Научная статья на тему 'ЭКСЦЕСС АНДРЕЕВСКОГО КОНДАКТАНСА ГРЯЗНОГО SIN-КОНТАКТА'

ЭКСЦЕСС АНДРЕЕВСКОГО КОНДАКТАНСА ГРЯЗНОГО SIN-КОНТАКТА Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
0
0
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
Физика низких температур

Аннотация научной статьи по физике, автор научной работы — Кирпиченков В. Я., Кирпиченкова Н. В., Лозин О.И., Кулиничев Е.Р.

В рамках модели слабого структурного беспорядка Лифшица для неупорядоченного I-слоя нами теоретически показано, что присутствие в ближайшей окрестности электронного химпотенциала контакта мю случайных узкозонных квантовых закороток, вдоль которых сосредоточены квантовые резонансно-перколяционные траектории туннелирующих электронов в неупорядоченном I-слое, решает эту теоретическую проблему.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по физике , автор научной работы — Кирпиченков В. Я., Кирпиченкова Н. В., Лозин О.И., Кулиничев Е.Р.

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «ЭКСЦЕСС АНДРЕЕВСКОГО КОНДАКТАНСА ГРЯЗНОГО SIN-КОНТАКТА»

ЭКСЦЕСС АНДРЕЕВСКОГО КОНДАКТАНСА ГРЯЗНОГО S/N-КОНТАКТА

Кирпиченков В. Я., Кирпиченкова Н. В., Лозин О.И., Кулиничев Е.Р.

Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, 346428, Новочеркасск, Россия, E-mail: wkirpicharamhler.ru

В экспериментальной работе [1] были представлены весьма необычные (в рамках существующей теории) результаты для андреевского кондактанса при низких напряжениях «грязного» (с неупорядоченным /-слоем) S/N-контакта, где S - сверхпроводник Ph, N - нормальный металл ^u, / - неупорядоченный слой изолятора JnOx. Было обнаружено, что в большинстве из 80 изученных образцов отношение

GA/Gn находится в интервале от 2 до 4, а в некоторых случаях даже превышало значение 5, в то время как в рамках существующей теории максимальные значения: GA/Gn = 2 для случая баллистического электронного транспорта в N-области, GA/Gn = 1 для случая диффузионного электронного транспорта в N-области, где GA - андреевский кондактанс S/N-контакта, Gn - кондактанс этого контакта в нормальном состоянии. По мнению авторов обзора [2] «результат данного эксперимента представляет собой очень интересную теоретическую проблему», которая не решена и сейчас.

В рамках модели слабого структурного беспорядка Лифшица [3] для неупорядоченного /-слоя нами теоретически показано, что присутствие в ближайшей окрестности электронного химпотенциала контакта р случайных узкозонных ( у/Л0 < 1, где у - энергетическая ширина туннельного резонанса, ассоциированного с квантовой закороткой, Л 0 - сверхпроводящая щель в S-береге при 7=0) квантовых

закороток, вдоль которых сосредоточены квантовые резонансно-перколяционные траектории туннелирующих электронов в неупорядоченном /-слое [4], решает эту теоретическую проблему.

Литература

1. Vaknin A., Frydman A., Ovadyahu Z. // Phys. Rev. B. - 2000. - V. 61. - №19. -P.13037 - 13044.

2. Фейгельман М.В., Рязанов В.В., Тимофеев В.Б. // УФН. - 2001. - Т. 171. - №10. -С.1099 - 1115.

3. Лифшиц И.М., Гредескул С. А., Пастур Л. А. Введение в теорию неупорядоченных систем // М.: Наука, 1982. - 360 с.

4. Лифшиц И.М, Кирпиченков В.Я. // ЖЭТФ. - 1979. - Т.77. - С. 989 - 1016.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.