CC BY
1
внедряются в учебно-воспитательный процесс актуальные вопросы методики.
Использованные источники:
1. Белкин А.С. Компетентность. Профессионализм. Мастерство. Челябинск: Юж.-Урал. кн. изд-во, 2004.
2. Зимняя И.А. Ключевые компетенции - новая парадигма результата образования // Высшее образование сегодня. 2003. № 5.
3. Клюева Г.А. Компетентностно-ориентированные задания: вопросы проектирования // СПО. 202. № 2.
Романова Ю. В. ст. преподаватель Романов Р. Н. ст. преподаватель Волгоградский филиал Российского государственного
университета туризма и сервиса Россия, г. Волгоград ВЛИЯНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЗАРЯДОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА У ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ
Описаны усовершенствованные методики определения характеристик (частотного фактора и порядка кинетики) твердотельных структур, содержащих слои диэлектрика и полупроводника. Для структур типа «металл - поликремний - диэлектрик - полупроводник», имеющих зарядовую связь, установлена зависимость потери сигнального заряда при его переносе в приповерхностной области полупроводника от указанных характеристик.
Развитие микроэлектронных приборов в современных условиях по-прежнему требует решения проблем, обусловленных наличием примесей вблизи границ раздела твердотельных слоев подобных структур, наличием разрешенных состояний в их запрещенных зонах и моноэнергетических уровней в слоях диэлектрика и полупроводника, определяющих порядок кинетики и частотный фактор происходящих на них зарядовых процессов. В [1] показано, что наличие примеси в слое полупроводника подобных структур приводит как к появлению поверхностных состояний (ПС) в его запрещенной зоне вблизи границы раздела «диэлектрик - полупроводник», так и к формированию моноэнергетических уровней (МУ), что должно увеличивать неэффективность переноса сигнального заряда у ПЗС (то есть его потери).
В данном случае исследовались приборы с зарядовой связью (ПЗС) на основе твердотельных структур типа «металл (А1) - поликремний (81*) -диэлектрик (8102) - полупроводник (81)», которые представляют собой их
периодическую последовательность, на которую подаются сдвинутые по фазе импульсы переноса зарядовых пакетов [2]. Основной характеристикой их работы, определяющей потери сигнального заряда при его переносе, является неэффективность переноса зарядовых пакетов, величина, обратная эффективности. В данной статье устанавливается влияние указанных характеристик слоистых структур на неэффективность переноса сигнального заряда у ПЗС.
Кинетика зарядовых процессов в приповерхностной области полупроводника (Si) рассматриваемых слоистых структур, являющейся зоной перемещения сигнальных зарядовых пакетов ПЗС, в значительной степени будет определяться наличием ПС и МУ в запрещенной зоне полупроводника. Влияние ПС и МУ на потери сигнального заряда на разных частотах импульсов (/П) переноса разное. В данном случае будет рассмотрено влияние зарядовых процессов, происходящих на МУ, на его потери при переносе у ПЗС. Эти процессы доминируют в области более высоких частот импульсов переноса заряда (когда/П > 1 МГц).
В [3] показано, что при исследовании диэлектриков и полупроводников методами термостимулированных токов деполяризации (ТСТД), когда токи измеряются в виде пиков, эти пики можно описать одним из следующих выражений, несущих информацию о частотном факторе и порядке кинетики зарядовых процессов на МУ:
т
I(T) = ~{qa3r2 / 2L)(1 - r / L)nt0 exp [-Et / kT- J (pt / ß) exp(-E, / kT')dT'], (1)
To
в случае кинетики первого порядка (т = 1),
T
I(T) = -Io(Tt /т/(To))exp(-E /kT)[1 + J(otTt)/ßTf (T,))exp(-E /kT)dT]-2, (2)
To
в случае кинетики второго порядка (т = 2),
I(T) * -(q2^NcMfr2)/(2ssoLNss)(1 -r/L)exp(-^/kT)[A(T)]/[1-A(T)]2, (3)
где
T
A (T) = nt o /(n o + Mt )exp[-J (qtMcMt )/(ев 0ßNss )exp(-E( / kT ')dT' ].
To
Здесь q - единичный заряд;
k - постоянная Больцмана; Т - термодинамическая температура;
NSS - плотность поверхностных состояний в запрещенной зоне полупроводника;
r и L - толщины области локализации объемного заряда и образца; nt0 - начальная концентрация носителей заряда, локализованного на ловушках;
ß - скорость нагрева образца;
Et - энергия активации моноэнергетического уровня; I0 - начальное значение термостимулированного тока;
Т т - время пролета и захвата свободных носителей заряда;
Т и Т0 - текущая и начальная температуры;
е и е0 - диэлектрическая проницаемость и электрическая постоянная;
Ыс - эффективная плотность состояний в разрешенной зоне;
Мг - концентрация глубоких ловушек, не опустошающихся при
нагревании;
(ог и соэ - частотный фактор опустошения ловушек и эффективный частотный фактор.
Если зарядовые процессы в слоистых структурах описываются выражением (1), имеет место слабый перезахват носителей заряда, для которого справедливо соотношение о = оэ.
В случае сильного перезахвата носителей заряда, (®э=®т1тг где тг -время рекомбинации носителей заряда) зарядовые процессы в слоистых структурах описываются выражением (2)
По идентификации спада измеренного пика ТСТД с моделями, представленными выражениями (1) - (3), определим порядок кинетики процессов т. Для адекватного использования данных моделей при исследовании свойств слоистых структур необходимо иметь достоверную информацию о плотности разрешенных состояний в запрещенной зоне полупроводника исследовавшихся слоистых структур (Ы^), которая в нашем случае была определена методами емкостной спектроскопии и для исследовавшихся структур имела значение 5 • 1010эВ-1 см- . Эксперименты проводились с применением термоочистки пиков термостимулированного тока от фонового заряда, включая заряд, захваченный на ПС.
В [3] также приводится соотношение, позволяющее определить энергию активации моноэнергетического уровня Ег и эффективный частотный фактор
т(Т) = о;1 • ехр(Е / кТ) , где т(Т) определяется для нескольких точек пика термостимулированного тока т(Т') по соотношению:
В координатах (1/кТ;1пт) зависимость времени релаксации носителей заряда т от температуры Т представляет собой прямую (рис. 1), по которой определяется энергия активации моноэнергетического уровня (Е = tga) и
частотный фактор оэ (по пересечению построенной прямой с осью ординат).
1пт
Рисунок 1 - Прямая в координатах (1/кТ;1пт) для определения характеристик центров захвата носителей заряда на МУ
Полученная опытным путем зависимость неэффективности переноса зарядовых пакетов от эффективного частотного фактора в88(кэ) для различных значений т при постоянном значении частоты импульсов переноса (/П = 10МГц) приведена на рисунке 2. Значения в88 определялись методом одиночного импульса [2].
В результате анализа полученных результатов исследования было установлено полуэмпирическое выражение, определяющее влияние частотного фактора, порядка кинетики и частоты импульсов переноса зарядовых пакетов на потери заряда при его переносе:
^ = /,Т [1 + (т - 1)2Дт / К, ]/[ кТ2/К, К
Езз
Рисунок 2 - Зависимость неэффективности переноса зарядовых пакетов у приборов с зарядовой связью от частотного фактора для различных значений порядка кинетики
Из графиков также видно, что с увеличением порядка кинетики наклон прямой резко уменьшается, что объясняется более сильным перезахватом носителей заряда в процессе его переноса. При наличии слабого перезахвата носителей заряда (когда т « 1), зависимость в88(к) изменяется существенно. Следовательно, для уменьшения неэффективности переноса зарядовых пакетов необходимо, по возможности, увеличивать частотный фактор и уменьшать порядок кинетики зарядовых процессов на имеющихся центрах захвата носителей заряда на МУ.
Использованные источники:
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн.: Пер. с англ. 2-е изд. перераб. и доп. М.: Мир, 1984.
2. Приборы с зарядовой связью: Пер. с англ. / Под ред. Д.Ф. Барба. М: Мир, 1982.
3. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука: Гл. ред. физ.-мат. лит., 1991.
Рубан Т. В. воспитатель МБДОУ №5 Россия, г.Батайск
РАЗВИТИЕ СВЯЗНОЙ РЕЧИ У ДЕТЕЙ СТАРШЕГО ДОШКОЛЬКОГО ВОЗРАСТА СРЕДСТВАМИ МАЛЫХ ФОРМ ФОЛЬКЛОРА
Пословицы и поговорки - особый вид устной поэзии, впитавшей в себя трудовой опыт многочисленных поколений. Пословицы и поговорки, как и другой жанр устного народного творчества, в художественных образах зафиксировали опыт прожитой жизни во всем его многообразии и противоречивости.
Адрианова-Перетц В.П. отмечает, что пословицы и поговорки в обобщенном суждении о типических явлениях прибегают к наиболее устойчивой части лексики общенародного языка, в них нет никаких украшающих средств, мысль передается лишь самыми необходимыми и притом точно отобранными словами.
К тому же, как отмечает Н.А. Дмитриева, что выражено словом, то уже в большей или меньшей мере понятно и объяснимо, «определенность, ясность, пластичность» художественной речи - это есть определенность выражаемого духовного состояния: думы, чувства, впечатления, настроения, переживания.
Используя в своей речи пословицы и поговорки дети учатся ясно, лаконично, выразительно выражать свои мысли и чувства, интонационно окрашивая свою речь. У детей развивается умение творчески использовать слово, умение образно описать предмет, дать ему яркую характеристику.
Колыбельные песни, по мнению народа - спутник детства. Они на ряду с другими жанрами заключают в себе могучую силу, позволяющую развивать связную речь детей дошкольного возраста. Колыбельные песни обогащают словарь детей за счет того, что содержат широкий круг сведений об окружающем мире, прежде всего о тех предметах, которые близки опыту людей и привлекают своим внешним видом. Грамматическое разнообразие колыбельных песенок способствует освоению грамматического строя речи. Обучая детей образовывать однокоренные слова, можно использовать эти песни, так как в них создаются хорошо знакомые детям образы, например
