Создание стандартных образцов электрических и магнитных характеристик нанопокрытий пермаллоя на кремнии Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

УДК 667.636.22:537.624.8

СОЗДАНИЕ СТАНДАРТНЫХ ОБРАЗЦОВ эЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НАНОПОКРЫТИЙ ПЕРМАЛЛОЯ НА КРЕМНИИ

Е. П. Собина, В. О. Васьковский, С. В. Медведевских, И. С. Цай, Е. А. Степанова, В. Н. Лепаловский, К. Г. Балымов, Н. А. Кулеш, А. А. Ювченко

В работе представлены результаты разработки стандартных образцов электрических и магнитных характеристик нанопокрытий пермаллоя на кремнии. СО применяются на действующем производстве ФГУП «НПО автоматики» для калибровки установки 0мега-400 и полуавтоматической зондовой установки. Работы проводились в рамках государственного контракта 120-150 «Развитие методической составляющей регионального отделения Центра метрологического обеспечения и оценки соответствия нанотехнологий и продукции наноиндустрии в Уральском федеральном округе».

The contribution presents the results of the development of certified reference materials of electric and magnetic characteristics of permalloy nanocoatings on silicon. The CRMs are used in the current production of FGUP "NPO Automation" for the calibration of 0mega-400 system and semi-automatic probe system. The works were carried out under a state contract 120-150 "Development of methodological component of the regional office of the Center of measurement assurance and conformity assessment of nanotechnology products and nanotechnology industry in the Urals Federal District."

Ключевые слова: пермаллой, нанопокрытия, стандартный образец. Key words: permalloy, nanocoatings, certified reference material.

Актуальность темы

Развитие современного производства различных датчиков на основе эффекта анизотропии магнито-сопротивления (АМС), а также повышение качества выпускаемой продукции во многом связано с наличием метрологического обеспечения. В Уральском федеральном округе имеются действующие производства на ФГУП «НПО автоматики» и ЗАО «НПК «ВИП» по серийному выпуску АМС-сенсоров на основе классического пермаллоя, которые используются в датчиках положения и преобразователях тока. В последние годы с появлением и развитием новых высокотехнологичных методов получения пленок открылись возможности совершенствования функциональных свойств АМС-сред, и в том числе на основе пермаллоя. Этот сплав даже в ультратонком (наноразмерном) состоянии сохраняет

относительно высокую анизотропию магнитосопро-тивления и низкую коэрцитивную силу и может быть использован как при формировании однородных, так и слоистых пленочных структур. При этом важным, но слабо разработанным вопросом остается метрологическое обеспечение производства пермаллоевых магниторезистивных материалов и изделий из них. Данная работа посвящена созданию стандартных образцов (СО) электрических и магнитных характеристик нанопокрытий пермаллоя на кремнии.

Экспериментальная часть

Измерения удельного электросопротивления, поверхностного электросопротивления, относительной анизотропии магнитосопротивления, магниторези-стивной коэрцитивной силы выполнены в лабора-

тории пленочных микро- и наноструктур ИЕН УрФУ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина с помощью установки EPMD-2, которая включает: два вольтметра универсальных В7-78/1, катушки для создания магнитного поля и персональный компьютер с программным обеспечением Multimeter Tool B7-78. Для измерения геометрических параметров СО использован механический профилометр Dektak 150. Изготовление стандартных образцов выполнено на установке ионного высокочастотного распыления УРМ3-279-013 модернизированной и установке магне-тронного распыления Orion 8 UHV, AJA Int. Inc., США. Микроструктура исследовалась с помощью микроскопа электронного просвечивающего JEM-200, JEOL, Japan. Химический состав покрытий исследован с помощью атомно-абсорбционного спектрометра Solaar M6 и атомно-эмиссионного спектрометра с индуктивно-связанной плазмой iCAP 6500 Duo.

Изготовление материала СО

Стандартные образцы НПС-40 СО УНИИМ и НПС-100 СО УНИИМ были получены путем нанесения магниторезистивного покрытия - пленки пермаллоя (Fe - 19,75 %, Ni - 80,25 %) на пластины из термо-окисленного кремния диаметром 76 мм на установке ионного высокочастотного распыления УРМ3.279.013 модернизированной. Покрытие наносилось в вакуумной камере из мишени, которая представляла собой диск сплава «пермаллой» вышеуказанного состава диаметром 100 мм. Процесс осаждения проводился в однородном магнитном поле напряженностью 8 кА/м, вектор которого был ориентирован параллельно плоскости кремниевой пластины. Затем покрытие подвергалось термомагнитной обработке. Она состояла в вакуумном отжиге при температуре 400 °С в течение 1 часа, также проводившемся в присутствии магнитного поля. Методом фотолитографии на покрытии формировались элементы заданной топологии (прямоугольники 10x20 мм, разделенные промежутками шириной 2 мм). Вдоль линий, проходящих посередине промежутков, свободных от покрытия, пластины кремния разрезались на отдельные образцы размером 12x22 мм. На коротких сторонах этих образцов создавались прямоугольные (6x12 мм) контактные площадки путем нанесения через маску слоистой пленочной структуры Cr/Cu/Ni на установке магнетронного распыления Orion 8 UHV, AJA Int.

Inc., США. Толщина слоев Cr, Cu и Ni составляла 5 нм, 250 нм и 10 нм соответственно. Полученные образцы нанопокрытия пермаллоя на кремнии закреплялись на печатных платах размерами 14x27 мм, затем методом ультразвуковой сварки с использованием золотой микропроволоки диаметром 30 мкм производилось соединение контактных площадок образца покрытия и контактных площадок печатной платы. Схема стандартного образца электрических и магнитных характеристик нанопокрытия пермаллоя на кремнии представлена на рис. 1. Толщина покрытия пермаллоя для НПС-40 СО УНИИМ и НПС-100 СО УНИИМ составляла 40 и 100 нм соответственно.

27

20

1,5

Рис. 1. Схема стандартных образцов НПС-40 СО УНИИМ и НПС-100 СО УНИИМ

Химический состав покрытий контролировался путем анализа части мишени, которая использовалась в работе, а также образцов покрытий атомно-абсорбционным методом. Согласно усредненным данным химический состав покрытий составил (в массовых %): Fe - 19,1 и N - 80,9 для образцов толщиной 40 нм; Fe - 18,2 и N - 81,8 для образцов толщиной 100 нм.

Кристаллическая микроструктура наряду с химическим составом относится к числу факторов, которые определяют количественные характеристики анизотропии магнитосопротивления [1-4], а также влияют на них через некоторые структурно-чувствительные магнитные свойства. Из литературных данных [5, 11, 12, 13-15] известно, что термическая обработка является эффективным способом воздействия на микроструктуру пленок пермаллоя. При выполнении данной работы микроструктура покрытий исследовалась с помощью электронного просвечивающего микроскопа на специальных образцах, осажденных на сколы ЫаС1 и отделенных затем от подложек.

Проведенный анализ показал, что пленки пермаллоя имели ГЦК решетку, параметр которой совпадал с параметром кристаллической решетки массивного пермаллоя (а = 0.355 ± 0.001 нм) и не менялся при термообработке. На рис. 2 представлены электрон-номикроскопические фотографии микроструктуры и электронограммы пленок, которые подвергались термомагнитному отжигу при разных температурах. В исходном состоянии (рис. 2а) пленки обладали мелкозернистой изотропной структурой со средним размером кристаллитов D = 6 нм. Низкотемпературный отжиг практически не сказывался на параметрах микроструктуры, и заметные ее изменения обнаружились при Готж > 300 °С. В первую очередь это проявилось в интенсивном росте зерен. Так, пленки, отожженные при Готж = 400 °С, характеризовались кристаллической структурой с D = 30 нм (рис. 2б), а после отжига при Готж = 600 °С размер зерен возрастал до 50 нм и более (рис. 2в). В последнем случае существенно повышалась дисперсия структуры, то есть в пленке наряду с зернами средних размеров присутствовали довольно крупные кристаллиты с D > 150 нм.

Еще одним фактором, который может оказывать влияние на микроструктуру поликристаллических пленок, является их толщина. Соответствующее исследование показало, что с увеличением толщины пленок сильно возрастает различие в размере зерен, а средний размер кристаллитов остается на одном уровне (табл. 1).

Представленные результаты предварительных исследований были использованы при разработке

Таблица 1

Средний размер и максимальное различие в размерах кристаллических зерен в пленках пермаллоя разной толщины. (D , D . - максимальный и минимальный

v max' min

размеры зерен)

Толщина пленок L (нм) Средний размер кристаллических зерен D (нм) Dmax - Dmin (нМ)

24 28 5

40 40 70

100 28 150

методики получения материала СО, в соответствии с которой изготовлены образцы нанопокрытий пермаллоя на кремнии НПС-40 СО УНИИМ и НПС100 СО УНИИМ.

0 5 069

Ш

м %

Ч - -W А J1

0.1 мкм

Рис. 2. Фотографии микроструктуры и электронограммы пленок пермаллоя в исходном состоянии (а); после отжига при температуре 400 °С (б) и 600 °С (в)

Определение метрологических характеристик СО

Измерения проводились в соответствии с аттестованными методиками измерений на установке ЕР1УЮ-2 в лаборатории пленочных микро- и наноструктур ИЕН УрФУ. Определение электрофизических свойств магни-торезистивных нанопокрытий основано на измерении электрического сопротивления пленочных образцов в постоянном магнитном поле различной ориентации. При этом устанавливаются наличие и величина анизотропии магнитосопротивления. Само явление анизотропии магнитосопротивления заключается в зависимости электросопротивления от взаимной ориентации намагниченности образца и вектора плотности тока, протекающего по образцу. Внешнее магнитное поле, приложенное под различными углами к образцу, изменяет направление намагниченности и тем самым изменяет его электросопротивление. Под величиной анизотропии магнитосопротивления понимается разница между сопротивлением, соответствующим параллельной взаимной ориентации намагниченности и тока и сопротивлением, соответствующим перпендикулярной взаимной ориентации намагниченности и тока Для ее определения измеряют зависимости электросопротивления от напряженности магнитного поля R(H) (магниторезистивные кривые намагничивания) вдоль и поперек оси протекания электрического тока. В достаточно большом поле та

и другая зависимости R(H) выходят на насыщение, что соответствует состояниям магнитного насыщения образца вдоль и поперек оси протекания тока. Реализующиеся при этом значения электросопротивления и являются величинами R|| и R±.

Заметим, что ход кривых R(H) зависит также от магнитной анизотропии материала. Исследуемые образцы имели одноосную магнитную анизотропию, которая индуцировалась на стадии получения нано-покрытий. Причем ориентация прямоугольных пленочных элементов на исходной кремниевой пластине выбиралась так, чтобы ось легкого намагничивания (ОЛН) в них лежала вдоль длинной стороны элементов. Токовые контакты при измерениях электросопротивления располагались на коротких сторонах пленочных элементов. Таким образом, испытания образцов на-нопокрытий выполнялись в условиях, когда линии тока совпадали с ОЛН.

Для определения величин R|| и R± использовалась установка ЕР1УЮ-2, принципиальная электрическая схема которой показана на рис. 3. Измерение электро-

Рис. 3. Принципиальная электрическая схема

установки ЕРМЭ-2: 1 - образец; 2 - универсальный вольтметр В7-78/1; 3 и 3' - катушки; 4 - источник питания АКИП-118; 5 - универсальный вольтметр В7-78/1; 6 - образцовое сопротивление

Рис. 4. Схема размещения образца: 1 - катушки; 2 - контактная площадка; 3 - образец; 4 - поворотный лимб

Таблица 2

Диапазон измерений, значения показателей точности, правильности, воспроизводимости при доверительной вероятности Р = 0,95

Наименование измеряемой характеристики Диапазон измерений Показатель внутрилабораторной прецизионности ая, % Показатель правильности, ±5С, % Показатель точности, ±5, %

Удельное электросопротивление, Ом • м от 0,1 до 0,3 0,3 3,5 3,7

Поверхностное электросопротивление, Ом от 1,0 до 6,0 0,3 1,3 1,5

Относительная анизотропия магнитосопротивления, % от 2,0 до 4,0 1,1 10 10

Магниторезистивная коэрцитивная сила, А/м (Э) от 8 до 800 (от 0,1 до 10) 4 1 8

Примечание: 5 - показатель точности - границы интервала, в которых относительная погрешность любого из совокупности результатов измерения находится с вероятностью Р = 0,95;

5С - показатель правильности - границы интервала, в которых систематическая погрешность (в относительном виде) методики находится с вероятностью Р = 0,95;

ая - показатель внутрилабораторной прецизионности - среднее квадратическое отклонение результатов измерений, полученных в условиях внутрилабораторной прецизионности.

сопротивления образца (1) на этой установке выполняется с помощью универсального вольтметра (2) в режиме четырехпроводной схемы. Указанная схема соответствует реализации четырехзондового способа измерения электросопротивления. Магнитное поле создается катушками (3 - 3'), которые подключены к источнику питания (4). Ток, протекающий через катушку, определяется по падению напряжения на образцовом сопротивлении (6), которое измеряется вольтметром (5). При проведении измерений образец НПС-40 или НПС-100 размещается между катушек (рис. 4). Он монтируется на плоской поверхности текстолитовой контактной площадки. К образцу припаиваются четыре провода от универсального вольтметра В7-78/1. Катушки закреплены на вращающейся платформе и могут изменять свое положение, обеспечивая намагничивание образца в различных направлениях.

Для вычисления относительной анизотропии маг-нитосопротивления использовалась формула:

ДЯ Я," Я,

Я„

Я„

•100 [%],

(1)

где Я0 - электросопротивление, соответствующее размагниченному состоянию образца, которое рассчитывали по формуле:

(2)

Удельное поверхностное сопротивление рассчитывалось по формуле:

рп

=!к± [Ом], в /

(3)

где а - ширина образца, мкм; I - длина образца (расстояние между контактными площадками), мкм.

Удельное электросопротивление р рассчитывалось по формуле:

Р = р„0Л°м-м]

(4)

где L - толщина образца, м.

Методика измерения магниторезистивной коэрцитивной силы нанопокрытий основана на измерении электрического сопротивления пленочных образцов в постоянном магнитном поле определенной ориентации. При этом используется эффект анизотропии

магнитосопротивления, который описан выше. Циклическое перемагничивание образца во внешнем магнитном поле ведет к соответствующему изменению электросопротивления, которое представляется как магниторезистивная петля гистерезиса Я(Н). Ее характер зависит от ориентации магнитного поля по отношению к вектору плотности тестирующего тока и ОЛН. Если указанные вектора и ОЛН коллинеарны, говорят о продольной магниторезистивной петле гистерезиса, при ортогональном по отношению к ОЛН перемагничивании образца - о поперечной магниторезистивной петле гистерезиса. Примеры таких зависимостей Я(Н) показаны на рис. 5. Видно, что в некотором поле кривые выходят на насыщение, что соответствует магнитному насыщению образца вдоль (кривая 1) или поперек (кривая 2) ОЛН. При этом более низкое электросопротивление свойственно состоянию, в котором намагниченность перпендикулярна ОЛН.

Для определения магниторезистивной коэрцитивной силы необходимо использовать продольную магниторезистивную петлю гистерезиса или иначе зависимость Я||(Н). На рис. 5 она представлена кривой 1. Ее особенностью является присутствие двух минимумов, являющихся следствием отклонения намагниченности исследуемой среды от ОЛН. Такое отклонение не является однородным, оно сосредоточено в объеме, занимаемом границами между магнитными доменами. Как правило, перемагничивание магнитоодноосных образцов вдоль ОЛН происходит

за счет образования и роста магнитных доменов с обратной (по отношению к исходной) намагниченностью. В объеме этих доменов намагниченность ориентирована вдоль ОЛН, то есть коллинеарна оси протекания тестирующего тока. Поэтому возникновение самих доменов обратной магнитной фазы не сказывается на величине электросопротивления. Однако их появление неразрывно связано с образованием доменных границ, в которых намагниченность отклонена от ОЛН, что и приводит к снижению электросопротивления. Обычная коэрцитивная сила Нс, то есть напряженность магнитного поля, при котором намагниченность образца обращается в ноль, соответствует равенству объемов доменов с противоположной ориентацией намагниченности. При этом доменная структура является наиболее разветвленной, а объем, занимаемый доменными границами, максимальным. Минимумы на продольной магниторезистивной петле гистерезиса, наблюдаемые в полях ±Нст, отражают состояния с наибольшим отклонением намагниченности от ОЛН, а значит, с максимальным объемом доменных границ. Отсюда делается заключение, что Нст и Нс [16, 17]. Между этими величинами нет точного равенства. Но важно, что Н , как и Н, характеризует магнитный

ст с

гистерезис в образце.

Величина магниторезистивной коэрцитивной силы определялась по формуле:

Нгт —

(+Нст)+\-На

(5)

о ос

6,20

6,15

6.10

6,05

6,00

\ ; 2

-SO -60 -40 -20

О Н, Э

20 40 60 80

Рис. 5. Зависимости электроспротивления от магнитного

поля образца НПК из сплава пермаллоя толщиной 100 нм, измеренные вдоль (кривая 1) и перпендикулярно (кривая 2) ОЛН

Исследование однородности и стабильности СО

Исследование межэкземплярной однородности стандартных образцов не проводилось, так как каждый образец аттестовывался индивидуально. Измеряемые характеристики - удельное электросопротивление, поверхностное электросопротивление, относительная анизотропия магнитосопротивления, магниторезистивная коэрцитивная сила являются объемными характеристиками в связи с этим неоднородность внутри экземпляра отсутствует.

Исследование стабильности СО, которое выражается в неизменности значений аттестованной характеристики СО во времени при соблюдении условий хранения и применения проводилось методом «искусственного старения» в следующей последовательности.

Экземпляр СО в стеклянной чашке Петри помещался в сушильный шкаф для искусственного старения. Температура устанавливалась равной 115 °С. Время старения составляло 24 часа (рассчитываемая величина). Температуру и время старения назначали из расчета подтверждения стабильности материала СО в течение двух лет.

Для расчета времени старения использовалось уравнение Вант-Гоффа [18]:

'■го

= тг-2

г-20 ю

(6)

где т20 - назначаемый период контроля метрологических характеристик СО при комнатной температуре (20 °С), сутки (принимался равным 2 годам);

Т - срок испытания СО при повышенной температуре, сутки;

t - температура испытания материала СО, °С.

После окончания выдержки материала СО в сушильном шкафу СО охлаждали и проводили измерения аттестуемых характеристик аналогично измерениям, выполненным для установления аттестованного значения СО.

По полученным двум выборкам значений аттестуемых характеристик (до и после старения) с использованием критерия Стьюдента проводилась оценка равенства двух средних значений двух выборок. Значение ? критерия вычислялось по формуле:

г = ■

х-у

"Г "2

V

(7)

+ п2— 2

где Х - среднее арифметическое значение выборки (Х1^Хп) - результаты исследования материала разрабатываемого СО, выдержанного при комнатной температуре (20 °С);

Y - среднее арифметическое значение выборки (К,..^) - результаты исследования материала разрабатываемого СО, подвергнутого старению;

SX - среднее квадратическое отклонение выборки

(Х ., Х„);

SY - среднее квадратическое отклонение выборки

(К ..., П);

п1 и п2 - объемы выборок X и К соответственно. Вычисленное значение ? меньше табличного значения критерия для числа степеней свободы f = п1 + п2-2

и уровня значимости а = 0,05, что позволило назначить период контроля метрологических характеристик СО -1 раз в 2 года.

Для определения аттестованных значений СО -электрических и магнитных характеристик нанопокры-тия пермаллоя на кремнии - использованы алгоритмы, изложенные в работе [19]. Аттестованные значения СО рассчитывались как средние арифметические значения 10 параллельных результатов измерений удельного электросопротивления, поверхностного электросопротивления, относительной анизотропии магнитосопротивления и магниторезистивной коэрцитивной силы, по формуле:

N

_ Е*,

Х=А=^~ , (8)

N

где X - результат /'-го измерения;

N - число независимых измерений в условиях повторяемости.

Для вычисления границы случайной составляющей погрешности аттестованного значения СО е для доверительной вероятности Р = 0,95 использовалась формула:

где

X)2

щи -1)

(9)

(10)

Проводился анализ соотношения характеристик неисключенной систематической и случайной составляющих погрешности:

0

У

(11)

где 8 - неисключенная систематическая погрешность результатов измерений в соответствии с методикой измерений.

Если у < 0,8, то систематической составляющей погрешности пренебрегалось, и принималась за Дд граница составляющей погрешности аттестованного значения СО е, вычисленная по формуле (10):

Д

е.

(12)

с

Таблица 3

Значения коэффициента Ь(у)

У b(y) У b(y)

0,8 0,76 5 0,78

1 0,74 6 0,79

2 0,71 7 0,80

3 0,73 8 0,81

4 0,76

Таблица 4

Нормированные метрологические характеристики НПС-40 СО УНИИМ ГСО 9938-2011

Аттестованная характеристика Обозначение единицы физической величины Интервал допускаемых значений аттестуемой характеристики СО Границы допускаемых значений относительной погрешности аттестованного значения СО при Р = 0,95, ±5, %

Удельное электросопротивление Ом-м от 0,1-10-6 до 0,310-6 ±3,5

Поверхностное электросопротивление Ом 3,0-6,0 ±1,3

Относительная ани-

зотропия магнитосо- % 2-4 ±10

противления

Магниторезистивная коэрцитивная сила А/м 100-150 ±3

Таблица 5

Нормированные метрологические характеристики НПС-100 СО УНИИМ ГСО 9939-2011

Обозначение Интервал допускаемых Границы допускаемых значений отно-

Аттестованная характеристика единицы физиче- значений аттестуемой сительной погрешности аттестованного

ской величины характеристики СО значения СО при Р = 0,95, ±5, %

Удельное электросопротивление Ом-м от 0,1-10-6 до 0,310-6 ±3,5

Поверхностное электросопротивление Ом 1,0-4,0 ±1,3

Относительная анизотропия магнитосопротивления % 2-4 ±10

Магниторезистивная коэрцитивная сила А/м 100-150 ±3

Если у > 8, то случайной погрешностью пренебрегали, и принималась за Дд неисключенная систематическая погрешность:

Ал =

(13)

Если 0,8 < у < 8, то Дд вычислялась по формуле:

Дд = ¿(у)(8 + е), (14)

где ¿(у) для доверительной вероятности Р = 0,95 находился в зависимости от значения у по табл. 3.

По результатам выполненных работ были оформлены материалы испытаний СО в соответствии с [20, 21], на основе которых были утверждены два типа стандартных образцов: (НПС 40 СО УНИИМ) - ГСО 9938-2011 и (НПС-100 СО УНИИМ) - ГСО 9939-2011. Метрологические характеристики разработанных СО представлены в табл. 4 и 5.

Разработанные СО предназначены для аттестации методик измерений электрических и магнитных характеристик нанопокрытия, контроля точности методик измерений в соответствии с установленными в них алгоритмами, могут применяться для поверки, калибровки средств измерений при соответствии метрологических характеристик СО требованиям метрологического контроля. В настоящее время ФГУП «УНИИМ» передал ФГУП «НПО автоматики» данные СО для опытно-промышленного опробования (кали-

бровка установки «Омега-400» и полуавтоматической зондовой установки).

Периодичность контроля: 1 раз в 2 года.

Проведенные работы демонстрируют хорошее взаимодействие между Региональным отделением Центра метрологического обеспечения и оценки соответствия нанотехнологий и продукции наноиндустрии в Уральском федеральном округе (отделение Центра в УрФО) и участниками отделения Центра в УРФО -Институтом естественных наук Уральского федерального университета имени первого Президента России Б. Н. Ельцина.

Одними из возможных перспектив проведения совместных проектов в ближайшее будущее - это работы по разработке СО магниторезистивных сред с внутренним магнитным смещением,гранулированных магниторезистивных пленок, гранулированных пленочных сред с гигантским магнитным импедансом, а также тензочувствительных пленочных сред.

Работы проводились в рамках государственного контракта 120-150 «Развитие методической составляющей регионального отделения Центра метрологического обеспечения и оценки соответствия нано-технологий и продукции наноиндустрии в Уральском федеральном округе», а также при поддержке РФФИ (грант №11-02-00288-а) и Министерства образования и науки РФ (контракт № 16.552.11.7020).

ЛИТЕРАТУРА

1. Суху, Р. Магнитные тонкие пленки / Р. Суху ; пер. с англ. - М. : Мир, 1967. - 422 с.

2. Праттон, М. Тонкие ферромагнитные пленки / М. Праттон ; пер. с англ. - Л. : Судостроение, 1967. - 266 с.

3. Сухвало, С. В. Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов / С. В. Сухвало. - Минск : Наука и техника, 1974. - 336 с.

4. Тонкие ферромагнитные пленки / Пер. с нем. ; под ред. Р. В. Телеснина. - М. : Мир, 1964. - 355 с.

5. McGuire, T. R. Anisotropic magnetoresistance in ferromagnetic 3d alloys / T. R. McGuire, R. I. Potter // IEEE Trans. Magn. -1975. -V. 11. - № 4. - P. 1018-1038.

6. Collins, A. J. The magnetoresistance effect in nonmagnetostrictive Ni-Fe-Co films / A. J. Collins, I. L. Sanders // Thin Solid Films - 1978. - V. 48. - P. 247-255.

7. Iwaide A. Dependence of magnetoresistance and magnetic properties on the deposition conditions and temperature in Ni-Co-Fe alloy thin films / A. Iwaide, T. Sato, M. Takahasi // J. Magn. Soc. Jap. - 1991. - V. 15. - P. 319-322.

8. Tanabe, H. Effect annealing in hydrogen on properties of sputtered permalloy thin films / H. Tanabe, M. Kitada // J. Jap. Inst. Met. - 1985. - V. 49. - № 1. - P. 34-39.

9. Yeh, T. Thickness dependence of the magnetoresistance effect in RF sputtered thin permalloy films / T. Yeh, J. M. Sivertsen, J. H. Judy // IEEE Trans. Magn. - 1987. - V. 23. - № 5. - P. 2215-2217.

10. Miyazaki, T. Dependence of magnetoresistance on thickness and substrate temperature for 82Ni-Fe alloy film / T. Miyazaki, T. Ajima, F. Sato // J. Magn. Magn. Mater. - 1989. - V. 81. - P. 86-90.

11. Tatsumi T. Magnetic properties and magnetoresistance effect in evaporated NiFeCo films / T. Tatsumi [et al.] // J. Magn. Soc. Jap. - 1989. - V. 13. - № 2. - P. 237-240.

12. Tanabe, H. Effects of vacuum pressure on coercivity and magnetoresistivity of thin permalloy films during deposition / H. Tanabe, M. Kitada // J. Jap. Inst. Met. - 1985. - V. 49. - № 12. - P. 1125-1136.

13. Tatsumi, A. Dependence of magnetoresistance and magnetic properties on the deposition conditions and temperature in Ni-Co-Fe alloy thin films / A. Tatsumi, T. Sato, M. Takahasi // J. Magn. Soc. Jap. - 1991. - V. 15. - P. 319-322.

14. Batherus, A. D. Annealing kinetics of thin permalloy films / A. D. Batherus, S. Nakahara // IEEE Trans. Magn. - 1985. -V. 21. - № 4. - P. 1301-1305.

15. О влиянии перпендикулярной анизотропии на параметры закритической петли гистерезиса пленок пермаллоя / Глазер А. А. [и др.] // Физика магнитных пленок: материалы международного симпозиума. - Иркутск, 1968. - C. 42-46.

16. Chou, H. Anisotropic magnetoresistance and magnetic properties in La0.67Ca0.33MnO3 thin film by sputtering / H. Chou [et al.] // Thin Solid Films. - 2006. - V. 515. - P. 2567-2572.

17. Tripathy, D. Probing the exchange bias in Co/CoO nanoscale _ntidote arraysusing anisotropic magnetoresistance / D. Tripathy, A. O. Adeyeye // Phys. Rev. B. - 2009. - V. 79. - 064413.

18. РМГ 93-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Оценивание метрологических характеристик стандартных образцов.

19. РМГ 53-2002 Государственная система обеспечения единства измерений. Стандартные образцы. Оценивание метрологических характеристик с использованием эталонов и образцовых средств измерений.

20. МИ 3300-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Рекомендации по подготовке, оформлению и рассмотрению материалов испытаний стандартных образцов в целях утверждения типа.

21. ГОСТ 8.315-97 Государственная система обеспечения единства измерений. Стандартные образцы состава и свойств веществ и материалов. Основные положения.

АВТОРЫ:

Собина Е. П. - канд. хим. наук, старший научный сотрудник ФГУП «УНИИМ»

620000, г. Екатеринбург, ул. Красноармейская, 4 Тел./факс: (343) 217-29-25 E-mail: [email protected]

Васьковский В. О. - д-р физ.-мат. наук, проф., зав. кафедрой ФГАОУ ВПО «УрФУ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина»

620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19 Тел./факс: (343) 261-68-23 E-mail: [email protected]

Медведевских С. В. - канд. тех. наук, и. о. директора ФГУП «УНИИМ»

620000, г. Екатеринбург, ул. Красноармейская, 4 Тел./факс: (343) 350-60-63

Цай И. С. - ведущий инженер ФГУП «УНИИМ» 620000, г. Екатеринбург, ул. Красноармейская, 4 Тел./факс: (343) 355-01-69

Степанова Е. А. - канд. физ.-мат. наук, доцент ФГАОУ ВПО «УрФУ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина» 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19 Тел./факс: (343) 261-68-23

Лепаловский В. Н. - канд. физ.-мат. наук, зав. сектором ФГАОУ ВПО «УрФУ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина»

620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19 Тел./факс: (343) 261-75-28

Балымов К. Г. - научный сотрудник ФГАОУ ВПО «УрФУ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина» 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19 Тел./факс: (343) 261-68-23

Кулеш Н. А. - младший научный сотрудник ФГАОУ ВПО «УрФУ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина» 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19 Тел./факс: (343) 261-68-23

Ювченко А. А. - ведущий инженер ФГУП «НПО автоматики имени академика Н. А. Семихатова» 620002, г. Екатеринбург, ул. Мамина-Сибиряка, 145 Тел./факс: (343) 380-51-56