CC BY
23Решетневскуе чтения. 2013
Как видно по рис. 2, после температуры отжига в 700 оС намагниченность системы падает.
Автор благодарит Г. Н. Бондаренко за рентгеновские исследования.
Библиографическая ссылка
1. Курганский С. И. и др. Электронная структура Ре81 // Физика твердого тела. Т. 44, вып. 4 / Воронежский гос. ун-т. Воронеж, 2002. 52 с.
Reference
1. Kurganski S. I. Electronic structure FeSi // Physics of a firm body Vol. 44. Voronezh, 2002, p. 52.
© Ерзунова Н. М., Жигалов В. С., 2013
УДК 623.273
ТЕХНОЛОГИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ МЕТОДОМ ДИФРАКЦИИ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ПОВЕРХНОСТИ GeSi
М. Ю. Есин1, А. И. Никифоров2, В. А. Тимофеев2
1 Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева
Россия, 660014, г. Красноярск, просп. им. газ. «Красноярский рабочий», 31. E-mail: yesinmisha@gmail.com 2Институт физики полупроводников СО РАН имени академика А. В. Ржанова Россия, 630090, г. Новосибирск, просп. имени академика Лаврентьева, 13. E-mail: ifp@isp.nsc.ru
Исследовались кристаллическая структура поверхности образцов системы GeSi, полученной методом мо-лекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). С помощью картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) было установлено, что при разных условиях роста меняется значение n в реконструкции поверхности 2*n.
Ключевые слова: молекулярно-лучевой эпитаксии, сверхвысокий вакуум, дифракции отражения быстрых электронов, твердый раствор.
TECHNOLOGY AND INVESTIGATION BY METHOD OF THE REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON DIFFRACTION OF SURFACE GeSi
M. Yu. Yesin1, A. I. Nikiforov2, V. A. Timofeev2
1 Siberian State Aerospace University named after academician M. F. Reshetnev 31, Krasnoyarsky Rabochy Av., Krasnoyarsk, 660014, Russia. E-mail: yesinmisha@gmail.com
2Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of the Russian Academy of Science 13, Lavrentieva prosp., Novosibirsk, 630090, Russia. E-mail: ifp@isp.nsc.ru
The crystal structure of the surface of samples system GeSi, obtained by method molecular beam epitaxy (MBE), is investigated. With help patterns of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) it is found out, that with different of growth conditions the meaning n in the reconstruction surface 2*n is changed.
Keywords: molecular-beam epitaxy, ultrahigh-vacuum, reflection high-energy electron diffraction, solid solution.
Возросший интерес к эпитаксиальным структурам системы GeSi обусловливается рядом универсальных свойств. Подобные структуры, полученные методом молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), применяются в устройствах, основанных на гетеропереходе [1]. Данный метод позволяет получать и исследовать кристаллические структуры. А также технология получения является совместимой с существующей кремневой технологией.
Актуальность работы заключается в том, что данная методика является распространенной и универсальной для получения монокристаллических структур. Как известно [1], большинство всей электроники состоит из кремния, метод МЛЭ позволяет получать качественные монокристаллические структуры кремния. Целью данной работы является получение и исследование слоя твердого раствора GexSi1-x при х = 0,2 на поверхности Si(001).
В рамках данной работы исследовались два образца с верхним слоем твердого раствора Ge0,2Si0,8, выращенных при температуре 400 °С с толщиной слоя 200 А и при температуре 600 °С с толщиной слоя 100 А (см. рисунок) Изучаемые системы были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии в сверхвысоком вакууме при давлении 10-7 Па. Контролирование структуры и морфологии пленок осуществлялось с помощью дифракции отражения быстрых электронов (ДОБЭ), толщина слоев измерялась кварцевым датчиком толщины. Источниками напыления служили электронно-лучевые испарители (ЭЛИ).
На рисунке представлена схема поперечного сечения структур в одном цикле. Образцы состоят из следующих слоев: 1 - подложка Si(001); 2 - буферный слой кремния; 3 - слой Ge0,2Si0,8.
Наноматериалы и нанотехнологии в аэрокосмической области
ния интенсивности дифракционной картины показал, что расстояния между рефлексами различны для образцов со слоем твердого раствора, выращенных при температуре 400 и 600 °С.
По полученным изображениям ДБЭ и построенным профилям интенсивности был обнаружен рефлекс (0 1/2), который указывает на реконструкцию 2^1, и расщепленный рефлекс (01) и (0 1/№), который указывает на реконструкцию 2*п. С помощью построенных профилей интенсивностей были рассчитаны значения п для двух образцов. Для образца 1 п = 8 и для образца 2 п = 10.
Библиографическая ссылка
1. Observation of a (2*8) surface reconstruction on Sii_xGex alloys grown on (100) Si by molecular beam epitaxy / E. T. Croke, R J. Hauensteina et al. // Vac. Sci. Technol., 1991.
Reference
1. Croke E. T., Hauensteina R J., Fu T. C., McGill T. C. Observation of a (2°8) surface reconstruction on Si1-xGex alloys grown on (100) Si by molecular beam epitaxy. Vac. Sci. Technol. B, vol. 9, no. 4, p. 2301-2306.
© Есин М. Ю., Никифоров А. И., Тимофеев В. А., 2013
УДК 6-022.532
ЗАРЯДОВАЯ ЗАПИСЬ В СИСТЕМЕ Ge/Si
А. Ю. Игуменов, А. С. Паршин
Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева Россия, 660014, г. Красноярск, просп. им. газ. «Красноярский рабочий», 31
Исследована возможность зарядовой записи в системе Ge/Si. Проведен сравнительный анализ образцов данной системы, полученных при разных технологических условиях, в качестве материалов для зарядовой записи. Установлено, что по времени хранения зарядовых пятен исследованные образцы сравнимы с образцами, специально изготавливаемыми для зарядовой записи.
Ключевые слова: зарядовая запись, сканирующая зондовая микроскопия, Кельвин-зондовая силовая микроскопия.
CHARGE WRITING IN Ge/Si SYSTEMS
A. Yu. Igumenov, A. S. Parshin
Siberian State Aerospace University named after academician M. F. Reshetnev 31, Krasnoyarsky Rabochy Av., Krasnoyarsk, 660014, Russia
An ability of charge writing in Ge/Si system is researched. Comparative analysis of samples, which are created by different technological conditions, as materials for charge writing is carried out. It is determined that those samples are comparable with the special materials for charge writing in terms of charge storage time.
Keywords: charge writing, scanning probe microscopy, Kelvin-probe force microscopy.
Зарядовая запись информации, подразумевающая го зондового микроскопа (СЗМ) заряженных облас-создание на поверхности диэлектрических или полу- тей (зарядовые пятна (ЗП)) и использование их в ка-проводниковых образцов посредством сканирующе- честве элементов энергонезависимой памяти, явля-
Поток GeoiSio.e
Tfwmwm
Слой G&uSb.e Буферный слой Si
Si(001) подложка
Толщина слоя 200 А Температура роста 400 "С
Толщина слоя 100 нм Температура роста 700 "С
Поток GeoiSio.s
Слой Gec^Sio.a Буферный слой Si Si (001) подложка
Толщина слоя ЮОА Температура роста Й00 "С
Тол шин а слоя ЮОнм Температура роста 700 "С
б
Схема поперечного сечения полученных структур: а - образец 1, выращенный при температуре
роста 400 °С и толщине слоя 200 А; б - образец 2, выращенный при температуре роста 600 °С и толщине слоя 100 А
В течение роста по профилям картины дифракции быстрых электронов наблюдались рефлексы, соответствующие реконструкции 2*1 и 2*п. Анализ измене-
а
