при 18 и 36 об.% (рис. 3, e, /), имеет довольно гладкую рельефную поверхность по сравнению с пленкой, сформированной при содержании кис-
лорода 9 об.% (рис. 3, ф. Согласно рис. 3, а каждое зерно состоит из более мелких кристаллитов, что свидетельствует о формировании незалечиваемых дефектов (предположительно, нитевидных дислокаций и малоугловых границ).
На рис. 4 показано трехмерное изображение рельефа поверхности пленок ZnO, синтезированных при различной концентрации кислорода. Средняя шероховатость поверхности пленок 2пО уменьшается с 32,60 до 3,08 нм при увеличении концентрации кислорода с 8 до 36 об.%.
На рис. 5 показаны спектры оптического пропускания пленок оксида цинка, нанесенных при различном содержании кислорода в плазме. Пленка 2пО, синтезированная при 36 об.% О2, демонстрирует высокий коэффициент пропускания в видимой и ближайшей инфракрасной области (~90%), а при концентрации кислорода 18 об.% О2 наблюдался более низкий коэффициент пропускания (менее 40 %).
Рис. 3. Фрактограммы (a, b, c) и морфология поверхности (d, e, f) пленок ZnO при различных концентрациях кислорода: 9 об.% (a, d); 18 об.% (b, e); 36 об.% (c, f) Fig. 3. Fracture patterns (a, b, c) and surface morphology (d, e, f) of ZnO films at different oxygen concentrations: 9 vol.% (a, d); 18 vol.% (b, e); 36 vol.% (c, f)
m
R = 32,60 нм
R = 6,03 нм
R = 3,08 нм
a b c
Рис. 4. Топология поверхности пленок ZnO размером 5x5 мкм, синтезированных
при различной концентрации кислорода: a - 9 об.%; b - 18 об.%; c - 36 об.% Fig. 4. Topology of ZnO film surfaces with dimensions of 5x5 jm synthesized at different oxygen concentrations: a - 9 vol.%; b - 18 vol.%; c - 36 vol.%
EL
Длина волны / Wave length A, nm
Рис. 5. Спектры пропускания пленок ZnO при различной концентрации кислорода в плазме Fig. 5. Transmission spectra of ZnO films at different oxygen concentrations in plasma
Коэффициенты поглощения а пленок 2пО в области края собственного поглощения хорошо описываются выражением:
(ahv)2 = A(hv - Eg),
где А - константа, hv - энергия кванта света, Ед - ширина запрещенной зоны. Такая
зависимость свидетельствует о том, что материалы исследуемых пленок являются прямозонными полупроводниками [17].
Из рис. 6 методом экстраполяции линейных участков соответствующих кривых зависимостей (ahv)2 = f(hv) до пересечения с осью энергий hv определены значения ширины запрещенной зоны пленок ZnO.
Рис. 6. Спектральная зависимость квадрата коэффициента поглощения пленок ZnO Fig. 6. Spectral dependence of the ZnO film absorption coefficient square
Значения ширины запрещенной зоны сформированных пленок при различной концентрации кислорода в плазме состав-
ляют около 3,195 и 3,200 эВ, что меньше, чем у соответствующего объемного материала.
Заключение
Проведен синтез пленок ZnO на подложках из сапфира методом дуального магнетронного распыления Zn мишени на постоянном токе в газовой среде Аг-02 с разной концентрацией кислорода. Установлено, что скорость роста пленок ZnO уменьшается по мере увеличения содержания O2 в плазме. По данным рентгеновской дифракции пленок, синтез в условиях малой концентрации кислорода (9 об.%) приводит к образованию покрытия, состоящего из ZnO и металлического Zn с поликристаллической гексагональной структурой. С увеличением концентрации кислорода (18-36 об.%) осаждаются покрытия с преимущественной ориентацией (002) вдоль оси, перпендикулярной поверхности подложки.
Данные электронной микроскопии показали, что при содержании кислорода
ниже 18 об.% растут пористые пленки 2пО. Пленки, синтезированные при концентрации кислорода равной и превышающей 18 об.%, имеют плотную столбчатую структуру.
Исследование микрорельефа поверхности пленок 2пО показало, что среднее значение шероховатости зависит от концентрации кислорода в плазме. Установлено, что с повышением концентрации кислорода в плазме коэффициент свето-пропускания в видимой и ближайшей инфракрасной области, а также ширина запрещенной зоны пленок 2пО возрастают.
Исследования выполнены в рамках государственного задания Минобрнауки РФ, программы развития опорного университета на базе БГТУ им. В.Г. Шухова с использованием оборудования ЦВТ БГТУ им. В.Г. Шухова.
Библиографический список
1. Достанко А.П., Агеев О.А., Голосов Д.А., Завадский С.М., Замбург Е.Г., Вукалов Д.Е., Вукалов З.Е. Электрические и оптические свойства пленок оксида цинка, нанесенных методом ионно-лучевого распыления оксидной мишени // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 9. С. 1274-1279.
2. Бураков В.С., Тарасенко Н.В., Невар Е.А., Неделько М.И. Морфология и оптические свойства наноструктур оксида цинка, синтезированных методами термического и электроразрядного распыления // Журнал технической физики. 2011. Т. 81. №. 2. С. 89-97.
3. Ващилин В.С., Корнилов А.В. Нарцев В.М., Зайцев С.В., Прохоренков Д.С. Морфология пленок оксида цинка, полученных реактивным магнетронным распылением // Материалы Региональной научно-технической конференции по итогам конкурса ориентированных фундаментальных исследований по междисциплинарным темам, проводимого Российским фондом фундаментальных исследований и правительством Белгородской области (Белгород, 9-10 апреля 2015 г.). Белгород, 2015. С. 84-91.
4. Natsume Y., Sakata H. Electrical conductivity and optical properties of ZnO films annealed in hydrogen atmosphere after chemical vapor deposition // Journal
of Materials Science: Materials in Electronics. 2001. V. 12. № 2. Р. 87-92.
5. Foley M., Ton-That C., Phillips M.R. Luminescent properties of ZnO structures grown with a vapour transport method // Thin solid films. 2010. V. 518. №. 15. P. 4231-4233.
6. Бобров М.А. Торопов А.А., Иванов С.В., El-Shaer A., Bakin A., Waag A. Экситонный спектр квантовых ям ZnO/ZnMgO // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. №. 6. С. 783-787.
7. Wang S.P., Shan C.X., Yao B., Li B.H., Zhang J.Y., Zhao D.X., Shen D.S., Fan X.W. Electrical and optical properties of ZnO films grown by molecular beam epitaxy // Applied Surface Science. 2009. V. 255. №. 9. P. 4913-4915.
8. Li Z., Hu Z., Liu F., Sun J., Huang H., Zhang X., Wang Y. High-quality hexagonal ZnO crystals grown by chemical vapor deposition // Materials Letters. 2011. V. 65. №. 5. P. 809-811.
9. Sang B., Nagoya Y., Kushiya K., Yamase O. MOCVD-ZnO windows for 30 cmx30 cm CIGSbased modules // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2003. V. 75. P. 179-184.
10. Suchea M., Christoulakis S., Tibeica C., Kathara-kis M., Kornilios N., Efthimiopoulos T., Koudoumas E. Structural and morphological properties of thin ZnO
films grown by pulsed laser deposition // Applied Surface Science. 2008. V. 254. №. 17. P. 5475-5480.
11. Зайцев С.В., Нарцев В.М., Ващилин В.С., Прохо-ренков Д.С., Евтушенко Е.И. Микроструктура и морфология поверхности тонких покрытий AIN, формируемых на сапфире дуальным магнетронным распылением // Российские нанотехнологии. 2016. Т. 11. № 5-6. С. 18-22.
12. Кузьмичев А.И. Магнетронные распылительные системы. Введение в физику и технику магнетронно-го распыления. Киев: Аверс, 2008. 244 с.
13. Нарцев В.М., Агеева М.С., Прохоренков Д.С., Зайцев С.В., Карацупа С.В., Ващилин В.С. Влияние условий осаждения высококачественных AIN и SiC на характеристики покрытий // Вестник Белгородского государственного технологического университета им. В.Г. Шухова. 2013. № 6. С. 168-172.
14. Аракелова Э.Р., Хачатрян А.М., Авджян К.Э., Арамян Н.С., Геворкян В.А., Григорян С.Г., Мирзоян
Г.Н. Осаждение высокоомных ориентированных пленок ZnO при низких температурах методом dc-магнетронного напыления на стеклянных, si и pedot-pss, pedot-pss (пвс) подложках // Известия НАН Армении, Физика. 2011. Т. 46. № 6, С. 451-460.
15. Hsu C.W., Cheng T.C., Yang C.H., Shen Y.L., Wu J.S., Wu S.Y. Effects of oxygen addition on physical properties of ZnO thin film grown by radio frequency reactive magnetron sputtering // Journal of Alloys and Compounds. 2011. V. 509. Р. 1774-1776.
16. Hu Y., Chen Y.Q., Wu Y.C., He C.Q., Wang M.J., Fang G.J., Structural, defect and optical properties of ZnO films grown under various O2/Ar gas ratios // Applied Surface Science. 2009. V. 255. №. 22. P. 92799284.
17. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 366 с.
References
1. Dostanko A.P., Ageev O.A., Golosov D.A., Zavadskij S.M., Zamburg E.G., Vukalov D.E., Vukalov Z.E. Jelektricheskie i opticheskie svojstva plenok oksida cinka, nanesennyh metodom ionno-luchevogo raspylenija oksidnoj misheni [Electrical and optical properties of zinc-oxide films deposited by the ion-beam sputtering of an oxide target]. Fizika i tehnika po-luprovodnikov [Physics and Technology of Semiconductors]. 2014, vol. 48, no. 9, pp. 1274-1279. (In Russian)
2. Burakov V.S., Tarasenko N.V., Nevar E.A., Nedel'ko M.I. Morfologija i opticheskie svoj-stva nanos-truktur oksida cinka, sintezirovannyh metodami termicheskogo i jelektrorazrjad-nogo raspylenija [Morphology and optical properties of zinc oxide nanostruc-tures synthesized by the methods of thermal and discharge sputtering]. Zhurnal tehnicheskoj fiziki [Journal of Technical Physics]. 2011, vol. 81, no. 2, pp. 89-97. (In Russian)
3. Vashhilin V.S., Kornilov A.V. Narcev V.M., Zajcev S.V., Prohorenkov D.S. Morfologija plenok oksida cinka, poluchennyh reaktivnym magnetronnym raspyleniem [Morphology of zinc oxide films obtained by reactive magnetron sputtering]. Materialy Regional'noj nauchno-tehnicheskoj konferencii po itogam konkursa orientiro-vannyh fundamental'nyh issledovanij po mezhdiscipli-narnym temam, provodimogo Rossijskim fondom fundamental'nyh issledovanij i pravitel'stvom Belgorodskoj oblasti [Proceedings of the Regional Scientific and Technical Conference on the results of the competition of oriented fundamental researches on interdisciplinary themes conducted by the Russian Foundation for Fundamental Researches and the Government of the Belgorod Region]. Belgorod, 2015, pp. 84-91. (In Russian)
4. Natsume Y., Sakata H. Electrical conductivity and optical properties of ZnO films annealed in hydrogen atmosphere after chemical vapor deposition. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2001, vol. 12, no. 2, pp. 87-92.
5. Foley M., Ton-That C., Phillips M.R. Luminescent properties of ZnO structures grown with a vapour transport method // Thin solid films. 2010, vol. 518, no. 15, pp. 4231-4233.
6. Bobrov M.A. Toropov A.A., Ivanov S.V., El-Shaer A., Bakin A., Waag A. Jeksitonnyj spektr kvantovyh jam ZnO/ZnMgO [Exciton spectrum of ZnO/ZnMgO quantum wells]. Fizika i tehnika poluprovodnikov [Physics and Technology of Semiconductors]. 2011, vol. 45, no. 6, pp. 783-787. (In Russian)
7. Wang S.P., Shan C.X., Yao B., Li B.H., Zhang J.Y., Zhao D.X., Shen D.S., Fan X.W. Electrical and optical properties of ZnO films grown by molecular beam epitaxy. Applied Surface Science. 2009, vol. 255, no. 9, pp. 4913-4915.
8. Li Z., Hu Z., Liu F., Sun J., Huang H., Zhang X., Wang Y. High-quality hexagonal ZnO crystals grown by chemical vapor deposition. Materials Letters. 2011, vol. 65, no. 5, pp. 809-811.
9. Sang B., Nagoya Y., Kushiya K., Yamase O. MOCVD-ZnO windows for 30 cmx30 cm CIGSbased modules. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2003, vol. 75, pp. 179-184.
10. Suchea M., Christoulakis S., Tibeica C., Katharakis M., Kornilios N., Efthimiopoulos T., Koudoumas E. Structural and morphological properties of thin ZnO films grown by pulsed laser deposition. Applied Surface Science. 2008, vol. 254, no. 17, pp. 5475-5480.
11. Zajcev S.V., Narcev V.M., Vashhilin V.S., Prohorenkov D.S., Evtushenko E.I. Mikro-struktura i morfologija poverhnosti tonkih pokrytij AlN, formiruemyh na sapfire dual'nym magnetronnym raspyleniem [Microstructure and surface morphology of thin AlN films formed on sapphire by dual magnetron sputtering]. Rossijskie nanotehnologii [Russian nanotechnologies]. 2016, vol. 11, no. 5-6, pp. 18-22. (In Russian)
12. Kuz'michev A.I. Magnetronnye raspylitel'nye siste-my. Vvedenie v fiziku i tehniku magnetronnogo raspyl-
enija [Magnetron spray systems. Introduction to the physics and technology of magnetron sputtering]. Kiev, Avers Publ., 2008, 244 р. (In Russian)
13. Narcev V.M., Ageeva M.S., Prohorenkov D.S., Zajcev S.V., Karacupa S.V., Vashhilin V.S. Vlijanie uslovij osazhdenija vysokokachestvennyh AlN i SiC na harakteristiki pokrytij [Influence of deposition conditions of high-quality AlN and SiC on coating characteristics]. Vestnik Belgorodskogo gosudarstvennogo tehnolog-icheskogo universiteta im. V.G. Shuhova [Bulletin of BSTU]. 2013, no. 6, рр. 168-172. (In Russian)
14. Arakelova Je.R., Hachatrjan A.M., Avdzhjan K.Je., Aramjan N.S., Gevorkjan V.A., Grigorjan S.G., Mirzojan G.N. Osazhdenie vysokoomnyh orientirovann-yh plenok ZnO pri nizkih temperaturah metodom dc-magnetronnogo napylenija na stekljannyh, si i pedot-pss, pedot-pss (pvs) podlozhkah [Formation of high-ohmic oriented ZnO films on glass, Si and PEDOT-
Критерии авторства
Зайцев С.В., Ващилин В.С., Колесник В.В., Лима-ренко М.В., Прохоренков Д.С., Евтушенко Е.И. имеют на статью равные авторские права и несут равную ответственность за плагиат.
Конфликт интересов
Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.
Статья поступила 27.07.2017 г.
PSS, PEDOT-PSS(PVA) substrates at low temperature by dc-magnetron deposition]. Izvestija NAN Armenii, Fizika [Izvestiya NAS of Armenia, Physics]. 2011, vol. 46, no. 6, pp. 451-460.
15. Hsu C.W., Cheng T.C., Yang C.H., Shen Y.L., Wu J.S., Wu S.Y. Effects of oxygen addition on physical properties of ZnO thin film grown by radio frequency reactive magnetron sputtering. Journal of Alloys and Compounds. 2011, vol. 509, pp. 1774-1776.
16. Hu Y., Chen Y.Q., Wu Y.C., He C.Q., Wang M.J., Fang G.J., Structural, defect and optical properties of ZnO films grown under various O2/Ar gas ratios. Applied Surface Science. 2009, vol. 255, no. 22, pp. 9279-9284.
17. Uhanov Ju.I. Opticheskie svojstva poluprovodnikov [Optical properties of semiconductors]. Moscow, Nauka Publ., 1977, 366 p. (In Russian)
Authorship criteria
Zaitsev S.V., Vashchilin V.S., Kolesnik V.V., Limarenko M.V., Prokhorenkov D.S., Evtushenko E.I. have equal authors' rights and bear equal responsibility for plagiarism.
Conflict of interests
The authors declare that there is no conflict of interests regarding the publication of this article.
The article was received 27 July 2017
