Влияние малодозового бета облучения на проводимость монокристаллов С60 Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

ной тетрагональной структурой. В последнем случае, размер единичного зерна не превосходит 0,3-1 мкм и в бесконтактной моде АСМ микроскопических пор на поверхности керамики обнаружено не было.

БЛАГОДАРНОСТИ: Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект № 01-02-16573) и Министерства образования РФ (грант в области естественных наук № Е02-3.4-263).

ВЛИЯНИЕ МАЛОДОЗОВОГО Р-ОБЛУЧЕНИЯ НА ПРОВОДИМОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ С60 © М.А. Иванова, Д.В. Лопатин, А.В. Умрихин

В последнее время все большую актуальность приобретает проблема воздействия на физические свойства объектов живой и неживой природы малых доз ионизирующего облучения. Исследование изменения электрических свойств органических полупроводников под действием облучения может дать ценную информацию не только для физики, но и для таких смежных наук как биофизика, биохимия, физическая химия [1].

Цель данной работы заключалась в обнаружении и изучении явлений, связанных с действием малодозового Р-облучения на фотоэлектрические свойства фуллерита.

После Р-облучения (флюенс Р < 1011 см 2, доза £> < 1 сГр) монокристалла С6о фототок возрос на величину до 80 %. При этом фототок релаксирует за 10-12

часов до исходной значения (рис. 1в). В [2] сообщалось об увеличении фототока в магнитном поле (МП). Изменение абсолютного значения прибавки фототока в МП после облучения в эксперименте не зарегистрировано (см. врезку на рис. 1в).

Обнаружено увеличение до 70 % темновой проводимости фуллерита С6о под действием Р-облучения (рис. 2). Зависимость относительной прибавки тока от времени облучения характеризуется насыщением, возникающим через ^ = 40 мин после начала облучения. После облучения ток релаксирует за 2 часа до первоначального значения. При повторной экспозиции через 20 часов наблюдается увеличение тока, вызванного облучением, до 110 % (см. рис. 2).

Рис. 1. Спектры фотопроводимости монокристаллов С«> в МП и его отсутствие: а - до облучения; б - после (5-облучения; в - зависимость фототока I фуллерита Сбо от времени ( после р-облучения. На врезке показана зависимость абсолютной прибавки фототока А/ в МП от времени і

Рис. 2. Спектры проводимости монокристаллов Си в процессе облучения. Стрелками показано начало и конец Р-облучения

Таким образом, в работе показано, что фото- и тем-новая проводимости монокристаллов С60 чувствительны к малодозовому радиационному (3-облучению.

ЛИТЕРАТУРА

1. Бурлаков Е.Б. II Российский химический журнал. 1999. Т. 43. № 5. С. 3-11.

2. Головин Ю.И., Лопатин Д.В., Николаев Р.К., Умрихин А.В., Шму-рак С.З. //ДАН. 2002. Т. 387. № 6. С. 1-3.

БЛАГОДАРНОСТИ: Работа выполнена при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (гранты № 02-02-17571 и № 03-02-06181) и ФЦП «Фуллерены и атомные кластеры».

ВЛИЯНИЕ ПОСТОЯННОГО И МИКРОВОЛНОВОГО МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФОТОГЕНЕРАЦИЮ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНОМ КОМПЛЕКСЕ ТВРВА-(С60)2

© Д.В. Лопатин, В.В. Родаев

Молекула фуллерена С60 является ^-акцептором нового типа и имеет ряд существенных отличий от других акцепторных молекул: большие размеры, сферическую форму, высокую симметрию и поляризуемость. Эти особенности вносят определенную специфику в донорно-акцепторные взаимодействия в соединениях фуллерена С60, что приводит к созданию материалов с необычными физическими свойствами.

Основная цель работы заключалась в обнаружении и исследовании влияния слабого постоянного и микроволнового магнитных полей на электронно-оптические свойства, в частности, фотопроводимость донорно-акцепторного комплекса ТВРОА'(С60)2-

Обнаружено, что фотопроводимость комплекса ТВР1)Л,(С(1о)2 чувствительна к магнитному полю (МП)

с индукцией В0 < 1 Тл. Зависимость изменения фототока от В0 характеризуется переменой знака при В0 ~ 0,3 Тл (рис. 1) и, предположительно, достигает насыщения в полях порядка 1 Тл. Вид полевой зависимости характерен для процессов, связанных с влиянием МП на концентрацию триплетных экситонов с переносом заряда в молекулярных кристаллах [1].

Получен спектр РИДМР (рис. 1а), детектируемый по изменению фотопроводимости донорно-акцептор-ного комплекса ТВРОА (С60)2- Разложение спектра на гаусс-лоренцевы составляющие позволило выделить два резонансных пика отрицательной полярности при 0,189 и 0,312 Тл с полушириной 0,009 Тл. Второй пик имеет тонкую структуру и расщеплен на две компоненты с минимумами при 0,306 и 0,316 Тл и полушириной 0,008 и 0,002 Тл соответственно.

Рис. 1. Зависимость относительного изменения фототока Д1 в комплексе ТВРОА (Сбо)2 от индукции магнитного поля Во- На врезке (а) показан спектр РИДМР комплекса ТВРОА(С6о)2. Частота микроволнового магнитного поля V = 8,96 ГГц. На врезке (Ь) приведена схема резонансных переходов в двухтриплетном комплексе (3Г...37)1,3,5