Научная статья на тему 'Дослідження напівпровідников их лазерів, його функціонування як об ’єкту керування'

Дослідження напівпровідников их лазерів, його функціонування як об ’єкту керування Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
17
4
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
лазерний DFB-модуль / напівпровідникові лазери / системи автоматичного керування / система управління / діодний лазер / напівпровідники / інфрачервоне випромінювання / частота випромінювання / частота / laser DFB module / semiconductor lasers / automatic control systems / control system / diode laser / semiconductors / infrared radiation / radiation frequency / frequency

Аннотация научной статьи по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям, автор научной работы — Н О. Похлєбіна

Дана робота присвячена дослідженню напівпровідникових лазерів. Вивченню лазерного DFB-модуля, мети його функціонування, формалізації процесу як об'єкту керування. В роботі розглянуто особливості технологічного процесу формування інфрачервоного випромінювання напівпровідниковими DFB лазерними діодами, системи автоматичного керування лазерним DFB-модулями які використовуються, як в якості джерел оптичного сигналу для передачі даних та оптичних вимірювань. Виявлено основні недоліки та розглянуті можливі шляхи для удосконалення структури і функцій систем автоматичного керування процесом. Напівпровідникові DFB-лазери з розподіленим зворотнім зв’язком на відміну від лазерів з інтерферометром Фабрі – Перо працюють в одно частотному режимі генерації. Їх зручно використовувати в якості джерела із зміною частотою випромінювання, оскільки вони мають помітну температурну залежність частоти (довжини хвилі) генерації. Діодний лазер вимагає високоточної стабілізації температури внаслідок вельми істотної залежності параметрів його випромінювання від температури. Підтримка необхідної частоти та інтенсивності когерентного випромінювання на виході лазера та температури відкриє широке застосування у багатьох сферах та пристроях. Потужність випромінювання лазерного діода пропорційна струму який протікає крізь нього (струму накачки). При струмі накачки нижче порогового лазерний діод працює в режимі світлодіода випромінюючи некогерентне випромінювання з напівшириною спектру 20–25 нм, при струмі вище порогового діод переходить в режим генерації когерентного випромінювання, ширина спектру якого значно вужча і зазвичай становить одиниці нанометрів або менше. В списку джерел представлено огляд науково-технічної інформації по темі роботи, її компонентів та параметрів. Представлені структурна та параметрична схеми процесу формування випромінювання лазерним DFB-модулем як об’єкту керування, концептуальна структура САК підвищеної динамічної точності.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям , автор научной работы — Н О. Похлєбіна

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Study of semiconductor lasers and its functioning as a control object

This work is devoted to the study of semiconductor lasers. the study of the laser DFB module, the purpose of its operation, the formalization of the process as a control object. The paper considers the features of the technological process of generating infrared radiation by semiconductor DFB laser diodes, automatic control systems for laser DFB modules, which are used as an optical signal source for data transmission and optical measurements. The main shortcomings are revealed and possible ways of improving the structure and functions of automatic process control systems are considered. Semiconductor DFB lasers with distributed feedback, in contrast to lasers with a Fabry-Perot interferometer, operate in a single frequency generation mode. It is convenient to use them as a source with a change in the frequency of radiation, since they have a noticeable temperature dependence of the frequency (wavelength) of generation. A diode laser requires high-precision temperature stabilization as a result of a very significant dependence of its radiation parameters on temperature. Maintaining the required frequency and intensity of coherent radiation at the laser output and temperature will open wide application in many areas and devices. The radiation power of a laser diode is proportional to the current flowing through it (pump current). At a pump current below the threshold laser diode, it operates in the LED mode, emitting incoherent radiation with a spectral half-width of 20–25 nm, at a current above the threshold diode, it switches to the coherent radiation generation mode, the spectral width of which is much narrower and usually amounts to a few nanometers or less. The list of sources provides an overview of scientific and technical information on the topic of the work, its components and parameters. A structural and parametric diagram of the process of generating radiation by a laser DFB module as a control object, a conceptual structure of an SAC with increased dynamic accuracy, is presented.

Текст научной работы на тему «Дослідження напівпровідников их лазерів, його функціонування як об ’єкту керування»

ТЕХНОЛОГШ ЛЕГКО1 ТА ХАРЧОВО1 ПРОМИСЛОВОСТ1

УДК 658.5 https://doi.Org/10.35546/kntu2078-4481.2022.2.5

Н. О. ПОХЛСБГНА

Одеський нацiональний технолопчний унiверситет

ORCID: 0000-0002-9789-608X

ДОСЛ1ДЖЕННЯ НАП1ВПРОВ1ДНИКОВИХ ЛАЗЕР1В, йОГО ФУНКЦ1ОНУВАННЯ ЯК ОБ'еКТУ КЕРУВАННЯ

Дана робота присвячена дослгдженню напгвпровгдникових лазер1в. Вивченню лазерного DFB-модуля, мети його функцюнування, формал1заци процесу як об'екту керування. В роботi розглянуто особливостг технолог1чно-го процесу формування тфрачервоного випромтювання напiвпровiдниковими DFB лазерними дюдами, системи автоматичного керування лазерним DFB-модулями ят використовуються, як в якостi джерел оптичного сигналу для передачi даних та оптичних вимiрювань. Виявлено основнi недолжи та розглянутi можливi шляхи для удосконалення структури i функцш систем автоматичного керування процесом. Напiвпровiдниковi DFB-лазери з розподшеним зворотнiм зв'язком на вiдмiну вiд лазерiв з ттерферометром Фабрi - Перо працюють в одно частотному режимi генерацИ. !х зручно використовувати в якостi джерела ie змтою частотою випромiнюван-ня, осюльки вони мають помiтну температурну залежнiсть частоти (довжини хвилi) генерацИ. Дюдний лазер вимагае високоточно'1' стабшзаци температури вна^док вельми iстотноi залежностi параметрiв його випромтювання вiд температури. Шдтримка необхiдноi частоти та iнтенсивностi когерентного випромiнювання на виходi лазера та температури вiдкрие широке застосування у багатьох сферах та пристроях. Потужнiсть випромтювання лазерного дюда пропорцшна струму який протжае ^iзь нього (струму накачки). При струмi накачки нижче порогового лазерний дюд працюе в режимi свiтлодiода випромтюючи некогерентне випромi-нювання з напiвшириною спектру 20-25 нм, при струмi вище порогового дюд переходить в режим генераци когерентного випромтювання, ширина спектру якого значно вужча i зазвичай становить одиницi нанометрiв або менше. В списку джерел представлено огляд науково-технiчноi тформацп по темi роботи, ii компонентiв та параметрiв. Представлен структурна та параметрична схеми процесу формування випромiнювання лазерним DFB-модулемяк об'екту керування, концептуальна структура САКпiдвищеноi динамiчноiточностi.

Ключовi слова: лазерний DFB-модуль, напiвпровiдниковi лазери, системи автоматичного керування, система управлiння, дюдний лазер, напiвпровiдники, тфрачервоне випромтювання, частота випромiнювання, частота.

N. O. POKHLEBINA

Odesa National Technological University

ORCID: 0000-0002-9789-608X STUDY OF SEMICONDUCTOR LASERS AND ITS FUNCTIONING AS A CONTROL OBJECT

This work is devoted to the study of semiconductor lasers. the study of the laser DFB module, the purpose of its operation, the formalization of the process as a control object. The paper considers the features of the technological process of generating infrared radiation by semiconductor DFB laser diodes, automatic control systems for laser DFB modules, which are used as an optical signal source for data transmission and optical measurements. The main shortcomings are revealed and possible ways of improving the structure andfunctions of automatic process control systems are considered. Semiconductor DFB lasers with distributed feedback, in contrast to lasers with a Fabry-Perot interferometer, operate in a single frequency generation mode. It is convenient to use them as a source with a change in the frequency of radiation, since they have a noticeable temperature dependence of the frequency (wavelength) of generation. A diode laser requires high-precision temperature stabilization as a result of a very significant dependence of its radiation parameters on temperature. Maintaining the required frequency and intensity of coherent radiation at the laser output and temperature will open wide application in many areas and devices. The radiation power of a laser diode is proportional to the current flowing through it (pump current). At a pump current below the threshold laser diode, it operates in the LED mode, emitting incoherent radiation with a spectral half-width of20-25 nm, at a current above the threshold diode, it switches to the coherent radiation generation mode, the spectral width of which is much narrower and usually amounts to a few nanometers or less. The list of sources provides an overview ofscientific and technical information on the topic ofthe work, its components and parameters. A structural and parametric diagram of the process of generating radiation by a laser DFB module as a control object, a conceptual structure of an SAC with increased dynamic accuracy, is presented.

Key words: laser DFB module, semiconductor lasers, automatic control systems, control system, diode laser, semiconductors, infrared radiation, radiation frequency, frequency.

Постановка проблеми

Pi3HOMaHiTHa кшьшсть видав лазерiв, що були CTBopeHi, рiзняться досить широким спектром як фiзичних так i робочих характеристик. Твердо тш, гaзовi або рвдинт лазери, що зараз використовують клaсифiкують бiльшою мiрою за фiзичним станом активного середовища. Також слад видшити особливий тип лазера, а саме лазери на вшь-них електронах, активне середовище яких складаеться з вiльних електронiв, що безпосередньо рухаються з реляти-вiстськими швидкостями через просторово-перiодичне мaгнiтне поле. Уа лазери клaсифiкують за довжиною хвил! генерaцiï випромiнювaння, то 1'х подшяють за дiaпaзонaми на iнфрaчервонi, видим!, ультрaфiолетовi та рентгенiвськi.

В одночастотному режимi генерaцiï працюють нaпiвпровiдниковi DFB-лазери з розподiленим зворотнiм зв'язком. Так лазери зручно використовувати в якосп джерела iз змiною частотою випромшювання, бо вони мають помiтну температурну зaлежнiсть частоти (довжини хвилi) генерацп. Широта дiaпaзону фiзичних або робочих характеристик лaзерiв е як перевагою, так i недолшэм. Якщо говорити про застосування лaзерiв, то широкий спектр 1х пaрaметрiв забезпечуе величезний потенцiaл можливого використання в рiзних областях фундаменталь-них i прикладних дослiджень. Основною проблемою лазерних дiодiв в цiлому це залежшсть довжини хвилi вiд температури лазера, що потребуе додaтковоï системи керування для утримання його на потрiбнiй чaстотi.

Aналiз останшх досл1джень та публшацш

У свош статп «Analytical procédure to obtain internai parameters fromperformance curves of commercial thermoelectric modules» автори використали метод заснований на основних рiвняннях, що пов'язують теплову та електричну дина-мшу, в яких необидно оцiнити деяю параметри. В результaтi можна передбачити поведiнку модулiв, якщо вони працюватимуть нестандартно. Одним iз хороших приклада е моделювання поведiнки модуля, призначеного для охолодження, при використaннi його як модуля Seebeck для виробництва електроенерги. Запропонована методоло-гiя була усшшно застосована до комерцiйного модуля Пельтье, для якого була змодельована поведшка як атермое-лектричний генератор, а попм перевiренa експериментально, i були отриман дуже схож1 результата [1].

У свош стaттi «Mathematical Model of Thermoelectric Peltier Module» автори дали визначення ТЕМ (термо-електричний модуль Пельтье), що це пристрой як1 перетворюють електричну енергш в грaдiентi температури. Його дiя заснована на ефектi Пельтье. Пристроï вiдносно простi, маючи невелик! габарити, володшть хорошою конструкцiйною нaдiйнiстю i тривалим термшом служби (понад 200 тис. годин). Вони не мають рухомих частин або шквдливих для навколишнього середовища холодоагенлв. Сучaснi ТЕМ високоефективш - потужшстю до шлькох сотень ват. В остaннi роки широкого застосування набули термоелектричнi системи охолодження. Вони знайшли застосування в сучасних транспортних засобах для охолодження та збереження продуклв п!д час & транспортування, у переносних сумках-холодильниках, комп'ютернiй, вшськовш та медичнiй техшщ [2].

У свош стaттi автори наводять результати дослвдження спектральних характеристик сершних нашвпровщ-никових лaзерiв з використанням оптичного aнaлiзaторa спектру та блока живлення та упрaвлiння для лазера. Отримаш амейства спектральних характеристик у широкому дiaпaзонi струм!в шжекцп та температур. Визна-чено температурн струмов! коефiцiенти для довжини хвил випромiнювaння лaзерiв [3].

Формування мети дослщження

Шдвищення ефективносп анал!зу складу харчових продукпв, дослщження 1Ч DFB-лазерного модуля як обекту керування та одержання його характеристик.

Викладання основного матерiалу дослiдження

Метою функцюнування будь-якого лазерного модуля е генеращя когерентного електромагштного випромь нювання з заданими спектральними характеристиками: центральною довжиною хвил! спектра випром!нювання, шириною цього спектра та його потужшстю.

Таким чином лазерний модуль зазвичай розташовуеться в металокерам!чному герметичному корпус!, який забезпечуе вщввд тепла у навколишне середовище. Окр!м лазерного дюда в ньому можуть бути розташован наступн елементи модуля:

• Контрольний фотодюд, який забезпечуе вим!рювання штенсивносп випромшювання лазерного дюда;

• Терморезистор, який дозволяе контролювати температуру лазерного дюда;

• Термоелектричний перетворювач на ефекп Пельтье (ТЕП), який е виконавчим елементом схеми термоста-бшзацп лазерного дюда;

• Теплопровщ який забезпечуе ввдвщ теплового потоку вщ лазерного дюда.

Зпдно з анал!зом, що був проведений, можна сказати, що потужшсть випром!нювання лазерного дюда пропо-рцшна струму який пропкае кр!зь нього (струму накачки). При струм! накачки нижче порогового лазерний дюд працюе в режим! свгтлодюда випром!нюючи некогерентне випромшювання з нашвшириною спектру 20-25 нм, при струм! вище порогового дюд переходить в режим генерацп когерентного випромшювання, ширина спектру якого значно вужча i зазвичай становить одинищ нанометр!в або навиъдесяп дол! нанометр!в. Потужшсть випромшювання прямо пропорцшна струму кр!зь лазерний дюд(струму накачки лазера). Положення центрaльноï довжини хвил спектру випром!нювання нашвпроввдникового лазерного дюда мае сильну залежшсть в!д його температури та струму накачки [4].

Параметризована схема техшчно! структури лазерного модуля представлена на рис. 1.

Р.и

Ьх

Гча*лпчнв юрч* 1од. Р.-и. и«

ЛхъсрннИ >*1|МВ1 МЫЛ

Р.ТД

£11

Очшян?

ТП=

щ-

I (Ы™1 I --------------------------055"

1ТЕП

^■ниши

Рис. 1. Параметризована схема техшчнот структури лазерного модуля, де - температура «холодно\>> поверхнi ТЕП, - температура «гарячот» поверхш ТЕП, 1лд - струм лазерного дюда, 1теп - струм термоелектричного перетворювача, Rтр. - опiр терморезистора, ^с - температура навколишнього середовища, Хлд- довжина хвилi лазерного випромшювання, Рлд- потужнiсть випромшювання лазера, «холодний» тепловий потiк ТЕП, Qr- «гарячий» тепловий потiк ТЕП

На рис. 2 представлена структурна (а) та параметрична (б) схеми процесу формування випромiнювання лазер-ним DFB-модулем як об'екта керування.

а)

т™

---:

-0

б)

ч

Рлл

_____ ч у <

У V, ? Цд

У к ^ Е-т?^ -

Рис. 2. Структурна (а) та параметрична (б) схеми процесу формування випромшювання лазерним DFB-модулем як об'екту керування, де ТП - теплопроввд, ТЕП - термоелектричний перетворювач, ТПлд - теплопроввд лазерного дiода, ТР -терморезистор, ЛД - лазерний дюд, ФД - фотодюд, ^п - температура «холоднот» поверхш ТЕП, - температура «гарячот» поверхш ТЕП, 1лд - струм накачки лазерного дюда (керуючий вплив змiни потужностi випромшювання), 1теп— струм термоелектричного перетворювача (керуючий вплив змiни довжини випромшювання), Ятр. - опiр терморезистора, ^с- температура навколишнього середовища, ^-р- температура терморезистора, ^лд - довжина хвилi лазерного випромiнювання, Рлд - потужнiсть випромiнювання лазера, Ох- «холодний» тепловий потж ТЕП Qr- «гарячий» тепловий потш ТЕП

За результатами дослщження була розроблена модель роботи ТЕП зпдно iз наведеними матерiалами вище. Розробка та тестування комп'ютерно! iмiтацiйноl моделi ОК.

У результатi моделювання отримали модель залежностi сили струму та температури, а також напруги та струму.

Рис. 3. Модель роботи TEn

Рис. 4. Шдсистема TEn

»

тот vi- "Mo

* 4 * , S • .ч - И - f -л ■

1—

wo 1-—-il iwwwMiL

40 ____

1 --

Рис. 5. Результата моделювання

*

Filt Twa¡ Amulado* не(р

5) - & - <4 - ITí - i

|--i

_

VqlbtpfV}

!-Vfi4*9É|Vj|

]

-

5

Hfijy

№ IrcJi ih

a- »i

SMf,n м)к T-Iid»

Рис. 6. Результата моделювання

Г«(

- a t s

Рис. 7. Результати моделювання загальноТ характеристики залежностi

Пристрш Пельтье, що працюе в режимi охолодження з температурою гарячо! сторони 50°C у режимi охоло-дження ККД Пельтье дорiвнюe теплу, що передаеться через термоелектричний охолоджувач (ТЕП), подшенш на вхвдну електричну потужнють, COP = Qc / Pin.

Шсля отримання характеристик роботи ТЕП, була створена модель, яка реалiзована засобами середовища MATLAB Simulink для отримання перехвдних характеристик лазерного випромшювача. Динамiчна модель лазерного випромiнювача може бути представлена наступним рiвняння:

dP (t)

dt

P (t) + f (At )T + f (Ia )Id

dT (t)

dt

a22T (t) + f (AP)P (t) + f (Imn)ITJ

1Ф = f )

R = f (I)

T - температура

P - потужшсть випромiнювання

1теп - струм термоелектричного перетворювача

1д - струм дюда

Вх1дний «холодний» тепловий попк ТЕП розраховуватися i3 залежносп

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

AT t2R

Qx = -— + ±m • Ta • T - TRn,

РтЕП 2

де Qx - вхвдний («холодний») тепловий полк ТЕП ; Qr - вихвдний («гарячий») тепловий потж ТЕП ; RTEn - елек-тричний опiр ТЕП; ртЕП - тепловий опiр ТЕП; о^ - коефiцieнт р-п переходу [V/K]; Те - абсолютна температура тепло! сторони[К]; Та - абсолютна температура холодно! сторони[К]; V - падшня напруги на ТЕП; I - струм ^зь ТЕП.

Bиxiдний «гарячий» тепловий потiк ТЕП визначаеться ефектом Пельт'е (o^.TT), теплопровiднiстю ТЕП (t / pm) i тепловим ефектом Джоуля (I2 RTEn).

qa =-— + ±m • Ta • I + i2^™ Pm 2

Потужшсть, що споживае ТЕП розраховуватися iз залежностi

Р = V • I = I • (±m • ДТ • I + RTEn • I),

де Р - електрична потужнiсть, яка споживаеться ТЕП

Коефiцiент продуктивностi СОР характеризуе ефективнiсть роботи ТЕП

COP = qa / P

Параметри Ош, рТЕП i RTEn можуть бути розраxованi за даними теxнiчного паспорту на ТЕП з використанням рiвнянь.

v Ст -дт )

у max У e_max/

R„

L

де Imax - максимально допустимий струм; Vmax - напруга, яка виникае на термоелементi при Imax; ATmax - максимально допустима рiзниця температур мiж холодною та гарячою стороною.

ДТ 2 ■ T

д _ _max _е_

^max Vmax (Те ДТтах)

V

о _ max

am _ - •

Te

Коефiцiенти залежать вiд параметрiв терморезистора i ввд дiапазону температур в якому це рiвняння дае достатню для практичного застосування точнiсть..

Для керування лазерними випромiнювачами при формуванш оптичних сигналiв за теxнологiею оптичного мультиплексування DWDM (Dense Walelenght Devision Multiplexing) застосовуються системи керування як потужшстю так i довжиною хвил1 випромiнювання. При цьому керування довжиною xвилi випромiнювання здш-снюеться сшсно без безпосереднього вимiрювання довжини xвилi - за опором терморезистора Rтр, що вимiрюе температуру лазерного дюда. Структурна схема тако! «базово!» САР представлена на рис. 5.

Рис. 8. Базова структура САК процесом формування випромшювання лазерним DFB-модулем, де W1 - регулятор потужностi випромшювання лазерного дюда^2- регулятор довжини хвилi лазерного дiода, 1лд - струм накачки лазерного дюда (керуючий вплив змши потужностi випромшювання), 1теп - струм термоелектричного перетворювача (керуючий вплив змши довжини випромшювання)

Виходячи з того, що в об'екп керування iснують значш взаeмнi перехреснi впливи мiж контурами керування потужнiстю та довжиною хвилi випромiнювання, а також спостерiгаeться досить суттевий вплив температури навколишнього середовища пвдвищення динамiчноl точностi системи керування можливе при И побудовi на принципах iнварiантностi та автономносл Концептуальна структурна схема тако! САР представлена на рисунку 6.

Рис. 9. Структурна схема САК процесом формування вимромшювання мщвищеноТ динамiчноТ точносл, де W1 - регулятор мотужносп вимромiнювання, W2 - регулятор довжини хвил вимромiнювання, Wki, Wk2 - корегувальш м1ж регуляторнi ланки, фф - корегувальна ланка комменсаци збурень

по теммературi навколишнього середовища

iHBapiaHTHiCTb контуру регулювання довжини хвилi випромiнювання вiд температури навколишнього середовища досягаеться за рахунок введення корегувального зв'язку 9(t) в контур стабшзацп температури ЛД, а авто-номшсть за рахунок введення м1ж регуляторних корегувальних зв'язк1в [5].

Висновки. Можна сказати, що лазери в свогй рiзноманiтностi мають ряд характеристик, що робить гх досить унiкальними. Таким чином сл1д видiлити напiвпровiдниковi лазери, дiапазон дii яких базуеться на видимому та шфрачервоному спектрi. 1х ввдносно малий розмiр дозволяе зменшити вагу та габарити пристроГв у яких гх можна використовувати. Якщо розглядати дiод ний лазер, як об'ект керування, то можна сказати, що вони вимага-ють досить високоГ стабiлiзацii температури. Така стабшза^ е необхiдною у результатi великоГ залежностi його частоти випромiнювання ввд температури. Пiдтримка необхiдноi' частоти та штенсивносп когерентного випро-мiнювання на виходi лазера та температури вщкрие широке застосування у багатьох сферах та пристроях.

Список використаноТ лггератури

1. R. Palacios, A. Arenas, R. Rodriguez-Pecharroman, F.L. Pagola, Analytical procedure to obtain internal parameters from performance curves of commercial thermoelectric modules, Applied Thermal Engineering (2009), doi: 10.1016/j. applthermaleng.2009.06.003

2. Belovski I. et al. Mathematical Model of Thermoelectric Peltier Module //Journal of Communication and Computer. -2017. - Т. 14. - №. 2. - С. 60-64.

3. Похлебша Н.О. Стан розвитку та шляхи удосконалення систем автоматичного керування параметрами випромшювання dfb лазерiв / Похлебша Н.О., Мазур О.В., Ковальчук Д.А. // Науково-перюдичш видання ОНТУ (ONTU periodicals) Автоматизацiя технолопчних та бiзнес-процесiв (Automation of technological and business processes) Том 12 № 2, 2020

4. Похлебша Н. О. Автоматизащя процесу формування випромiнювання лазерними DFB-модулями: структурна та параметрична iдентифiкацiя, концепцiя перспективноГ САК / Н. О. Похлебша, О. В. Мазур // 1нформа-цшш технологи i автоматизацiя-2020 : зб. доп. XIII Мiжнар. наук.-практ. конф., Одеса, 22-23 жовт. 2020 р. / Одес. нац. акад. харч. технологш, 1нститут комп'ютерних систем i технологiй «1ндуст^я 4.0» iм. П. М. Платонова ; орг. ком.: Б. В. Сгоров (голова) та ш. - Одеса, 2020. - С. 132-135 : рис. - Бiблiогр.: 7 назв.

5. Хобш В.А. - Конспект лекцш з курсу «1дентифшац1я та моделювання технолопчних обекпв» для студен-тiв, як навчаються за спецiальнiстю 151 «Автоматиза^ та комп'ютерно-штегроваш технологи» денног та зао-чноГ форми навчання. - Одеса: ОНАХТ, 2016. 96 с.

6. Хобш В.А - Конспект лекцш з курсу «Теорiя автоматичного керування» для студенпв, яш навчаються за спещальшстю 151 «Автоматиза^ та комп'ютерно-штегроваш технологii» денног та заочноГ форми навчання. -Одеса: ОНАХТ, 2012. Ч. 1. 112 с.

7. Хобш В.А - Конспект лекцш з курсу «Теорiя автоматичного керування» для студенпв, яш навчаються за спещальшстю 151 «Автоматизацiя та комп'ютерно-штегроваш технологи» денног та заочноГ форми навчання. -Одеса: ОНАХТ, 2019. Ч. 2. 72 с.

8. Й. Коэф, М. Фишер, М. Легге, Й. Сейферт, Р. Вернер - Лазеры с распределенными брэгговскими решетками на квантовых ямах, точках и с квантовыми каскадами.

9. Жмудь В.А. - Системы автоматического управления. прецизионное управление лазерным излучением, 2018.

10. Дураев В.П. - Источники оптического излучения. - В кн..: Волоконно-оптическая техника: История, достижения, перспективы: Сб. статей под ред. Дмитриева С.А., Слепова Н.Н. - М.: Изд. Connect, 2000.

11. Дураев В.П. - Полупроводниковые лазеры с волоконой брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530-1560 нм. - Квантовая электроника, 2001.

12. А.А. Вггров, канд. техн. наук; Д.А. Данилов; С.С. £сшов; С.С. Комюаров; М. Сергушичiв, канд. техн. наук, Порiвняння температурних i електричних методiв управлшня довгш xвилi випромiнювання нашвпровщникових лазерiв, «Оптичний журнал», 76, 8, 2009 р.

13. H. Suzuki et al. - IEEE Photon. Technol. Lett. 2000, v. 12, p. 903.

14. P. Werle. Diode-Laser Sensors for in-situ Gas Analysis. - In: Lasers in Environmental and Life Sciences - Modern Analytical Methods, Springer, Heidelberg, 2004, p. 223.

15. H. Kogelnik, C. Shank. - J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 2327.

16. J. Whiteaway et al. - IEEE. J. Quantum Electron., 1992, v. 28, p. 1277.

17. G. Li et al. - Electron. Lett., 1992, v. 28, p. 1726.

18. HITRAN database: http://cfa-www.harvard.edu/hitran

19. F. Schaefer et al. - Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, p. 2915.

20. J. Faist et al. - Science, 1994, Issue 264, p. 553.

References

1. R. Palacios, A. Arenas, R. Rodriguez-Pecharroman, F.L. Pagola, Analytical procedure to obtain internal parameters from performance curves of commercial thermoelectric modules, Applied Thermal Engineering (2009), doi: 10.1016/j. applthermaleng.2009.06.003

2. Belovski I. et al. Mathematical Model of Thermoelectric Peltier Module //Journal of Communication and Computer. -2017. - Vol. 14. - No. 2. - pp. 60-64.

3. N.O. Pokhlebina The state of development and ways of improving the systems of automatic control of radiation parameters of dfb lasers / N.O. Pokhlebina, O.V. Mazur, D.A. Kovalchuk. // Scientific periodicals of ONTU (ONTU periodicals) Automation of technological and business processes (Automation of technological and business processes) Volume 12 No. 2, 2020

4. N.O. Pokhlebina Automation of the process of radiation formation by laser DFB modules: structural and parametric identification, the concept ofa promising SAC / N. O. Pokhlebina, O. V Mazur // Informationtechnologies and automation-2020: coll. add. XIII International science and practice conference, Odesa, October 22-23. 2020 / Odessa. national Acad. food. of technologies, Institute of computer systems and technologies "Industry 4.0" named after P. M. Platonova; org. com.: B.V. Yegorov (chairman) and others. - Odesa, 2020. - pp. 132-135: fig. - Bibliography: 7 titles.

5. Khobin V.A. - Synopsis of lectures from the course "Identification and modeling of technological objects" for students studying in the specialty 151 "Automation and computer-integrated technologies" full-time and part-time. -Odesa: ONAKHT, 2016-96 p.

6. Khobin V. A. - Synopsis of lectures from the course "Theory of automatic control" for students studying in the specialty 151-"Automation and computer-integrated technologies" full-time and part-time. - Odesa: ONAKHT, 2012.-Part 1-112 p.

7. Hobin V. A. - Synopsis of lectures from the course "Theory of automatic control" for students studying in the specialty 151 "Automation and computer-integrated technologies" full-time and part-time. - Odesa: ONAKHT, 2019. Part 2. 72 p.

8. J. Koef, M. Fischer, M. Legge, J. Seifert, R. Werner - Lasers with distributed Bragg gratings on quantum wells, dots and with quantum cascades.

9. Zhmud V.A. - Automatic control systems. precision control of laser radiation, 2018.

10. Duraev V.P. - Sources of optical radiation. - In the book..: Fiber-optic technology: History, achievements, prospects: Sat. articles under the editorship of Dmitrieva S.A., Slepova N.N. - M.: Izd. Connect, 2000.

11. Duraev V.P. - Semiconductor lasers with a fiber Bragg grating and a narrow lasing spectrum at wavelengths of 1530-1560 nm. - Quantum electronics, 2001.

12. A. Vitrov, Candidate of Science technical sciences; D. A. Danilov; S. S. Yesipov; S. S. Komisarov; M. Sergushychiv, candidate technical Sciences, Comparison of temperature and electrical methods of controlling the long-wave emission of semiconductor lasers, "Optical journal", 76, 8, 2009.

13. H. Suzuki et al. - IEEE Photon. Technol. Lett. 2000, v. 12, p. 903.

14. P. Werle. Diode-Laser Sensors for in-situ Gas Analysis. - In: Lasers in Environmental and Life Sciences - Modern Analytical Methods, Springer, Heidelberg, 2004, p. 223.

15. H. Kogelnik, C. Shank. - J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 2327.

16. J. Whiteaway et al. - IEEE. J. Quantum Electron., 1992, v. 28, p. 1277.

17. G. Li et al. - Electron. Lett., 1992, v. 28, p. 1726.

18. HITRAN database: http://cfa-www.harvard.edu/hitran

19. F. Schaefer et al. - Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, p. 2915.

20. J. Faist et al. - Science, 1994, Issue 264, p. 553.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.