CC BY
86Компоненты и технологии, № 9'2003 Компоненты
Высокочастотные компоненты фирмы Тусо Е!ейгопк$ М/А-СОМ:
мощные высокочастотные транзисторы и транзисторные модули
В статье рассматриваются характеристики высокочастотных транзисторов и транзисторных модулей фирмы Тусо ЕІесіїопісв М/А-СОМ — мирового лидера в разработке и производстве компонентов ВЧ и СВЧ.
Николай Скрипник
Фирма Tyco Electronics M/A-COM более 30 лет разрабатывает, производит и поставляет технологически передовые компоненты ВЧи СВЧ-диапазонов для оборонной и космической промышленности, систем радиосвязи, навигации и беспроводной передачи данных, автомобильной телематики. Продукция фирмы Tyco Electronics M/A-COM — это высокочастотные мощные транзисторы, транзисторные модули, широкополосные транзисторные усилители, в том числе малошумя-щие, высокочастотные диоды, высокочастотные генераторы, управляемые напряжением, синтезаторы частот, антенны, в том числе для систем GPS, коннекторы для коаксиальных кабелей, аттенюаторы, линии задержки, фильтры-дуплексеры, смесители и модуляторы, монолитные интегральные микросхемы, широкополосные и импульсные трансформаторы, индуктивности, ферритовые материалы, сенсоры для радаров, обеспечивающих безопасность движения автомобиля. Фирма Tyco Electronics M/A-COM имеет сертификат ISO 9001. В данной статье рассматриваются основные технические характеристики мощных высокочастотных транзисторов и транзисторных модулей.
Высокочастотные транзисторы и транзисторные модули находят широкое применение в усилительных трактах связных и телевизионных радиопередатчиков, радаров различных диапазонов частот гражданского и специального назначения, в медицинской технике, в аппаратуре радиолюбителей. Применительно к системам беспроводной связи транзисторы и транзисторные модули оптимизированы для усиления всех современных видов сигналов. Фирма Tyco Electronics M/A-COM производит широкую номенклатуру полевых и биполярных транзисторов и транзисторных модулей для диапазона частот от 1,5 до 3500 МГц на мощность 0,5-700 Вт. Основные технические характеристики полевых и биполярных транзисторов и транзисторных модулей приведены в таблицах 1, 2 и 3
(соответственно). Транзисторы и транзисторные модули обладают превосходными характеристиками по надежности, повторяемости параметров, обеспечивают в соответствующих применениях высокие коэффициент усиления (Ср), линейность усиления и КПД. Транзисторы выполнены в металлокерамических корпусах, причем в ряде случаев с золотой металлизацией. Допустимая температура перехода +200 °С. Мощные высокочастотные транзисторы фирмы Тусо ЕкСтошсз М/А-СОМ обладают малым тепловым сопротивлением «переход — корпус» (Япк). Его величина достигает значения 0,11 °С/Вт.
Высокочастотные полевые транзисторы фирмы Тусо Е1есТгоп1св М/А-СОМ
Полевые транзисторы фирмы Тусо ЕкСгошся М/А-СОМ позволяют усиливать сигналы на частотах от 2 до 1400 МГц, при этом обеспечивается мощность в нагрузке 2-600 Вт (таблица 1). Они находят широкое применение в промежуточных и выходных каскадах радиопередатчиков и генераторных устройствах различного назначения. Малые шумы и высокая плотность мощности выгодно отличают полевые транзисторы от биполярных, а малые паразитные емкости способствуют построению широкополосных усилительных трактов.
Некоторые полевые транзисторы, обладая идентичными параметрами, отличаются корпусами (например, БШ860Т и БШ860и, БШ880Т и 0Ш880и и др.), величиной напряжения питания (например, МЯБ141 и МЯБ151, МЯБМЮ и МКП510, МЯР175вУ и МИПУбОУ и др.). Полевые транзисторы в усилителях включаются по схеме с общим истоком (ОИ). Но имеются так называемые «балансные» транзисторы в виде двух транзисторов, смонтированных на одном фланце. Оба транзистора включаются по схеме с общим истоком (2хОИ), что позволяет уменьшить индуктивность общего вывода, улуч------www.finestreet.ru-----------------------
Компоненты и технологии, № 9'2003
Таблица 1
Таблица 1
Тип прибора Диапазон частот, МГц РВЫХ, Вт Эр (мин.), дБ Напряжение питания, В КПД (мин.), % ®ПК, °С/Вт Схема вклю- чения
М1?Р157 2 .80 600 15,0 50 40 0,13 ОИ
М1?Р154 2. 100 600 17,0 (тип.) 50 45 (тип.) 0,13 ОИ
М1?Р140 2. 150 150 15,0 (тип.) 28 40 (тип.) 0,6 ОИ
М1?Р150 2. 150 150 17,0 (тип.) 50 45 (тип.) 0,6 ОИ
01128053 2. 175 5 11,0 28 55 1,1 ОИ
01128103 2. 175 10 13,0 28 55 2,0 ОИ
01112153 2. 175 15 9,5 12 60 2,0 ОИ
01128203 2. 175 20 13,0 28 60 2,8 ОИ
01112303 2. 175 30 9,0 12 60 1,0 ОИ
М1?Р148Л 2. 175 30 18,0 (тип.) 50 40 (тип.) 1,52 ОИ
01128403 2. 175 40 13,0 28 60 1,4 ОИ
01І1260Т 2. 175 60 8,0 12 60 0,7 ОИ
0и2860Т(и) 2. 175 60 13,0 28 60 1,1 ОИ
0и2880Т(и) 2. 175 80 13,0 28 60 0,85 ОИ
0и2880У 2. 175 80 13,0 28 60 0,85 2хОИ
0и28120Т 2. 175 120 13,0 28 60 0,65 ОИ
0и28120У 2. 175 120 13,0 28 60 0,7 2хОИ
М1?Р141 (151) 2. 175 150 16,0 (18,0) 28 (50) 40 0,6 ОИ
0и28200М 2. 175 200 13,0 28 55 0,45 2хОИ
МІ?Р1410 (15Ю) 2. 175 300 12,0 (14,0) 28 (50) 45 (50) 0,35 2хОИ
М1?Р173(СО) 2. 200 80 11,0 28 55 0,8 ОИ
М1?Р174 2. 200 125 9,0 28 50 0,65 ОИ
М1?Р1750У (176ЭУ) 5. 225 200 12,0 (15,0) 28 (50) 55 (50) 0,44 2хОИ
М1?Р134 5. 400 5 11,0 28 50 10,0 ОИ
М1?Р136 5. 400 15 13,0 28 50 3,2 ОИ
Тип прибора Диапазон частот, МГц РВЫХ, Вт (мин.), дБ Напряжение питания, В КПД (мин.), % ®ПК, °С/Вт Схема вклю- чения
М1?Р137 5.400 30 13,0 28 50 1,75 ОИ
М1?Р137У 5.400 30 12,0 28 50 1,75 2хОИ
М1?Р175Ш 5.400 100 8,0 28 50 0,65 ОИ
М1?Р177 5.400 100 10,0 28 55 0,65 2хОИ
М1?Р158 5.500 2 16,0 28 50 13,2 ОИ
М1?Р2751. 5.500 100 7,5 28 50 0,65 ОИ
М1?Р1750и (176Эи) 5.500 150 10,0 (12,0) 28 (50) 50(45) 0,44 2хОИ
РН2164 30.90 8 13,0 12 55 1,5 2хОИ
РН2114 30.90 75 13,0 24 65 0,7 2хОИ
М1?Р171Л 30.200 45 17,0 28 60 1,52 ОИ
М1?Р160 30.500 4 16,0 28 50 7,2 ОИ
М1?Р166С 30.500 20 13,5 28 50 2,5 ОИ
MRF166W 30.500 40 14,0 28 50 1,0 2хОИ
иР2805В 100.500 5 10,0 28 50 12,1 ОИ
иР2810Р 100.500 10 10,0 28 50 6,5 2хОИ
иР2815В 100.500 15 10,0 28 50 3,6 ОИ
UF2820R 100.500 20 10,0 28 50 2,86 ОИ
иР2820Р 100.500 20 10,0 28 50 3,3 2хОИ
иР2840Э(Р) 100.500 40 10,0 28 50 1,52(1,5) 2хОИ
иР28100Н(М; V) 100.500 100 10,0 28 50 0,7 2хОИ
иР281501 100.500 150 10,0 28 50 0,75 2хОИ
MRF275G 100.500 150 10,0 28 50 0,44 2хОИ
І.Р2802Л 500.1000(1400) 2 10,0 28 40 21,8 ОИ
І.Р2805Л 500.1000(1400) 5 10,0 28 50 12,1 ОИ
І.Р2810Л 500.1000(1200) 10 10,0 28 50 6,6 ОИ
шить согласование, расширить рабочую полосу частот. Эти транзисторы предназначены для двухтактных схем. Потенциал средней точки при этом равен нулю. При полной идентичности параметров транзисторов эффективно подавляются четные гармоники.
Полевые транзисторы РН2164 и РН2114 эффективно работают в усилительных трактах радиопередатчиков, предназначенных для обеспечения режима программной перестройки рабочих частот (режим ППРЧ).
Полевые транзисторы обладают превосходной тепловой стабильностью. Например, в транзисторах МИР 134 и МИР 136, которые идеально походят для работы в классе А, при изменении температуры корпуса в 5 раз (от -25 до +100 °С) величина напряжения «затвор — исток» меняется не более чем на ±5%.
Разработчики транзисторов предлагают оптимальные структурные схемы для различных диапазонов частот и применений
на мощности от десятков ватт до единиц киловатт. В качестве примера на рисунке приведена структурная схема усилительного тракта стационарного радиопередатчика мощностью 1200 Вт для диапазона частот 5-225 МГц на полевых транзисторах.
В технической документации на высокочастотные транзисторы приводятся схемы, а в ряде случаев и топологические решения тестирующих плат, что облегчает создание транзисторных усилителей.
Высокочастотные биполярные транзисторы фирмы Тусо ЕієсГгопісї М/А-СОМ
Биполярные транзисторы фирмы Тусо Еіегігопі^ М/А-СОМ позволяют усиливать сигналы на частотах от 1,5 до 3500 МГц, при этом обеспечивается мощность в нагрузке 0,5-700 Вт (таблица 2).
Рассмотрим некоторые особенности биполярных транзисторов фирмы Тусо Еіесігопісз М/А-СОМ и области их применения. Транзисторы диапазона частот от 1,5 МГц (2 МГц) до 30 МГц находят применение в усилительных трактах радиопередатчиков различного назначения (радиовещание, любительская радиосвязь), причем как стационарных, так и подвижных, а также в медицинском оборудовании. Они идеально подходят для линейного усиления сигналов, прежде всего однополосных (нелинейные искажения при измерении двухтоновым сигналом не хуже -30 дБ). Транзисторы диапазона частот 30-500 МГц используются в усилительных трактах широ-
кодиапазонных радиопередатчиков (ТВ и радиовещание, в том числе РМ, связь в авиации), в промышленном и медицинском оборудовании. Транзисторы диапазона частот 960-1400 МГц находят широкое применение в усилительных трактах импульсных радиопередатчиков радиолокационных и радионавигационных систем. Предназначены для работы в режиме класса С. Корпус транзисторов герметичный, металлокерамический с золотой металлизацией. Наличие внутренних входных и выходных согласующих цепей облегчает создание широкополосных усилителей при использовании таких транзисторов. Транзистор МИР587 — прп-кремниевый маломощный транзистор. Обеспечивает высокий коэффициент усиления, высокую линейность усиления (нелинейные искажения не хуже -70 дБ), малое значение коэффициента шума (^ = 3 дБ на частоте 500 МГц при токе коллектора 90 мА). Используется в усилительных системах кабельного телевидения, антенных усилителях и измерительной технике. Транзисторы диапазона частот 1450-1990 МГц используются в усилительных трактах радиопередатчиков сотовой связи. Обеспечивают высокую линейность усиления, имеют внутренние входные, а некоторые транзисторы и выходные согласующие цепи. Транзисторы диапазонов частот 2250-2500 МГц и 2700-3500 МГц используются в усилительных трактах радаров специального назначения. Корпус транзисторов герметичный, металлокерамический с золотой металлизацией. В транзисторах имеются внутренние входные и выходные согласующие цепи.
Компоненты и технологии, № 9'2003
Таблица 2
Таблица 2
Тип прибора Диапазон частот, МГц РВЫХ, Вт Эр (мин.), дБ Напря- жение питания, В КПД (мин.), % ®пк, °С/Вт Схема вклю- чения
М1?Р426 1,5.30 25 22,0 28 35 2,5 ОЭ
М1?Р455 2.30 60 13,0 12,5 55 1,0 ОЭ
М1?Р454 2.30 80 12,0 12,5 50 0,7 ОЭ
М1?Р421 2.30 100 10,0 12,5 40 0,6 ОЭ
М1?Р422 2.30 150 10,0 28 45 (тип.) 0,6 ОЭ
М1?Р428 2.30 150 13,0 50 45 0,5 ОЭ
М1?Р429 2.30 150 13,0 50 45 0,75 ОЭ
М1?Р448 2.30 250 12,0 50 45 (тип.) 0,6 ОЭ
М1?Р314 30.200 30 10,0 28 50 2,13 ОЭ
М1?Р316 30.200 80 10,0 28 55 0,8 ОЭ
М1?Р317 30.200 100 9,0 28 55 0,65 ОЭ
РН0Ю4-16 30.400 16 9,0 27 40 2,1 ОЭ
РН0Ю4-85 30.400 85 7,3 27 45 0,9 ОЭ
М1?Р393 30.500 100 7,5 28 50 0,65 2хОЭ
MRР392 30.500 125 8,0 28 50 0,65 2хОЭ
MRР313 100.400 1 15,0 28 45 (тип.) 28,5 ОЭ
MRF327 100.500 80 7,3 28 50 0,7 ОЭ
MRР587 100.1000 0,8 16,5 15 - - ОЭ
MRР321 200.500 10 12,0 28 50 6,4 ОЭ
MRР323 200.500 10 10,0 28 50 3,2 ОЭ
2И6439 225.400 60 7,8 28 55 1,2 ОЭ
РН0810-15 850.960 15 12,0 24 50 3,5 ОЭ
РН0810-35 850.960 35 10,0 24 55 1,5 ОЭ
РН0814-40 850.1450 40 6,8 28 40 1,0 ОБ
MRР1000MB 960.1215 0,7 10,0 18 - 25,0 ОЭ
MRР1004MB 960.1215 4,0 10,0 35 40 25,0 ОБ
MRF10005 960.1215 5,0 8,5 28 45 7,0 ОБ
MRР10031 960.1215 30 9,0 36 40 1,6 ОБ
MRР1090MA(MB) 960.1215 90 8,4 50 35 0,6 ОБ
MRР10120 960.1215 120 7,6 36 50 0,46 ОБ
MRР1150MA(MB) 960.1215 150 7,8 50 35 0,3 ОБ
MRР10150 1025.1150 150 9,5 50 40 0,25 ОБ
MRР10350 1025.1150 350 8,5 50 40 0,11 ОБ
MRР10502 1025.1150 500 8,5 50 40 0,12 ОБ
РН1090-15Ь 1030.1090 15 9,0 45 40 3,0 ОБ
РН1090-75Ь 1030.1090 75 9,0 45 45 1,5 ОБ
РН1090-175І. 1030.1090 175 8,3 45 55 0,4 ОБ
РН1090-350Ь 1030.1090 350 8,0 45 55 0,2 ОБ
РН1090-550Б 1030.1090 550 7,5 50 55 0,2 ОБ
РН1090-700В 1030.1090 700 7,5 50 50 0,2 ОБ
РН1113-100 1100.1300 100 8,0 32 52 0,5 ОБ
РН1214-0.851 1200.1400 0,85 9,3 11,5 30 19,0 ОЭ
РН1214-2М 1200.1400 2 7,0 28 40 17,0 ОБ
РН1214-31 1200.1400 3 5,7 16,5 40 9,4 ОБ
РН1214-4М 1200.1400 4 7,0 28 45 8,6 ОБ
РН1214-6М 1200.1400 6 7,0 28 45 5,8 ОБ
РН1214-8М 1200.1400 8 7,0 28 45 4,9 ОБ
РН1214-12М 1200.1400 12 8,5 28 45 3,7 ОБ
РН1214-20ЕІ. 1200.1400 20 9,5 28 50 5,8 ОБ
РН1214-25Б(М; 1) 1200.1400 25 9,5 28 50 1,0 (2,6; 3,6) ОБ
РН1214-30ЕІ. 1200.1400 30 7,8 28 50 1,5 ОБ
РН1214-40М 1200.1400 40 8,5 40 50 1,7 ОБ
РН1214-55Е1 1200.1400 55 6,6 28 50 0,8 ОБ
РН1214-80М 1200.1400 80 7,5 40 50 0,8 ОБ
Тип прибора Диапазон частот, МГц РВЫХ, Вт (мин.), дБ Напря- жение питания, В КПД (мин.), % ®ПК, °С/Вт Схема вклю- чения
РН1214-100ЕІ. 1200.1400 100 6,0 28 52 0,7 ОБ
РН1214-110М 1200.1400 110 7,4 40 50 0,5 ОБ
РН1214-220М 1200.1400 220 7,4 40 50 0,25 ОБ
РН1214-330М 1200.1400 300 8,75 40 50 0,3 ОБ
РН1516-60 1450.1550 60 8,0 26 30 1,5 ОЭ
РН1516-100 1450.1550 100 10,0 26 30 0,75 ОЭ
РН1516-10 1450.1600 10 10,0 25 40 3,0 ОЭ
MRF3104 1550.1650 0,5 10,5 20 - 40,0 ОЭ
MRF3105 1550.1650 0,8 9,0 20 - 35,0 ОЭ
MRF3106 1550.1650 1,6 8,0 20 - 22,0 ОЭ
MRF16006 1600.1640 6 7,4 28 40 6,8 ОБ
MRF16030 1600.1640 30 7,5 28 40 1,7 ОБ
РН1617-2 1600.1700 2 10,0 25 35 13 ОЭ
РН1617-30 1600.1700 30 10,0 25 40 1,6 ОЭ
РН1819-2 1780.1900 2 10,0 25 35 13 ОЭ
РН1819-4Ы 1780.1900 4 10,0 26 25 7,5 ОЭ
РН1819-10 1780.1900 10 9,0 25 40 4,0 ОЭ
РН1819-15Ы 1780.1900 15 7,0 26 25 3,0 ОЭ
РН1819-33 1805.1880 33 7,0 25 40 3,0 ОЭ
РН1819-45 1805.1880 45 8,0 25 40 1,3 ОЭ
РН1920-33 1930.1990 33 7,0 25 40 1,6 ОЭ
РН1920-45 1930.1990 45 8,0 25 40 1,3 ОЭ
РН2226-50М 2250.2550 50 8,0 36 40 1,1 ОБ
РН2226-110М 2250.2550 110 7,4 36 40 0,3 ОБ
РН2323-1 2300 1 8,0 28 30 25,0 ОБ
РН2323-3 2300 3,5 8,0 28 30 15,0 ОБ
РН2323-5 2300 5 8,0 28 35 7,0 ОБ
РН2323-14 2300 14 7,6 28 35 4,5 ОБ
РН2729-8.5 2700.2900 8,5 8,1 36 35 2,2 ОБ
РН2729-25М 2700.2900 25 9,2 36 45 1,25 ОБ
РН2729-65М 2700.2900 65 8,5 36 40 0,45 ОБ
РН2729-110М 2700.2900 110 6,8 36 35 0,3 ОБ
РН2729-130М 2700.2900 130 7,0 36 40 0,3 ОБ
РН2729-150М 2700.2900 150 8,3 38 38 0,4 ОБ
РН2731-5М 2700.3100 5 7,0 36 30 3,5 ОБ
РН2731-20М 2700.3100 20 8,2 36 45 2,5 ОБ
РН2731-75І. 2700.3100 75 7,0 36 38 0,8 ОБ
РН2856-160 2856 160 7,5 40 40 0,25 ОБ
РН2931-5М 2900.3100 5 7,0 36 30 3,5 ОБ
РН2931-20М 2900.3100 20 8,2 36 45 1,5 ОБ
РН2931-135І. 2900.3100 135 7,5 42 40 0,3 ОБ
РН3134-9І. 3100.3400 9 8,0 36 35 2,7 ОБ
РН3134-11Б 3100.3400 11 8,0 36 35 1,4 ОБ
РН3134-20І. 3100.3400 20 7,5 36 35 1,2 ОБ
РН3134-30Б 3100.3400 30 7,5 36 35 0,5 ОБ
РН3134-55І. 3100.3400 55 7,5 36 35 0,5 ОБ
РН3134-65М 3100.3400 65 7,5 36 36 0,5 ОБ
РН3134-75Б 3100.3400 75 7,5 36 35 0,25 ОБ
РН3135-5Б(М) 3100.3500 5 8,5 33 30 3,5 ОБ
РН3135-20М 3100.3500 20 7,5 36 35 1,1 ОБ
РН3135-25Б 3100.3500 25 7,5 36 35 0,9 ОБ
РН3135-30М 3100.3500 30 7,0 36 35 0,7 ОБ
РН3135-65М 3100.3500 65 7,5 36 35 0,42 ОБ
РН3134-90Б 3100.3500 90 7,5 36 35 0,3 ОБ
Транзисторные модули фирмы Тусо ЕієсГгопісї М/А-СОМ
Фирма Тусо Еіегігопі^ М/А-СОМ наряду с мощными дискретными полевыми и биполярными транзисторами производит мощные высокочастотные одно- и многокаскадные транзисторные модули. Отличительными особенностями таких модулей являются
внутренние цепи согласования входных и выходных импедансов. Входной и выходной импедансы транзисторных модулей равны 50 Ом в рабочем диапазоне частот.
Использование транзисторных модулей уменьшает ошибки при проектировании усилительных трактов, сокращает время проектирования, позволяет легко осуществлять наращивание мощностей усилителей.
Такие модули более предпочтительны в условиях производства, чем низкоомные дискретные транзисторы — они допускают обычную установку на печатной плате, менее чувствительны к рассогласованию нагрузки. Размещение схем согласования внутри модуля уменьшает габариты и сокращает число элементов усилительных трактов радиопередатчиков.
Компоненты и технологии, № 9'2003
Транзисторные модули фирмы Tyco Electronics M/A-COM выпускаются на мощность до 300 Вт для различных участков диапазона частот 30-3500 МГц (таблица 3).
Транзисторные модули серии PHA4000 прекрасно работают в жестких условиях эксплуатации, в том числе в бортовом самолетном оборудовании.
В транзисторных модулях типа PH1617-60 и PH1819-45A используются биполярные npn-транзисторы с золотой металлизацией. Транзисторы включены по схеме с ОЭ и при работе в классе АВ обеспечивают усиление сигнала в диапазонах частот 1615-1685 МГц и 1805-1880 МГц (соответственно) с малыми нелинейными искажениями (величина нелинейных искажений при полной мощности не хуже -28 дБ при измерении двухтоновым сигналом).
Транзисторный модуль PHM1880-15 (четырехкаскадный усилитель) широко используется в базовых станциях системы GSM.
Он содержит внутренние цепи температурной компенсации.
Транзисторные модули типа PH2729 (PHA2729), PHA2731 и PHA3135 находят применение в усилительных трактах радаров гражданского и специального назначения различных диапазонов частот, а также в других импульсных радиопередатчиках, где требуется высокий коэффициент усиления и большая плотность мощности.
Таблица З
Тип прибора Диапазон частот, МГц РВЫХ, Вт GP (мин.), дБ Напряжение питания, В КПД (мин.), % !^ПК, °С/Вт Схема включения
PHA4000-1 30.400 13 28,0 27 25 - -
PHA4000-2 30.400 64 7,0 27 35 - -
PH1617-60 1615.1685 60 9,0 26 40 1,0 ОЭ
PHM1880-15 1805.1880 15 30,0 26 25 - -
PH1819-45A 1805.1880 45 9,0 25 50 1,5 ОЭ
PH2729-150M 2700.2900 150 8,3 38 38 0,4 ОБ
PHA2729-300M 2700.2900 300 7,5 38 36 0,25 -
PHA2731-140L 2700.3100 140 7,0 36 35 0,8 -
PHA2731-190M 2700.3100 190 7,5 38 33 0,35 -
PHA3135-130M 3100.3500 130 7,4 36 35 0,24 -
Заключение
Широкий выбор мощных высокочастотных транзисторов и транзисторных модулей с различными электрическими характеристи-
ками, многообразие вариантов корпусов, высокая надежность, хорошее соотношение «цена — качество» — все это является привлекательным для использования высокочастотных компонентов фирмы Тусо ЕкСтошся М/А-СОМ в новых разработках. Технические характеристики многих транзисторов, а также их габаритные размеры и расположение выводов совпадают с аналогичными параметрами транзисторов других фирм. Имеются возможности для замены транзисторов других фирм на транзисторы фирмы Тусо Е1ес1гошс8 М/А-СОМ.
Дальнейшие разработки фирмы Тусо Е1ес1гошс8 М/А-СОМ в области создания транзисторов и транзисторных модулей направлены на увеличение мощности, расширение рабочей полосы частот, уменьшение стоимости. В ближайшее время потребители смогут оценить транзисторы фирмы Тусо Е1ес1гошс8 М/А-СОМ мощностью более 500 Вт для частот до 150 МГц и мощностью более 1 кВт для диапазона частот 1030-1090 МГц.
Дополнительную информацию по мощным высокочастотным транзисторам и транзисторным модулям можно получить на сайте фирмы Тусо ЕеСтотсз М/А-СОМ www.macom.com и на сайте Объединенного Технико-консультационного центра по микроэлектронике www.otkcm.ru.
