CC BY
242. Рыбин Ю. К. Условия возбуждения и установления синусоидальных автоколебаний в RC-генераторах // Изв. Томск. политехн. у-та. 2003. Т. 306, № 3. С. 77-83.
3. Кисель В. А. Аналоговые и цифровые корректоры: справ. М.: Радио и связь, 1986. С. 101-109.
4. Белов А. В. Методы преобразования электрических цепей на основе нуллоров // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2012. Вып. 2. С. 30-37.
5. Белов А. В., Кононов С. В. Топологические преобразования передаточной функции цепи по напряжению с помощью идеальных усилительных элементов-нуллоров // XXXII Неделя науки СПбГТУ, 22-27 нояб. 2003: мат-лы межвуз. науч. конф. СПб.: Изд-во СПбГТУ, 2004. Ч. V. C. 229-231.
6. Дэвис А. К. Нуллаторно-нораторные эквивалентные схемы для управляемых источников // ТИИЭР. 1967. Т. 55, № 5. С. 136-140.
7. Kumar P., Senani R. Bibliography on nullors and their applications in circuit analysis, synthesis and design // Analog integrated circuits and signal processing. 2002. Vol. 33, № 1. P. 65-76.
8. Синтез активных RC-цепей // Современное состояние и проблемы: сб. ст. / под ред. А. А. Ланнэ. М.: Связь, 1975. С. 68-121.
A. V. Belov, Y. M. Inshakov
Saint-Petersburg state electrotechnical university "LETI"
RC-harmonic oscillators with topological equivalent nullors transformation
Realization of schemes of harmonic oscillators on the basis equivalent nullors transformation are considered. New schemes of the oscillators are offered.
Harmonic oscillations, active RC-circuit, equivalent nullors transformation
Статья поступила в редакцию 13 июня 2012 г.
УДК 537.226.4:544
Н. В. Мухин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет "ЛЭТИ"
Фазовый анализ процессов получения системы оксидов циркония, титана и свинца*
Проведен термодинамический анализ фазовых равновесий в системе оксидов циркония, титана и свинца (ЦТС) построением фазовых диаграмм в координатах температуры, активностей компонентов и состава твердого раствора ЦТС. Рассчитана кинетика испарения оксида свинца с поверхности пленок ЦТС в ходе их высокотемпературной обработки. На основе полученных результатов даны рекомендации по выбору условий получения ЦТС.
Цирконат-титанат свинца, фазовые диаграммы, гетерофазная система
Сегнетоэлектрические пленки, обладающие свойствами переключения спонтанной поляризации, высокой диэлектрической проницаемости, диэлектрической нелинейности, пиро- и пьезоактивности, создают условия для реализации на их основе широкого спектра приборов электроники и техники [1]. Уникальные свойства сегнетоэлектрических пленок являются основой не только улучшения параметров существующих, но и создания принципиально новых устройств. В последние годы интенсивное развитие получили новые идеи, связанные с разработкой гетерофазных сегнетоэлектрических систем [2].
* Работа выполнена в рамках Государственного задания Минобрнауки, проект № 1.2.07. 88 © Мухин Н. В.., 2012
На сегодняшний день наибольший практический интерес среди многообразия сегне-тоэлектрических материалов представляют твердые растворы цирконата-титаната свинца (ЦТС) РЬ О3, характеризующиеся широким спектром значений физических па-
раметров в зависимости от соотношения Хх/Т'. Технология ЦТС отличается разнообразием, обусловленным поисками оптимального решения вопросов получения требуемых состава и структуры тонких пленок, а также совместимости выбранной технологии с процессами формирования структур в целом. Наиболее часто для получения пленок ЦТС используется двухстадийный метод. На первой стадии на подложку наносится аморфный слой, кристаллизация которого осуществляется в ходе последующей высокотемпературной обработки (вторая стадия) при температурах 520...700 °С в зависимости от материала и от степени обработки подложки. Летучесть паров оксида свинца при отжиге усложняет проблему получения пленок с нужными составом и свойствами. ЦТС может обладать нестехиометрией по свинцу и кислороду [3], колебания элементного состава приводят к изменениям кристаллической структуры, фазового состава, характера электрически активных дефектов и (как следствие) электрофизических свойств пленок [4].
Настоящая статья является продолжением проводившихся на кафедре микроэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" исследований, связанных с получением тонких пленок ЦТС и изучением их структуры, фазового состава и электрофизических свойств в зависимости от условий формирования пе-ровскитовой фазы [2], [5]. В результате исследования состава пленок ЦТС методом малоугловой рентгеновской дифракции показано [5], что увеличение температуры и времени отжига приводит к появлению включений оксида свинца в пленках ЦТС, что существенным образом изменяет электрофизические свойства тонкопленочных конденсаторных структур на их основе. Изучение указанной особенности позволит, с одной стороны, разработать методики контроля состава пленок ЦТС по свинцу, оптимизации режимов отжига и управления фазовым соотношением ЦТС-РЬО в гетерофазных пленках, а с другой - расширит возможности пленок ЦТС за счет контролируемого комбинирования свойств сегнетоэлектри-ческого и полупроводникового компонентов в рамках гетерофазной системы ЦТС-РЬО.
Теоретическое рассмотрение процессов получения ЦТС и влияния температуры, давления и времени на фазовый состав получаемого материала может быть с определенной долей упрощений и предположений выполнено в рамках термодинамики и химической кинетики. Корректность применения статистического подхода при анализе тонкопленочных материалов с микроскопическими включениями фаз является объектом дискуссий, однако о возможности его использования для исследованных образцов может говорить факт получения на них рентгенограмм в широком диапазоне углов дифракции, свидетельствующих о наличии дальнего порядка.
В четырехкомпонентной системе "свинец-цирконий-титан-кислород" могут существовать различные химические соединения, показанные на концентрационном тетраэдре Гиббса (рис. 1). Кристаллографические параметры этих веществ приведены в обзоре [6].
Компоненты парогазовой фазы, характерные для систем оксидов циркония, титана и свинца, рассмотрены в [7]. Среди них наибольшей летучестью обладают соединения оксида
Известия вузов России. Радиоэлектроника. 2012. Вып. 5======================================
свинца. Экспериментальные зависимости парциальных давлений РЬО для различных составов ЦТС приведены в работах [3], [6]. Как показано в [3], именно летучестью РЬО во многом определятся как нестехиометрия ЦТС, так и фазовый состав системы на основе оксидов РЬ0-2г02 — ТЮ2.
Существует два типа диаграмм, при построении которых учитывается состав парогазовой фазы: р-Г-х-диаграммы и диаграммы парциальных давлений [8]. В настоящей статье теоретически рассчитаны и построены диаграммы второго типа. Диаграммы парциальных давлений позволяют решать ряд вопросов, связанных с термической устойчивостью составляющих систему фаз, с возможностью или невозможностью протекания химических реакций, а также выбрать схему тех или иных технологических процессов, осуществляемых в равновесных условиях или в условиях, близких к ним и основанных на превращениях с участием конденсированных фаз и газов. Указанный метод термодинамического анализа позволяет не только определить наиболее вероятные в исследуемой системе реакции, но и проследить за равновесными фазовыми и химическими превращениями исходных веществ в зависимости от конкретных условий [8].
Следует отметить, что для четырехкомпонентных систем, в которых помимо химических соединений могут образовываться твердые растворы (а именно к таким системам относится ЦТС), построение диаграмм указанного типа является весьма трудоемким, по-
РЬ
2г9РЫ
Т1?РЬ ТьРЪ
Ъх
Рис. 1
Рис. 2
скольку имеет шесть осей координат - четыре химических элемента, температуру и состав твердого раствора. Для построения и анализа таких сложных многомерных диаграмм разработана программа для ЭВМ [9]. Алгоритм ее работы основан на автоматизированном составлении всевозможных схем превращения конденсированных и парогазовых веществ в выбранной системе и последующем термодинамическом расчете полученных схем минимизацией свободной энергии системы, вариация которой осуществляется по всем параметрам состояния. Окна программы с результатом расчета р-Т-диаграммы для бинарной системы РЬ-0 показаны на рис. 2.
Диаграмма фазовых равновесий системы РЬО - 7хС>2 ~ Т1О2 строилась в коор-
динатах давления кислорода ро , температуры, активностей РЬО, Zr02, ТЮ2 и состава х твердого раствора ЦТС. Активность у'-го вещества определялась как отношение его парциального давления над рассматриваемой системой р^ к давлению над чистым
компонентом при той же температуре рду :
Ду = Р//Р{)/. Термодинамические функции
для расчета были взяты из [6]. На рис. 3-5 представлены трехмерные изотермические проекции данной шестимерной диаграммы, построенные при температуре t = 600 °С, Ро2 -1 атм для трех различных составов
ЦТС: х = 1 (рис. 3), 0 (рис. 4) и 0.5 (рис. 5). В таблице приведены буквенные обозначения двухфазных плоскостей (линий) равновесия. В направлении возрастания активности йТрЬО диаграммы ограничены плоскостями конденсации соединений оксида свинца, поскольку выше этих плоскостей фазовые пространства физически не реализуемы.
Построенные диаграммы определяют области термодинамической устойчивости фаз ЦТС и оксидов свинца, а также условия, при которых оказывается возможным образование гетерофазной системы "ЦТС-оксид свинца".
10
арьо
КГ
Нх
10"
^10~3 'ягг09
Рис. 3
аРЬО
-1
10
10"2 |,ТЮ2
кг3
аТ102 РЬ02 -1
10
18
10
-12
10"
Т10
10° Рис. 4
Щ р02
атм
ггТ1206
Рэ К Qз
я
ЯТЮ; 100
10 10 10
-1
-2
-3
^гТЮ4
М э
^э
10"
ю-4 Ю"3
10"
аРЬ0
10"
100
Рис. 5
6
2
1
Плоскость (линия) на диаграмме Сосуществующие фазы Плоскость (линия) на диаграмме Сосуществующие фазы Плоскость (линия) на диаграмме Сосуществующие фазы
Б2С2 N2 р РЬО, ТЮ2 ггТЮ4,2гТ12О6 АЬШ рьггх хОз, рь
А3В3С3 Б3 Е3 А2 ^2 - 2 В2
Ь ^зСз гЮ2, Тю2 ¿збз Щ1з РЬ2Гх Т^ х Оз, ггтю4 Е^ рьггх хОз, рь02
О3Р3 зЬ ТЮ2, 2гТ12О6 Е2С2 Н 2 ^2
К2 ^2 РЬ2гх х Оз, тю2 ОзЬз 1з рьггх х Оз, 2гть06 В1ЕЛС1 рьггх хОз, рь304
кз°з 13Е3 Аз В2 Е2 Е2С2
рьо, гю2 ОАвр РЬО, РЬ Т2 Н 2^2^2 РЬО2, ТЮ2
Ез°знзсзрз 02 А2 В2 Р2 Р2 В2 -202 ^2 РЬ, ТЮ2
АВСВ РЬ2гх х Оз, рьо мв^щ РЬзО4, РЬО Щ2С2 F2T2 РЬзО4, ТЮ2
А2 В2С2 в2 М 2 В2С2 N2 PlBlJlQlRl рь, гю2
Аз ВД РЬзО4, РЬО2 N1^1 рьзо4, гю2
ЗзМз N 1з гю2, ггТЮ4 ^2 Е2 Е2Т2 рьо2, гю2
РЬ2гх х Оз, 2Ю2 - - - -
Ез Ез1з
Из рассмотрения представленных проекций фазовой диаграммы следует, что при традиционных технологических условиях двухстадийного метода получения пленок ЦТС с избытком свинца в формируемом материале помимо ЦТС возможно образование еще, как минимум, двух фаз: монооксида свинца и красного сурика. В этой области формируемая система будет наименее устойчива. Для улучшения стабильности композита и, соответственно, обеспечения лучшей воспроизводимости свойств материала необходимо подобрать условия, при которых вероятность выпадения третьей фазы будет максимально снижена. Из анализа рис. 3-5 следует, что это может быть достигнуто двумя способами: либо понижением давления кислорода, либо увеличением температуры отжига.
Анализ особенностей отжига ЦТС только в рамках термодинамического подхода недостаточен, особенно без рассмотрения кинетических процессов на границе "ЦТС-воздух". Сложные гетерогенные процессы протекают, как правило, в несколько последовательных стадий, среди которых можно выделить диффузионную доставку химических реагентов (в данном случае свинца и кислорода) к реакционной поверхности (к границе раздела "ЦТС-воздух"); адсорбцию молекул и атомов реагентов поверхностью; диффузию атомов и молекул по поверхности; химическое взаимодействие между частицами на реакционной поверхности (свинец испаряется не атомарно, а в виде молекул РЬО, т. е. на поверхности должна протекать реакция образования молекулярного оксида свинца в результате химического взаимодействия атомов свинца и кислорода); десорбцию продуктов реакции с поверхности (испарение оксида свинца); диффузионный отвод продуктов реакции от поверхности в глубь внешней среды (очевидно, поток испаряющегося оксида свинца с поверхности ЦТС будет зависеть от давления газовой среды, в которой происходит высокотемпературный отжиг).
Полный расчет такого многостадийного процесса является весьма нетривиальной задачей из-за необходимости использования большого числа кинетических параметров, многие из которых неизвестны. В настоящей статье использовано следующее упрощение,
позволяющее обойти указанное затруднение. Задача разбивалась на две части, которые решались отдельно. С одной стороны, вычислялся стационарный поток испаряющегося оксида свинца с поверхности ЦТС. С другой - рассматривался процесс перераспределения свинца между объемом пленки ЦТС и ее свободной поверхностью: определялся поток атомов свинца, диффундирующих из объема пленки конечного размера (источника ограниченной мощности) к поверхности за счет градиента концентрации и различной растворимости свинца в этих областях. По разнице двух потоков можно судить об обогащении либо об обеднении поверхности ЦТС свинцом.
При испарении вещества его частицы находятся в конкурирующем взаимодействии: испарение каждой частицы приводит к увеличению концентрации данного вещества в паре, что препятствует испарению соседних частиц. При этом выполняется соотношение*
uj RT ]
где Jsv - количество молекул, уходящих с единицы площади поверхности в единицу времени; Qsv - вероятность ухода молекулы в единицу времени; nsy - количество молекул на единице площади поверхности, способных уйти в пар; Usv - энергия активации испарения; R - газовая постоянная; Т - абсолютная температура; avs - вероятность прилипания молекулы к поверхности; p - давление; mQ - масса молекулы; к - постоянная Больц-
мана. Численный расчет потока молекул оксида свинца, испаряющихся с единицы площади поверхности ЦТС в единицу времени, осуществлялся на основе экспериментальных данных по методам эффузии из ячейки Кнудсена и гравиметрического анализа [3]. При этом сделана поправка на то, что испарение молекул оксида свинца происходит не в вакууме, как это рассмотрено в [3], а на воздухе согласно уравнению химической реакции Pb Zr, Ti 03 <=t Pb]_y Zr, Ti 03_y_§ + уРЬО T + 5/2 02 T,
где у и 5 - коэффициенты катионной и анионной нестехиометрии соответственно. Согласно реакции произведения давлений паров оксида свинца и кислорода, возведенных в степень коэффициентов отклонения от стехиометрии по свинцу и по кислороду, дают константу равновесия, зависящую только от температуры. Температурный ход стехиометри-ческих коэффициентов для ЦТС в зависимости от активностей свинца и кислорода был рассчитан на основе данных [10]. Температурная зависимость потока молекул оксида свинца, испаряющихся с единицы площади поверхности ЦТС в единицу времени Jsv, полученная на основании приведенных ранее соображений, показана на рис. 6.
Поток атомов свинца из объема ЦТС к его поверхности определяется формулой
Jbs t -D\_dC х, t /dx~^=z , где D - коэффициент диффузии; С - концентрация диффундирующих атомов; z - координата в направлении, перпендикулярном поверхности; zs -координата поверхности на оси z. Концентрация диффундирующих частиц Cb в объеме пленки ЦТС описывается уравнением
В этом и в дальнейших соотношениях в индексах переменных использованы следующие обозначения областей локализации свинца: b (bulk) - пленка ЦТС; s (surface) - поверхность; v (vapor) - парогазовая фаза.
3, 1 см2
ЭСЬ г, I /& = Бд2сь г, ^ дг2
3
с начально-краевыми условиями
Сь г, 7 = 0 =С0Ь г , Сь г = Г =СЬз Г .
10 ' / /
_I_I_I_
700 800 900 1000 Г, К
Рис. б
Концентрация атомов свинца на поверхности пленки С5 определяется уравнениями -1)дСъ г, I /&| _ =НсК\ I /¿Л;
С8 Г /[\-С5 Г ] = аСЬ8 I !\}-Сы I ],
где Н - толщина пленки, а - коэффициент поверхностной сегрегации.
Поток атомов свинца из пленки к поверхности эквивалентен потоку вакансий по свинцу в глубь ЦТС с той лишь разницей, что их движение происходит в противоположных направлениях. Так как концентрация последних гораздо меньше на фоне концентрации атомов в кристалле, удобнее рассматривать именно перенос вакансий, что и делалось в расчетах. Для определения температурной зависимости предельной растворимости использовалась граница области гомогенности ЦТС по свинцу (на диаграммах рис. 3-5 она представлена плоскостями, разделяющими сосуществующие фазы ЦТС и РЬО). Также было учтено, что вакансии по свинцу существуют в ЦТС преимущественно в двукратно ионизированном состоянии, а следовательно, их концентрация и распределение должны определенным образом соотноситься с соответствующими характеристиками для ионизированных кислородных вакансий из-за электростатического взаимодействия зарядов и соблюдения условия электронейтральности. Поэтому в качестве эффективного коэффициента диффузии принята величина для вакансионного комплекса, рассчитанная по ассоциативной модели.
Начальное распределение вакансий в объеме ЦТС задавалось однородным. Их начальные концентрации принимались равновесными и находились из системы квазихимических уравнений, связывающих через константы равновесия к^, 7 =1, 4, концентрации двукратно ионизированных вакансий по свинцу С^р^—, по кислороду , их ней-
тральных комплексов С^оу^^о, электронов (^ и дырок с активностью оксида свинца и давлением кислорода:
В момент времени ^ = 0+ начинался расчет массопереноса. На рис. 6 представлена температурная зависимость потока атомов свинца, подводимого к единице площади свободной поверхности ЦТС из объема рассчитанная для 30-й минуты с начала отжига. С увеличением продолжительности процесса эта кривая сдвигается вниз параллельно самой себе.
Сравнительный анализ кривых 35у и показывает, что при низких температурах
отжига с поверхности ЦТС испаряется меньше свинца, чем к ней подводится. Следовательно, при низких температурах происходит обогащение поверхности ЦТС избыточным свинцом. В области высоких температур соотношение потоков меняется на противопо-
е
укОкРЬ0 3'
к3; Се"С11+
ложное, т. е. происходит обеднение поверхности ЦТС свинцом. Следует отметить, что допускать сильное обеднение крайне нежелательно, поскольку при этом могут быть нарушены условия формирования перовскитовой структуры пленки. Для получения представления об общем количестве свинца в приповерхностной области ЦТС, накопленного и ушедшего за период термообработки, мгновенные значения потоков необходимо проинтегрировать по времени. При фиксированной температуре интегрирование разности данных потоков по времени позволяет наблюдать ретроградный характер смены динамики процесса с обогащения на обеднение с увеличением длительности термообработки. Расчеты показывают, что при условиях отжига, использованных в работе [5], поверхность пленки ЦТС должна была обогащаться свинцом, что, в свою очередь (так как для ЦТС коэффициент у всегда положителен), должно инициировать выделение новой фазы - оксида свинца, а это согласуется с экспериментальными данными [5].
На основании полученных результатов можно дать следующие рекомендации по условиям получения пленок ЦТС. При традиционных технологических условиях двухста-дийного метода получения пленок ЦТС с избытком свинца в случае квазиравновесного отжига температура формирования системы должна быть минимально достаточной для кристаллизации ЦТС в структуре перовскита (550...580 °С), но при этом термообработку
системы желательно проводить при давлениях кислорода порядка 10 атм. Если отжиг осуществляется на воздухе, то предпочтителен быстрый термический отжиг при повышенных температурах. Перед нанесением последующих слоев необходимо удалить пленку оксида свинца с поверхности ЦТС для улучшения качества границы раздела.
Автор выражает глубокую благодарность В. П. Афанасьеву, О. Ф. Луцкой и Л. Г. Алексеевой за замечания и полезные обсуждения.
Список литературы
1. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / под ред. К. М. Рабе, Ч. Г. Анна, Ж. М. Трискона; пер. с англ. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. 440 с.
2. Тонкопленочный конденсатор M/Pb(Ti,Zr)O3/M как поляризационно-чувствительный фотоэлемент / Л. А. Делимова, В. С. Юферев, В. П. Афанасьев и др. // ФТТ. 2009. Т. 51, № 6. С. 1149-1153.
3. Holman R., Fulrath R. M. Intrinsic nonstoichiometry in the lead-zirconate lead-titanate system determined by Knudsen effusion // J. appl. phys. 1973. Vol. 44. P. 5227-5231.
4. Особенности процесса кристаллизации тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца / С. А. Кукушкин, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин и др. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 4. С. 37-43.
5. Афанасьев В. П., Мухин Н. В., Чигирев Д. А. Влияние термообработки на свойства тонких пленок цирконата-титаната свинца, осажденных методом высокочастотного магнетронного распыления // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2011. Вып. 6. С. 79-84.
6. Cancarevic M., Zinkevich M., Aldinger F. Thermodynamic assessment of the PZT system // J. ceram. soc. Jap. 2006. Vol. 114, № 11. P. 937-946.
7. Куликов И. С. Термодинамика оксидов: справ. изд. М.: Металлургия, 1986. 344 с.
8. Пашинкин А. С., Спивак М. М., Малкова А. С. Применение диаграмм парциальных давлений в металлургии. М.: Металлургия, 1984. 160 c.
9. Свид. о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2012610268 "Программа для построения проекций многомерных диаграмм фазовых равновесий в координатах температуры и давлений двух-, трех- и четырех-компонентных систем" / Н. В. Мухин. Зарег. в реестре программ для ЭВМ 10.01.2012.
10. Sanjeev A., Ramesh R. Point defect chemistry of metal oxide heterostructures // Ann. rev. of materials research. 1998. Vol. 28. P. 463-499.
Известия вузов России. Радиоэлектроника. 2012. Вып. 5======================================
N. V. Mukhin
Saint-Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Phase analysis of zirconium, titanium and lead oxides formation
The thermodynamic analysis of phase equilibrium in the oxides of zirconium, titanium and lead was carried out by the construction of the phase diagrams in coordinates of temperature, activities and composition of PZT solid solution. The kinetics of evaporation of lead oxide from the surface of PZT films were calculated for the high-temperature processing. On the basis of the results, the recommendations were given for the selection of conditions of lead zir-conate titanate formation.
Lead zirconate titanate, phase diagrams, heterophase system
Статья поступила в редакцию 24 сентября 2012 г.
УДК 621.315.592.4
И. Е. Грачёва, С. С. Карпова, В. А. Мошников
Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет "ЛЭТИ"
Диагностика газочувствительных свойств наноматериала
*
на основе оксида цинка в переменном электрическом поле
Приведены результаты исследования импедансного отклика нанокомпозиционного материала на основе ZnO, полученного золь-гель-методом, к парам органических растворителей. Установлены новые возможности для увеличения чувствительности и селективности систем типа "электронный нос" при воздействии на образец, находящийся при определенной рабочей температуре, возмущающего электрического поля с переменной частотой.
Спектроскопия импеданса, газовые сенсоры, оксид цинка, "электронный нос", эквивалентная электрическая схема, CPE
В современной сенсорике в качестве газочувствительных слоев широко используются слои металлооксидов, обладающие электронным типом проводимости (SnO2, 1П2О3, ZnO, Fe2O3, CuO, ТЮ2 и др.) [1]. Принцип действия полупроводниковых газовых сенсоров на основе металлооксидных слоев заключается в обратимом изменении электрофизических свойств последних при адсорбции заряженных форм кислорода и десорбции продуктов их реакций с молекулами восстанавливающих газов при рабочих температурах.
Перспективными направлениями развития сенсорики на металлооксидах являются создание датчиков с высокой газочувствительностью к селективно детектируемому газу, например сероводороду (чувствительный элемент выполнен на содержащих медь поверхностных фазах слоев на основе диоксида олова) [2], а также датчиков, в которых анализ газа происходит по изменению аналитического отклика при импульсном тепловом воздействии [3].
В последние годы интенсивно развивается концепция мультисенсоров, обеспечивающая создание нейронных сетей типа "электронный нос" [4], [5].
Работу выполнена в рамках ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы" (Государственный контракт П1249 от 07.06.2010), а также программы "УМНИК".
96 © Грачёва И. Е., Карпова С. С., Мошников В. А., 2012
