CC BY
122
3. Мурога С. Системное проектирование сверхбольших интегральных схем: в 2-х кн.: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. 288 с.
4. Мангир Т.Э. Источники отказов и повышения выхода годных СБИС и восстанавливаемые соединения в СБИС и СБИС пдастинах//ТИИЭР. 1984. Т. 72. N 6. С.36.
5. Быстродействующие матричные БИС и СБИС. Теория и проекгирова-ние/Б.Н.Файзулаев, И.И.Шагурин. А. Н. К ар м ази некий и др.;Под ред.Б.Н. Фай-зулаева и И.И.Шагурина.М.:Радио и связьЛ989. С.304.
УДК 621.3.049.77.001.66
Р.С.Кильметов, А.П.Кухаренко, Б.Е.Механцев, Е.Б.Механиев ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ, СТОЙКИЕ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВИЯМ
Таганрогский государственный радиотехнический университет,
347928, г.Таганрог, ГСП-17Л, пер. Некрасовский^ 44, кафедра КЭС
Введение
Современные интегральные микросхемы (ИМС) в качестве элементной базы используют почти исключительно кремниевые электронные приборы двух типов: биполярные структуры различных модификаций и МДП-структуры. Такая элементная база позволяет обеспечить показатели стойкости аппаратуры к внешним воздействиям (ВВ) (радиация, температура), удовлетворяющие не всем важным её применениям.
Определённые надежды в плане повышения стойкости к ВВ связывались с созданием ИМС на арсениде галлия, использующих в качестве основного элемента полевой транзистор (ПТ) с барьером Шотки [1]. Более широкозонный полупроводник. чем кремний, сулил большую стойкость к В В, а высокая начальная подвижность электронов гарантировала повышение быстродействия. Однако к настоящему времени эти надежды оправдались только по второй части требований: созданы цифровые ИМС с частотным диапазоном вплоть до единиц ГГц, правда, с относительно большой потребляемой мощностью, что ограничивает уровень интеграции. Что касается радиационной стойкости, то она оказалась недостаточной, особенно в части чувствительности таких схем к импульсным излучениям большой интенсивности [2].
В то же время нельзя считать исчерпанными и возможности повышения стойкости ИМС на кремниевых приборах, открывшиеся в связи с совершенствованием технологии. Давно известно, что кремниевые ПТ с управляющим переходом (ПТУП) потенциально являются приборами с высокой стойкостью к ВВ. Не анализируя подробно обширную литературу по этому вопросу, сошлемся только на ранний обзор [3], где сделан такой вывод: ‘’В условиях ионизирующего и нейтронного облучения наиболее радиационно устойчивыми являются ПТ с управляющим р-п-переходом - вплоть до суммы поглощённой дозы 109 рад, не проявляется заметных изменений характеристик, кроме незначительного увеличения тока утечки затвора”. Кроме того, отрицательный температурный коэффициент тока стока ПТУП приводит к высокой устойчивости его работы в диапазоне темпера-тур.
Высокая радиационная стойкость ПТУП следует из механизма его работы и
особенностей конструкции. Известно, что усилительные устройства как ПТУП, так и МОП-транзисторов определяются модуляцией тока основных носителей, протекающих по каналу. Поэтому оба этих типа транзисторов отличаются высокой стойкостью к нейтронному облучению. Однако в МОП * транзисторах в условиях ионизирующего облучения ухудшаются электрические свойства за счет накопления заряда в подзатворном диэлектрике и увеличения скорости поверхностной рекомбинации на границе кремний - окись кремния. В ПТУП эти явления отсутствуют, так как в конструкции нет подзатворного диэлектрика, а канал сформирован в объеме полупроводника. В биполярных транзисторах нарушение работы при облучении связано с уменьшением времени жизни неосновных носителей заряда, изменением их концентрации и подвижности, что нарушает работу биполярных транзисторов раньше, чем полевых.
Несмотря на очевидные преимущества ПТУП в части стойкости к В В, интегральные микросхемы на их основе к настоящему времени не созданы ни в нашей стране, ни за рубежом. Что же этому мешает? С точки зрения использования ПТУП в ИМС им присущи некоторые недостатки как конструкторско-технологического, так и схемотехнического плана. Так, традиционные конструкции ПТУП, ориентированные на эпитаксиально-диффузионные процессы изготовления, имеют недопустимо большой разброс параметров (напряжение отсечки, ток насыщения) в пределах кристалла. Традиционная схемотехника на ПТУП, которые являются “нормально открытыми” приборами (б отличие от “нормально закрытых*' МОП-транзисторов с индуцированным каналом), использует схемы, потребляющие ток в статических режимах, что делает их неконкурентоспособными с КМОП ИМС по мощности потребления. Кроме того, такие схемы обычно содержат резисторы, т.е. неоднородны по элементной базе, что затрудняет их реализацию в виде ИМС.
Достижения последних лет в технологии ИМС, а также результаты исследований, проведенных в ТРТУ по схемотехнике комплементарных ПТУП (КПТУП) и их конструктивно-технологической реализации, позволяют преодолеть перечисленные недостатки.
В настоящей работе обобщены результаты исследований, направленных на создание ИМС на основе КПТУП с целью создания элементной базы микросистем с повышенной стойкостью к В В и имеющих другие параметры на уровне, соизмеримом с КМОП ИМС.
Принципы схемотехники ИМС на КПТУП
При решении схемотехнических аспектов поставленной задачи необходимо выполнить два дополнительных условия: во-первых, обеспечить однородность
элементной базы, так как построение схем только на ПТУП позволит перенести положительные свойства дискретных приборов в ИМС, и, во-вторых, исключить потребление схемой мощности в статических режимах, т.е. добиться протекания токов на уровне токов утечки. Это может быть достигнуто применением комле-ментарных пар ПТУП (КПТУП).
Исходной для построения микроэлектронных схем на КПТУП использована идея включения последовательного включения двух ПТУП с каналами п- и р-типа, которые образуют при этом составной негатрон, имеющий участок вольт-амперной характеристики (ВАХ) с отрицательной проводимостью, опубликованная в 1963т. [4,5]. Позднее в рекламной статье [6] было предложено называть такой негатрон лямбда-диодом (ЛД). Подробный анализ статических и динамических характеристик ЛД приведен в [7].
Принципиальная схема и ВАХ ЛД изображены на рис.1. Через транзисторы VI и У2 протекает общий ток, а напряжение питания 11а распределяется таким
образом, что напряжение исток-сток одного транзистора является напряжением затвор-исток другого. При увеличении иа растет как напряжение исток-сток, увеличивающее ток транзистора, так и напряжение затвор-исток, уменьшающее этот ток. Первый механизм преобладает при малых напряжениях на структуре, второй -при больших.
В результате формируется Т^-образная ВАХ ЛД. Характерной её особенностью по сравнению с ВАХ туннельного диода является практическое отсутствие тока после запирания ЛД, который определяется только токами утечки транзисторов VI и \2 вплоть до напряжения пробоя.
При приложении напряжения обратной полярности ВАХ ЛД определяется сопротивлением двух последовательно соединенных полностью открытых транзисторов, затворы которых смещены в прямом направлении и практически линейны вблизи перехода тока и напряжения через ноль. В анализе, проводимом в [7], получены. в частности, оценки положения характерных точек ВАХ. Для ЛД, состав-, ленного из двух Г1ТУП с одинаковыми напряжениями отсечки 11о и токами насыщения, точка, в которой ток достигает максимального значения:
Из приведённых выражений следует возможность использования ЛД в типовом для большинства ИМС диапазоне напряжения питания 5В. Для этого на-
СУ1
1 VI
а)
0,3 0.25 1
0.2 •
6}
а - схема электрическая принципиальная б - экспериментальная ВАХ
Рис.1 Лямбда-диод
и,
и™ =2и0/3.
агпах
а тах
Точка, в которой ток падает до нуля (напряжение отсечки ЛД),
13=0
Максимальное значение тока ЛД
пряжение отсечки транзисторов в комплементарной паре Но не должно превышать 2В, что вполне реально.
Рассмотренный ЛД является двухполюсником с неуправляемой ВАХ. Для реализации сложных схем необходимо также иметь управляемые элементы. Ниже приведены два варианта управляемых элементов, описанных, например, в [8]. схемы и ВАХ которых приведены на рис.2 и рис.З. Если в ЛД между затвором VI и общей точкой приложить отрицательное управляющее напряжение, то VI будет запираться, что приведет к деформации ВАХ, отображенной на рис.2. Второй способ управления можно реализовать при включении положительного управляющего напряжения в цепь затвора У2, как это представлено на рис.З. Формируемая при этом ВАХ напоминает ВАХ обычного ПТ, но принципиально отличается тем, что напряжение питания Па и управляющее Шх совпадают по знаку. Эго расширяет возможности построения схем на КГТУП с одним источником питания. В то же время в этой схеме возможно протекание сквозного тока через затвор транзистора Х'2 при ивх=0, что необходимо учитывать при использовании такой пары.
-"О
VI
\!2
и., і
1
■Ц>2
а)
б)
б)
а ■ схема электрическая принципиальная б - экспериментальная ВАХ
Рис.2 Лямбда - диод С управляемой ВАХ
а - схема электрическая принципиальная; б - экспериментальная ВАХ.
Рис, 3 Элемент с пентодной характеристикой
Возможно также управлять характеристиками рассмотренных элементов с помощью дополнительных транзисторов, включенных параллельно или последовательно с основными.
Далее рассмотрим построение схем на КПТУП, выполняющих некоторые функции, в первую очередь логические. Одним из распространенных элементов цифровых схем является согласующий каскад (ключ), обычно одновременно выполняющий функцию инверсии входного сигнала. Согласующий ключевой элемент можно получить, включив последовательно две управляемые пары КГ1УП, структуры и характеристики которых зеркальны [9]. На рис.4 представлена электрическая схема, подробный анализ его статических и динамических свойств приведен в [10]. При подаче входного сигнала, равного напряжению питания, верхняя пара транзисторов VI и М2 открыта, а нижняя (УЗ и У4) находится в режиме ЛД, который заперт. При подаче на вход нулевого потенциала пары транзисторов меняют режимы на противоположные. Очевидно, что схема реализует функцию по-
вторения входного сигнала без инверсии, причем в обоих статических состояниях она не имеет сквозного тока и не потребляет его по входным цепям.
Разработано множество вариантов реализации логических схем на ЛД. Для примера на рис.5 приведена схема двухвходового элемента ИЛИ и положение ВАХ составляющих его ЛД в состояниях 0 и 1. При работе устройства один из ЛД можно рассматривать активным, а другой нагрузочным. Поэтому при выбранном за положительное направлении тока их ВАХ в исходном состоянии ивх1=ивх2=0 зеркальны, причем ивых~0 и ток через ЛД отсутствует. При подаче на любой из входов положительного сигнала (на рисунке ивх1 = 1) ВАХ ЛД1 смешается вправо на величину поданного напряжения и фиксируется в положении логической единицы на выходе. При входном напряжении, превышающем напряжение отсечки ЛД (11вх1 > иао), ток от источника логического сигнала в этом состоянии также не потребляется. Выходной ключ- -повторитель является согласующим элементом. При изменении полярности включения элементов ЛД1 и ЛД2 схема реализует функцию двухвходовой ячейки “ИГ.
VI
л/з
У л
о
Рис.4 - Логический элемент повторения на КПТУП. Схема электрическая принципиальная
Вых
а)
б)
а - схема электрическая принципиальная б - выходные характеристики
Рис. 5 Элемент 2ИЛИ
Разработаны и исследованы и другие логические элементы, позволяющие реализовать любую логическую функцию, а также элементы памяти.
Особенности конструктивно - технологической реализации КПТУП в составе ИМС
При решении конструкторских и технологических вопросов создания ИМС ка КПТУП наряду с главной целью - повышением стойкости ИМС к В В - необходимо иметь в виду и ряд побочных задач, обеспечивающих конкуренте -способность предлагаемой элементной базы с биполярными и КМОП-схемами. Это относится, в частности, к достижению необходимых компоновочных характеристик, приемлемым затратам на разработку и организацию производства ИМС на КПТУП.
В этой связи необходимой исходной предпосылкой является ориентация на применение базовых технологических операций и оборудования, которые широко используются в электронной промышленности при производстве биполярных и КМОП-схем. Необходимо подчеркнуть, что использование современных структур кремний на диэлектрике (КНД) позволяет существенно повысить стойкость ИС к импульсному радиационному воздействию.
Основными средствами достижения поставленных целей служат достаточно очевидные, но часто не простые в реализации приемы. В частности, для повышения стойкости к ВВ необходимо следовать таким рекомендациям:
1 .Повышать концентрацию примесей в канале и других областях структуры прибора, поскольку на фоне высокой исходной концентрации основных носителей роль генерируемых при облучении будет менее существенной. Кроме того, при высоких концентрациях облегчается рекомбинация неосновных для данной области носителей и существенно быстрее происходит восстановление работоспособности прибора после прекращения облучения.
2.Уменьшать площади р-п-ггереходов в структуре прибора, избегая применения других переходов, кроме управляющих.
3.Уменьшать объемы как активной области прибора (управляемая область канала), так и всех вспомогательных областей.
4.Использовать диэлектрическую изоляцию для устранения токов утечки, в то же время прибегнув к конструктивным мерам по устранению влияния объемного заряда, образующегося в диэлектрике при облучении, на активную область прибора.
С учетом перечисленных положений был разработан ряд конструкций комплементарных пар ПТУП в составе ИМС. На рис.6 представлено поперечное сечение ПТ с горизонтальным п-каналом (в р-канальном приборе п- и р-области меняются местами). Отметим характерные черты прибора. Управляемая (рабочая) область канала имеет минимальный объем ( приблизительно 1,1 мкм в длину и 0,3 мкм толщиной). Снизу канал отделен от диэлектрика подложки нижним затвором, что защищает его от возможной инверсии в закрытом состоянии при образовании положительного заряда в диэлектрике подложки.
Верхний (основной) затвор получен диффузией примеси из поликремния, который в дальнейшем ходе технологического процесса преобразуется в полици-довый электрод затвора. Технологией предусмотрено объединение верхней и нижней областей затвора по торцам прибора, что одновременно защищает торцевые части канала от контакта с диэлектриком. Таким образом, область канала практически полностью защищена от возможных воздействий объемных зарядов, образующихся при облучении в диэлектрике. Сток и исток прибора необходимо выполнить с максимально возможным уровнем легирования.
Затвор
Рис.6 Структура ПТ с подложкой КНД
На рис.7 приведены выходные характеристики ПТ с каналами п- и р-типа со структурой, соответствующей рис.6. Токи рассчитаны на 1мкм ширины канала.
а)
б)
Рис. 7. Расчётные ВАХ полевых транзисторов:
а - ВАХ п-канального ПТ; б - ВАХ р - канального ПТ
Характеристики рассчитаны по двумерной модели ПТ на ЭВМ при концентрации примеси в каналах N=4*1016 см’3, длине канала !мкм. толщине 0,3мкм, расстоянии сток-затвор и исток-затвор по 0,2мкм. Максимальные токи транзисторов при из=0 и ист=ЗВ соответственно у гьканального транзистора Гсп=57мкА, у р-канального 1ср=ЗЗмкА, напряжение отсечки ио=2В. В характеристиках плохо выражено насыщение тока, что объясняется малой длиной канала по сравнению с толщиной, в связи с чем проявляется проникновение потенциала стока в область истока транзистора.
При длине каналов транзисторов 0,5мкм и 1Лс=5В расчетные значения токов составят 1сп=92мкА и 1ср=56мкА.
Оценка влияния внешних воздействий
При оценке импульсного воздействия гамма-облучения на ПТ будем следовать методике, использованной в [11,12].
Ионизирующее облучение с мощностью дозы у(рад($1)/с) приводит к генерации электронно-дырочных пар пропорционально ^=4,3* 1013 (см'рад)'1 (д0 - количество генерируемых пар носителей на каждый рад/сек мощностью дозы). Тогда концентрация генерируемых носителей в большом нейтральном объеме определяется как
п Р = ёоУть ,
где Т1_ - время жизни носителей.
Если объем полупроводника ограничен и имеется поле, б котором носители могут дрейфовать (например, созданное р-п-переходом), и концентрация носителей в объеме, соответствующая равновесию между генерируемыми носителями и носителями, удаляемыми полем, составит
где тпр - время пребывания носителей в объеме полупроводника, находящегося в
поле.
В качестве тпр может выступать или время жизни, или время пролета (дрейфа), или диффузии носителей через объем.
Другим важным параметром в активных приборах, влияющим на величины фототокоа, является так называемая длина сбора носителей Ьс. Она связана с временем жизни носителей и условиями (дрейф, диффузия), при которых носители за это время могут достигнуть сечения, проход через которое регистрируется как фототок (например, р-п-переход). Для уменьшения фототока необходимо уменьшить длину сбора. Это касается как активных областей приборов, так и их пассивной части, причем не только за счет уменьшения геометрических размеров. Так, для уменьшения фототоков, поставляемых в активную область прибора контактными областями (см.рис.6), целесообразно повышать в них концентрацию примесей до предельно возможных значений. Поясним это количественно. Роль длины сбора в контактных областях будет играть диффузионная длина, которую можно представить следующим образом:
Ь„=(От)и'5.
Оба аргумента (коэффициент диффузии Б и время жизни носителей т) зависят от концентрации N примеси в соответствующей области. Воспользовавшись данными о зависимости О(И) и т^), приведенными, соответственно в [13, 14],
можно получить оценки 1_0 (К) для кремния, помешенные в таблицу.
Таблица
Зависимость Ьр(М)____________________________
тип п/п N Р
см'3 1017 1018 Ю19 4*Ю19 ]02С 1017 1018 Ю19 4*Ю19 Ю20
И,см-4 19 7 3 2,5 2,0 9 4 2 1,5 1,5
т, с 2,5* 3* 5* 3,5* 8* 5.5* 4* 1* 6* 1*
10° 10_6 10_? 10'9 Ю-ю 105 10б Ю'7 10'9 10'9
мкм 220 46 3,9 0,9 0,4 220 40 4.5 0.8 0,4
Из таблицы видно, что при концентрации до 1019 см'3 превышает активные размеры структуры и контакты могут генерировать доминирующую часть фототока в приборе. При концентрациях порядка 1020 см'3 величина становится соизмеримой с размерами активной части структуры к контактные области вносят в фототок транзистора значительно меньшую долю, чем её активная низколегированная часть.
В соответствии с изложенным проведем оценку фототока структуры ПТ, представленной на рис.6. Несложно получить выражение для фототока 1ф в следующем виде;
1ф = цпцЕА = яй0 у Ьс А = я&'ЛЛ
где я - заряд электрона; и - концентрация примесей в канале; А - поперечное сечение потока фототока; Ц. - длина сбора носителей заряда; V - объем сбора носителей заряда.
Оценку фототока затвора проведем на 1мкм его ширины для следующих параметров структуры; А-1,1 мкм~ , Ьс = 1,4 мкм (с учетом примыкающих к каналу и нижнему затвору “активных” областей контактов истока и стока), у =1012 рад/с.
Тогда фототок составит 1ф =10.6 мкА. Если при сохранении структуры прибора сократить вдвое длину затвора (и тем самым уменьшить в той же пропорции площадь А), можно снизить сокращение фототока вдвое.
Полученные значения фототока по крайне мере втрое меньше, чем приведенные ранее значения рабочих токов транзисторов при Ц. =5В. Это создает предпосылки для создания схем, обеспечивающих бесперебойную работу при этих условиях.
Полученная величина фототока соответствует так называемому пиковому значению, т.е. максимальному значению, соответствующему непрерывному гамма-излучению 1012 рад. При длительности импульса облучения 20-100 не форма импульса фототока в данном случае будет повторять форму импульса облучения.
Э го связано с тем, что лаже при отсутствии напряжения на электродах и быстрого дрейфа носителей время пребывания дырок (более медленных, чем электроны) в области сбора носителей, определяемое их диффузией (рассасыванием), определится как т np = Lc2 I'D, что составит в канале при Na=4*10!6 см'1 время около 2 не. Поэтому можно ожидать, что как при начале импульса облучения, так и после его окончания переходные промессы изменения фототока практически незаметны на фоне изменения процессов излучения, протекающих намного медленнее.
Однако, если за время импульса облучения за счет фототоков произойдет изменение потенциалов в узлах схемы, то при прекращении облучения восстановление этих потенциалов будет происходить с постоянными времени перезаряда соответствующих цепей.
Следует отметить, что имеются некоторые дополнительные резервы снижения фототоков (точнее - увеличение отношения рабочего тока к фотогоку):
- повышение концентрации примесей в канапе с соответствующим уменьшением толщины канала;
- уменьшение толщины верхнего и нижнего затворов;
- отвод части фототока на шины питания путем подключения к одной из этих шин нижнего затвора.
Рассмотрим теперь воздействие интегрального потока быстрых нейтронов на прибор, которое приводит к изменению концентрации основных носителей заряда и их подвижности, а также к изменению времени жизни неосновных носителей.
Для ПТ более существенными являются два первых фактора. С целью прогнозирования влияния потока нейтронов на параметры ПТ за счет уменьшения подвижности и концентрации основных носителей в канале был проведен расчет напряжения отсечки Uo и начального тока 1со комплементарных пар ПТ. При этом вначале по методике [15] рассчитывались Uo и 1со в нормальных условиях, а затем Ь’о(Фп) и Гсо(Фп) в условиях воздействия потока нейтронов Фп. В качестве ра-диационно зависимых факторов использовались концентрации носителей пир, их подвижности цп и цр по методике, используемой в [16].
Результаты расчетов представлены на рис.8 и рис.9. Из рисунков видно, что чувствительность к облучению нейтронами у ПТ снижается при повышении концентрации примесей в канале, причем п~канальные ПТ являются несколько более стойкими, чем р-канальные. При концентрации носителей в канале р-канального транзистора Na~4*10'6 см'3 и потока нейтронов Фп=]014см'2 максимальное падение тока составляет около 22%. Изменение напряжения отсечки не превышает 10%. При таких изменениях параметров транзисторов вполне возможно создание устройств, сохраняющих работоспособность в указанных условиях.
Влияние накопленной дозы гамма-квантов на параметры полупроводниковых структур происходит в основном по двум причинам. В первую очередь за счет процессов на границе полупроводника и диэлектрика (SiO:), например за счет накопления объемного заряда в диэлектрике, а также при больших дозах за счет изменения свойств полупроводникового материала.
Поскольку в представленной конструкции канал прибора расположен в объеме полупроводника и непосредственно не соприкасается с Si02> то эффекты на границе полупроводник-диэлектрик не влияют на работу прибора. Изменения свойств материала при дозах порядка 108 рад (Si) практически отсутствуют.
Что касается устойчивой работы ПТ в условиях повышенной температуры, то к этому имеется ряд предпосылок, зачастую общих с теми, которые определяют их высокую радиационную стойкость. В исходном материале (кремнии) с ростом температуры увеличивается собственная проводимость за счет генерации основ-
ных и неосновных носителей. Будем считать, что работоспособность прибора сохраняется до тех пор, пока примесная проводимость в несколько раз превышает собственную. Анализ показывает, что такие условия сохраняются до значений температур 300-350° С при концентрации примесей в канале 10'7 см'3 и больше.
1е13
Фп/<в см
1е15
а - зависимость напряжения отсечки иоте.р от Фп; б - зависимость начального тока стока 1со от Фп
Рис.8 - Зависимость параметром ПТ с каналом Рис.9 Зависимость параметров ПТ с каналом р-типа от воздействия потока нейтронов п-типа от воздействия потока нейтронов Фп
Кроме того, как отмечалось выше, отрицательный коэффициент тока стока ПГ обеспечивает высокую устойчивость работы приборов и схем на их основе в широком диапазоне температур.
Важной конструктивной особенностью ПТУП является наличие единственного р-п-перехода, в отличие от МОП-структуры. Это исключает эффекты взаимодействия двух близкорасположенных переходов (эффекты биполярного транзистора). Предварительные исследования работоспособности ПТ в диапазоне температур, проводимые на промышленных образцах транзисторов, показали, что при средней концентрации примесей в канале порядка 1013 см'3 приборы работоспособны по крайне мере до 250°С. Ток стока при этом падает в 5-6 раз по сравнению со значениями при нормальной температуре, что может привести к уменьшению быстродействия схемы. Макет ЛД, составленный из дискретных транзисторов, работал до температуры 250°С с током утечки не более 10% от тока максимума. Благоприятную роль при этом играет глубокая отрицательная обратная связь в ЛД, что также повышает стабильность характеристик.
Заключение
Проведенные исследования и анализ приводят к выводу, что использование элементной базы КПТУП для ИМС позволяет сделать существенный шаг в решении проблемы повышения стойкости устройств на их основе к ВВ.
Современное развитие микроэлектроники, наличие необходимого оборудования и основных технологических процессов, а также имеющийся задел в области схемотехники и конструирования позволяет поставить задачу создания стойких к ВВ ИМС на практические рельсы.
а
б
rW=1et7
- Nd»3e1b
Фп/кв.см
- зависимость напряжения отсечки UOTC п от Фп; ■ зависимость начального тока стока Icon от Фп
ЛИТЕРАТУРА
]. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технологии изготовления/ Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д.Канделоула; Пер.с англ. М.: Радио и связь, 1988г. 496 с.
2. Скоростные цифровые микросхемы на арсениде галлия // Электронная промышленность. 1990. N8. С.73-84.
3. Стенин В.Д. Влияние облучения на параметры полевых транзисторов (обзор). // Приборы и техника эксперимента. 1989. N2. С. 5-19.
4. Hill L.O., Pederson D.O., Peper R.S. Synthesis of electronic bistable circuits //IEEE Trans. Circuit Theory. Vol. CT-10. 1963. P.25-35.
5. Остефджеллз С. Схема с ОС, собранная на двух дополнительных полевых транзисторах// ТИИЭР. Пер. с англ. Т. 53. N4. 1965. C.117-120.
6. Г'ота Како, Хито Иваза, Хиромицу 'Гакаси, Ива Терамота. Лямбда-диод -многофункциональный прибор с отрицательным сопротивлением// Электроника. Пер. с англ. Т. 48. N13. 1975. С.48-53.
7. Сухорукое А.М., Механцев Е.Б., Капьметов Р.С. Базовый элемент для бистабильных схем на полевых транзисторах с р-п-переходом // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1974. Т. XVII. N5. С.38-44.
8. Сухорукое А.М.. Переверзев А.В., Краснопольский А.Г. Базовые элементы для микромошных схем на полевых транзисторах // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1982. Т. XXV. N5.C.55-60.
9. А.с. N429532 СССР. Ключевые устройства на полевых транзисторах. /А.Н.Сухоруков, Е.Б. Механцев, Р.С. Кильметов. 14.12.72. N 1857658/26-9; опубл. в Б.И., 25.05.74, N19.
10. Сухорукое А.И.. Механцев Е.Б. Микромощные ключевые устройства на полевых транзисторах с р-п-переходом // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника-1. 1974. С.83-90.
11. Коршунов Ф.П., Богатырёв А.В., ВавіиювВ.А. Воздействие радиации на интегральные схемы. Минск: Наука и техника, 1986г. 204с.
12. Цулег Р. Радиационные эффекты в GaAs- полевых транзисторах''/ ТИИЭР (русский перевод). Т. 77. N3. 1989. С.24-44.
13. Маллер Р., Койминс. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.: Мир, 1984.630с.
14. Мулярчик С.Г. Численное моделирование микроэлектронных структур.,Минск: Университетское, 1989. 360с.
15. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов: Пер. с англ. Л: Энергия, 1975. 304с.
16. Кулаков В.М., Дазыгин Е.А., Шаховцев В.И., Вологодин Э.И., Андреев Ю.И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. М: Сов. радио, 1980г. 224с.
