Условия закипания капель на поверхности тонкой плёнки оксида цинка при импульсном лазерном осаждении Текст научной статьи по специальности «Физика»

https://doi.Org/10.62669/17270227.2024.3.32

УДК 536.37

1.3.8 - Физика конденсированного состояния (технические, физико-математические науки)

Условия закипания капель на поверхности тонкой плёнки оксида цинка при импульсном лазерном осаждении

Р. И. Воронин1, Л. С. Паршина1, Д. С. Гусев1, О. Д. Храмова1, Е. А. Черебыло1,

1 2 12 12 О. А. Новодворский , И. Н. Николаева , М. Р. Конникова , , М. С. Шанин , ,

3 12

А. Р. Кауль , А. П. Шкуринов ,

1 НИЦ "Курчатовский институт", Россия, 123182, Москва, пл. Академика Курчатова, 1

2 Физический факультет, МГУ имени М.В. Ломоносова, Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

3 Химический факультет, МГУ имени М.В. Ломоносова, Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 3

Аннотация. Рассмотрен процесс осаждения капель оксида цинка при импульсном лазерном осаждении пленок оксида цинка в условиях вакуума. Впервые обнаружены капли оксида цинка, закипевшие на поверхности тонкой плёнки оксида цинка. Впервые рассчитаны температура и скорости твердых и жидких капель оксида цинка, при которых они могут закипеть при попадании на подложку. Определены условия закипания жидкой капли при попадании на подложку, учитывающие процессы тепловых потерь на излучение и теплоту фазового перехода. Полученные результаты важны для отработки технологии получения пленок оксида цинка методом импульсного лазерного осаждения.

Ключевые слова: импульсное лазерное осаждение, тонкие плёнки, оксид цинка, капли, кипение.

Н Любовь Паршина, e-mail: ParshinaLiubov@mail. ru

Conditions for droplet boiling on the surface of a thin zinc oxide film during pulsed laser deposition

Rostislav I. Voronin1, Liubov S. Parshina1, Dmitry S. Gusev1, Olga D. Khramova1, 1 1 2 1,2 Elena A. Cherebilo , Oleg A. Novodvorsky , Inessa N. Nikolaeva , Maria R. Konnikova , ,

12 3 12

Maxim S. Shanin1,2, Andrey R. Kaul3, Alexander P. Shkurinov1,2

1 National Research Centre "Kurchatov Institute" (1, Kurchatov Sq., Moscow, 123182, Russian Federation)

2 Lomonosov Moscow State University, Faculty of Physics (1-2, Leninskiye Gory, Moscow, 119991, Russian Federation)

3 Lomonosov Moscow State University, Faculty of Chemistry (1-3, Leninskiye Gory, Moscow, 119991, Russian Federation)

Summary. The pulsed laser deposition (PLD) method is widely used in the production of different thin films. PLD has several advantages: flexible adjustment of parameters and controllability of processes and ease of synthesis of materials. The deposition of zinc oxide droplets during the synthesis of zinc oxide thin films by PLD is considered and the temperature and initial speed of droplets, which can boil on the thin film surface, are determined. The study of the process of the deposition of droplets from a ZnO target was carried out during the growth of thin films according to the traditional scheme for the PLD method. The process of the deposition of ZnO droplets during the PLD of ZnO films under vacuum conditions is considered. For the first time, it has been revealed that ZnO drops are boiling on the thin ZnO film surface. For the first time, the temperature and speed of solid and liquid drops of ZnO, at which they can boil when they hit the substrate, have been calculated taking into account the processes of heat loss through radiation and the heat of phase transition. Thus, for the first time, it has been established experimentally and confirmed in calculations that at the moment of collision some drops of ZnO are boiling. The role of the heat of phase transition and heat loss due to radiation during the flight of droplets during the PLD of ZnO thin films in a vacuum has been clarified. The temperature of a ZnO drop after a collision with a substrate was calculated in a wide range of initial speed and temperature taking into account heat losses due to radiation and heating from impact.

Keywords: pulsed laser deposition, thin films, zinc oxide, droplets, boiling. Н Liubov Parshina, e-mail: ParshinaLiubov@mail. ru

ВВЕДЕНИЕ

Метод импульсного лазерного осаждения (ИЛО) широко применяется при получении тонких пленок металлов, полупроводников, диэлектриков и является одним из основных инструментов современных нанотехнологий, расширяющих круг материалов для устройств микро- и наноэлектроники [1]. По сравнению с другими методами получения тонких плёнок ИЛО обладает несколькими основными преимуществами: гибкая настройка параметров и

управляемость процессов, простота синтеза материалов и возможность контролировать толщину и свойства плёночных структур в процессе их роста [2]. Среди множества параметров процесса импульсного лазерного осаждения наибольшее влияние на свойства получаемых плёнок, а именно кристалличность, адгезия, шероховатость, оказывает энергия осаждаемых частиц [3]. Во время импульсного лазерного осаждения на подложке происходят неравновесные процессы, которые зависят от энергии частиц факела: десорбция, диффузия и нуклеация, от которых зависят конечные свойства плёнок [4]. Наряду с преимуществами метода ИЛО есть и некоторый недостаток в виде выброса из мишени капель осаждаемого материала, которые оседают на поверхности плёнок и влияют на их качество [5]. Поэтому получение тонких плёнок с осаждением одного и того же материала с помощью метода ИЛО может привести к получению пленок с различными параметрами, что зависит от режима осаждения капель на поверхности подложки. Неустойчивость фазовой границы между расплавом и паром, конвективные процессы в жидкой фазе, расплескивание расплава под воздействием паровой фазы высокого давления приводят к выбросу расплавленных капель сферической формы микронных и субмикронных размеров [6].

Процесс ИЛО тонких плёнок оксида цинка из оксидных мишеней в широком диапазоне плотностей энергии лазерного излучения на мишени сопровождается выбросом большого количества капель, которые в твёрдом или в жидком состоянии оседают на подложку. Капли оксида цинка могут по-разному взаимодействовать с поверхностью растущей плёнки. Некоторые могут прилипать к ней и переходить из жидкого состояния в твердое, в то время как другие при ударе могут закипеть на поверхности, а потом застыть.

Целью работы является исследование процесса осаждения капель из мишени оксида цинка и определение температуры и начальной скорости, при которых во время роста тонкой плёнки оксида цинка методом ИЛО капли будут осаждаться в твёрдом или в жидком виде, включая возможность их закипания.

ЭКСПЕРИМЕНТ

Исследование процесса осаждения капель из мишени оксида цинка проводилось при росте тонких пленок по традиционной для метода импульсного лазерного осаждения схеме, когда мишень и подложка располагаются в вакуумной камере. Вакуумная камера, оснащенная турбомолекулярным и криогенным насосами, откачивалась до давления 210-6 Торр. Для абляции мишени использовался эксимерный ЮГ-лазер (длина волны излучения 248 нм, длительность импульса 20 нс, частота следования импульсов 10 Гц). Излучение лазера фокусировалось на поверхность мишени под углом 45° линзой с фокусным расстоянием 20 см, плотность энергии лазерного излучения на мишени составляла 3 Дж/см . Для обеспечения равномерной выработки мишень вращалась со скоростью в несколько оборотов в минуту. Мишень изготавливалась из порошка ZnO (чистота 99.99 %) путём прессования в таблетку, которая отжигалась при температуре 1000 °С в течение 2 часов в атмосфере кислорода. Тонкие пленки ZnO осаждались на монокристаллические подложки сапфира с ориентацией (0001) размером 1*1 см и толщиной 0.5 мм. Подложка располагалась на нагревателе, температура которого составляла 400 °С. Расстояние от мишени до подложки составляло 70 мм.

РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ

Предположим, что капля покидает поверхность мишени в диапазоне температур от плавления Ттеи до кипения Ть. Скорости разлёта капель лежат в широком диапазоне [7]. Физические характеристики оксида цинка, необходимые для расчёта взяты из [8, 9] и представлены в таблице.

Дистанция полёта капли равна расстоянию между подложкой и мишенью. Во время полёта капля будет терять часть изначальной тепловой энергии через излучение. Когда она столкнётся с поверхностью подложки, то получит некоторое количество тепла от столкновения.

Таблица - Физические характеристики оксида цинка

Table - Physical characteristics of zinc oxide

Параметры Parameters Единица измерения Unit Значение Value Источник Source of citation

Температура плавления, Melting point К 2247 [9]

Температура кипения, Boiling point К 2633 [9]

Плотность Density кг/м3 kg/m3 5610 [9]

Удельная теплоёмкость в жидком состоянии Specific heat capacity in liquid state Дж/(кгК) J/(kg-K) 67 [8]

Удельная теплоёмкость в твёрдом состоянии Specific heat capacity in solid state Дж/(кгК) J/(kg-K) 495 [8]

Излучательная способность Emittance, - 0.33 [8]

Молярная масса Molar mass г/моль g/mol 81.4 [8]

Удельная теплота плавления Specific heat of fusion кДж/моль kJ/mol 70 [8]

На рис. 1 представлено изображение плёнки оксида цинка с каплями на поверхности, полученное с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) (а) и изображение закипевшей капли оксида цинка на плёнке, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) (b).

Рис. 1. а) АСМ-изображение плёнки оксида цинка с каплями на поверхности; b) СЭМ-изображение закипевшей капли оксида цинка на плёнке: 1 - капля оксида цинка, 2 - плёнка оксида цинка, 3 - подложка. Диаметр закипевшей капли оксида цинка составляет 1 мкм

Fig. 1. a) atomic force microscope (AFM) image of a zinc oxide film with drops on the surface; (b) scanning electron microscope (SEM) image of a boiled drop of zinc oxide on the film: 1 - drop of zinc oxide, 2 - zinc oxide film, 3 - substrate. The diameter of a boiled zinc oxide drop is 1 ^m

Рассмотрим вылетающую с поверхности мишени жидкую каплю оксида цинка диаметром 1 мкм. Капля оксида цинка в полёте до её столкновения с подложкой будет терять тепловую энергию через излучение. Скорость излучательной эмиссии с поверхности капли определяется формулой Стефана-Больцмана:

Р=^ = еаА- (Tq - (1)

где E - внутренняя энергия капли, е - излучательная способность капли, а - постоянная Стефана-Больцмана, A - площадь поверхности капли, T0 - начальная температура капли (К). Влиянием температуры окружающей среды Ta в вакууме можно пренебречь и принять Ta = 0.

Температуру капли можно охарактеризовать внутренней кинетической энергией содержащихся в ней молекул. В соответствии с равнораспределением энергии:

з

Е = N - кТ, где N - число частиц в теле. (2) Тогда с учётом (2) выражение (1) можно переписать:

йЕ йЕ йТ 3 ... йТ . „л ( ч

— =--= -Nк— = еоА Тп. (3)

м ат м 2 м и 4 '

Отсюда получаем:

а (4)

2естЛГП4 4 '

Интегрируя (4), получаем время полета капли:

3Nk rTf 1 ,т _ Nk

tfi = —— С * dT =-

' 2 ест A JT0 г4 2 ест А

(5)

В нашем случае ^ г равно времени полета капли от мишени до подложки. Из выражения (5) определяется конечная температура капли оксида цинка Т^ перед столкновением.

,_._ 2 £ а А , (6)

1т$ /Г Мк

где е = 0.33; А - площадь поверхности капли; к - постоянная Больцмана; N - количество частиц в сферической капле, которое определяется из выражения:

N = ^А, (7)

м ' 4 '

где NA - число Авогадро; М = 81.4 г/моль - молярная масса оксида цинка; т - масса капли диаметром 1 мкм.

С учётом расстояния между мишенью и подложкой Ь = 7 см, для каждой начальной скорости капли V необходимая для закипания минимальная начальная температура Т0 капли будет равна:

Т0(v) = 3l± „ 2 , (8)

ГГ

тз tfV Nk

где tfi = L/v, Tf = Tb - AT, Tb - температура кипения (boiling point) оксида цинка, АТ - увеличение температуры капли от удара с подложкой. Предполагая, что вся кинетическая энергия капли (kinetic energy of a drop) Ek уходит на её нагрев, прирост температуры капли от столкновения с подложкой будет равен:

А Т = -^ = ~, (9)

cm 2 с

где c - удельная теплоёмкость ZnO в жидком состоянии, Ек - кинетическая энергия капли,

v - скорость капли. Тогда для закипания температура капли перед столкновением с

р2

подложкой будет Tf > Ть - —. Формулы (8) и (9) определяют диапазон начальной скорости и температуры капли, при которых будет возможно её закипание от столкновения с поверхностью подложки, которое мы впервые наблюдали в эксперименте (рис. 1, b). Подставляя в (8) выражения для N, t и Tf после некоторых преобразований окончательно получим связь между T0 и v в явном виде:

То( *) = ' I гт „2 21 Еа AM . (10)

I { b 2 ■ с- кmNAv

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

В процессе расчётов выяснилось, что некоторые капли в полёте застынут. На рис. 2 приведены зависимости температуры капли в полёте от их скорости для интервала небольших скоростей и для начальной температуры от Ть до Ттеи. Пересечение каждой из кривых плоскости Ть соответствует моменту затвердевания капли на пути к подложке. Линия пересечения обозначена цветом. Момент затвердевания 1С = ¡/V, где I - текущее расстояние от мишени, а V - скорость капли.

Рис. 2. Зависимости температуры капли в полёте от скорости для интервала небольших скоростей от 25 до 227 м/с. Горизонтальные плоскости соответствуют температуре плавления Tmelt и температуре кипения Tb. Пересечение каждой из кривых с плоскостью Tb соответствует моменту затвердевания капли на пути к подложке tc = l/v, где l - текущее расстояние от мишени, а v - скорость капли

Fig. 2. Dependence of the droplet temperature in flight on speed for the range of low speeds from 25 to 227 m/s.

Horizontal planes correspond to the melting temperature Tmelt and boiling point Tb. The intersection of each of the curves with the Tb plane corresponds to the moment of solidification of the drop on the way to the substrate tc = l/v, where l is the current distance from the target, and v is the speed of the drop

Из рис. 2 видно, что все капли для этого диапазона скоростей, подлетят к подложке в твёрдом состоянии. На рис. 3 приведены графики зависимости температуры капли в полёте от скорости для интервала больших скоростей от 300 до 825 м/с. Начальная температура капель на рис. 3 равна температуре кипения Тъ. Вертикальными отрезками при l = 0.07 м отражено увеличение температуры капли при ударе, которое для жидкой капли определяется выражением (9). При осаждении твёрдой капли на подложку её кинетическая энергия расходуется на нагрев до температуры плавления, на фазовый переход в жидкое состояние и нагрев жидкой капли. Как видно из рис. 3, для капель со скоростью до 700 м/с происходит их переход в твёрдое состояние. При этом для скоростей ниже 320 м/с нагрев от соударения не обеспечивает их плавление.

При фазовом переходе жидкость-твердое тело (при температуре плавления) вещество находится в переходном состоянии с присутствием обеих фаз до тех пор, пока не будет отведено тепло фазового перехода. Длительность переходного состояния будет выражаться формулой:

л ^ шЛ / Т Т ч

At =-(11)

где X - удельная теплота фазового перехода.

По формуле (11) время фазового перехода для капли ZnO, диаметром 1 мкм составляет 1.66 мкс.

На графиках (рис. 2, 3) фазовый переход можно выразить в виде горизонтальных участков, соответствующих температуре плавления. Но длины этих участков пренебрежимо малы по сравнению с длиной полета капли. Так, на рис. 2 они лежат в диапазоне от 0.04 до 0.3 мм. На рис. 3 они лежат в диапазоне от 0.4 до 1.4 мм. Это составляет менее 2 % от всей длины полета. Поэтому на графиках эти участки не отражены.

Рис. 3. Зависимости температуры капли в полёте от скорости и расстояния от мишени для интервала больших скоростей от 250 до 830 м/с и начальной температуры равной температуре кипения Ть. Вертикальными отрезками отражено увеличение температуры капли при ударе.

Пунктирной линией показаны точки перехода из жидкого в твёрдое состояние

Fig. 3. Dependence of the temperature of a drop in flight on speed and distance from the target for the range of high speeds from 250 to 830 m/s and the initial temperature equal to the boiling point Tb. Vertical segments reflect the increase in temperature of the drop upon impact. The dotted line shows the transition points from liquid to solid state

Для более высоких скоростей вплоть до 815 м/с при ударе происходит нагрев до температуры плавления, однако этой энергии недостаточно для фазового перехода. И только для скоростей 820 м/с и выше капли за время полёта до подложки остаются в жидком виде и могут закипеть. Эллипсоидальная форма закипевшей капли на рис. 1, b подтверждает её жидкое состояние при столкновении. Следует отметить, что концентрация капель оксида цинка, обладающих такой скоростью, чрезвычайно низкая [7], поэтому явление закипания, которое нам удалось обнаружить, является редким. При определении максимальной температуры не учитывались потери на парообразование жидкого оксида цинка.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, впервые установлено экспериментально и подтверждено в расчётах, что в момент столкновения некоторые капли оксида цинка, закипают. Мы определили диапазон начальной скорости и температуры капли ZnO, при котором они будут осаждаться в твёрдом или в жидком виде, а также обеспечивающих ее закипание при столкновении с поверхностью подложки. Выяснена роль теплоты фазового перехода и потерь тепла на излучение в процессе полёта капель во время импульсного лазерного осаждения тонких плёнок оксида цинка в вакууме. Установлено, что потеря тепла в виде излучения в вакууме оказывает существенное влияние на капли микронного размера. Проведены расчёты температуры капли оксида цинка после столкновения с подложкой с учётом потерь тепла на излучение и на нагрев от удара в широком диапазоне начальной скорости и температуры.

815 m/s

820 m/s

В части синтеза тонких пленок работа проведена в рамках выполнения государственного задания НИЦ «Курчатовский институт». В части исследования капель оксида цинка -в рамках Междисциплинарных научно-образовательных школ Московского университета (Проект № 24-Ш06-13).

Regarding the synthesis of thin films, the work was carried out as part of the state assignment of the National Research Center "Kurchatov Institute". Regarding the study of zinc oxide droplets -within the framework of the Interdisciplinary Scientific and Educational Schools of Moscow University (Project No. 24-Ш06-13).

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Lowndes D. H., Geohegan D. B., Puretzky A. A., Norton D. P., Rouleau C. M. Synthesis of Novel Thin-Film Materials by Pulsed Laser Deposition // Science, 1996, vol. 273, iss. 5277, pp. 898-903. https://doi.org/10.1126/science.273.5277.898

2. Kwok H. S., Kim H. S., Kim D. H., Shen W. P., Sun X. W., Xiao R. F. Correlation between plasma dynamics and thin film properties in pulsed laser deposition // Applied Surface Science, 1997, vol. 109/110, pp. 595-600. https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00640-X

3. Новодворский О. А., Паршина Л. С., Храмова О. Д., Михалевский В. А., Щербачев К. Д., Панченко В. Я. Влияние условий импульсного лазерного осаждения на структурные, электрические и оптические свойства тонких пленок VO2 // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, №5. С. 577-583.

4. Fluri A., Pergolesi D., Roddatis V., Wokaun A., Lippert T. In situ stress observation in oxide films and how tensile stress influences oxygen ion conduction // Nature Communications, 2016, vol. 7, 10692. https://doi.org/10.1038/ncomms10692

5. Паршина Л.С., Храмова О.Д., Новодворский О.А., Лотин А.А., Петухов И.А., Путилин Ф.Н., Щербачев К.Д. Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO2:Sb при использовании скоростного сепаратора частиц // Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, № 3, С. 426-430. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44220.8387

6. Панченко В. Я., Новодворский О.А., Голубев В.С. Создание высококачественных нано-метровых пленок по технологии лазерно-плазменного напыления // Перспективные материалы. 2007. Спец. выпуск. С. 39-52.

7. Хайдуков Е. В., Лотин А. А., Рочева В. В., Храмова О. Д., Новодворский О. А. Диагностика капельной компоненты эрозионного факела // Труды XI Межвузовской научной школы молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике электронике, экологии и медицине", 22-23 ноября 2009 г. Москва. М.: Изд-во КДУ, МГУ им. М.В. Ломоносова, 2010. http://nuclphys.sinp.msu.ru/school/s10/index.html

8. Haynes W. M. CRC Handbook of Chemistry and Physics (97th ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. Taylor & Francis Group, 2016. 2670 p. https://doi.org/10.1201/9781315380476

9. Takahashi K., Yoshikawa A., Sandhu A. Wide bandgap semiconductors: Fundamental properties and modern photonic and electronic devices. Ed. by, (Springer, 2007), p. 357.

REFERENCES

1. Lowndes D. H., Geohegan D. B., Puretzky A. A., Norton D. P., Rouleau C. M. Synthesis of Novel Thin-Film Materials by Pulsed Laser Deposition. Science, 1996, vol. 273, iss. 5277, pp. 898-903.

https://doi.org/10.1126/science.273.5277.898

2. Kwok H. S., Kim H. S., Kim D. H., Shen W. P., Sun X. W., Xiao R. F. Correlation between plasma dynamics and thin film properties in pulsed laser deposition. Applied Surface Science, 1997, vol. 109/110, pp. 595-600.

https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00640-X

3. Novodvorsky O. A., Parshina L.S., Khramova O.D., Mikhalevsky V. A., Shcherbachev K. D., Panchenko V. Ya. Influence of the conditions of pulsed laser deposition on the structural, electrical, and optical properties of VO2 thin films. Semiconductors, 2015, vol. 49, no. 5, pp. 563-569. https://doi.org/10.1134/S1063782615050188

4. Fluri A., Pergolesi D., Roddatis V., Wokaun A., Lippert T. In situ stress observation in oxide films and how tensile stress influences oxygen ion conduction. Nature Communications,

2016, vol. 7, 10692. https://doi.org/10.1038/ncomms10692

5. Parshina L. S., Khramova O. D., Novodvorsky O. A., Lotin A. A., Petukhov I. A., Putilin F. N., Shcherbachev K. D. Effect of energy density on the target on SnO2:Sb film properties when using a high-speed particle separator. Semiconductors,

2017, vol. 51, no. 3, pp. 407-411. https://doi.org/10.1134/S1063782617030228

6. Panchenko V.Ya., Novodvorskii O.A., Golubev V.S. Sozdaniye vysokokachestvennykh nanometrovykh plenok po tekhnologii lazerno-plazmennogo napyleniya [Creation of high-quality nanometer films using laser-plasma deposition technology]. Perspektivnyye materialy [Advanced materials] 2007, vol. 1-2. pp. 39-52. (In Russian).

7. Khaidukov E. V., Lotin A. A., Rocheva V. V., Khramova O. D., Novodvorskii O. A. Diagnostika kapel'noy komponenty erozionnogo fakela [Diagnostics of the droplet component of an erosion plume]. Trudy XI Mezhvuzovskoy nauchnoy shko-ly molodykh spetsialistov "Kontsentrirovannyye potoki energii v kosmicheskoy tekhnike elektronike, ekologii i meditsine" [Proceedings of the XI Interuniversity Scientific School of Young Specialists "Concentrated energy flows in space technology, electronics, ecology and medicine"]. 22-23 noyabrya 2009 g. Moskva. M.: KDU Publ., MGU im.

M.V. Lomonosova, 2010, pp.138-144. (In Russian). http://nuclphys.sinp.msu.ru/school/s10/index.html

8. Haynes W. M. CRC Handbook of Chemistry and Physics (97th ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. Taylor & Francis Group, 2016. 2670 p. https://doi.org/10.1201/9781315380476

9. Takahashi K., Yoshikawa A., Sandhu A. Wide bandgap semiconductors: Fundamental properties and modern photonic and electronic devices. Ed. by, (Springer, 2007), p. 357.

Поступила 28.08.2024; после доработки 25.09.2024; принята к опубликованию 03.10.2024 Received August 28, 2024; received in revised form September 25, 2024; accepted October 3, 2024

Информация об авторе Воронин Ростислав Игоревич,

аспирант, НИЦ "Курчатовский институт ", Москва, Российская Федерация

Паршина Любовь Сергеевна,

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Российская Федерация, e-mail: ParshinaLiubov@mail. ru

Гусев Дмитрий Сергеевич,

кандидат технических наук, научный сотрудник, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Российская Федерация

Храмова Ольга Дмитриевна,

кандидат химических наук, старший научный сотрудник, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Российская Федерация

Черебыло Елена Анатольевна,

младший научный сотрудник, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Российская Федерация

Новодворский Олег Алексеевич,

доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Российская Федерация

Николаева Инесса Николаевна,

аспирант, МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Москва, Российская Федерация

Конникова Мария Руслановна,

младший научный сотрудник, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Российская Федерация; аспирант, МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Москва, Российская Федерация

Шанин Максим Сергеевич,

научный сотрудник, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Российская Федерация; аспирант, МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Москва, Российская Федерация

Кауль Андрей Рафаилович,

доктор химических наук, профессор, Химический факультет, НИЛ химии координационных соединений, МГУ имени М.В. Ломоносова, Москва, Российская Федерация

Шкуринов Александр Павлович,

доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, руководитель отделения ИПЛИТ - Шатура КККи Ф, НИЦ "Курчатовский институт"; профессор Физического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова, Москва, Российская Федерация

Information about the author Rostislav I. Voronin,

Graduate Student, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow, Russian Federation

Liubov S. Parshina,

Cand. Sci. (Phys.-Math.), Senior Researcher, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow, Russian Federation, e-mail: ParshinaLiubov@mail. ru

Dmitry S. Gusev,

Cand. Sci. (Eng.), Researcher, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow, Russian Federation

Olga D. Khramova,

Cand. Sci. (Chem.), Senior Researcher, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow, Russian Federation

Elena A. Cherebilo,

Junior Researcher, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow, Russian Federation

Oleg A. Novodvorsky,

Dr. Sci. (Phys.-Math.), Leading Researcher, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow, Russian Federation

Inessa N. Nikolaeva,

Graduate Student, Faculty of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russian Federation

Maria R. Konnikova,

Junior Researcher, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow, Russian Federation; Postgraduate Student, Lomonosov Moscow State University, Faculty of Physics, Moscow, Russian Federation

Maxim S. Shanin,

Researcher, National Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow, Russian Federation;

Postgraduate Student, Lomonosov Moscow State University, Faculty of Physics, Moscow, Russian Federation

Andrey R. Kaul,

Dr. Sci. (Chem.), Professor, Faculty of Chemistry, Research Laboratory of Chemistry of Coordination Compounds, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russian Federation

Alexander P. Shkurinov,

Dr. Sci. (Phys.-Math.), Corresponding Member of the Russian Academy of Sciences, Head of the Department of ILIT - Shatura National Research Centre "Kurchatov Institute"; Professor of Faculty of Physics Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russian Federation