CC BY
3ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ INTEGRATED ELECTRONICS ELEMENTS
Научная статья УДК 621.372.56
doi:10.24151/1561-5405-2024-29-2-175-184 EDN: NRUVQC
Влияние импульсной мощности на параметры пленочных поглощающих элементов
А. В. Пилькевич, В. Д. Садков
Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, г. Нижний Новгород, Россия
Аннотация. Современному состоянию развития пленочных поглощающих элементов, применяющихся для построения волноводных, коаксиальных, полосковых и микрополосковых аттенюаторов и адаптоаттенюато-ров, а также в гибридных интегральных схемах ВЧ- и СВЧ-диапазонов, присущи поиск путей повышения электрических характеристик и лучшее понимание происходящих в поглощающих элементах процессов. Значительный интерес представляет тепловая устойчивость поглощающих элементов при импульсном воздействии, зависящая от ряда трудно моделируемых конструктивно-технологических факторов. В работе с использованием программного комплекса Е1си проведено моделирование режима работы пленочного поглощающего элемента, в котором все выделяемое входными импульсами тепло поглощается пленкой с учетом зависимостей ее удельного поверхностного сопротивления и удельной теплоемкости от температуры. Исследованы зависимости плотности тепловыделения, распределения удельного поверхностного сопротивления и напряженности электрического поля по поверхности резистивной пленки для ряда топологий поглощающих элементов больших и малых ослаблений - типовых и оптимизированных - с более равномерным распределением плотности тока и градиентов потенциала по поверхности пленки. Предложена методика и приведены зависимости входного сопротивления и ослабления поглощающего элемента от энергии входного импульса, удельной теплоемкости и температурного коэффициента удельного сопротивления с учетом их температурных зависимостей для типовых материалов резистивных пленок. Показано, что ключевые параметры поглощающих элементов могут изменяться в ряде случаев более чем на 40 % по ослаблению и более чем на 80 % по входному сопротивлению. Предложенная методика может быть использована для определения максимальной энергии входного импульсного сигнала по наивысшей мгновенной допустимой температуре перегрева резистивной пленки.
© А. В. Пилькевич, В. Д. Садков, 2024
Ключевые слова: пленочный поглощающий элемент, аттенюатор, импульсный режим
Для цитирования: Пилькевич А. В., Садков В. Д. Влияние импульсной мощности на параметры пленочных поглощающих элементов // Изв. вузов. Электроника. 2024. Т. 29. № 2. С. 175-184. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-2-175-184. -EDN: NRUVQC.
Original article
The effect of pulse power on the parameters of film absorbing elements
A. V. Pilkevich, V. D. Sadkov
Nizhny Novgorod State Technical University n.a. R. E. Alekseev, Nizhny Novgorod, Russia
Abstract. Absorbing film elements are widely used for the construction of waveguide, coaxial, strip and microstrip attenuators and adaptoattenuators, as well as in hybrid RF and microwave integrated circuits. The current state of their development is characterized by the search for ways of electrical characteristics improvement, and better understanding of the processes occurring in the absorbing elements. The thermal stability of absorbing elements under pulsed action, depending on a number of difficult-to-model structural and technological factors, is of considerable interest. In this work, using the Elcut software package, a simulation of the operating mode of an absorbing film element was carried out, in which all the heat generated by the input pulses is absorbed by the film, with account for the dependences of its specific surface resistance and specific heat capacity on temperature. The dependences of the heat release density, the distribution of the specific surface resistance and the electric field strength over the surface of the resistive film are investigated for a number of topologies of absorbing elements of large and small attenuations - typical and optimized, with a more uniform distribution of current density and potential gradients over the surface of the film. A technique is proposed and the dependences are given: of the absorbing element's input resistance and attenuation on the energy of the input pulse, on the specific heat capacity and on the temperature coefficient of resistivity, with account for their temperature dependences for typical materials of resistive films. It has been demonstrated that changes in the key parameters of the absorbing elements can exceed in some cases 40 % in attenuation and 80 % in input resistance. The proposed technique can be used to determine the maximum energy of the input pulse signal by the highest instantaneous permissible overheating temperature of the resistive film.
Keywords: absorbing film element, attenuator, pulse mode
For citation: Pilkevich А. V., Sadkov V. D. The effect of pulse power on the parameters of film absorbing elements. Proc. Univ. Electronics, 2024, vol. 29, no. 2, pp. 175-184. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-2-175-184. - EDN: NRUVQC.
Введение. Пленочные поглощающие элементы (ПЭ) широко используются для построения волноводных, коаксиальных, полосковых и микрополосковых аттенюаторов и адаптоаттенюаторов, а также в гибридных ИС ВЧ- и СВЧ-диапазонов. Современное состояние их развития характеризуется поиском путей повышения электрических параметров и лучшим пониманием происходящих в ПЭ тепловых процессов [1-5].
Основные способы повышения средней и импульсной мощности ПЭ - использование диэлектрических подложек с высокой теплопроводностью, повышение качества их поверхности, равномерности резистивного слоя, ровности его краев [6-11]. Увеличение импульсной мощности в 5-8 раз, средней - в 1,3-1,4 раза возможно при предварительном нанесении на подложку тонких покрытий с высокими теплоемкостью и теплопроводностью толщиной не менее глубины прогрева слоя за время воздействия импульса [12], а также при улучшении теплоотвода со стороны резистивной пленки путем нанесения на нее тонкой (« 0,5 мкм) теплоотводящей пленки из нитрида кремния. Повышение импульсной рассеиваемой мощности также достигается в ПЭ, изготовленных по толстопленочной технологии. Однако эта технология характеризуется худшей стабильностью параметров наносимых пленок и меньшей точностью формирования топологии [13, 14].
Для повышения частотно-мощностных характеристик применяется каскадное включение нескольких ПЭ, разделяемых отрезками однородных линий передачи. По сути, это переход к квазираспределенной структуре с множеством варьируемых параметров и распределением выделяющейся мощности по большей площади. Комбинация таких подходов со структурами с распределенными параметрами при использовании длинных линий с повышенными погонными потерями теоретически позволяет создавать аттенюаторы на базе ПЭ с предельно высокими частотно-мощностными характеристиками [15, 16].
Значительный интерес представляет тепловая устойчивость одиночных ПЭ, зависящая от ряда трудно моделируемых конструктивно-технологических факторов: выбранных материалов; технологии нанесения проводящих и резистивных пленок; структурной однородности резистивной пленки и качества поверхности подложки; топологии пленки, позволяющей снизить неравномерность тепловыделения и напряженности электрического поля по поверхности ПЭ; качества монтажа подложки на те-плоотвод; условий теплопередачи от пленки в окружающую среду и т. п. [1-5, 17-19]. В ряде работ отмечается необходимость отдельного рассмотрения тепловых режимов ПЭ, диэлектрической подложки и тонкой резистивной пленки [1-3].
При моделировании теплового режима ПЭ, как правило, рассматриваются два крайних случая: выделяемое тепло успевает распределиться по материалу подложки, расчет ведется по средней мощности; материал резистивной пленки изолирован по передаче тепла от материала подложки, все выделяемое в ПЭ тепло поглощается пленкой, что позволяет рассчитать ее мгновенный перегрев. В первом случае не учитывается тепловая инерция передачи энергии от пленки в подложку и реальные значения мгновенного перегрева оказываются заниженными, во втором - не учитывается передача тепла в подложку и контакты.
В настоящей работе рассматривается второй случай, соответствующий максимально тяжелому режиму работы ПЭ, когда мгновенные значения выделяющейся тепловой энергии и градиенты потенциалов в разы превышают значения, соответствующие стационарному режиму. Полученное мгновенное распределение сохраняется в течение примерно 10-6 с, и далее за счет перехода тепла в подложку и контакты температура уменьшается и в стационарном режиме наибольшие ее значения отмечаются только в центре подложки [1]. С использованием отечественного программного комплекса El cut [20]
определяется распределение рассеиваемом мощности по поверхности резистивнои пленки и с учетом зависимости ее удельного поверхностного сопротивления и удельной теплоемкости от температуры находится реальное распределение удельного поверхностного сопротивления, входное сопротивление и ослабление ПЭ, включенного в 50-омную линию. Отметим, что условия, при которых тепло между импульсами может отдаваться в подложку, приведены в работе [1].
Методика и результаты моделирования. Анализ влияния импульсного режима на ключевые параметры ПЭ проводили для ПЭ типовой прямоугольной топологии и топологии с оптимизированным профилем входных контактов для повышения равномерности распределения плотности тока и градиентов потенциала по поверхности пленки (рис. 1) [17-19].
Рис. 1. Топология пленочных поглощающих элементов: а - типовой; б - оптимизированный для больших ослаблений; в - оптимизированный для малых ослаблений (1, 2 и 3 - входной, выходной
и заземленный контакты соответственно) Fig. 1. Topology of film absorbing elements: а - typical; b - optimized for large attenuations; c - optimized for small attenuations (1, 2 and 3 - input, output and grounded contacts, respectively)
Для удобства моделирования рассматривали половину ПЭ относительно оси симметрии ОО. Их входное сопротивление ^вх =50 Ом, толщина резистивной пленки 300-600 Ä, размеры a, b и d выбирали из условия реализации малых (5 дБ, a = 0,5 мм, b = 3,5 мм, d = b/2) и больших (20 дБ, a = b = 3,5 мм, d = b/2) ослаблений. В качестве материалов резистивных пленок использовали нихром Х20Н80, хром, тантал, для которых в отличие от сплавов типа РС известны зависимости удельного сопротивления, теплоемкости и теплопроводности от температуры вплоть до 1000-1200 °С. Перечисленные зависимости для сплавов РС определяли в первом приближении через параметры исходных материалов и их содержание в сплаве в массовых долях (процентах) [21]. Поскольку распределение тепловой энергии в ПЭ существенно неравномерно, область резистивной пленки разделяли на элементы размерами 0,05 х 0,05 мм (вблизи входного / выходного контакта - на элементы размерами 0,025 х 0,025 мм). В каждом из них определяли температуру и удельное сопротивление с учетом температурных зависимостей удельного сопротивления и удельной теплоемкости.
Энергию импульса длительностью < 10-6 с выбирали из условия, что максимально достигаемая температура пленки не превысит ~ 1000 °С (перегрев ДТ относительно комнатной температуры). Это соответствует кратковременной устойчивой работе пленки. Перегрев определяли из соотношения
Q = Pt = ^дТ,
где Q - энергия импульса, выделившаяся за время т его действия, Дж; Р - мощность импульса, Вт; С - удельная теплоемкость, зависящая от температуры, Дж/(кг-град); m - масса выделенного элемента пленки, кг; ДТ - перегрев элемента, °С.
По рассчитанному перегреву в каждом элементе пленки вычисляли удельное сопротивление р с учетом его зависимости от температуры ДТ:
р = р0(1 + аДТ),
где р0 и а - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки и его температурный коэффициент соответственно. Для нихрома Х20Н80 а = (13-17>10-5 °С-1.
Значения и зависимость удельной теплоемкости С и температурного коэффициента а от температуры для типовых материалов резистивных пленок определяли согласно работе [21]. Для получения входного / выходного сопротивления 50 Ом удельное поверхностное сопротивление р0 для топологии на рис. 1, а составляло 50 Ом/а, для топологии на рис. 1, б, в равно 70 Ом/а
Созданную в программном комплексе Elcut кусочно-однородную модель с вычисленными значениями удельного сопротивления р в элементах пленки использовали далее для определения параметров П-образной схемы замещения ПЭ, его входного / выходного сопротивления RшJRв,ъm и ослабления q. Результаты распределения тепла, удельных поверхностных сопротивлений и напряженностей электрического поля с учетом зависимостей теплоемкости и удельного сопротивления от температуры для нихрома Х20Н80 приведены на рис. 2 и 3. Расчет проводили при следующих исходных параметрах: Р = 1,5 Вт, т = 10- с, максимальная температура вблизи входного контакта ПЭ на рис. 1, а достигала 1000 °С.
Рис. 2. Плотности тепловыделения и распределения удельного поверхностного сопротивления по поверхности в типовых (а, в) и оптимизированных (б, г) пленочных поглощающих элементах
для ослаблений 20 дБ (а, б) и 5 дБ (в, г) Fig. 2. Heat dissipation densities and distributions of specific surface resistance over the surface in typical (a, c) and optimized (b, d) film absorbing elements for attenuations of 20 dB (a, b) and 5 dB (c, d)
Рис. 3. Распределения напряженности поля в пленочных поглощающих элементах для ослаблений 20 дБ (а, б) и 5 дБ (в, г) Fig. 3. Distribution of the field strength in film absorbing elements for attenuations of 20 dB (a, b) and 5 dB (c, d)
Топологии на рис. 1, б, в дают небольшой выигрыш в максимальных значениях напряженности поля по сравнению с топологией на рис. 1, а, но обеспечивают, как показали исследования в широком диапазоне ослаблений, уменьшение максимальной плотности тепловыделения вблизи входного контакта в 1,3 раза (среднее значение), что ослабляет возможности выгорания пленки и микропробоев, понижает уровень термомеханических напряжений в ПЭ.
Поскольку для большинства материалов резистивных пленок рабочая температура не превышает 250-300 °С, для импульсного режима при более высоких температурах температурный коэффициент а может составлять 10-3 °С-1. Для типовых материалов резистивных пленок с диапазоном удельных теплоемкостей 100-600 Дж/(кг-град) на рис. 4 приведены зависимости ослабления q и входного сопротивления Rbx от теплоемкости C и входной мощности P (длительность импульсов т = 10-7 с) для нихрома с температурным коэффициентом сопротивления пленки а = 1740 °С-1 и материала с а = 10-3 °С-1.
Очевидно, что изменение ослабления ПЭ с активным входным сопротивлением Rbx, включенным в 50-омную линию, будет происходить и из-за возникновения рассогласования на входе. Коэффициент стоячей волны напряжения, равный Rbx/50, может достигать 1,8. Изменения выходного сопротивления малы и не учитывались. Отмечается существенная зависимость ослабления и входного сопротивления от мощности входного сигнала P, теплоемкости и температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки а. Например, если при С = 100 Дж/(кг-град) и а = 17-10-5 °С-1 изменения эти могут составлять 5 % по q и 12 % по Rbx, то при а = 10-3 °С-1 они достигают уже более 40 % по q и свыше 80 % по Rbx.
Рис. 4. Зависимости ослабления q и входного сопротивления Лвх от удельной теплоемкости С и энергии импульса P для ослаблений 20 дБ (а, в) и 5 дБ (б, г): а, б - типовой пленочный элемент; в, г - оптимизированный пленочный элемент для больших и малых ослаблений соответственно
(пунктирная линия - а = 17^10-5 °С-1, сплошная линия - а = 10-3 °С-1) Fig. 4. Dependences of attenuation q and input resistance Явх on the specific heat capacity C and pulse energy P for attenuations of 20 dB (a, c) and 5 dB (b, d): a, b - typical film element; c, d - optimized film element for large and small attenuations, respectively (dotted line - а = 17-10-5 °С-1,
solid line - а = 10-3 °С-1)
Заключение. Предложенная методика может быть использована для определения максимальной мощности входного импульсного сигнала в наихудшем случае (короткий импульс малой длительности при большой скважности) по наивысшей мгновенной допустимой температуре перегрева резистивной пленки.
Литература
1. Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ: монография. Кн. 1 / под ред. А. Г. Гудкова, В. В. Попова. М.: Автотест, 2012. 212 с. ЕБ№ рМХБрК.
2. Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ: монография. Кн. 2 / под ред. А. Г. Гудкова, В. В. Попова. М.: Автотест, 2013. 214 с. ЕБ№ гОЛгЖ.
3. Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ: монография. Кн. 3 / под ред. В. Н. Вьюгинова, А. Г. Гудкова, В. В. Попова. М.: Вираж-Центр, 2016. 252 с. ЕБ№ гОСгОИ.
4. Горбачев В., Кочемасов В. Резисторы - основные типы и характеристики. Ч. 4 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2021. № 8 (209). С. 102-113. https://doi.org/10.22184/1992-4178.2021.209.8.102.113. - EDN: BVAALV.
5. Крючатов В. И., Карамов Ф. А. Конструктивно-технологические вопросы проектирования тонкопленочных резистивных нагрузок ГИС СВЧ диапазона при воздействии импульсной СВЧ мощности // Электронное приборостроение: науч.-практ. сб. Вып. 5 (26). Казань: Отечество, 2002. С. 108-116.
6. Корж И. А., Кузнецов А. Н. Исследование резистивных пленок TаN с минимальным ТКС для мощных ВЧ нагрузок и аттенюаторов // Техника радиосвязи. 2017. № 4 (35). С. 117-124. EDN: BTPDJY.
7. Корж И. А., Кузнецов А. Н. Тонкие резистивные пленки на основе соединений тантала для изготовления мощных ВЧ-нагрузок и аттенюаторов // Техника радиосвязи. 2016. № 4 (31). С. 69-76. EDN: YGARVB.
8. Гладких М. В., Моин И. И. Мощная широкополосная нагрузка на поликристаллическом алмазе // Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА: материалы науч.-техн. конф. (Владимир, 21-23 марта 2007 г.). Ч. 1. Владимир: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2007. С. 33-34.
9. Корж И. А., Зима В. Н., Евдокимов М. А. Мощные пленочные резисторы на подложках из AlN и Al2O3 для ВЧ аттенюаторов большой мощности // Радиотехника, электроника и связь («РЭиС-2011»): сб. докладов Междунар. науч.-техн. конф. (Омск, 5-8 июля 2011 г.). Омск: ОНИИП, 2011. С. 478-484. EDN: TXVZNN.
10. Пилькевич А. В., Садков В. Д. Изменение параметров пленочных поглощающих элементов под действием импульсной мощности // Программа и аннотации докладов XXIX Междунар. науч.-техн. конф. «Информационные системы и технологии - ИСТ-2023» (г. Н. Новгород, 29 мая - 2 июня 2023 г.). Н. Новгород: Нижегород. гос. техн. ун-т им. Р. Е. Алексеева, 2023. С. 33.
11. Двухслойные теплоотводящие диэлектрические подложки алмаз - нитрид алюминия /
B. Г. Ральченко, А. В. Савельев, А. Ф. Попович и др. // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. № 4. С. 243-247. EDN: HUIIOH.
12. Потенциал отечественного алмаза. Теплоотводы / А. Колядин, В. Лучинин, Ю. Ягудаев и др. // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2022. № 5 (216). С. 50-61. https://doi.org/10.22184/1992-4178.2022.216.5.50.61. - EDN: KAHAKL.
13. Подшибякин С. В. Композиционные керметные резистивные, проводниковые и защитные материалы для толстопленочных резисторов // Электронная промышленность. 2008. № 4. С. 46-56. EDN: JXFZAR.
14. Подвигалкин В. Я. Возможности толстых пленок микроэлектроники в создании элементной базы радиоэлектронных систем (обзор) // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 5. С. 348-360. https://doi.org/ 10.7868/S0544126913050062. - EDN: QYNIFD.
15. Богомолов П. Г. Методы расширения полосы рабочих частот пленочных СВЧ-аттенюаторов // Успехи современной радиоэлектроники. 2015. № 10. C. 145-148. EDN: VPYVSF.
16. Давидович М. В., Мещанов В. П., Никулина A. C., Попова Н. Ф. Электродинамическое моделирование неоднородных линий с потерями: расчет нагрузок и аттенюаторов // Электронная промышленность. 2000. № 1. С. 73-83.
17. Садков В. Д., Горячев Ю. А. Расчет тонкопленочной аттенюаторной пластины // Техника средств связи. Сер. Радиоизмерительная техника. 1977. № 2. С. 13-19.
18. Пилькевич А. В., Фомина К. С., Садков В. Д. Оптимизация топологии пленочных поглощающих элементов ВЧ и СВЧ аттенюаторов // Проектирование и технология электронных средств. 2020. № 1.
C. 8-12. EDN: WTBBEU.
19. Фомина К. С., Пилькевич А. В., Садков В. Д. Оптимизация топологии пленочных чип-элементов ВЧ и СВЧ аттенюаторов // Нано- и микросистемная техника. 2019. Т. 21. № 9. С. 540-545. https://doi.org/10.17587/nmst.21.540-545. - EDN: WGRAEQ.
20. ELCUT: Программа моделирования электромагнитных и температурных полей // ELCUT [Электронный ресурс] / ООО «Тор», С.-Петербург. URL: https://elcut.ru/about_r.htm (дата обращения: 26.01.2024).
21. Краткий справочник физико-химических величин / под ред. К. П. Мищенко, А. А. Равделя. 7-е изд., испр. Л.: Химия, 1974. 200 с.
Статья поступила в редакцию 08.06.2023 г.; одобрена после рецензирования 07.09.2023 г.;
принята к публикации 12.02.2024 г.
Информация об авторах
Пилькевич Антон Владимирович - аспирант Института радиоэлектроники и информационных технологий Нижегородского государственного технического университета им. Р. Е. Алексеева (Россия, 603950, г. Нижний Новгород, ул. Минина, д. 24), [email protected]
Садков Виктор Дмитриевич - кандидат технических наук, доцент Института радиоэлектроники и информационных технологий Нижегородского государственного технического университета им. Р. Е. Алексеева (Россия, 603950, г. Нижний Новгород, ул. Минина, 24), [email protected]
References
1. Improving the reliability and quality of microwave hybrid IC and monolithic IC, monograph. Book 1, eds A. G. Gudkov, V. V. Popov. Moscow, Avtotest Publ., 2012. 212 p. (In Russian). EDN: QMXFQR.
2. Improving the reliability and quality of microwave hybrid IC and monolithic IC, monograph. Book 2, eds A. G. Gudkov, V. V. Popov. Moscow, Avtotest Publ., 2013. 214 p. (In Russian). EDN: ZGAZNZ.
3. Improving the reliability and quality of microwave hybrid IC and monolithic IC, monograph. Book 3, eds V. N. V'yuginov, A. G. Gudkov, V. V. Popov. Moscow, Virazh-Tsentr Publ., 2016. 252 p. (In Russian). EDN: ZGCZOH.
4. Gorbachev V., Kochemasov V. Resistors - basic types and characteristics. Part 4. Elektronika: Nauka, tekhnologiya, biznes = Electronics: Science, Technology, Business, 2021, no. 8 (209), pp. 102-113. (In Russian). https://doi.org/10.22184/1992-4178.2021.209.8.102.113. - EDN: BVAALV.
5. Kryuchatov V. I., Karamov F. A. Structural and technological issues of designing thin-film resistive loads of microwave range HIC on exposure to pulsed microwave power. Elektronnoe priborostroenie, research-to-practice collection. Iss. 5 (26). Kazan, Otechestvo Publ., 2002, pp. 108-116. (In Russian).
6. Korzh I. A., Kuznetsov A. N. The research of TaN resistive films with a minimum TCR for powerful RF loads and attenuators. Tekhnika radiosvyazi = Radio Communication Technology, 2017, no. 4 (35), pp. 117-124. (In Russian). EDN: BTPDJY.
7. Korzh I. A., Kuznetsov A. N. Thin resistive films based on tantalum compounds for manufacturing powerful RF loads and attenuators. Tekhnika radiosvyazi = Radio Communication Technology, 2016, no. 4 (31), pp. 69-76. (In Russian). EDN: YGARVB.
8. Gladkikh M. V., Moin I. I. Powerful broadband load on polycrystalline diamond. Tverdotel'naya elektronika, slozhnye funktsional'nye bloki REA, research-to-practice conference proceedings (Vladimir, 21-23 Mar. 2007). Pt. 1. Vladimir, MNTORES im. A. S. Popova Publ., 2007, pp. 33-34. (In Russian).
9. Korzh I. A., Zima V. N., Evdokimov M. A. Powerful film resistors on AlN and Al2O3 substrates for HF high-power attenuators. Radiotekhnika, elektronika i svyaz' ("REiS-2011"), proceedings of International sci.-tech. conference (Omsk, 5-8 July 2011). Omsk, Omsk Scientific-Research Institute of Instrument Engineering, 2011, pp. 478-484. (In Russian). EDN: TXVZNN.
10. Pilkevich A. V., Sadkov V. D. Changing the parameters of film absorbing elements under the action of pulsed power. Program and annotations of reports XXIX International Scientific and Technical Conference "Information Systems and Technologies - IST-2023" (Nizhny Novgorod, May 29 - June 2, 2023). Nizhny Novgorod: Nizhny Novgorod State Technical. R. E. Alekseev University, 2023, p. 33.
11. Ralchenko V. G., Saveliev A. V., Popovich A. F., Vlasov I. I., Voronina S. V., Ashkinazi E. E. CVD diamond coating of AlN ceramic substrates to enhance heat removal. Russ. Microel., 2006, vol. 35, iss. 4, pp. 205-209. https://doi.org/10.1134/S1063739706040019
12. Kolyadin A., Luchinin V., Yagudaev Yu., Bokhov O., Ilyin S., Klepikov I., Nozhkina A. Potential of domestic diamond. Heat sinks. Elektronika: Nauka, tekhnologiya, biznes = Electronics: Science, Technology, Business, 2022, no. 5 (216), pp. 50-61. (In Russian). https://doi.Org/10.22184/1992-4178.2022.216.5.50.61. -EDN: KAHAKL.
13. Podshibyakin S.V. Composite cermet resistive, conductive and protective materials for thick-film resistors. Elektronnayapromyshlennost', 2008, no. 4, pp. 46-56. (In Russian). EDN: JXFZAR.
14. Podvigalkin V. Ya. Possibilities of thick microelectronics films in creating the element base of radio-electronic systems (review). Mikroelektronika, 2013, vol. 42, no. 5, pp. 348-360. (In Russian). https://doi.org/ 10.7868/S0544126913050062. - EDN: QYNIFD.
15. Bogomolov P. G. Extension methods operating frequency band film microwave attenuators. Uspekhi sovremennoy radioelektroniki = Achievements of Modern Radio Electronics, 2015, no. 10, pp. 145-148. (In Russian). EDN: VPYVSF.
16. Davidovich M. V., Meshchanov V. P., Nikulina A. S., Popova N. F. Electrodynamic modeling of inho-mogeneous lines with losses: Calculation of loads and attenuators. Elektronnaya promyshlennost', 2000, no. 1, pp. 73-83. (In Russian).
17. Sadkov V. D., Goryachev Yu. A. Calculation of thin-film attenuator plate. Tekhnika sredstv svyazi. Ser. Radioizmeritel'naya tekhnika, 1977, no. 2, pp. 13-19. (In Russian).
18. Pilkevich A. V., Fomina K. S., Sadkov V. D. Optimization of topology of the film absorbing elements HF and very high frequency of attenuators. Proyektirovaniye i tekhnologiya elektronnykh sredstv, 2020, no. 1, pp. 8-12. (In Russian). EDN: WTBBEU.
19. Fomina K. S., Pilkevich A. V., Sadkov V. D. Optimization of the topology of the film chip elements of high frequency and microwave attenuators. Nano- i mikrosistemnaya tekhnika = Nano- and Microsystem Technology, 2019, vol. 21, no. 9, pp. 540-545. (In Russian). https://doi.org/10.17587/nmst.21.540-545. -EDN: WGRAEQ.
20. ELCUT: electromagnetic and thermal field simulation software. ELCUT by OOO "Tor", St. Petersburg. Available at: https://elcut.ru/about_r.htm (accessed: 26.01.2024).
21. Brief reference of physical and chemical quantities, eds K. P. Mishchenko, A. A. Ravdel. 7th ed., rev. Leningrad, Khimiya Publ., 1974. 200 p. (In Russian).
The article was submitted 08.06.2023; approved after reviewing 07.09.2023;
accepted for publication 12.02.2024.
Information about the authors
Anton V. Pilkevich - PhD student of the Institute of Radio Engineering and Information Technologies, Nizhny Novgorod State Technical University n. a. R. E. Alekseev (Russia, 603950, Nizhny Novgorod, Minin st., 24), [email protected]
Viktor D. Sadkov - Cand. Sci. (Eng.), Assoc. Prof. of the Institute of Radio Engineering and Information Technologies, Nizhny Novgorod State Technical University n. a. R. E. Alekseev (Russia, 603950, Nizhny Novgorod, Minin st., 24), [email protected]
Уважаемые авторы и читатели!
Вышел в свет журнал
RUSSIAN MICROELECTRONICS
Vol. 52, No. 7, 2023. - ISSN PRINT: 1063-7397,
ISSN ONLINE: 1608-3415, в котором опубликованы избранные статьи
журнала «Известия вузов. Электроника».
http://pleiades.online http://link.springer.com
