Научная статья на тему 'Топологические особенности прецизионных фотоприёмных устройств'

Топологические особенности прецизионных фотоприёмных устройств Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
83
19
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Топологические особенности прецизионных фотоприёмных устройств»

УДК 621.372.57

Г.С. Крутчинский

ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПРЕЦИЗИОННЫХ ФОТОПРИЁМНЫХ УСТРОЙСТВ

На базе детального исследования предложенной обобщенной структуры фотоприемником непрерывного действия сформулированы топологические особенности минимизации влияния частоты единичного усиления и паразитной емкости фотодиодов, что позволяет алгоритмизировать процедуру структурного синтеза под существующие САПР. Приводятся результаты сопоставительного анализа синтезированных и существующих фотоприемных устройств.

Поиск схемотехнических решений конкретных задач современной радиоэлектроники является актуальной не только практической, но и теоретической задачей. Это объясняется в первую очередь остро стоящей проблемой ликвидации "узких мест", когда повышение качественных показателей сложных технических систем связано с созданием уникальных по своим свойствам аналоговых устройств. Появление и совершенствование аналоговых и аналогово-цифровых БМК сделало такой подход также экономически оправданным. Успехи интегральной оптики, лазерной техники позволяют осуществить прецизионную обработку высокочастотных и сверхвысокочастотных сигналов в реальном масштабе времени методами акусто-оптики [1]. Однако, их практическое внедрение сдерживается отсутствием высокоточных быстродействующих фотоприёмных устройств (ФПУ) с широким динамическим диапазоном [2]. Так выпускаемые ведущими западными фирмами фотоприёмники характеризуются временем преобразования 200-500 не, при динамическом диапазоне около 30 дБ [2]. При этом точность преобразования светового потока в электрический сигнал составляет величину около 3,5% даже в лабораторных условиях, когда изменение температуры приборов не превышает величину ±50С. Детальный анализ принципиальных схем потенциально точных фотоприёмников, приведенный в [3,4], показывает необходимость построения таких устройств на

( ), -

зовать которые на базе макрофрагментарных БМК не представляется возможным. Именно поэтому поиск новых (неэвристических) схемотехнических решений ФПУ является важной практической задачей.

В [5] показано, что установление взаимосвязи свойств электрической цепи с её топологией позволяет разработать набор проблемно-ориентированных алгоритмов и правил, обеспечивающих возможность использования существующих схе-. -сматривать как средство интеллектуализации проектных процедур [6]. Такая постановка задачи предусматривает изучение двух ее основных составляющих. Во, , полноты, гарантирующим, что полученные выводы и правила являются полными и общими для данного класса задач. С этих позиций обобщенная структура представляет собой полный граф, первая группа ветвей которого представляет собой "б^исные структуры", а вторая - связь между ними. Во-вторых, необходимо сформулировать критерии качества, как меру отличия "хороших" структур и прин-. .

Исходя из особенностей непрерывных ФПУ в качестве базисных структур необходимо рассматривать ОУ и ФД, поэтому обобщенная структура может быть представлена в виде совокупности N дифференциальных операционных усилителей и п ЯС-цепей первого порядка, связанных между собой посредством коммута-

,

(рис.1).

Рис.І.Обобщенная структура фотоприемников с дифференциальными операционными усилителями

Здесь емкости и источники тока являются схемой замещения фоточувстви-

тельного элемента, а резисторы Я1, ..., Яп выполняют функции преобразователя

фототока в напряжение. Рассматриваемая обобщенная структура (модель) описывается векторной системой уравнений:

X- = В-У + z = ОХк + СМтм,

X + = В+У + Ь+ Z, У = к- X- + К+ X + (1)

Хк = НУ, ^ = ТУ.

Из этой же системы может быть также получен вектор

V

(Р) Рг (Р)

:Я-

/

V Шфк )

{я,}-1 0 В + {Ц}} ь

-{т}н< тл - Н К !п

, (2)

характеризующий набор передаточных функций устройства на выходах базисных структур ^(р) - передаточная функция на выходе у'-го ОУ,

1фк = [0 • 0 • к • 0 • 0] ,(к=1). В случае использования идеальных компонентов в

фотоприемнике (Пу =^,Т^ = 0) этот вектор передаточных функций может быть

найден из следующего соотношения:

К

и)

К ■

V иг

В ь - н I.

-1

V

{Л,-} I

фк

(3)

поэтому функция передачи идеализированной схемы примет следующий вид:

К = Т ■ (К)), (4)

_ + +

где В=В - В , Ь=Ь - Ь , а и) и П) - статический коэффициент передачи и площадь усиление ОУ.

0

у

Матрица, вектор Размер- ность Физический смысл компоненты матрицы (вектора)

А = к) п X 1 Фототок г'-го ФД

о = { 1 I1 + РТ > п X п Передаточная функция г'-го ФД ( = КгСг )

л = [л,} п X п К, - сопротивление нагрузки г'-го ФД

к +=К;} к -={к;} N X N ) - к; (р)=у, (р)/х - (р), к) (р)=У) (р)1 •

н =1) п X N ) - ОУ к г-му (*),) .

Ь + = а+ Ь- = а- N X п Частные передачи коммутатора с выхода г'-го ФП к инвертирующему (а ) и неинвертирующему (а+ ) входам )-го ОУ.

В + = К В - = К N X N Частные передачи коммутатора с выхода д-го ОУ к инвертирующему (Ь) )и неинвертирующему (Ь+ ) входам )'-го ОУ.

Тк =И ] 1X N Частные передачи коммутатора с выхода )'-го ( ) ОУ.

В общем случае реальную передаточную функцию можно с достаточной степенью точности определить разностью

N п

фр)=К- X дф) (р)-X АФ, (Я (5)

)=1 ,=1

где АФ)(р) и ДФг(р)-приращения передаточной функции, вызванные неидеально) - , - .

, -

рого порядка малости, определяемые взаимным влиянием отдельных ОУ фотопри-.

Применив методику решения аналогичных задач, изложенную в [5], можно получить

Здесь

Дф, (р )=Пгн,р,

н, = [т;о ]

В

- н

и,-

ь

I.

и

(6)

(7)

представляет собой передачу схемы при подключении источника сигнала (ЭДС) непосредственно к неинвертирующему входу у'-го ОУ;

Л

V

В

ь

Н I

и

]

(8)

является передаточной функцией схемы на выходе у-го ОУ при аналогичном подключении источника сигнала.

Т

В приведенных соотношениях векторы Уу = иу имеют только одну единицу на позиции, соответствующей номеру у-го ОУ. Другие их компоненты равны нулю.

Аналогично

При этом

РтіНі =[т о]

Дф. = РТН^ш

I1 + РТФІІ )'

В ь - н

-1

и і Рті Ф іі = v і

В

- н

ь

I.

-1

и,

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

(9)

(10)

определяются из аналогичных опытов при условии, что источник ЭДС подключается К отключенному ОТ общей ШИНЫ фотоприемнику. Структура векторов Уі и иг-анадогич на V, и и,.

,

N п

И ()= И (оо)- £ и,()- £ кі (), (11)

і =1 І=1

где Иі( \ИІ() - (6) (9) .

Из приведенных соотношений могут быть получены не только частные, но и общие критерии качества фотоприемников. Во-первых, анализом отдельных составляющих ряда можно определить доминирующие, с точки зрения максимизации быстродействия, компоненты схемы. Во-вторых, через соответствующие функции чувствительности легко вычислить не только статическую, но и динамическую погрешности проектируемого устройства. Наконец, и это самое главное, локальные передачи схемы определяют динамический диапазон проектируемого устройства. Действительно, собственный шум схемы в основном определяется активными элементами, спектральная плотность мощности шума схемы определится выражением

V

N , ,о

VPj (j®)| Glj Fa)

j =1

(12)

где Сш. (со) - спектральная плотность экв ивалентной мощности шума ,-го ОУ.

Максимальный уровень выходного напряжения (Ц выхтах) зависит в основном от соответствующей величины активного элемента (Цтах) и “перенапряжений” во внутренних узлах схемы (А):

, (И- Н„

и

— max /

а

А= max<

(13)

Таким образом, уменьшение локальных передач Ну не только повышает , , способствует росту качественных показателей всего устройства. Аналогичный вывод характерен и для влияния любого из фотодиодов. Поэтому минимизацией Ну

можно добиться уменьшения влияния емкости фотодиода на характер переходного .

Для уменьшения локальных передач схемы Ну и Ру при сохранении вектора функций (2) введем дополнительный вектор (п х 1)

^ = [0...%...0]Т,(Юк =< -ю; ) (14)

Тогда структура устройства будет описываться следующей системой уравне-

;

Z = {R }I™ + HY + wx j ,xj =- yj I Kj (p), Y = -B-1LZ; y0 = Hjxj + TY, yj =Щ Y + Fjjxj,

(15)

поэтому

фр)= Fu

1 fj!Hj +h)

Kj tp)1+—F-F+F

K tp) j j

(16)

где

АНу = т[в + ЬИ] ,ЛР]у = V + [Б + ЬИ] *Ш. (17)

Изменение знака в (17), как это видно из (14), достигается за счет дифференциальных свойств активных элементов.

Полученное условие компенсации влияния площади усиления активных элементов характеристики ФПУ не противоречит принципу снижения влияния емко. (1) -нениями, характеризующими введенную компенсирующую обратную связь:

X = БУ + ЬЪ,

X * = НУ Ъ = ОХ* + ОЯТ™ + шХ

хI = -У]/к (Р )’У] = у+У -У = -КХ,

Уо = ТУ.

(18)

Учитывая, что фотодиод подключен к входу операционного усилителя, передача компенсирующей цепи обратной связи будет иметь следующий вид:

1

Мк =

1 + Ртк

(19)

поэтому

И* (р)= И, (р).

1+-

РП (Р)

0г рг

к1 (р:

1+

Ррг (Р)

(20)

Р1 (Р) = Р1 (Р) +

Рр1 (р )Р/ (р)

КI (р )1

+

м0к Кр (р)

Рп (Р)

(21)

где

Р

=(+ :0) я-

Vй IV

(22)

представляет собой передаточную функцию устройства на выходе р-го активного элемента при подаче сигнала на выход 1-го фотодиода. Таким образом, изменением знака компоненты ю0к, как и в случае отрицательного приращения локальных передач, удается уменьшить влияние емкости фотоприемника. Следовательно, полученные топологические условия компенсации влияния паразитных параметров . , собственной компенсации влияния частоты единичного усиления и паразитной емкости фотодиода являются единственными.

Полученный результат позволяет процесс синтеза принципиальной схемы представить в виде последовательности самостоятельных этапов.

На первом этапе проектирования, выполняется анализ базовой структуры ФПУ и определяются доминирующие с точки зрения максимального быстродействия и динамического диапазона параметры компонентов цепи, что в конечном итоге и позволяет определить узел подключения четырехполюсника цепи обратной .

На втором этапе определяется набор дополнительных входов схемы, которые могут потенциально обеспечить положительное возвратное отношение.

На третьем этапе по (7-10) рассчитывается или синтезируется четырехполюсник обратной связи и дифференциальный вход ОУ соединяется с дополнительным .

1

На четвертом этапе осуществляется параметрическая оптимизация полученной схемы и путем анализа определяются ее качественные показатели. Если требуемые параметры не реализуются, то эта схема рассматривается в качестве базовой и процедура синтеза повторяется.

Настоящий алгоритм апробирован при построении принципиальных схем прецизионных фотоприемников с временем преобразования 38 не и динамическом диапазоне от 40 до 70 дБ, при этом погрешность преобразования светового потока в напряжение не превышала 1%.

ЛИТЕРАТУРА

1. Корпел А. Акустооптика.- М.: Мир, 1993. - 238с.

2. Барсак Дж.М. Фотодетекторы для акустооитических систем обработки сигналов // ТИИЭР. - 1981. - Т.69. - Вып.1. - С. 117-137.

3. Тришенков М.А. Фотоприёмные устройства и ПЗС. Обнаружение слабых оптических сигналов. - М.: Радио и связь, 1992. - 400с.

4. Чернов Е.И. Фотоприёмные устройства на основе фотодиодов и их применение / Обзоры по электронной технике. Сер.4. Электровакуумные и газоразрядные приборы. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1986. - 46с.

5. Крутчинский СТ. Структурно-топологические признаки АЯС-схем с собственной компенсацией // Известия ВУЗов, сер. «Радиоэлектроника». - 1994. - Т.37. - Вып. 2.

6. Ильин Б.Н. Интеллектуализация САПР // Известия ВУЗов. - 1987.- Т.30. - Вып. 6.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.