Влияние толщины полупроводниковой прослойки на электрические и магнитные свойства многослойной наноструктуры {[(Co 41fE 39b 20) 33. 9 (SiO 2) 66. 1]/[in 35. 5y 4. 2O 60. 3]} 93 Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

УДК 539.216.2

ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПРОСЛОЙКИ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА

МНОГОСЛОЙНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ {[(Co4lFeз9B20)зз.9

И.В. Бабкина, К.С. Габриельс, O.В. Жилова, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников

Исследовано влияние толщины полупроводниковой прослойки In35.5Y42Oб0.з на электрические, магнитные и магниторезистивные свойства многослойной системы {[(Co41Fe39B2o)33.9(SЮ2)66.1]/|^n35.5Y42O6o.з]}93. Установлено, что толщина полупроводниковой прослойки оказывает определяющее значение на исследуемые свойства. Предложена физическая модель наблюдаемых изменений свойств

Ключевые слова: нанокомпозиты, магнитные, электрические свойства, многослойная гетерогенная структура

ВВЕДЕНИЕ

Синтез новых материалов, обладающих сенсорными свойствами, несомненно является актуальной задачей современного материаловедения. Разработка структур, сочетающих в себе газорезистивный, магниторезистивный и магнитогазовый эффекты одновременно, на сегодняшний день - уникальная задача. Многослойные гетерогенные структуры композит - полупроводник могут сочетать одновременно все эти свойства. Так, если в качестве диэлектрической прослойки использовать широкозонный оксидный полупроводник, то можно рассчитывать на изменение проводимости структуры в зависимости от состава газовой среды, в которой проводятся измерения. С другой стороны, в нанокомпозитах металл-диэлектрик при концентрации диэлектрической фазы до порога перколяции наблюдается гигантский магниторезистивный эффект (ГМР) [1-2] . Если в качестве композиционного слоя использовать такие композиты, то можно рассчитывать на проявление эффекта ГМР в многослойной структуре. Кроме того, если в качестве магнитного слоя используется композит до порога протекания, то такая гетерогенная система при критической толщине прослойки и удельного сопротивления пленки становится магнитоупорядоченной [3]. Если учесть, что мы в некоторой степени можем управлять сопротивлением полупроводниковой прослойки с помощью состава окружающей газовой среды, то возможно обратимое изменение магнитной структуры многослойной гетерогенной системы.

Цель данной работы - исследовать новые многослойные структуры композит - полупроводник, изучить магнитные и электрические свойства, а так-

Бабкина Ирина Владиславовна - ВГТУ, канд. физ.-мат. наук, доцент, e-mail: [email protected] Габриельс Константин Сергеевич - ВГТУ, аспирант, e-mail: [email protected]

Жилова Ольга Владимировна - ВГТУ, аспирант, e-mail: zhilova105 @mail. ru

Калинин Юрий Егорович - ВГТУ, д-р физ.-мат. наук, профессор, e-mail: [email protected] Ситников Александр Викторович - ВГТУ, д-р физ.-мат. наук, доцент, e-mail: [email protected]

же газовую чувствительность образцов многослойной плёнки, в которых слои композита ферромагнетик - диэлектрик (Co41Fe39B2a)33.9(SЮ2)66л, находящегося в суперпарамагнитном состоянии, разделены полупроводниковой (диэлектрической) прослойкой:

In35.5Y4.2O60.3.

Образцы и методика эксперимента

Получение образцов многослойной структуры

{ [(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3] }93 осу-

ществлялось ионно-лучевым методом на оригинальной напылительной установке, спроектированной на основе вакуумного напылительного поста УВН-2М [4 - 6].

Для напыления многослойных структур композит - полупроводник использовались составная мишень из металлического сплава (Co41Fe39B20) с пятнадцатью равномерно распределенными на его поверхности навесками SiO2 и мишень из полупроводника сложного состава In35.5Y4.2O60.3. В процессе напыления между одной из мишеней (In35.5Y4.2O60.3) и подложкой устанавливался ^образный экран, который позволял регулировать в широком диапазоне толщину полупроводниковой прослойки. Серия из пяти ситалловых подложек закреплялась на под-ложкодержателе параллельно плоскости мишени вдоль ее длинной стороны. Затем, исходя из выбранных параметров процесса, проводилось распыление двух мишеней одновременно.

Для оценки толщины слоя и прослойки осуществлялось напыление отдельных пленок из разных мишеней. Перед началом напыления пленки выставлялись подобранные ранее параметры процесса напыления многослойной структуры и осуществлялся процесс распыления с выбранной мишени. После продолжительного, обычно несколько часов, процесса нанесения пленки на вращающиеся с заданной скоростью подложки проводилось измерение толщины с различных участков полученных пленок с помощью интерферометра МИИ-4. Точки измерения толщины фиксировались относительно расположения подложки и мишени. Измеренные данные толщины пленки апроксимировались в зави-

симости от расстояния до края подложки. Зная время распыления и время одного оборота карусели, рассчитывалась толщина слоя пленки, полученная за одно прохождение подложкой зоны нанесения материала. Аналогичным образом определялась толщина одного слоя второй фазы многослойной структуры.

Элементный состав пленок проводили энергодисперсионной рентгеновской приставкой Oxford INCA Energy 250 на сканирующем электронном микроскопе JEOL JSM-6380 LV. Исследования электрического сопротивления и магнитосопротивления проводились методом амперметра-вольтметра с помощью автоматизированного универсального измерительного комплекса с выводом экспериментальных результатов на ЭВМ. Высокочастотные магнитные свойства (действительная (Ц) и мнимая ц части комплексной магнитной проницаемости) измерялись резонансным методом на частоте 50 MHz по методике [7].

Результаты эксперимента и их обсуждение Электрические свойства

На рисунке 1 представлена зависимость удельного электрического сопротивления р от толщины прослойки In35 5Y42O60.3 для многослойной структуры {[(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3]}93. На

представленной зависимости имеется диапазон толщин прослойки полупроводника, в котором наблюдается значительное изменение p(h). Подобное изменение p(h) мы наблюдали в случае, когда прослойка имела состав Si, C, Cu, Te3Bi2 и в многослойной гетерогенной структуре

[(Co45Fe45Zr10)35(Al2O3)65/a-Si:H]30 [8].

Для объяснения наблюдаемой зависимости рассмотрим последовательность роста полупроводниковой прослойки в пленке. Многослойная струк-

тра{ [(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3] }93 -

это сложная гетерофазная система, одним из основных параметров которой является толщина полупроводниковой прослойки (h). При толщинах In35.5Y4.2O60.3 менее 0.4 нм фаза полупроводника имеет островковую структуру и концентрируется в ос-новном на металлических гранулах (в силу принципа минимизации внутренней энергии растущей пленки в процессе самоорганизации) (рис. 2 а).

Такая морфология существенно не сказывается на процессах электропереноса в композиционных (Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1 слоях. При толщинах прослойки от 0.5 до 1.2 нм формируются более низкоомные каналы проводимости. При меньших толщинах In35.5Y4.2O60.3 могут преобладать процессы электропереноса металлическая гранула - полупроводник - диэлектрик - металлическая гранула (рисунок 2 б), а по мере увеличения h вклад в проводимость переходов металлическая гранула-полупроводник-металлическая гранула будет возрастать и при толщине 1.2 нм сопротивление полностью определяется

данными проводящими каналами (рисунок 2 в). Дальнейшее увеличение h приводит к возрастанию расстояния между металлическими гранулами и как следствие -увеличению значений р.

р, ом м 0.60.5.

0.4.

0.3.

0.2:

и. I -■-1----1-----1-----1------1-----1-----1-----1

0.4 0.8 1.2 1.6

Ь1п У О (пт)

35,5 4,2 60,3 '

Рис. 1. Зависимость удельного электросопротивления р от толщины прослойки Inз5.5Y4.2O60.з для многослойной структуры {[(Со4^ез9В20)зз.9^Ю2)66.1]/

[Inз5.5Y 4.2O60.з] } 93

Исследования влияния термической обработки нанокомпозитов металл - диэлектрик показали, что при нагреве до температур, не приводящих к существенным структурным изменениям в составах до порога перколяции, сопротивление повышается [9, 10]. В полупроводниковом соединении In35.5Y4.2O6o.3 отжиги до 300 0С приводят к увеличению проводимости [11, 12]. На рисунке 3 представлены изменения удельного электрического сопротивления от толщины прослойки In35.5Y4.2O60.3 для многослойных структур

{[(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3] }93 в исходном состоянии (кривая 1) и после отжигов при 300° С (кривые 2 - 4). Видно, что до h < 1нм р отожженных образцов увеличивается, а при h > 1.1 нм уменьшается относительно исходных значений. Это является еще одним доказательством изменения фаз, вовлеченных в процесс электропереноса, с увеличением толщины полупроводниковой прослойки.

Ранее проведенные исследования структуры и газовой чувствительности пленок In35.5Y4.2O60.3 показали, что в исходном состоянии пленка имеет аморфную структуру, при отжигах выше 400 0С происходит кристаллизация полупроводникового слоя,, сенсорные свойства в оксиде наблюдаются только в кристаллическом состоянии: при добавлении восстанавливающих газов электрическое сопротивление пленок понижается [13-15].

Для гетерогенной многослойной структуры

{ [(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3] }93 были

проведены исследования влияния водорода на изменение электрического сопротивления. Выявлено, что при отжиге выше 400 0С состав газовой среды влияет на проводимость образцов, если толщина полу-

проводниковой прослойки больше 0.83 нм, при этом значительное влияние водорода на р пленки наблюдается при Ь > 1нм (рисунки 4а, 5). Такие закономерности свидетельствуют о протекании процесса кристаллизации оксида In35.5Y4.2O60.3 при нагреве выше 400 0С.

„ Соединение с

По духхрово дшп;

металлом

£ хО; Со^Ее^дВзЕ

Рис. 2. Модельное представление проводимости в многослойной плёнке в зависимости от толщины полупроводникового слоя: а - образование зародышей слоя полупроводниковой фазы; б - рост зародышей; в - формирование сплошной прослойки In35.5Y4.2O60.3

р, ОМ'М

Рис. 3. Зависимости удельного электрического сопротивления от толщины прослойки In35.5Y4.2O60.3 для многослойной гетерогенной структуры

{[(CO4lFeз9B20)з3.9(SІO2)66л]/[Inз5.5Y4.2O60.з]}93 в исходном состоянии (кривая 1), после отжига при Т= 300 0С в течение 60 минут (кривая 2), после отжига при Т=300 0С в течение 60 минут в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр (кривая 3) и после отжига при Т=300 0С в течение 180 минут в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр (кривая 4)

Наиболее интересной особенностью данной многослойной гетерогенной структуры является изменение знака влияния водорода на электрическое

сопротивление образцов при различной температуре предварительной термической обработки (рис. 5).

I, С

t, С

Рис. 4. Временная зависимость электрического сопротивления пленок {[(Со4^е39В20)зз.9(8Ю2)ббл(Ь=5нм)]/ [^^.^4^603^=1.2 нм)]}93 при температуре 300 0С а -предварительно отожженных при температуре 400 0С в течение 10 минут, б - предварительно отожженных при температуре 600 0С в течение 10 минут 1) участки кривых

1, 3, 5 при напуске воздуха (Р=380 Торр), участки кривых

2, 4, 6 при напуске воздуха (Р = 380 Торр) и водорода (Р = 2.4 Торр)

Так если образец отжигался при 400 0С, восстановительный газ понижает И, а после термообработки при 600 0С электрическое сопротивление повышается, что является не характерным для данного полупроводникового материала. Этот экспериментальный факт можно объяснить только влиянием композиционных слоев на электрические свойства полупроводниковой прослойки.

толщина, НМ

Рис. 5. Зависимость газовой чувствительности многослойной гетерогенной структуры

{[(С04^е40В20)з3.9(8Ю2)66л] /[Inз5.5Y4.2Oб0.з]}93 от толщины полупроводниковой прослойки при темпера-

туре 300 0С, после отжига при температуре 600 0С в течение 10 минут

Изменение знака газовой чувствительности возможно при изменении типа проводимости полупроводника. При повышенных температурах обработки надо учитывать наличие диффузионных процессов между композиционным и полупроводниковым слоями. Наибольшим коэффициентом диффузии, исходя из элементного состава пленки, обладает бор. Возможно, внедрение атомов бора в структуру полупроводника изменяет его реакцию на водород.

Магнитные свойства

Как было установлено ранее [16] для гетерогенных многослойных систем

{ [(Со4^ е39В20)33.9(^°2)66.1]/[^] ^,

{ [(Со4^ e39B20)33.9(SiO2)66.1]/[C]}46,

{ [(Со4^ е39В20)33.9(^°2)66.1]/[Си] }93 и

{ [(Со4^е39В20)33.9(^°2)66.1]/[ТезВ^] } 10 Происходит переход от суперпарамагнитного состояния к ферромагнитному упорядочению при формировании сплошного слоя полупроводниковой прослойки и достижению удельного электрического сопротивления структуры порядка 0.005 Ом м. Исследуемые нами системы композит - полупроводник имеют значительно более высокие р во всем диапазоне толщин прослоек (рис.1). Однако, для систе-

мы{[(Co40Fe40B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3]}93

имеются интервалы температур, где наблюдается значительное уменьшение удельного сопротивления пленок. Так для многослойной гетерогенной системы с прослойкой из In35.5Y4.2O60.3 это интервал температур от 250 до 350 0С. Кроме того, возможно понижение р при отжиге в атмосфере, содержащей водород.

Были проведены термические обработки исследуемых многослойных гетерогенных систем с отжигами при Т=300 0С в течение 60 минут, при Т=300 0С в течение 60 минут в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр и при Т=300 0С в течение 180 минут в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр. Графики зависимостей р(Ь) представлены на рисунке 3. Видно, что сопротивление удалось понизить почти на 1.5 порядка величины, но минимальное значение р(Ь) осталось несколько выше, чем 0.005 Ом м. Зависимости действительной (ц) и мнимой (ц7/) частей комплексной магнитной проницаемости многослойной структуры

{[(Со4^е39В20)33.9(^°2)66.1]/ [In35.5Y4.2O60.3]}93 в исходном и отожженном состоянии представлены на рисунке 6. Анализ зависимостей ц(Ь) и ц//(Ь) выявил, что в диапазоне толщин прослойки 1 - 1.5 нм наблюдаются максимумы комплексной магнитной проницаемости. Однако значения ц/ и ц// остаются достаточно небольшими. Это связано с процессом усиления взаимодействия между ферромагнитными гранулами композицион-ных слоев через электроны проводимости.

Данный вывод подтверждается зависимостями ц(Ь) и ц//(Ь), измеренными при различной температуре (рис 7). Так повышение температуры измерения комплексной магнитной проницаемости должно уменьшить намагниченность пленки и степень магнитного упорядочения отдельных ферромагнитных металлических гранул между собой за счет влияния тепловой энергии кТ.

Рис. 6. Зависимости действительной (кривые 1, 3) и мнимой (кривые 2, 4) частей комплексной магнитной проницаемости от толщины прослойки In35.5Y4.2O60.3 , измеренные на частоте 50 МГц, .для гетерогенной многослойной системы

{[(C04lFeз9B2o)з3.9(SІO2)66.l]/[In35.5Y4.2O60.з]} 93 в исходном состоянии (кривые 1, 2) и после отжига 300 0С в течение 30 минут в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр (кривые 3, 4)

Однако уменьшение величины ц(Ь) и ц//(Ь) в области толщин полупроводниковой прослойки 1,2^1,6 нм мы не наблюдаем. Более того, область увеличения величины ц/ и ц// сдвинулась в сторону меньших значений Ь. Такое изменение свойств гетерогенной системы

[(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3] }93 М°жН°

объяснить только возрастанием проводимости между металлическими гранулами через полупроводниковую прослойку при повышении температуры и увеличению магнитного взаимодействия между гранулами Со4^е39В20 за счет электронов проводимости.

Рис. 7. Зависимости действительной (кривые 1, 3) и мнимой (кривые 2, 4) частей комплексной магнитной проницаемости от толщины прослойки In35.5Y4.2O60.3 для гетерогенной многослойной системы

{[(Co4lFeз9B20)зз.9(SiO2)66.l]/[Inз5.5Y4.2O60.з]}9з после отжига при Т=300 0С в течение 30 минут в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр, измеренные на частоте 50 МГц при комнатной температуре (кривые 1, 2) и температуре 300 0С (кривые 3, 4)

Магниторезистивные свойства

Исследования влияния внешнего магнитного поля на величину электрической проводимости композитов (Со4^е39В20)зз.9 ^Ю2)66Л показали, что последние обладают магниторезистивным эффектом, величина которого составляет около 2 %. С целью выяснить влияние прослойки полупроводника на величину магнитосопротивления исследуемой многослойной гетерогенной структуры

{ [(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3] }93, бЬШИ

проведены исследования магниторезистивного эффекта.

В качестве примера на рисунке 8 представлены экспериментальные зависимости магниторезис-тивного эффекта (МРЭ) для многослойной наноструктуры композит-полупроводник с толщиной полупроводниковой прослойки 0,4 и 1.44 нм. Из рисунка видно, что с увеличением напряженности магнитного поля величина электрического сопротивления уменьшается, т. е. наблюдается отрицательное магнитосопро-тивление, характерное для «туннельного магнитосо-про-тивления» (ТМС) в наногранулированных композитах металл-диэлектрик. ТМС описывается эффектом спин-зависимого туннелирования между соседними ферромагнитными гранулами, имеющими случайную ориентацию собственных магнитных моментов [16]. Однако, надо заметить, что для термически обработанного композита с толщиной прослойки 1.44 нм наблюдается тенденция выхода в насыщение зависимости МС(Н) в полях порядка 8000 Э.

МС, %

0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5

-8000 -4000 0 4000 8000

Н, Ое

Рис. 8. Магниторезистивный эффект многослойной структуры {[(CO4lFe39B20)з3.9(SІO2)66.l]/[In35.5Y4.2O60.з]}93

после термической обработки при Т = 300 оС в течение 30 мин в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр при толщине In35.5Y4.2O60.3: 0.4 нм (кривая 1) и 1.44 нм (кривая 2)

Представленная на рис. 9 зависимость магниторезистивного эффекта от толщины полупроводниковой прослойки показывает, что в исходном состоянии величина магнитосопротивления практически не меняется (кривая 1). Термическая обработка многослойной структуры

{ [(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3]}93 при Т =

300 оС в течение 30 мин в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр приводит к росту магнитносопро-тивления более 2 % для образцов с толщиной полупроводниковой прослойки ~ 1,5 нм. Это является следствием магнитного упорядочения ферромагнитных гранул композиционных слоев. По всей видимости степень данного упорядочения не высокая. Мы наблюдаем уменьшение полей выхода намагниченности пленок в насыщение, но разрушение эффекта МРЭ вследствие скорелированности направлений намагниченности соседних металлических гранул не происходит.

Для гетерогенной структуры

{[(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3]}93 было

установлено, что после отжига выше 400 0С состав газовой среды влияет на электрическую проводимость образцов, если толщина полупроводниковой прослойки больше 0.83 нм, при этом значительное влияние водорода на р пленки наблюдается при Ь > 1нм (рисунок 5). Для таких пленок после термообработки наблюдается и рост магнитосопротивления, что имеет практическое значение при разработке комбинированных датчиков.

МС, %

-0.5-1.0-1.5-2.00.5 1.0 1.5

И, нм

Рис. 9. Зависимость величины МРЭ от толщины полупроводниковой прослойки в многослойной структуре

{[(CO4lFeз9B20)з3.9(SІO2)66.l]/[Inз5.5Y4.2O60.з]}93 при Н = 0-8

кЭ: 1- исходное состояние; 2 - после термической обработки при Т = 300 оС в течение 30 мин в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные комплексные исследования электрических, сенсорных и магнитных свойств многослойных гетерогенных структур

{ [(Co40Fe40B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3] } 93 показали, что толщина полупроводниковой прослойки In35.5Y4.2O60.3 оказывает определяющее значение на механизм электропереноса в материале. При Ь меньше 0.5 нм процесс переноса заряда определяет-

ся композитом (Co40Fe40B20)33 9(SiO2)661, состав которого находится до порога перколяции. При толщине от 0.5 до 1.2 нм наблюдается перераспределение проводимости от электропереноса металл - диэлектрик - металл к каналам металл - полупроводник - металл, а при h > 1.2 нм в проводящих каналах металл - полупроводник - металл увеличивается толщина полупроводника.

Изменение знака газовой чувствительности связано с процессом диффузии бора из композиционного слоя и внедрением его в кристаллическую решетку прослойки In2O3.

После отжига при температуре 300 0С в течение 30 минут в атмосфере водорода при давлении 7.8 Торр в многослойной гетерогенной структуре выявлен максимум на зависимостях p/(h) и ^(h) в диапазоне толщин прослойки 1 - 1.5 нм , положение которого коррелирует с зависимостями электрического сопротивления образцов от толщины полупроводниковой прослойки.

Проведенные исследования магниторезистивных свойств многослойных гетерогенной структуры

{ [(Co40Fe40B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3] }93 показали, что после термической обработки толщина полупроводниковой прослойки In35.5Y4.2O60.3 оказывает определяющее значение на величину магнито-сопротивления. При h > 1.0 нм наблюдается рост магнитосопротивления, что коррелирует с увеличением электрической проводимости образцов.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект №13-02-97512-р центр а).

Литература

1. Кузнецов Е.А. Электромагнитные свойства многослойных магнитных наноструктур в миллиметровом

диапазоне длин волн: дис....... канд. физ. - мат. наук /

Кузнецов Евгений Александрович - Екатеринбург, 2011.

- 153 с.

2. Белотелов В.И. Негиротропные магнитооптические эффекты в магнитных тонких многослойных пленках металл-диэлектрик / В.И. Белотелов, А.К. Звездин,

В.А. Котов, А.П. Пятаков // Физика твердого тела - 2003.

- Т. 45. - № 10. - С. 1862 - 1869.

3. Дунец О. В. Влияние температуры на электрические и магнитные свойства мультислойных структур на основе композита (Co4oFe4oB2o)33,9(SiO2)66,i / О.В. Дунец, Ю.Е. Калинин, М.А. Каширин, А.В. Ситников // Вестник Воронежского государственного университета. - 2012. -Т. 8 - № 2. - С. 65 - 69.

4. Ситников А. В. Электрические и магнитные свойства наногетерогенных систем металл - диэлектрик: дис.

.... д-ра физ. - мат. наук / Ситников Александр Викторович - Воронеж, 2010. - 318 с.

5. Kalinin Yu.E. Electrical properties and giant mag-netoresistance of CoFeB - SiO2 amorphous granular compo-

sites / Yu.E. Kalinin, A.V. Sitnikov, O.V. Stognei, I.V. Zolotukhin, P.V. Neretin // Mat. Scien. and Engin. - 2001. -A304 - 306. - P. 941 - 945.

6. Золотухин И. В. Электрическое сопротивление аморфных нанокомпозитов CoTaNb+SiO2 / И.В. Золотухин, П. В. Неретин, Ю. Е. Калинин, О. В. Стогней, А. В. Ситников //Альтернативная энергетика и экология. -2002. - № 2. - С. 7 - 14.

7. Высокочастотные магнитные свойства гранулированных нанокомпозитов металл-диэлектрик [Текст]/

B. А. Калаев, Ю. Е. Калинин, В. Н. Нечаев, А. В. Ситников // Вестник Воронежского государственного технического университета. Сер. Материаловедение. - 2003. -Вып. 1 - № 13. - С. 38 - 42.

8. Иванов А.В. Электрические и магнитные свойства мультислойных структур [(CoFeZr)x(Al2O3)1.x/a-Si:H]n / А. В. Иванов, Ю. Е. Калинин, В. Н. Нечаев, А. В. Ситников // ФТТ. - 2009. - Т. 60 - вып. 12. - С. 2331 - 2336.

9. Стогней О. В. Резистивные и магниторезистивные свойства гранулированных аморфных композитов CoFeB

- SiOn / О.В. Стогней, Ю.Е.Калинин, И.В. Золотухин, А.В. Слюсарев, А.В.Ситников // Физика металлов и металловедение. - 2001.- т. 91, № 1. - С. 24 - 31.

10. Белоногов Е.К. Эффект Баркгаузена и порог перколяции в гранулированных нанокомпозитах металл-диэлектрик с аморфной структурой / Е.К.Белоногов, Ю.Е. Калинин, Н.Е. Скрябина, А.В. Ситников, Л.В.Спивак, А.А. Шадрин // Вестник Пермского университета, сер. Физика. - 2003. - Вып. 1. - С. 26 - 29.

11. Гусев А. Л. Влияние водорода на электрические свойства нанокристаллических пленок In - O - Y / А. Л. Г усев, И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, О. И. Самохина, А. В. Ситников // Альтернативная энергетика и экология. -2006. - № 6. - С. 32 - 33.

12. Бабкина И. В. Влияние меди на электропроводность и чувствительность к водороду оксида индия, легированного иттрием и палладием / И. В. Бабкина, И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников // Альтернативная энергетика и экология. - 2008. - № 11. - С. 35 - 39.

13. Бабкина И. В. Влияние водорода на электропроводность оксида индия, легированного иттрием / И. В. Бабкина, И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников // Вестник Воронежского государственного университета. -2008. - Т. 4 - № 10. - С. 60 - 62.

14. Бабкина И. В. Структура, электрические и газочувствительные свойства нанокристаллических пленочных композитов на основе In-Y-O-C / И. В. Бабкина, А. Л. Гусев, Ю. Е. Калинин, Н. А. Кондратьева, А. В. Ситников,

C.Б. Кущев, С. А. Солдатенко, К.С. Габриельс // Альтернативная энергетика и экология. - 2009. - № 9. - С. 58 -61.

15. Гусев А. Л. Датчики водорода и водородсодержащих молекул / А. Л. Гусев, И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников // Альтернативная энергетика и экология. - 2005. - № 5. - С. 27 - 35.

16. Helman J.S., Abeles B. Tunneling of Spin-Polarized Electrons and Magnetoresistance in Granular Ni Films // Phys. Rev. Lett.-1976.-V.37, №21.-P.1429-1433.

Воронежский государственный технический университет

THE INFLUENCE OF THE THICKNESS OF THE SEMICONDUCTOR LAYER ON THE ELECTRICAL, MAGNETICAL AND MAGNETORESISTIVE PROPERTIES OF THE MULTILAYER SYSTEM {K^FeaB.W (SiOiW]/[In35.5Y42O«,J]}93 I.V. Babkina, K.S. Gabriels, O.V. Zhilova, Yu.E. Kalinin, A.V. Sitnikov

The influence of the thickness of the semiconductor layer In35.5Y4.2O60.3 on the electrical, magnetical and magnetoresistive properties of the multilayer system {[(Co41Fe39B20)33.9(SiO2)66.1]/[In35.5Y4.2O60.3]}93 was invastigated. It was founded that the thickness of the semiconductor layer has a decisive significance for the studied properties. A physical model of the observed changes in the properties was proposed

Key words: nanocomposites, the magnetic and electrical properties, multilayer heterogeneous structure