CC BY
31
_ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / PHYSICS AND MATHEMATICS_
DOI: https://doi.org/10.23670/IRJ.2019.80.2.001
СИНТЕЗ, СТРУКТУРНЫЕ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА КОЛЛОИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК В СУСПЕНЗИИ И НА ПОДЛОЖКЕ
Научная статья
Жуков Н.Д.1' *, Крыльский Д.В.2, Дежуров С.В.3
1 Общество с ограниченной ответственностью «НПП Волга», Саратов, Россия;
2 3 ФГУП «Научно-исследовательский институт прикладной акустики», Дубна, Россия
* Корреспондирующий автор (ndzhukov[at]rambler.ru)
Аннотация
Синтезированы квантовые точки (КТ) полупроводников CdSe, PbS, InSb. Опробована лабораторная технология нанесения слоёв на подложку. По SD-АСМ-топограммам определено, что КТ в слое на подложке агрегированы в конгломераты, имеющие полигональную уплощённую форму и состоящие из плотноупакованных более мелких частиц. Экспериментальные характеристики спектров фотолюминесценции хорошо согласуются с теоретическими. На КТ- PbS и InSb уровень квантового выхода в 5-10 раз ниже лучших результатов для коллоидных квантовых точек CdSe/CdS. При переносе квантовых точек из суспензии на подложку наблюдается снижение квантового выхода, что может быть обусловлено ослаблением размерного квантования в КТ при их агрегации.
Ключевые слова: полупроводник, наночастица, квантовая точка, коллоидный синтез, фотолюминесценция, размерное ограничение, размерное квантование.
SYNTHESIS, STRUCTURAL AND PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES OF COLLOIDAL SEMICONDUCTOR
QUANTUM DOTS IN SUSPENSION AND ON A SUBSTRATE
Research article
Zhukov N. D.1, *, Krylsky D.V.2, Dezhurov S.V.3
1 OOO Volga Limited Liability Company, Saratov, Russia;
2 3 FGUP Research Institute of Applied Acoustics, Dubna, Russia
* Corresponding author (ndzhukov[at]rambler.ru)
Abstract
Quantum dots (QDs) of CdSe, PbS, InSb semiconductors are synthesized. The laboratory technology of applying layers on the substrate is tested. It is determined from 3D-ACM-topograms that QDs in a layer on a substrate are aggregated into conglomerates with polygonal flattened shape and consisting of tightly packed smaller particles. The experimental characteristics of the photoluminescence spectra are in good accord with the theoretical ones. The quantum output level at QD-PbS and InSb is 5-10 times lower than the best results for colloidal CdSe/CdS quantum dots. A decrease in the quantum yield is observed when transferring quantum dots from a suspension to a substrate, which may be due to the weakening of the dimensional quantization in QD during their aggregation.
Keywords: semiconductor, nano-particle, quantum dot, colloidal synthesis, photoluminescence, dimensional confinement, dimensional quantization.
Характерным для современной полупроводниковой электроники является использование структур с пониженной размерностью: в микроэлектронике - структуры с субмикронными проектными нормами, в оптоэлектронике -планарно-мезаскопические наноструктуры. Одним из трёх квантоворазмерных физических объектов является нульмерный - квантовые точки (КТ), по которым широко проводятся исследования, и имеется большое число публикаций, например: по свойствам коллоидных КТ [1], [2], по свойствам многослойных массивов КТ [3], ориентированные обзоры [4]. Исследования и получение новых знаний в области физики и техники полупроводниковых квантовых точек происходят на пути технологических вариаций, расширения круга используемых материалов и применений.
Свойства полупроводниковых КТ зависят от методов их синтеза, которые делятся на две группы: эпитаксиально -мезаскопические и коллоидные. КТ первой группы хорошо изучены в структурах полупроводников А3В5 и находят применение в лазерах [5]. Коллоидные КТ, синтезируемые преимущественно на базе полупроводников А2В6, находят применение в качестве люминофоров для различных целей. Главное их используемое свойство - люминесценция в видимой области спектра. Заметный успех для них был достигнут при наращивании на ядро селенида кадмия оболочки сульфида кадмия, что позволило получить высокие значения квантового выхода при заметном увеличении стоксова сдвига [6]. Расширение возможностей применений коллоидных КТ связано с их синтезом и исследованиями свойств в инфракрасном спектральном диапазоне, для чего требуются узкозонные полупроводники [7]. Перспективными в этом направлении являются халькогениды свинца, в частности, сульфид свинца PbS, по квантовым точкам которого известен ряд публикаций [8], [9]. Интересными, в этой связи, являются полупроводники А3В5, имеющие наиболее широкий диапазон свойств, наилучшие параметры размерного квантования, возможности большого выбора по самым разным требованиям. Публикации по результатам исследований КТ-А3В5 многочисленны, но в большинстве своём посвящены эпитаксиально-мезаскопическим вариантам. Работы по коллоидным КТ-А3В5 находятся в начальной стадии [2].
Расширение круга используемых полупроводников и технологий для квантовых точек позволяет исследовать влияние на их свойства состава и структуры КТ, их взаимодействия при сегрегации, решать проблемные вопросы физического моделирования электронных процессов в КТ. Особенно это важно для коллоидных КТ, кристаллическая и электронная структура которых определяются самоорганизованным зародыше-образованием при химическом синтезе, а не принудительным, как при эпитаксиальном росте.
Исходя из вышеизложенного, в работе решались задачи синтеза и исследований КТ наиболее интересных в научном и прикладном аспектах представителей полупроводников: А2В6 - CdSe/CdS (ядро/оболочка); А4В6 - PbS, PbS/CdS; А3В5 - InSb, InSb/CdS.
Синтез квантовых точек халькогенидов кадмия и свинца, антимонида индия проводили в кипящем органическом растворителе в трехгорлой колбе при постоянном интенсивном перемешивании [7]. Отличительной особенностью метода является подбор прекурсоров в каждом конкретном случае. Коллоидный синтез КТ-InSb проводили в среде безводного олеиламина, используя в качестве прекурсоров InCl3 и бис(триметилсилиламид) сурьмы. Смеси подбираемых прекурсоров продували аргоном и выдерживали в ультразвуковой ванне до получения прозрачного раствора. Подготовленный раствор нагревали до высокой температуры, затем в реакционную массу максимально быстро вводили определённое количество приготовленного прекурсора, вели реакцию в течение времени, требуемого для достижения нужного размера частиц. После охлаждения реакционной смеси очистку полученных ядер производили путем двухкратного переосаждения метанолом из смеси толуол-бутанол, конечный продукт взвешивали в толуоле.
КТ на подложках наносились из раствора методом самоорганизации ансамблей на поверхности при контролируемом испарении растворителя и параметров слоя. При этом использовались результаты известных в литературе методов с учётом того, что возможна пространственная сепарация квантовых точек по размерам [10].
В ряде работ (например, [10] - с обзором) проведены исследования тонких эффектов самоорганизации планарных структур квантовых точек на подложках. Этот процесс, обычно, проводят при количествах, создающих монослои на небольшой площади. Так, в работе [10] для этого использовались суспензии с концентрацией квантовых точек в растворе 5 10-3 ммоль/л, что в пересчёте на долю объёма даёт 2 10-5%. При использованных нами исходных концентраций КТ в суспензии 5-6 % можно было получить плёнки толщиной до микрона и более. Для этого надо было нанести на поверхность раствор из расчёта не менее 1-2 мкл на один квадратный сантиметр поверхности.
Коллоидная суспензия наносилась каплей в виде островка площадью ~ 2-3 см2 на чистую стеклянную подложку площадью 5-6 см2. После высыхания растворителя по центру пятна проводились исследования свойств в центральной зоне плёнки в круге диаметром ~6 мм. Для исследований отдельных наночастиц использовались образцы с монослоями, осаждёнными из сильно разбавленных суспензий-растворов.
Форма и размеры отдельных и агрегированных наночастиц контролировались методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) на приборе Tescan Mira II LMU и сканирующей атомно-силовой микроскопии (АСМ) на приборе Nanoeducator-2 NT-MDT. Элементный состав слоя наночастиц на подложке контролировался на электронном микроскопе. Для АСМ использовался туннельный микроскоп, предназначенный для измерений трехмерной (3D) топологии и параметров нанорельефа поверхности объектов, имеющий высокое пространственное разрешение, позволяя получать изображения рельефа субнанометрового разрешения.
На синтезированных квантовых точках в виде жидкой суспензии в кюветах исследовалась фотолюминесценция на спектрофлуориметре Fluorolog (Horiba) и спектральном комплексе на базе монохроматора МДР-41 со сменными дифракционными решетками. В качестве источника возбуждающего излучения использовались светодиоды и галогеновая лампа. Фотоприемниками служили ФЭУ-62, фотосопротивление PbS и InGaAs-детектор в каждом отдельном спектральном интервале диапазона от 300 до 3000 нм. Объёмная доля КТ в растворе варьировалась от 0.1 до 3 %. Значения квантового выхода люминесценции КТ-А2В6 оценивались количественно по эталонным источникам в одинаковых спектральных диапазонах. Контроль размера наночастиц в дисперсии проводился на приборе Zetasizer Nano ZS фирмы Malvern.
При обработке результатов измерений фотолюминесценции учитывалось, что в кристаллите-частице для случая глубокой прямоугольной одномерной потенциальной ямы на геометрическом размере а, сопоставимом с длиной волны де Бройля для электрона Л = h(2m£)-12, энергия электрона £ квантуется по правилам отбора с порядком n (a = пЛ/2) в виде [11]:
£n = h2n2 (8ma2)-1 ~ 0.4n2(m/mo)-V2, (1)
где: m - эффективная масса электрона, h - постоянная Планка; m0 - масса «покоя» электрона; здесь и далее: размеры - в нанометрах; энергия - в электронвольтах.
Для случая трёхмерного ограничения движения электрона при использовании приближения эффективной массы
2 12222 22
спектр разрешённых состояний представляется в виде [11]: £glp = h (8m)- (g ax~ +l ay~ + p a~), где: g, l, p = 1,2,3,...-
квантовые числа; ax, ay, az - размеры квантовой ячейки вдоль осей x, y, z. Для случая кубической симметрии
2 2 1 2 2 2
(ax=ay=az=a): £glp = h (8ma )- (g +l +p ). Энергия того или иного уровня находится последовательным подбором квантовых чисел, который для первых четырёх уровней даст числовую последовательность суммы в скобке формулы - 3; 6; 9; 12. Тогда:
£n = h2(8ma2)-1 (3n) ~ 1.1n(m/m0)-1 a-2, (2)
где: п = 1; 2; 3; 4 - последовательные номера первых четырёх уровней (подзон).
При возбуждении неравновесных электронов и дырок на некоторое время (жизни) может возникнуть их связанное состояние, называемое для определённых условий экситоном. Для монодисперсных по размеру полупроводниковых наночастиц зависимость энергии экситона Еех от его радиуса аех описывается следующей формулой [12], [13]:
0 0 О 1 О 1 00 1 1
Еех = Eg+n И (2Шехаех )" -3.6е (еаех)" ~ Е6+1.25п (аех тех/то)- -57.6(аех£/£о)" ,(3)
где: e - заряд электрона; е - диэлектрическая проницаемость полупроводника; е0 - диэлектрическая постоянная; щ,х = mmp(m + mp)"1 - приведённая масса экситона, mp - эффективная масса дырки, Eg - ширина запрещённой зоны полупроводника.
Второе слагаемое в формуле (3) представляет собой кинетическую энергию поступательно-вращательного движения экситона, а последнее - энергию кулоновского взаимодействия электрона и дырки в экситоне. Стабильность состояния экситона (время жизни) определяется соотношением этих слагаемых: превалирование одного над другим приводит либо к его распаду, либо - к аннигиляции путём рекомбинации электрона и дырки. Размер аех стабильного состояния экситона вычисляется из равенства второго и третьего слагаемых в формуле (3) при п = 1: аех = 0.022(е/ео)(тех/тс)"1.
В таблице 1 приведены необходимые для анализа параметры полупроводников, полученные из интернет-ресурса «Химическая энциклопедия» (http://www.xumuk.ru/ encyk1opedia7886.html), и основные полученные данные.
На рисунке 1 представлены типичные фрагментарные картины СЭМ для КТ-CdSe/CdS (а0=8-10 нм) и 3Б-АСМ для образца КТ-PbS (а0=3-5 нм).
Рис. 1 - Фрагментарное СЭМ-изображение (слева) КТ-CdSe/CdS; АСМ-изображение (справа) фрагмента слоя КТ-
PbS на стеклянной подложке
По СЭМ-картинам при детальном рассмотрении увеличенного на экране изображения было установлено, что частицы имеют огранку, и на краю зоны их размещения на подложке они имеют больший размер, а в основной части зоны агрегированы в сплошную плёнку. По 3Б-АСМ-топограммам для КТ- PbS можно было заключить, что наночастицы агрегированы в конгломераты, которые состоят из плотноупакованных более мелких частиц, имеющих форму гранённых пластинок с размерами ~ (1-2)х(3-5) нм.
На рисунке 2Ь приведены графики спектров фотолюминесценции КТ-CdSe/CdS (а0 ~ 8-12 нм) в толуоле при возбуждении фиолетовым, синим и зеленым светодиодами в режиме одинаковой интенсивности при мощности светового возбуждения 120 мВт. Для сравнений измерялись в одинаковых режимах люминесцентные свойства порошкового микрокристаллического люминофора CdZnS:Ag, на котором, в отличие от КТ, наблюдались почти в 2 раза более широкая спектральная полоса и монотонная зависимость от длины волны возбуждающего света.
25-
и
'3 20-
S3
45
ы 15-
*
о й 10-
(U
S3
5-
0-
'S3
S3
•е
ев
о й
(D
2-
350 400 450 500 550 600 650 700 750 80
0
550
750
600 650 700 Wavelength, nm Wavelength, nm
Рис. 2 - Спектры фотолюминесценции, а: 1 - КТ CdSe/CdS в изопаре при возбуждении фиолетовым светодиодом (4 В, 20 мА); 2 - микропорошок CdS:Zn; 3 - изопар. b: КТ-CdSe/CdS - в толуоле при возбуждении фиолетовым (4),
синим (5) и зеленым (6) светодиодами (4В, 30 мА)
6
4
На рисунке 3 приведены спектры фотолюминесценции КТ-PbS/CdS; и InSb/CdS в толуоле. Размеры КТ указаны в таблице 1.
В таблице 1 приведены экспериментальные данные: интервалы значений размеров частиц а0, максимумы спектров фотолюминесценции Х0, величины спектральных полос ЛХ0. Для средних значений размерных интервалов КТ вычислены величины Хр по формулам (1) и (2). По полученным данным рассчитаны и приведены в таблице отношения дисперсий (ДШ,)/(Да/а).
0
1 <0
и I 01 II
К ГО I
J2
е; 01
01 а
£
о г
50000 45000 40000 35000 30000 25000 20000 15000 10000 5000 0
100
800
1400
90
Й й
. 80
70
о й 0)
60
50
2
А-
Рис.
1000 1200 1400 1200 1300 1400 1500
Длина волны' нм Wavelength, nm
3 - Спектры фотолюминесценции КТ-PbS/CdS (слева); InSb без оболочки (1) и с оболочкой CdS (2)
Таблица 1 - Сводка данных
Полу E m/ mj £/£0 Л., aex, а<0, ^0, А^0, (ЛЩ)/ Расчёт
пров. эВ m0 m<0 нм нм нм нм нм (Aa/a) ф.(1) ф.(2)
CdSe 1.75 0.13 0.45 9.5 2.1 2.1 4-5 8-12 598 675 100 1.7 664 696 572 676
PbS 0.41 0.07 0.09 17.5 5.9 9.6 2-3 1400 300 1.5 1356 552
InSb 0.17 0.014 0.25 17.7 18 30 5.5-6.5 1480 200 1.8 1562 586
Измерения квантового выхода люминесценции по эталону Cd0.8Zno.2S:Ag [14] для КТ-CdSe/CdS показало, что он в суспензии имеет значение ~80%, мало изменяясь в процессе длительного хранения. Оценки квантового выхода для КТ- PbS и 1пБЬ при измерениях с эталоном по стандартному кремниевому фотодиоду дали значения 1-10%.
В слоях на подложке КТ-CdSe/CdS квантовый выход несколько снижается (на 20-25%). Для осаждённых на подложку КТ- PbS и 1пБЬ не удалось измерить спектры фотолюминесценции. Эффективность этих слоёв значительно снизилась по сравнению с их параметрами в суспензии. Снижение квантового выхода КТ при переносе их из суспензии, где они находятся в неагрегированном состоянии, видимо, связано с ослаблением размерного квантования при агрегации квантовых точек.
Структура и форма КТ. Рост коллоидных квантовых точек по механизму образования зародышей и их разрастания, в отличие от эпитаксиально-мезаскопической структуры, происходит в относительно свободных условиях самоорганизации, в связи с чем образование желательной кристаллической структуры с ближним порядком не является очевидным и требует проверок и соответствующего технологического обеспечения при синтезе. Для качественного подтверждения обычно используется метод спектрального люминесцентного исследования. При этом одним из факторов является сужение спектральной полосы и её определяющая зависимость от разброса размеров КТ. В нашем случае, сужение полос (примерно в два раза) наблюдалось экспериментально (рис. 2а) в сравнении со стандартными люминофорами, а экспериментальные значения дисперсионных отношений (ДШ,)/(Да/а) близки к двум (таблица 1), что соответствует вычислениям по формулам (1) и (2) и, тем самым, подтверждает определяющую зависимость спектральных полос от разброса размеров КТ.
Более важным фактором подтверждения наличия ближнего порядка кристаллической структуры КТ, на наш взгляд, является определяющая зависимость параметров спектра от эффективной массы электронов при достоверно установленной зависимости от размеров КТ. Для случая КТ-CdSe, например, в литературе имеются надёжные эмпирические данные такой зависимости [15]. Расчёт по формуле, приведённой в работе [15], дал точные соответствия экспериментальных значений Х0 и а0, приведённых в таблице 1, для КТ-CdSe. Совпадение экспериментальных и расчитанных по формулам (1) и (2) данных для КТ при использовании значений эффективной массы т для объёмного кристалла полупроводника может свидетельствовать о тождественности их кристаллической структуры. С учётом того, что значения т могут отличаться от т0 более чем на порядок, использование эффективной массы является надёжным методом для качественного контроля кристаллического совершенства КТ.
Наличие совершенной кристаллической структуры КТ позволяет, для описания их свойств, использовать модели макрокристалла, в частности, его зонную структуру и всё, что с ней связано. Например, фундаментальный параметр размерного квантования - длину волны де Бройля для электронов на дне зоны проводимости: Лg = И(2тЕ^-1/2 ~ [(Щт0)Еь|-1/2 (нм), рассчитанные значения которых приведены в таблице 1.
Самоорганизованный рост энергетически анизотропной кристаллической структуры КТ должен привести к отклонению их формы от идеальной пространственной симметрии нано-кристаллитов. Для всех вариантов исследованных нами КТ характерна полигональная уплощённая форма кристаллитов (рис. 1). При этом, она более выражена для кубической сингонии кристаллитов (PbS, 1^Ь), чем для плотноупакованной гексогональной структуры
Форма кристаллитов КТ влияет на свойства размерного квантования. Для случаев, когда размер ао заметно меньше Лg (в нашем случае - PbS, табл.1), форма кристаллита не имеет значения, ограничение действует так же, как в одномерной потенциальной яме, соотношения параметров подчиняются формуле (1). Когда а0 примерно равно или несколько больше Лg (CdSe,), форма и трёхмерный характер ограничения существенно влияют на параметры, соотношения которых подчиняются формуле (2). В таблице 1 эти соотношения наглядно отражены.
Форма кристаллитов повлияет на формирование слоистой приборной (мультизёренной) структуры, свойства которой будут определяться качеством взаимного контактирования наночастиц. Управление формой КТ при их синтезе пока является нерешённой задачей нанотехнологии, имеющей важное практическое значение.
Размерное ограничение в КТ. Решение уравнения Шредингера для финитно движущегося электрона в глубокой потенциальной яме даёт его волновую функцию, спадающую по экспоненте вне границ ямы [11]. При этом размер прилегающей ограничивающей области должен быть много больше значений ^(2тИ)1/2, где и - величина ограничивающего потенциального барьера для электрона. Это означает, что размерное ограничение движения электрона в потенциальной яме эффективно, когда прилегающий ограничивающий слой имеет некую толщину, не менее по реальным оценкам для И>1 эВ - не менее, чем 3 нм. Для обеспечения эффективного действия
физической модели потенциального барьера необходим подбор материала оболочки, что является непростой задачей, требующей изготовления и исследований образцов. За основу при подборе можно принять, что прилегающая к ядру КТ оболочка должна быть с ядром изоморфной и для обеспечения энергетического барьера иметь заметно меньшую постоянную решётки. Невыполнение этих условий резко снижает размерный эффект, что и наблюдалось для безоболочечных вариантов КТ.
При объединении КТ в группы, по две и более для случаев, когда они имеют оболочку, эффективность размерного ограничения не изменяется, наночастицы проявляются как квантовые точки в композитной матрице. Для безоболоченчных вариантов объединение квантовых точек приводит к снижению размерного эффекта, вплоть до его исчезновения, подобно случаям объединения плоских квантовых ям [11].
Таким образом, в работе синтезированы квантовые точки (КТ) полупроводников CdSe, PbS, 1пБЬ с управляемыми размерами и величинами их разброса. Опробована лабораторная технология нанесения слоёв на стеклянную подложку в расчёте на их возможное приборное использование. По СЭМ-картинам установлено, что КТ имеют огранку. При этом на краю зоны расположения КТ на подложке они имеют больший размер, а в ней самой они агрегированы в сплошную плёнку. По 3Б-АСМ-топограммам можно заключить, что наночастицы в слое на подложке агрегированы в конгломераты, которые состоят из плотноупакованных более мелких частиц, имеющих полигональную уплощённую форму. Экспериментальные характеристики спектров фотолюминесценции хорошо согласуются с расчётными. На КТ- PbS и 1^Ь уровень квантового выхода примерно в 5-10 раз ниже лучших результатов для КТ-CdSe/CdS. При переносе КТ- PbS и 1пБЬ из суспензии на подложку наблюдается значительное снижение квантового выхода, что может быть обусловлено ослаблением размерного квантования за счёт агрегации КТ. Обсуждены свойства и модели структуры, формы, размерного ограничения и квантования в квантовых точках.
Финансирование
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов 17-07-00586-а и 17-07-00139-а.
Конфликт интересов
Не указан.
Funding
The study was carried out with the financial support of the Russian Foundation for Basic Research within the framework of research projects 17-07-00586-a and 17-07-00139-a.
Conflict of Interest
None declared.
Список литературы / References
1. Наночастицы, наносистемы и их применение. Ч.1. Коллоидные квантовые точки / Под ред. В. А. Мошникова и О. А. Александровой // Уфа: Аэтерна. 2015. - 236 с.
2. Nozik A. J. Semiconductor quantum dots and quantum dot arrays and applications of multiple exciton generation to third-generation photovoltaic solar cells / A. J. Nozik, M. C. Beard, M. Luther and others // Chem. Rev. - 2010. - V. 110. - P. 6873-6890.
3. Надточий А. М. Многослойные массивы квантовых точек высокой объемной плотности / А. М. Надточий, А. С. Паюсов, М. В. Максимов и др. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48. - № 11. - С. 1487-1491.
4. Максимов М. В. Квантовые точки в современной оптоэлектронике / М. В. Максимов, А. Е. Жуков // Интернет-ресурс: magazine.ru/uploads/ volumes/11/maksimov.pdf.
5. Леденцов Н. Н. Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры / Н. Н. Леденцов, Д. А. Лотт // Успехи физических наук. - 2011. - Т. 181. - № 8. - С. 884-890.
6. Chen O. Compact high-quality CdSe-CdS core-shell nanocrystals with narrow emission linewidths and suppressed blinking / O. Chen, J. Zhao, V. P. Chauhan and others // Nature materials. - 2013. - V.12. -P. 445-451.
7. Дежуров С. В. Синтез высокостабильных коллоидных квантовых точек CdTeSe/CdS, CdZnS/ZnS, флуоресцирующих в БлИК-диапазоне 650-750 нм / С. В. Дежуров, А. Ю. Трифонов, М. В. Ловыгин и др.// Российские нанотехнологии. - 2016. - Т. 11. - № 5-6. - С. 54-59.
8. Clark C. J. The passivating effect of cadmium in PbS/CdS colloidal quantum dots probed by nm-scale depth profiling / C. J. Clark, H. Radtke, A. Pengpad and others// Nanoscale. - 2017. - Vol. 9. - P. 6056-6067.
9. Садовников С. И. Микроструктура нанокристаллических порошков и пленок PbS / С. И. Садовников, Н. С. Кожевникова, В. Г. Пушин и др. // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48. - № 1. -С. 26-33.
10. Адрианов В. Е. Спектральное исследование самоорганизации квантовых точек при испарении коллоидных растворов / В. Е. Адрианов, В. Г. Маслов, А. В. Баранов и др. // Оптический журнал. - 2011. - Т. 78. - № 11. - С. 11-19.
11. Драгунов В. П. Основы наноэлектроники: учебное пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный,
B. А. Гридчин // М.: Изд-во «Логос». 2006 - 495 с.
12. Покутний С. И. Энергия связи экситона в полупроводниковых квантовых точках / С. И. Покутний // Физика и техника полупроводников . - 2010. - Т. 44. - № 4. - С. 507-512.
13. Садовников С. И. Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 / С. И. Покутний, Н. С. Кожевникова, А. И. Гусев // Физика и техника полупроводников. - 2011. -Т. 45. - № 12 - С. 1621-1632
14. Казанкин О. Н. Неорганические люминофоры / О. Н. Казанкин // Л.: Химия. 1975. - 177 с.
15. Федоров А. В. Основы физики гибридных наноструктур. Учебн. пособ. / А. В. Федоров, А. В. Баранов, А. О. Орлова // СПб: СПб НИУ ИТМО. 2014. - 122 с.
Список литературы на английском языке / References in English
1. Nanochasticy, nanosistemy i ih primenenie [Nanoparticles, nanosystems and their application]. Part 1 Colloidal quantum dots / V. A. Moshnikova and O. A. Alexandrova // Ufa: Aeterna. 2015. - 236 p. [in Russian]
2. Nozik A. Semiconductor quantum dots and quantum dot arrays and applications of multiple exciton generation to third-generation photovoltaic solar cells / A. J.Nozik, M. C. Beard, М. Luther and others // Chem. Rev. - 2010. - V. 110. - P. 68736890.
3. Nadtochy A. M. Mnogoslojnye massivy kvantovyh tochek vysokoj ob"emnoj plotnosti [Multilayer arrays of quantum dots of high bulk density] / A. M. Nadtochy, A. S. Payusov, M. V. Maksimov and others // Semiconductor Physics and Technology. - 2014. - V.48. - No 11. - P. 1487-1491. [in Russian]
4. Maksimov M. V. Kvantovye tochki v sovremennoj optoehlektronike [Quantum dots in modern optoelectronics] / M. V. Maksimov, A. E. Zhukov // Internet resource: magazine.ru/uploads/ volumes/11/maksimov.pdf. [in Russian]
5. Ledentsov N. N. Novoe pokolenie vertikal'no-izluchayushchih lazerov kak klyuchevoj ehlement komp'yuterno-kommunikacionnoj ehry [A new generation of vertically emitting lasers as a key element of the computer and communication era] / Ledentzov NN, Lott DA. // Advances in physical sciences. - 2011. -V. 181. - No 8. - P. 884-890. [in Russian]
6. Chen O. Compact high-quality CdSe-CdS core-shell nanocrystals with narrow emission linewidths and suppressed blinking / O. Chen, J. Zhao, V. P. Chauhan and others. // Nature materials. - 2013. - V.12. - P. 445-451.
7. Dezhurov S. V. Sintez vysokostabil'nyh kolloidnyh kvantovyh tochek CdTeSe/CdS, CdZnS/ZnS, fluoresciruyushchih v BlIK-diapazone 650-750 nm [Synthesis of highly stable colloidal quantum dots CdTeSe/CdS, CdZnS/ZnS fluorescing in the near-range 650-750 nm] / D. S. Dezhurov, A. Yu. Trifonov, M. V. Lovigin and others // Russian nanotechnologies. - 2016. -V. 11. - No. 5-6. - P. 54-59 [in Russian]
8. Clark C. J. The passivating effect of cadmium in PbS/CdS colloidal quantum dots probed by nm-scale depth profiling /
C. J. Clark, H. Radtke, A. Pengpad and others// Nanoscale. - 2017. - Vol. 9. - P. 6056-6067.
9. Sadovnikov S. I. Mikrostruktura nanokristallicheskih poroshkov i plenok PbS [Microstructure of nanocrystalline powders and PbS films] / S. I. Sadovnikov, N. S. Kozhevnikova, V. G. Pushin and others // Inorganic materials. - 2012. - Vol. 48. - No. 1. - P. 26-33. [in Russian]
10. Adrianov V. E. Spektral'noe issledovanie samoorganizacii kvantovyh tochek pri isparenii kolloidnyh rastvorov [Spectral study of self-organization of quantum dots during evaporation of colloidal solutions] / V. E. Adrianov, V. G. Maslov, A. V. Baranov and others // Optical journal. 2011. T. 78. No. 11. P. 11-19.
11. Dragunov V. P. Osnovy nanoehlektroniki: uchebnoe posobie [Basics of nanoelectronics: a tutorial] / V. P. Dragunov, I. G. Unknown, V. A. Gridchin // M .: "Logos" publishing house. 2006 - 495 p.
12. Pokutniy S. I. EHnergiya svyazi ehksitona v poluprovodnikovyh kvantovyh tochkah [Exciton binding energy in semiconductor quantum dots] / S. I. Pokutniy // Semiconductor Physics and Technology. - 2010. - Vol. 44. - No. 4. - P. 507512. [in Russian]
13. Sadovnikov S. I. Opticheskie svojstva nanostrukturirovannyh plenok sul'fida svinca s kubicheskoj strukturoj tipa D03] [Optical properties of nanostructured lead sulfide films with a cubic structure of the type D03 / S. I. Sadovnikov, N. S. Kozhevnikova, A. L. Gusev // Semiconductor Physics and Technology. - 2011. - T. 45. - No. 12. - P. 1621-1632. [in Russian]
14. Kazankin O. N. Neorganicheskie lyuminofory [Inorganic phosphors] / O. N. Kazankin // L .: Chemistry. 1975. -177
p.
15. Fedorov A. V. Osnovy fiziki gibridnyh nanostruktur. Uchebn. Posob [Fundamentals of physics of hybrid nanostructures. Educational benefit] / A. V. Fedorov, A. V. Baranov, A. O. Orlova and others // SPb: SPb ITU ITMO/ 2014. -122 p. [in Russian]
