CC BY
44
канала у истока и двухсекционному затвору Шоттки. Вертикальная ориентация позволяет сократить длину канала до десятков нанометров. Пентодный характер ВАХ является следствием насыщения скорости дрейфа носителей при высоких значениях напряженности поля, соответствующих длине канала менее 100 нм. Для обеспечения равномерного распределения напряженности поля в канале и устранения эффекта лавинной ионизации потенциальный барьер имеет треугольную форму благодаря линейному увеличению толщины канала в направлении от истока к стоку. На рис. 3 приведены выходные характеристики ПТШ с ТОПЗ с каналом п-типа (дайна канала 25 нм), полученные на основе разработанной физико-,
напряженности поля и концентрации легирующей примеси, баллистический пролет носителей в канале и туннельный эффект. На рис. 4 приведена зависимость задержки переключения интегрального логического элемента на основе комплементарных обедненных ПТШ от длины канала.
Ud, В L, нм
Рис.3. Выходные ВАХ ПТШ с ТОПЗ Рис. 4. Зависимость задержки
ЛЭ от длины каналов ПТШ
Результаты моделирования показывают, что пентодный характер ВАХ и высокая крутизна транзисторов с ТОПЗ позволяют проектировать сверхбыстродействующие СБИС на их основе.
ЛИТЕРАТУРА
1. Eaglesham D.J. 0.18цш CMOS and beyond // DAC-36, 1999.
2. International Technology Roadmap on Semiconductor, 1998. www.itrs.org.
УДК 621.3.049.77.001.66
A.B. Ковалев
ЧЕТЫРЕХСТОРОННИЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЗАКАЗНЫХ СБИС
Конструктивные варианты логических элементов, позволяющие достичь сте-108 2, -сторов активно исследуются для определения технологичности и целесообразности
. -
структуры (СМОП)[1].
Цель данной работы - разработка новой конструкции на основе СМОП и сравнительный анализ занимаемой ею площади.
- -носа носителей различного типа проводимости. Исток является частью подложки и может быть общим для нескольких СМОП. Исток поставляет в канал носители обоих знаков - электроны и дырки. Равновесный потенциал дырок должен быть выше равновесного потенциала электронов. Сток обеспечивает беспрепятственное перетекание обоих типов носителей из канала. Затвор СМОП управляет не только величиной, но и направлением движения тока. Это позволяет исключить необходимость введения нагрузочного элемента. Простейший функциональный СМОП-- . функций можно использовать структуру с несколькими затворами. Многовходовый элемент может выполнять различные логические функции в зависимости от отношения проводимости каналов для электронов и дырок. Если проводимость для ( , ) ,
( , ), -полняется функция И-НЕ, в противном случае выполняется функция ИЛИ-НЕ.
Предлагается при проектировании СБИС использовать набор микрофрагментов, состоящий из топологических вариантов “Входов” и “Выходов” СМОП-элемента. “Вход” включает в себя четырехвходовый СМОП-элемент, “Выход” -межслойный переход металл-поликремний.
Сравнивая занимаемые площади блоков СБИС, составленных из СМОП и структурно-топологических примитивов (СТП) [2], можно сделать следующие вы. 20п2, п - -
, - 242п.
равно 0,083п. При числе элементов в блоке, равном 100, выигрыш по занимаемой площади составляет 8,3 раза.
ЛИТЕРАТУРА
1. Раки тин В.В., Филипов ЕМ., Пензин ОМ. Планарные элементы на совмещенных МОП-транзисторах // Микроэлектроника. 1998. Т. 27, № 3. С. 190-193.
2. . ., . . -ротопологии фрагментов СБИС // Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника. 1988. Т. 31. №9. С. 24-31.
УДК 621.382.8(075)
Б.Г. Коноплев, И.Е. Лысенко СЕНСОР УСКОРЕНИЯ ПО ТРЕМ НАПРАВЛЕНИЯМ
Целью данной работы является разработка конструкции и технологии изготовления интегрального пьезорезистивного сенсора ускорения, который позволяет производить измерения одновременно по трем направлениям.
