СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ КРИСТАЛЛОВ СЕМЕЙСТВА Bi2Sr2-xLaxCuÜ6+s
Шевчун А.Ф., Шовкун А.Д., Шовкун Д.В., Прокудина М.Г., Трунин М.Р.
Институт Физики Твердого Тела РАН имени Ю.А. Осипьяна, г. Черноголовка, Россия, shevchun@issp .ac.ru
Синтезированы и исследованы на высоких частотах электромагнитные свойства кристаллов висмутовых сверхпроводников Bi2Sr2-xLaxCuÜ6+5 с разным содержанием (x) лантана.
Кристаллы выращивались методом оптической зонной плавки (TSFZ-travelling-solvent floating zone) [1]. В радиочастотном диапазоне для идентификации температуры Tc сверхпроводящего перехода и его ширины измерялись температурные зависимости динамической магнитной восприимчивости на частоте 100 кГц [2]. Прецизионные измерения компонент поверхностного импеданса Z(T)=R(T)+iX(T) ниже и выше Tc проводились на частотах 9.42 ГГц и 28.2 ГГц [3].
В области оптимального допирования x~0.4 для кристаллов Bi2Sri.6Lao.4CuÜ6+5 при T>Tc~32 K характерно металлическое поведение с удельным сопротивлением Pab(40 K) ~ 80 мкОмсм. Найденное из измерений поверхностного импеданса при T<Tc значение глубины проникновения магнитного поля при T—0 Xab(0 K)~200 нм, а её температурная зависимость AXab(T) оказалась приблизительно линейной.
Измерения кристаллов недодопированного состава Bi2Sri.3La0.7CuÜ6+5 (x~0.7) с Tc~16 K демонстрируют существенные отличия. Хотя в нормальном состоянии по-прежнему выполнялся критерий нормального скин-эффекта R(T)=X(T) при T>Tc, величина pab(40 K)~600 мкОмсм стала на порядок больше. Наблюдалась квадратичная температурная зависимость глубины проникновения AXab(T) при T<Tc, а её значение при T—>0 Xab(0 K)~3300 нм также существенно увеличилось.
В работе анализируются особенности температурных зависимостей компонент проводимости кристаллов Bi2Sr2-xLaxCuÜ6+s и проведено сравнение с теоретическими моделями электромагнитного отклика сверхпроводников этого класса.
Работа выполнена в рамках государственного задания ИФТТ РАН.
1. Шовкун А.Д., Шевчун А.Ф., Шовкун Д.В., Барковский Н.В. // Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. - 2022. - Т. 2. - № 2. - С. 6374.
2. Shovkun D.V., Trunin M.R., Zhukov A.A., Nefyodov Yu.A., Bontemps N., Enriquez H., A. Buzdin A., M. Daumens M., Tamegai T. // JETP Letters. - 2000. - V. 71.- No. 2. - PP. 92-96.
3. Шевчун А.Ф., Трунин М.Р. // ПТЭ. - 2006. - № 5. - С. 82-89.