Секция систем автоматического управления
УДК 621.372.57
ДА. Щёкин ЛЕСТНИЧНЫЕ ФНЧ С СОБСТВЕННОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ
Среди многообразных способов построения низкочувствительных фильтров особое место занимают лестничные структуры с суперъемкостями [1]. Однако как и при других принципах реализации влияние частотных свойств активных элементов существенно искажает форму частотных характеристик фильтров и заметно снижает потенциальные возможности лестничных конфигураций. В настоящей работе указанную проблему предлагается решать путем создания нового поколения принципиальных схем Б-элементов - схем суперъемкостей с собственной и взаимной компенсацией влияния частоты единичного усиления активных элемен-.
В [2] доказано, что кардинальным решением проблемы уменьшения влияния частотных свойств активных элементов является применение принципа собствен. -
сти цепи
П п. р
(1)
в локальных передаточных функциях
€ €
н.(р)=н.(р)- ¥ч (ру.(р), ру(р)=рЫ- Ш.Ы (2)
формируются разностные члены, уменьшающие чувствительность к площади усиления _|-го активного элемента.
В приведенных соотношениях Н.(р) является передаточной функцией идеализированной системы при подаче сигнала на неинвертирующий вход _і-го ак- передаточная функция схемы на выходе этого активного элемента, а р' .(р) представляет собой передаточную функцию на выходе >го
активного элемента при условии подключения источника сигнала к его неинверти-.
рч рп ы - передаточные функции схемы на ее выходе и выходе _і-го активного элемента при подаче сигнала на дополнительный q-ый вход, к которому подключается выход четырехполюсника Ж (р), связанного с дифференциальным .
Важной особенностью такого введения компенсирующего контура является неизменность передаточных функций ФІP), Р (P), что сохраняет не только неизменность их набора, но и верхний уровень динамического диапазона схемы. Та, .
В [1] показано, что низкочувствительные к частотозадающим элементам D-элементы строятся на базе дифференциальных операционных усилителей (ОУ) и разделенных ШС-цепей. Поэтому для решения поставленной задачи в соответствии с [4] рассмотрим свойства соответствующей обобщенной структуры.
В общем случае произвольное по своему функциональному назначению и структуре АШС-устройство можно рассматривать в виде совокупности N дифференциальных операционных усилителей и п ШС-цепей первого порядка, связанных между собой посредством коммутатора, в состав которого могут входить только резистивные делители и сумматоры (рис. 1).
Рис.1.0бобщенная структураЛЯС-устройств с дифференциальными операционными устителями
Рассматриваемая обобщенная структура (модель) описывается векторной
схемой уравнении:
Ах 0 = X
—
АСХ 0 + Н С У,
Х Я = А Ях 0 + Н Я У,
z = [1 „ - о] С + ОХ Я,
У = К- X -+ К+ X+,
У о = *0 х о + Т* у + Тс z.
(3)
Приведенная выше система уравнений позволяет получить различные соотношения, характеризующие динамику АШС-устройства (передаточная функция, . .). -
го порядка
К+(р)=-к »=
1
V р/п /
то передаточная функция обобщенной структуры будет иметь следующий вид:
(4)
Ф(р) = У° = *0 +[ ! Тс]-1
А- А
VА Я + Р{тг 1А.
(5)
гг^с )
Здесь основная часть модели описывается блочной матрицей
£ = р
і 0
+
В+{Ц11-1 I ь
тї:
(6)
где В = В — В+ ; Ь = Ь — Ь+ ; Ц. и П . - статический коэффициент передачи
и площадь усиления _|-го ОУ; В
Ь-
в+= ь: -
частные передачи комму-
татора с выхода q-гo ОУ к инвертирующему \ос^) и неинвертирующему ч„ф.
(ь-)
к)
входам _|-го ОУ; Н С =
иС
- частные передачи коммутатора с выхода >го ОУ к
1-му конденсатору.
Для Б-элементов справедливы следующие соотношения:
В (р) = р2Ь2 + Ь0, АВ (р) = р3а2 + р2а+ ра0
1
Ґ
л/Ь0Ь
\
0
а0 7 а2
0 Ь2 V Ь2 У
(7)
где АюР /(Ор и - относительное изменение частоты полиса и его затухание, вызванные площадью усиления ОУ.
Тогда, как это следует из [3], необходимо к полиному добавить следующую :
АВ2 (Р) = В (РУЕ-рКг (а2г + Р°1г + ^0г ).
7=1 П
(8)
Отсюда
( N К ^ ( N К ^ ( N К
АБ(р)=АБ1(р)+АБ2(р)=р3\ а+£п- аА+РІ а + Еп а гр а + а [ (9)
Ат
2Ь
У V
Кг
а2+^ ПТ а
о V г=1 п г )
V г=1
Кг К ( ^Кг
а+аПа0г-~г а+апа
г=1 п г Ь2 V г=1 п г
\\
(10)
Соотношения (10) показывают, что выбором аш, а1г-, а2г- и знаков Ki
можно обеспечить любой уровень компенсации влияния площадей усиления активных элементов на частоту и затухание полюса. Продемонстрируем полученные результаты на примере синтеза структуры D-элeмeнтa с расширенным частотным
х
0
1
диапазоном (рис. 2). Для получения низкого дрейфа нуля в лестничной структуре рассматриваемая схема имеет только один дополнительный вход (резистор Я4). Основные этапы синтеза схемы приведены в табл. 1.
На втором этапе основным является выбор предпочтительного способа подключения дополнительного ОУ. Из табл. 1 видна необходимость использования функций и Р2 . Действительно, эти функции через контур обратной связи
обеспечивают одновременную компенсацию а2, а3 из соотношения (8) и, следовательно, компенсацию изменений основных параметров, приведенных в формулах (8). Как следует из табл. 1,
Схема низкочувствительного Б-элемента с соответствующими обратными связями приведена на рис. 3.
На третьем этапе по полученным выражениям для приращения знаменателя передаточной функции можно определить количественные соотношения для элементов компенсирующих контуров, а также качественную зависимость вида передаточной функции от параметров элементов.
т
>-
Вх.
->
Вых.
Вых.
Вх- С1І
Рис.2. Низкочувствительный Б-элемент без собственной компенсации
Рис. 3. Низкочувствительный Б-элемент с собственной компенсацией
Таблица 1
Этап, использованные соотношения Результаты анализа
1. Формирование матриц и векторов. Соотношения табл. 1 В- = \ Н я = '0 0Л 0 0, Г0 0^ V0 Ъ В+=(° 0], Ь—40 0. ь+=( (в 0) и 1) 1 Г0 0 А № Я , Нс = 1, 0} А = [1} в = Я3 Т1 = СК Т2 = С 2Я 2 1 0^ 0 0/ Я 4 + Я 4
2. Вычисление набора локальных передаточных функций. Выбор . Соотношения табл. 1 Р22
а2 0 тТП -(1—в) Т П2 -(1—в) Т1Т2 /П2
ах Т/ П1 0 т2/П2 (1—в) Т2 /П2
а0 V П —1П1 (1—в) 0 0
Ъ =ТТ2 (1 — в) , Ьо =Р
3. Вычисление влияния ОУ. Соотношения (8)-(12) р/П 3 ' [р Т1Т2 (56 + У59 + У69 )(34 + к7 + к38 ) — — рТ 1 'У29 (к47 + к48 ) + (51 + У56 + У59 + У69 Хк47 + к48 )] у = ЯтЯп ( + Я 9 )( 2 + Я 5 + Я 6 )+( 2 + Я 5 Я 6 ’ Я Я к = т " т=19 "" Я3 ( +Я7 + Я8 ) + Я4 ((7 + Я8 ) ’ • п = 1,9
Изложенные в настоящей работе принципы построения Б-элементов были использованы при построении ФНЧ Чебышева седьмого порядка с неравномерностью 0,0109 дБ и частотой среды 12 кГц [1]. Структурная схема этого фильтра показана на рис. 4. В этой схеме элементы Ол и ПБ выполнены по схеме рис. 3, а элемент ОС - по схеме рис. 2.
3.62 к 4.34 к 3.64 к 1.С7 к
Рис.4. Схема ФНЧ Чебышева 7-го порядка
rA(f), ДБ-
л
і Л
Аг :
\\А1 ~
\Аз і 1
і 1
1
11 f'кг
Рис. 5. А ЧХ ФНЧ 7-го порядка с аппроксимацией по Чебышеву
Численное моделирование проводилось с использованием программы MicroCap V, при этом применялись модели операционных усилителей третьего уровня.
Результаты численного моделирования исходной и скомпенсированной системы показаны на рис. 5 и в табл. 2. Здесь А1 - АЧХ идеального фильтра, А2 -АЧХ схемы без собственной компенсации с ОУ типа LF155, А3 - АЧХ схемы с собственной компенсацией с ОУ типа LF155.
2
Вари- ант Модель ОУ 1п (мА) §max (%) f1 (МГц) Кол-во ОУ
А1 OP37 150 0 300 6
А2 LF155 6 3.8 0.5 6
A3 LF155 8 0.3 0.5 8
Таким образом, использование предложенной в данной статье структуры Э-элемента позволяет существенно снизить влияние технологических погрешностей изготовления компонентов схемы и, следовательно, расширить потенциальный частотный диапазон фильтров.
ЛИТЕРАТУРА
1. Короткое Л.С. Микроэлектронные аналоговые фильтры на преобразователях импеданса. СПб.: Наука, 1999.
2. Крутчинский СТ. Структурно-топологические признаки АКС-схем с собственной компенсацией // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1994. Т.37. №1,2. С.38-43.
3. Крутчинский СТ. Особенность структурного синтеза принципиальных схем микроэлектронных устройств частотной селекции // Изв. РАН. Микроэлектроника. 1996. №4. С.259-264.
4. Крутч инский СТ. Синтез структур аналоговых интерфейсных устройств // Электроника и связь. 2000. Т.2. №8. С.320-324’
5. Крутч инский СТ. Синтез структур прецизионных аналоговых устройств // ТиСУ. 2000. №6. С.164-172.
УДК 621.396.96:551.46
АХ. Мушенко МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КАНАЛА ОБРАТНОЙ СВЯЗИ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ЛА НА ОСНОВЕ ЕМКОСТНОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ СВЕРХМАЛОЙ ВЫСОТЫ ПОЛЕТА
В настоящее время вопросы автоматизации посадки самолетов рассмотрены
.
в условиях посадки на подготовленные аэродромы. Картина в корне меняется, если рассматривать задачи посадки гидросамолетов на водные аэродромы. В большинстве своем они являются неподготовленными акваториями, и поэтому возникает необходимость в коренной адаптации существующих систем автоматизации посадки либо в разработке принципиально новой системы. В процессе посадки ЛА весьма актуальна задача выдерживания заданной (мштой) вертикальной скорости [1]. Информацию о величине вертикальной скорости полета можно получить на основе данных о высоте (изменении высоты) полета самолета путем дифференцирования непрерывно измеряемого значения высоты. Однако традиционный радиолокационный способ измерения высоты на такой сверхмалой высоте полета дает недопустимо большую погрешность. Использование альтернативных высотомеров (л^ерных и др.) также недопустимо в силу использования в водной среде. В [2, 3] описаны принцип работы, конструкция и расчет чувствительности дискового емкостного датчика сверхмалой высоты. Особенностью такого измерителя является увеличение точности измерений с уменьшением высоты. Также предложена схема измерителя на основе емкостного датчика и промоделирована его работа. В результате получена тарировочная кривая датчика, позволяющая проводить аналитический синтез и числовое моделирование системы управления выдерживанием вертикальной скорости ЛА. Подобные системы могут применяться при управлении следующими видами ЛА: гидросамолетами на этапах взлета и посадки, экраноле-тами и экранопланами на всех этапах полета, а также другими типами ЛА, предполагающими полет на сверхмалых высотах над водной поверхностью.
ЛИТЕРАТУРА
1. Гарнакерьян А А., Захаревич ВТ., Лобач ВТ., Панатов КС., Явкин АТ. Радио океанографическое, навигационное и информационное обеспечение гидроавиации. Таганрог: ТРТУ, 1997.
2. ., .
//
вузов. Электромеханика. 2001. №1.