CC BY
3
УДК 620.92:621.383.51 https://doLorg/10.35546/kntu2078-4481.2021Л.4
ВВ. КУРАК
Херсонський нацюнальний технiчний унiверситет
ORCID: 0000-0002-4303-5671 О.В. АНДРОНОВА
Херсонський нацiональний технiчний унiверситет
ORCID: 0000-0001-9597-8068
ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНЕ ВИЗНАЧЕННЯ ПОТОКУ СОНЯЧНОГО ВИПРОМ1НЮВАННЯ 13 ЗАСТОСУВАННЯМ ПАСПОРТНИХ ПАРАМЕТР1В МОДУЛЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧ1В
Постановка натурних дослгджень енергетичних характеристик фотоелектричних систем потребуе даних з поточного надходження сонячного випромтювання на поверхню приймачгв. Стандарты методи вимгрювання потоку сонячног радгацИ передбачають використання спецгалгзованих метеорологгчних приладгв або еталонних фотоелектричних перетворювачгв, що мають довол1 високу вартгсть. В той же час, роль еталонного може вгдггравати й звичайний сершний сонячний елемент або модуль за умови, що його паспортш характеристики е вгдомими для певног ттенсивностг випромтювання.
В датй роботI запропоновано методику визначення потоку сонячного випромгнювання, що спираеться на паспортнг параметри фотоелектричних модулгв за стандартних умов тестування та безпосередньо вимгрянг в натурних умовах значення струму короткого замикання та температури модуля.
Спираючись на ргвняння вольт-амперног характеристики фотоелектричного перетворювача та лШйну залежнгсть струму короткого замикання вгд свгтлового потоку I температури, отримано математичний вираз, що пов'язуе пот1к сонячного випромтювання з паспортним значенням струму короткого замикання при стандартних умовах, температурним коефщгентом струму, вимгряними поточними значеннями струму короткого замикання та температури модуля. Показано, що запропонована методика визначення потоку сонячного випромгнювання е коректною I може бути застосованою на практицг.
Для кремнгевого фотоелектричного модуля 120Р/12 отримано зручний у практичному застосувант аналгтичний вираз, що дозволяе визначати пот1к падаючого на фотоприймальну поверхню сонячного випромгнювання з вимгряних поточних значень струму короткого замикання та температури модуля. На прикладI модуля 120Р/12 здтснено експериментальну апробацгю розробленог методики. Показано, що флуктуацИ струму короткого замикання вгд 0,73 А до 0,76 А, як спостерггалися протягом вим1рювань, вгдповгдають змтам у надходженнг потоку сонячного випромтювання в д1апазон1 вгд 105 Вт/м2 до 110 Вт/м2.
КлючовI слова: пот1к сонячного випромтювання, фотоелектричний перетворювач, струм короткого замикання, температура, температурний коефщгент струму, стандартш умови тестування.
В.В. КУРАК
Херсонский национальный технический университет
ORCID: 0000-0002-4303-5671 ЕВ. АНДРОНОВА
Херсонский национальный технический университет
ORCID: 0000-0001-9597-8068
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТОКА СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПАСПОРТНЫХ ПАРАМЕТРОВ МОДУЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
Постановка натурных исследований энергетических характеристик фотоэлектрических систем требует данных по текущему поступлению солнечного излучения на поверхность приемников. Стандартные методы измерения потока солнечной радиации предполагают использование специализированных метеорологических приборов или эталонных фотоэлектрических преобразователей, имеющих достаточно большую стоимость. В то же время, роль эталонного может играть и обычный серийный солнечный элемент или модуль при условии, что его паспортные характеристики являются известными для некоторой интенсивности излучения.
В данной работе предложена методика определения потока солнечного излучения, опирающаяся на паспортные параметры фотоэлектрических модулей при стандартных условиях тестирования и непосредственно измеренные в натурных условиях значения тока короткого замыкания и температуры модуля.
Опираясь на уравнение вольтамперной характеристики фотоэлектрического преобразователя и линейную зависимость тока короткого замыкания от светового потока и температуры, получено математическое выражение, связывающее поток солнечного излучения с паспортными значениями тока короткого замыкания при стандартных условиях, температурным коэффициентом тока, измеренными значениями тока короткого замыкания и температуры модуля. Показано, что предложенная методика определения потока солнечного излучения является корректной и может использоваться на практике.
Для кремниевого фотоэлектрического модуля 120Р/12 получено удобное для практических применений аналитическое выражение, позволяющее определить поток падающего на фотоприемную поверхность солнечного излучения по измеренным значениям тока короткого замыкания и температуры модуля. На примере модуля 120Р/12 осуществлено экспериментальную апробацию разработанной методики. Показано, что флуктуации тока короткого замыкания от 0,73 А до 0,76 А, наблюдавшиеся на протяжении измерений, соответствуют изменениям в поступлении потока солнечного излучения в диапазоне от 105 Вт/м2 до 110 Вт/м2.
Ключевые слова: поток солнечного излучения, фотоэлектрический преобразователь, ток короткого замыкания, температура, температурный коэффициент тока, стандартные условия тестирования.
V.V. KURAK
Kherson National Technical University
ORCID: 0000-0002-4303-5671 E.V. ANDRONOVA
Kherson National Technical University
ORCID: 0000-0001-9597-8068
EXPERIMENTAL DETERMINATION OF THE SOLAR RADIATION FLUX USING PASSPORT PARAMETERS OF THE PHOTOVOLTAIC MODULE
To organize natural studies of the energy characteristics of photovoltaic systems, data on the current level of solar radiation incoming to the receiver surface are required. When using standard methods for measuring of the solar radiation flux, specialized meteorological instruments or reference solar cells are applied. Such devices are quite expensive. At the same time, an ordinary serial solar cell or module can also play the role of a reference cell under the stipulation that its passport characteristics are known for some radiation intensity.
In this paper, a method for determining of the solar radiation flux based on the passport parameters of photovoltaic modules under standard test conditions and the values of short-circuit current and module temperature directly measured in natural conditions is proposed.
Based on the equation of the solar cell current-voltage characteristic and the linear dependence of the short-circuit current and the temperature on the light flux a mathematical expression for solar radiation flux is obtained. This expression relates solar flux to the short-circuit current under standard test conditions, the temperature coefficient of the current and the measured values of the short-circuit current and the module temperature. It is shown that proposed method for determining of the solar radiation flux is correct and can be used in practice.
A convenient for practical application analytical expression has been obtained for a silicon photovoltaic module 120P/12. The expression makes it possible to determine the incited on the module surface solar flux from the measured values of the short-circuit current and the module temperature. Experimental testing of the developed method was carried out for the module 120P/12 as an example. It is shown that fluctuations in the short-circuit current from 0.73 A to 0.76 A observed during the measurements correspond to changes in the solar radiation flux in the range from 105 W/m2 to 110 W/m2.
Keywords: solar radiation flux, solar cell, short-circuit current, temperature, temperature coefficient of the current, standard test conditions.
Постановка проблеми
Ефектившсть сонячних фотоелектричних систем, доля яких в украшськш електроенергетищ останшми роками невпинно збшьшуеться, визначаеться не лише техшчною досконалютю складових компоненпв, але й значною мiрою залежить ввд надходженням сонячно! енергп на поверхню приймачiв.
Осшльки потоку сонячного випром!нювання, що досягае поверхш Земл1, притаманш мшливють 1 випадковий характер, то при оцшщ енергетичних параметр!в фотоелектричних систем на стади !х проектування ор!ентуються на даш багатор!чних метеоролопчних спостережень щодо надходження прямо! та дифузно! складових сонячно! рад1ацИ на приймальну поверхню [1]. Впм, постановка бшьшосп натурних дослщжень, пов'язаних з ефектившстю сонячних фотоелектричних установок, вимагае даних з поточного надходження сонячно! ращацп, як головного вхщного енергетичного параметру.
Аналiз останнiх дослiджень i публжацш Визначення штенсивносп потоку сонячного випром1нювання, що потрапляе на поверхню приймача, е можливим шляхом безпосереднього вим1рювання з використанням спещальних метеоролопчних прилад1в, як-то актинометр1в, шранометр!в та соляриметр1в [2]. Ц прилади рееструють надходження сонячно! ращаци за тепловим впливом, що чиниться з боку сонячного випром1нювання на поглинаючий елемент термоелектричного сенсора, та в комплекс! дозволяють визначати пряму, розс!яну та сумарну рад!ац!ю. Вт!м, реал!защя цього тдходу до визначення потоку сонячного випром!нювання потребуе спец!ального варт!сного обладнання.
Залежшсть параметр!в фотоелектричних перетворювач!в (ФЕП) ввд !нтенсивност! св!тлового потоку дае можливють реал!зувати альтернативний п!дх!д щодо визначення потоку сонячного випром!нювання, який базуеться на використанш еталонних сонячних елеменпв [3]. Цей спос!б широко використовують для налаштування !м!татор!в сонячного випром!нювання, вим!рюючи струм короткого замикання еталонного ФЕП, що за незмшного спектрального складу випром!нювання л!н!йно залежить ввд р!вня осв!тленост!. Налаштування потоку випром!нювання в!д !м!татора проводять до тих тр, поки струм короткого замикання, що генеруеться еталонним ФЕП, не буде дор!внювати тому, що визначений в умовах градуювання.
Використання еталонних ФЕП забезпечуе задовшьт за точн!стю результати вим!рювань сумарного потоку випром!нювання нав!ть при застосуванш в !м!татор! джерел з! спектральним складом, що сильно в!др!зняеться ввд сонячного. Вт!м, важливим моментом тд час градуювання е забезпечення високо! термостаб!льност! еталонного зразку. На практищ це реал!зуеться його розм!щенням на термостатованому столику, або точним контролем температури зразку з наступним врахуванням температурно! поправки до вим!ряного значения струму короткого замикання.
Вочевидь, еталонний ФЕП можна застосувати не лише для налаштування !мггатор!в Сонця, але й для визначення поточно! штенсивносп сонячного випром!нювання в натурних умовах за миттевими значеннями струму короткого замикання. Однак, процедура градуювання еталонних сонячних елеменпв е довол! кротткою ! витратною, потребуе дотримання ввдповщних умов, наявност! точного й пов!реного обладнання, внасл!док чого так! ФЕП зазвичай використовують лише в якосп зразкових еталон!в [4].
Вт!м, в якосп еталонного можна розглядати ФЕП або фотоелектричний модуль з наперед вщомими для певно! !нтенсивност! випром!нювання параметрами. Такими умовами тестування ФЕП та модул!в з в!домою штенсившстю св!тлового потоку можуть слугувати, наприклад, стандартн! умови STC, що вщповщають спектру сонячного випром!нювання AM1,5g з! щ!льн!стю потоку 1000 Вт/м2 та температур! ФЕП 25 °С [5]. Параметри, вим!рян! в умовах STC, зазначаються в паспортних характеристиках фотоелектричних модул!в. Встановивши значення параметр!в модуля ФЕП для умов шшо! освггленосп та температури, можна визначити штенсивнють падаючого на фотоприймальну поверхню сонячного випром!нювання з реал!зац!! експериментальних вим!рювань цих параметр!в.
Формулювання мети дослвдження Метою дано! роботи е розробка методики визначення потоку сонячного випром!нювання, що спираеться на паспортн! параметри фотоелектричних модул!в за стандартних умов тестування та параметри, безпосередньо вим!ряш в натурних умовах.
Викладення основного матерiалу дослiдження В!дпов!дно до однодюдно! екв!валентно! схеми р!вняння св!тлово! вольт-амперно! характеристики сонячного елемента, як залежшсть струму I вщ напруги U на опор! навантаження, записуеться у наступному вигляд! [5]:
/ = к - 4
е лит — 1
и + /Д
5
ир
(1)
де 1Ь - величина фотоструму;
15 - струм насичення д!оду; А - коефщент якост! д!оду; к - постшна Больцмана; це - елементарний заряд; Т - абсолютна температура ФЕП;
- внутршнш послщовний оп!р сонячного елемента;
Rp - шунтуючий onip ФЕП.
В режимi короткого замикання напруга на навантаженнi U = 0. Тодi, згiдно з pibHHHHHM (1), струм короткого замикання ФЕП Isc запишеться у виглядг
hc = h-h
4e!scRs е Акт — 1
Isc^s Rp
(2)
Р1вняння (2) е трансцендентним вщносно 15С, однак його можна спростити, враховуючи те, що послщовний отр сучасних ФЕП складае соп 1 навиъ тисячш дол! Ома, а струм насичення 1Б на дек1лька порядков менший за фотострум 1Ь [5]. В результат! цього другим доданком у р1внянш (2) можна знехтувати у пор1внянш з фотострумом:
. (3)
Подальше спрощення р1вняння (3) здшснюеться, приймаючи до уваги той факт, що послщовний отр ФЕП Я8 на дек1лька порядив менший, шж шунтуючий Ир. Отже, з достатньою для практичних застосувань точшстю можна вважати, що струм короткого замикання приблизно дор1внюе фотоструму:
. (4)
В свою чергу, фотострум лшшно залежить в1д штенсивносп потоку сонячного випром1нювання р0. Тому, враховуючи р1вняння (4), з достатньою для практичного використання точшстю можна записати:
Ьс = Сь • р0, (5)
де Сь - коефщент пропорцiйностi.
Лiнiйна залежнiсть (5) виглядае зручною для визначення штенсивносп сонячного випромiнювання з вимiрювань значень струму короткого замикання. Впм, величина фотоструму, а отже i струм короткого замикання ФЕП, визначаеться спектром поглинання сонячного випромiнювання напiвпровiдниковим матерiалом, що залежить вiд ширини заборонено! зони нашвпровщника. Причому, зi збшьшенням температури ширина заборонено! зони нашвпровщника зменшуеться, що призводить до збшьшення фотоструму завдяки розширенню спектра поглинання в довгохвильову дмнку сонячного спектру. Таким чином, навиъ при сталш iнтенсивностi сонячного випромiнювання, що надходить на фотоприймальну поверхню, змiна температури ФЕП призводить до вщповщно! змши струму короткого замикання. Отже, температурна залежнiсть струму короткого замикання мае бути врахована у виразi (5).
Вщношення струмiв короткого замикання ISC2 та ISC1, що вiдповiдають двом значенням iнтенсивностi сонячного випромiнювання р02 та р01, за умов незмшносп температури ФЕП можна представити у виглядг
hc2 _ Р02
(6)
'SC1 Pol
Переписуючи сшввщношення (6) вiдносно ISC2 та вважаючи, що струм ISC1 е вщомим i
вiдповiдае струму короткого замикання ФЕП, вишряному в умовах STC, маемо:
j =j
'SC 25 = 'SC STC
Po STC (7)
де Ьс 25 - струм короткого замикання при штенсивносп сонячного потоку р0 та температур! 25 °С; 15С 5ТС - струм короткого замикання в умовах 8ТС; Ро 5тс - штенсившсть випром!нювання в умовах 8ТС.
Враховуючи, що р0 5ТС = 1000 Вт/м2, з виразу (7) можна визначити штенсившсть сонячного випром!нювання р0, Вт/м2, що в!дпов!дае значенню струму короткого замикання 15С25:
Ьс 25
ро = 1000--. (8)
ятг
'БС БТС
Для врахування температурно! залежносп струму короткого замикання ФЕП скористаемось рiвнянням [5]:
Ьс Т2 = Ьс тг [1 + а, (т2 -Т1)], (9)
де Ьс тг - струм короткого замикання при температурi Т1; 15С Т2 - струм короткого замикання при температурi Т2; а1 - температурний коефiцiент струму.
Взявши в якосп температури Тг температуру, що вiдповiдае умовам 8ТС, тобто Тг = 25 °С, переписуемо вираз (9) у виглядi:
Ьст = 1зС25[1 + а1(Т-25)], (10)
де Ьс т - струм короткого замикання при поточнш температурi T.
Виразивши з рiвняння (10) струм 15С 25 та поставивши його в (8) отримуемо наступний вираз, що пов'язуе штенсившсть потоку сонячного випромiнювання зi струмом короткого замикання та температурою ФЕП:
"° = 10001!С ^ 11+^-25)1 ™
Отже, знаючи так паспортнi параметри ФЕП або фотоелектричного модуля, як струм короткого замикання в умовах 8ТС 15С 5ТС, температурний коефiцiент струму а1, а також здiйснивши вимiрювання струму короткого замикання 15СТ та температури ФЕП Т, за виразом (11) можна визначити поточне значення штенсивносп потоку сонячного випромiнювання р0, що надходить на фотоприймальну поверхню.
Коректшсть запропоновано! методики з визначення потоку сонячного випромiнювання перевiрялась на приклащ фотоелектричних модулiв JAP6-60-260/4BB/RE, AS-6P30-250W та LG290N1C шляхом розрахунку за виразом (11) !х струму короткого замикання 15С т в умовах номшально! робочо! температури (МОСТ) та порiвняння отриманих значень з вiдповiдними даними з техшчного паспорту. Застосування умов тестування МОСТ дозволяе отримати параметри фотоелектричних модулiв, наближенi до тих, що демонструються в реальних умовах експлуатацп. Приймаеться, що в цих умовах освгглешсть складае 800 Вт/м2, спектр сонячного випромiнювання АМ1,5g, а температура оточуючого середовища становить 20 °С. ТТТвидккть вiтру е такою, що дорiвнюе 1 м/с. За цих умов проводиться вимiрювання температури модуля, яка вказуеться в його техшчному паспорта
В табл. 1 наведено паспортш параметри модулiв JAP6-60-260/4BB/RE, AS-6P30-250W та LG290N1C в умовах 8ТС та МОСТ [6-8], що використовувались для розрахунку струму короткого замикання та порiвняння отриманих значень тд час перевiрки коректностi методики.
Таблиця 1
Паспортнi параметри фотоелектричних модулiв_
Параметр Значення параметрiв
JAP6-60-260/4BB/RE AS-6P30-250W Ьв290М1С
8ТС МОСТ 8ТС МОСТ 8ТС МОСТ
1.чс, А 9,04 7,28 8,75 7,09 9,80 7,89
Т, °С 25 45 25 45 25 45
а,, %/°С + 0,058 + 0,05 + 0,03
Розрахунок струму короткого замикання фотоелектричних модулiв в умовах МОСТ вщбувався у вiдповiдностi до виразу (11), переписаного у виглядг
Ьст = Ьсбтс [1 + а,{т -25)} Ро
1000 . (12)
Шд час розрахунку приймалась штенсившсть потоку сонячного випромiнювання р0 = 800 Вт/м2, температура ФЕП Т = 45 °С, струм короткого замикання в умовах 8ТС 15С 5ТС та температурний коефщент струму а1 - у вщповщносп з даними табл. 1.
Ощнювалось вiдносне вiдхилення отриманих розрахункових значень струму короткого замикання для умов МОСТ 1ЗС 45 вiд зазначених у техшчному паспортi 1ЗС ыост:
г ^0 45 IsCNOCT 1ППГ1.
о =---100% .
'бс ыост
(13)
Результати розрахунку представлено в табл. 2.
Таблиця 2
Порiвняння розрахункових та паспортних значень струму короткого замикання модулiв в умовах
ШСТ
Модуль hc45, А Ьс N007, А о, %
1ЛРб-б0-260/4ББ/КЕ 7,312 7,28 0,44
AS-6P30-250W 7,07 7,09 -0,28
Ьв290МС 7,887 7,89 -0,04
Як видно з аналiзу даних табл. 2, вщхилення розрахункових значень струму короткого замикання в умовах МОСТ вщ паспортних для вах трьох модулiв становить менше 1%, що не перевищуе допустимих вiдхилень параметрiв, заявлених виробниками на рiвнi 3%. Отже, запропонована методика визначення потоку сонячного випромшювання е коректною i може бути застосованою на практищ.
Експериментальна апробацiя дано! методики здшснювалась на прикладi фотоелектричного модуля 120Р/12 на основi ФЕП iз полiкристалiчного кремнiю, що входить до складу автономно! фотоелектрично! системи лабораторi! кафедри енергетики, електротехнiки i фiзики Херсонського нацюнального технiчного унiверситету. Для модуля 120Р/12 в температурному дiапазонi вщ 0 до 60 °С отримано аналiтичнi залежностi вигляду:
Ро = С,-15С т , (14)
де С1 - коефщент пропорцiйностi, залежний вiд температури фотоелектричного модуля та його електрофiзичних параметрiв:
1000
П = _
7 15Сзтс [1 + а,(Т-25)] ш (15)
Значения коефiцiентiв пропорцiйностi С1 для модуля 120Р/12, що у вщповщносп до паспортних параметрiв мае в умовах 8ТС струм короткого замикання 15С 5ТС = 6,98 А та характеризуеться типовим для полiкристалiчних кремшевих ФЕП температурним коефщентом струму а1 = + 0,052 %/°С, представленi в табл. 3.
Таблиця 3
Значення коефш ценив пропорцiйностi С, для модуля 120Р/12 при рпиих температурах
Т, °С 0 10 20 30 40 50 60
С, ,Вт/(м2-А) 145,15 144,39 143,64 142,89 142,16 141,43 140,71
Температурну залежнiсть коефiцiентiв С1 для модуля 120Р/12 наведено на рис. 1.
Т, °С
Рис. 1. Температурна залежшсть косфщкммв С7 для фотоелектричного модуля 120Р/12
З рис. 1 видно, що лiнiйна апроксимацiя вигляду С1 = 145,13 — 0,0739 Т доволi точно з достовiрнiстю Д2 = 0,9999 описуе хвд залежностi коефiцieнту пропорцiйностi С1 вщ температури. Це дозволяе замiнити рiвняння (15) отриманою апроксимацiею i записати залежшсть (14) для модуля 120Р/12 у зручному для практичного застосування виглядi:
р0 = (145,13 — 0,0739 Т) 15С т , Вт/м2, (16)
де температура фотоелектричного модуля мае виражатися в градусах Цельая, а значення струму короткого замикання - в Амперах.
Таким чином, вимiрявши температуру модуля 120Р/12 та його струм короткого замикання, за аналггичним виразом (16) розраховуеться потж сонячного випромiнювання, що надходить на фотоприймальну поверхню.
Експериментальна апробацiя методики проводилась 10.11.2020 р. в перюд часу з 10.30 до 11.30 в умовах суцшьно! хмарносп при температурi зовнiшнього повiтря 11 °С та швидкосп пiвнiчно-схiдного вiтру вiд 2 м/с до 3 м/с. Температура модуля, що вимiрювалась контактним способом за допомогою термопарного датчика, протягом експерименту була незмшною i не вiдрiзнялась вiд температури оточуючого середовища, що пояснюеться низькою iнтенсивнiстю сонячного випромiнювання, яке надходило на поверхню модуля лише у виглядi розаяно! складово!, а також iнтенсивним тепловщведенням за рахунок природнього руху повиряних мас.
Часова залежнiсть струму короткого замикання показала наявшсть флуктуацiй в даапазош сил струмiв вiд 0,73 А до 0,76 А з загальною тенденщею до поступового зростання середнього значення (рис. 2), що не може бути поясненим випадковою змшою вимiрювальноl величини, а отже, пов'язуеться з флуктуащями надходження сонячно! радiацil на приймальну поверхню фотоелектричного модуля. Застосування рiвняння (16) дозволило встановити, що флуктуацil струму короткого замикання вщповщають змiнi потоку сонячного випромiнювання на фотоприймальнiй поверхнi модуля в дiапазонi вiд 105 Вт/м2 до 110 Вт/м2.
хв.
Рис. 2. Часова залежшсть струму короткого замикання фотоелектричного модуля 120Р/12
Висновки
Запропоновано методику визначення потоку сонячного випромiнювання, що надходить на приймальну поверхню фотоелектричного модуля, яка базуеться на вимiрюваннi поточного значення струму короткого замикання модуля, його температури та використовуе в якосп вхщних параметрiв паспортнi значення струму короткого замикання в умовах STC та температурний коефщент струму. Коректшсть запропоновано! методики пiдтверджуеться узгодженням значень струмiв короткого замикання в умовах NOCT, визначених за даною методикою, та вщповщних паспортних значень для низки фотоелектричних модулiв, представлених на укра!нському ринку фотоелектрично! продукцi!.
Для актуального дiапазону температур фотоелектричного модуля 120P/12 отримано зручний з точки зору практичного використання аналiтичний вираз, що пов'язуе потiк сонячного випромiнювання, який надходить на приймальну поверхню, з вщповщними значениями струму короткого замикання та температури модуля.
Експериментальна апробащя розроблено! методики з використанням модуля 120P/12 в умовах щiльно! хмарностi дозволила встановити кореляцш м!ж флуктуацiями струму короткого замикання та змшами у надходженш соиячно!' радiацi!' до фотоприймально! поверхнi. Показано, що флуктуацi! струму короткого замикання вщ 0,73 А до 0,76 А, як! спостерталися протягом вимiрювань, вiдповiдають змiнам у надходженш потоку сонячного випромiнювання в дiапазонi вiд 105 Вт/м2 до 110 Вт/м2.
Список використаноТ л^ератури
1. Андронова О.В. Оптимiзацiя розмщення приймачiв сонячно! енергi! рядами для ктматичних умов пiвдня Укра!ни / О.В. Андронова, В.В. Курак // Вщновлювана енергетика. - 2020. - №2. - С. 45-53. DOI: https://doi.org/10.36296/1819-8058.2020.2(61).45-53
2. Паламарчук Л.В. Метеоролопчш прилади та вимiрювания / Паламарчук Л.В., Шевченко О.Г.
- К.: Видавництво «1нтерконтиненталь-Укра!на», 2012. - 123 с.
3. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов / М.М. Колтун. - М.: Наука, 1985. -
280 с.
4. Градуировка эталонных солнечных элементов [Электронный ресурс] / BankSolar [Сайт]. -Режим доступа: http://banksolar.ru/?p=6183 (дата обращения: 17.10.20). - Название с экрана.
5. Фолькер К. Системы возобновляемых источников энергии / К. Фолькер. - Астана: Фолиант, 2013. - 432 с.
6. Дополнительные технические данные панели Ja Solar JAP6 60-270 4BB [Электронный ресурс] / АксиомПлюс [Сайт]. - Режим доступа: https://axiomplus.com.ua/solnechnyie-paneli/product-75901/ (дата обращения: 2.11.20). - Название с экрана.
7. Технический паспорт Amerisolar AS-6P30-250W [Электронный ресурс] / АксиомПлюс [Сайт].
- Режим доступа: https://axiomplus.com.ua/solnechnyie-paneli/product-74670/ (дата обращения: 3.11.20). -Название с экрана.
8. LG290N1C-G3. Product Specifications [Electronic resource]. - Режим доступа: https://eclass.duth.gr/modules/document/file.php/TMC384/2019-2020/MonoX-Neon-LG290N1C-G3-20140915.pdf/ (дата обращения: 4.11.20). - Название с экрана.
References
1. Andronova O.V., Kurak V.V. Optimization of row placement of solar energy collectors for the climatic conditions of the south of Ukraine. Vidnovluvana energetika, 2020, no.2, pp. 45-53. doi: https://doi.org/10.36296/1819-8058.2020.2(61).45-53
2. Palamarchuk L.V. Meteorologichni prylady ta vymirjuvannja [Meteorological instruments and measurements]. Kyiv, Interkontinental'-Ukraina Publ., 2012, 123 p.
3. Koltun M.M. Optika i metrologia solnechnyh elementov [Optics and metrology of solar cells]. Moscow, Nauka Publ., 1985, 280 p.
4. Graduirovka etalonnyh solnechnyh elementov [Calibration of reference solar cells] Available at: http://banksolar.ru/?p=6183 (accessed 17 October 2020).
5. Folker K. Sistemy vozobnovljaemyh istochnikov energii [Renewable energy systems]. Astana, Foliant Publ., 2013, 432 p.
6. Dopolnitel'nye tehnicheskie dannye paneli Ja Solar JAP6 60-270 4BB [Additional technical data for the Ja Solar JAP6 60-270 4BB panel] Available at: https://axiomplus.com.ua/solnechnyie-paneli/product-75901/ (accessed 2 November 2020).
7. Tehnicheskiy pasport Amerisolar AS-6P30-250W [Amerisolar AS-6P30-250W Datasheet] Available at: https://axiomplus.com.ua/solnechnyie-paneli/product-74670/ (accessed 3 November 2020).
8. LG290N1C-G3. Product Specifications. Available at: https://eclass.duth.gr/modules/document/file.php/TMC384/2019-2020/MonoX-Neon-LG290N1C-G3-20140915.pdf/ (accessed 4 November 2020).
