CC BY
11
5. ШФОРМАЦШШ ТЕХНОЛОГИ ГАЛУЗ!
УДК 535.343.2 Проф. З.Ш. Чорнш, д-р ф1з.-мат. наук; проф. В.1. Вайданич, канд. фЬ.-мат. наук; ст. викл. 1.Б. Шрко, канд. фЬ.-мат. наук; асист. М.В. Дячук; доц. В.М. Салапак, канд. фЬ.-мат. наук -
НЛТУ Украхни, м. Львiв
РАДЮЛЮМ1НЕСЦЕНЦ1Я КРИСТАЛ1В BACL2-PB ЗА ТЕМПЕРАТУРИ T < 145 К
У моделi лшшного кристала дослщжено мехашзм збудження власно! i активатор-но! люмшесценцп у кристалах ВаС12-РЬ. Показало, що за температури T<145 K спектр радюлюмшесценцп складаеться Í3 трьох смуг свiчення з максимумами в област 300 нм (власна люмшесценщя), 320 нм та 550 нм (активаторне свiчення). Розраховано кiнетику наростання люмшесценцп та 11 енергетичний спектр. Дослiджено механiзм виникнення радюлюмшесценцп. Смуги люмшесценци при 300 нм i 320 нм виникають внаслщок ре-комбшацп зонних електрошв з VK та ^^^-центрами вщповщно. Смуга 550 нм обумовле-на рекомбшащею мобiльних дiрок з Pb+ - iонами.
Ключовi слова: кристал, радiацiя, люмiнесценцiя, центри забарвлення.
1. Люмшесценщя чистих кристалiв BaCl2-Pb. Радiацiя створюе у кристалi множину (e-, e+)-електронно-дiркових пар. Cnoci6, в який релаксують (e-, е+)-пари, залежить ввд температури кристала. Якщо T>145 K i дарки мобшь-hí, то релаксащя (е-, е+)-пари вiдбуваeться безвипромiнювально з видiленням тепла. Коли T<145 K, то дарки автолокалiзуються i рекомбшащя зонних елек-тронiв з автолок^зованими дiрками обумовлюе власну люмшесценщю кристала [1, 2]:
R ® (е-,е+) ® е- + (VK)+ = е- + (С1-) +® (С1=) С1- + С1+ + hv1, (1)
де: R - юшзуюча радiацiя; VK=C12- - автолокалiзована дiрка (квазíмолекулярний iон хлора); (С12=)* - збуджений стан автолокалiзованого екситона; hvi - квант власного свiчення кристала (1max=300 нм).
У лшшнш моделi кристала рíвняння (1) виглядае таким чином:
У рiвняннi (2) використано такi позначення: (е-, е+) - створена радаащею у фатщ кристала електронно-дiркова пара (енергiя 11 утворення Е»1,5Eg, де Eg -ширина заборонено!' зони);
- крапками позначено íohh основи кристала; (+} - автолокал!зована дарка.
Вирахуемо енергетичний вихiд власно! люмiнесценцií кристалíв ВаС12:
*■=*!&.■ <з>
де: r - енергетичний вихщ радюлюмшесценцц; r¡o - квантовий вихвд свiчення автолокалiзованих екситонiв; Ehv - енерпя кванта свiчення.
На сьогодш квантовий вихiд 7]0 автолокалiзованих екситошв у кристалах ВаС12 не вивчено. Очевидно, що 77о<1, тому т]е < 0,4.
2. Активаторна радюлюмшесценц1я в кристалах ВаС12-РЬ. Вiдомо, що юни свинцю входять у гратку кристала ВаС12 у виглядi юшв замiщення ((Pb2+)0-iонiв i виступають центрами захоплення вшьних носш заряду. При ло-калiзацií дiрки в околi iона свинцю утворюються К^-центри забарвлення ((РЬ2+)0 е+-центри), а при захопленш свинцем електрона виникають (РЬ+)--цен-три забарвлення. Утворенi радiацieю центри забарвлення ввдграють роль цен-трiв випромшювально! рекомбiнацií:
(РЬ2+)0 + (е-,е+) ® (РЬ2+)0е+ + е- ® (РЬ2+)° + П2. (РЬ2+)0 + (е-,е+) ® (РЬ+)- + е+ ® (РЬ2+)° + кпъ.
(4)
(5)
Реакцп (4) i (5) описують мехашзм виникнення активаторно1 люмшес-ценцií в обласп 320 i 550 нм, вiдповiдно. У додаток до цих смуг свiчення у кристалах ВаС12-РЬ збуджуеться власна люмiнесценцiя в обласп 300 нм (р1в-няння 1). Очевидно, що iз збшьшенням вмкту активатора у кристалi вихiд акти-ваторно!' люмiнесценцií зростае, а власно!' падае.
До опромiнення кристалiв ВаС12-РЬ2+ iонiзуючою радiацiею синтезованi кристали мктять тiльки один тип точкових дефектов (Pb2+)0-iони. У лiнiйнiй мо-делi такий кристал можна зобразити у виглядi нескiнченно довгого iонного лан-цюга [3-5]:
• • • • • ^^ • • • • ^^ • • • • ^^ • * • • ^^«• • • ^^ • • (6)
Крапками позначено ¡они основи, - (Г3 Ъ_ - ] с> [ I и. Як видно з piвняння (6), лшшний кристал складаеться ¡ч N фрагмент (дшянок) типу 0****0> величину (довжину) яких обмежують дефекти.
Будова забарвленого лiнiйного кристала складшша. У цьому випадку ль ншний кристал включае в себе чотири типи фрагментiв:
де 0 - (РЬ^'-юн; @ - I /.-центр: ©О ~ '/. гиет р.
Р1вняння (7.2-7.4) зображують структуру утворених радiацiею центрiв забарвлення.
3. Розрахунки ймовiрностi випромiнювальноí релаксацп -пар. При
опромшенш забарвленого кристала iонiзуючою радiацiею релаксащя створених радiацiею (е-, е+)-пар мае мiсце в усiх дшянках лiнiйного кристала, конфiгурацií
яких описуються р1вняннями (7.1-7.4). Для кожно! 1з зазначених конфкурацш розраховано ймов1рност1 випром1нювального розпаду (е-, е+)-пар. Результати розрахуныв наведено в табл. 1 та 2.
Табл. 1.1. Ймовiрностi випромтювальног релаксацП (е, е+)-пар у кристалах БаС12-РЪ.
С, мол. % О......о 0----©О
м-11 (к\1) ^12 (Ьп2) ^13 №3) ^21 ^22 ^23
0,2 0,2381 0,3810 0,0635 0,7024 0,2976 0,1598
0,0125 0,5608 0,2196 0,0157 0,6381 0,3619 0,1000
Табл. 1.2. Ймовiрностi випромтювальног релаксацП (е, е+)-пар у лттному кристалi БаС12-РЪ
С, мол. % 0. .©• • © 0.©.©. .©
^31 ^32 ^33 М-41 ^43
0,2 0,5095 0,1429 0,1063 1,000 0,8000
0,0125 0,8429 0,0804 0,1150 1,000 0,2813
w11, ^21, ^зь ^41 - йж^рносп випромшювання Ау1-кванта свiтла (Лпах=300 нм) при розпада (е-, е+)-пари в дшянках лшшного кристала, конф^урацп яких зображенi в ршняннях (7.1-7.4); ^12, ^22, ^32 - те саме для активаторного свiчення (1тах=320 нм); ^13, ^23, ^33, ^43 - те саме для активаторно! люмшесценцп (1тах=550 нм); С - молярна концентрация РЬС12 у кристалi.
4. Залежнiсть штенсивност люмiнесценцГí вiд дози опромiнення. З
табл. 1 випливае, що в рекомбшацшних процесах, як1 обумовлюють св1чення кристала, беруть участь (виступають центрами забарвлення) як юни активатора, так 1 центри забарвлення.
До опромшення юшзуючою рад1ащею лшшний кристал - це регулярна послвдовна сукупшсть далянок юшв з конф1гуращею, яку описуе р1вняння (6). Позначимо загальна кшьккть даних конфкурацш числом N.
Пкля опромшення забарвлений кристал мктить чотири типи конфкура-щй, структура яких представлена р1вняннями 7.1-7.4. Позначимо:
1. N1 - кiлькiсть конфiгурацiй типу (РЪ2+-РЪ2+) в забарвленому кристалi ^вняння
(7.1);
2. N2 - юльюсть конфiгурацiй типу (РЪ -¥к) ^вняння 7.2);
3. N3 - юльюсть конф^урацш типу (РЪ+-УКА) ^вняння 7.3);
4. N4 - кiлькiсть конф^урацш типу (РЪ+-Кк-Кк-РЪ+) ^вняння 7.4).
Очевидно, що загальна юльюсть дшянок, з яких складаеться лшшний кристал, в процес його опромшення не змшюеться:
N = N + N + N3 + N4. (8)
Визначимо в1дносний вклад кожно!' конфкурацп в структуру юнного кристала:
М N2 N3 N4 , —+—+—+—=1.
N NN N
(9)
Введемо новi позначення:
[РЬ2+] = * [Ук] = * [М = £ И = *
..... ^ [Ука] = [2Ук ] =
N " -1 N 1 1 N 1 К1 N
Враховуючи новi позначення:
[РЪ2+] + [Ук] + [Ука] + [2УК] = 1. (10)
Величини, якi розташованi в лiвiй частиш рiвняння (10), вiдображають концентрацiю (нормовану на одиницю) пар PЪ2+-iонiв i комплементарних пар центрiв забарвлення. Позначимо через 11, 12, 13 вiдносну iнтенсивнiсть (нормовану на одиницю) смуг люмшесценцп в областi 300 нм, 320 нм i 550 нм (Нп1, Нп2, йу3-фотони), ввдповщно:
11» п = [РЪ2+ ]мц + [Ук] W21 + [Ука]^>31 + [2Ук]^41, (11.1)
¡2 » п2 = [РЪ2+ ]^12 + [Ук]^22 + [Ука] Мы + [УКА]^32, (11.2)
13 » П3 = [РЪ2+ ] ^13 + [Ук ] ^23 + [Ука] ^33 + [2Ук] ^43 (11.3)
де: п1, п2, п3 - юльшсть фотошв (нормоване на одиницю) Ьм1, Н\2, Нп3, ввдповщ-но, якi виникають при випромшювальнш релаксацií (е-, е+)-пари у кристалi ВаС12-РЪ.
5. Вклад власно! та активаторно! люмiнесценцГí в сумарне свiчення кристалiв ВаС12-РЬ. У моделi лшшного кристала розраховано вклад кожно1 з конф^урацш (рiвняння (7.1-7.4) у сумарне свiчення кристала. Розрахунки проведено за формулами (11.1-11.3). Для розрахунтв використано значения ймо-вiрностей, наведених у табл. 1.
Результати розрахунтв наведено в табл. 2-8 i вiдображено на рис. 1-3.
Табл. 2. Випромтювальнарелаксация (е, е+)-пар у дтянщ лтшного кристалу
п [РЪ2+] ¡1 ¡2 ¡3
1 1,000 0,2385 0,3810 0,0635
2 0,6825 0,1628 0,2600 0,0433
3 0,5257 0,1254 0,2003 0,0334
4 0,4455 0,1063 0,1697 0,0289
5 0,4032 0,0962 0,1545 0,0256
6 0,3805 0,0907 0,1450 0,0242
7 0,3679 0,0877 0,1402 0,0234
8 0,3564 0,085 0,1358 0,0226
9 0,3538 0,0849 0,1348 0,0225
11, 12, 13 - вщносш iнтенсивностi (нормованi на одиницю) у смугах люмшесценцп 300 нм, 320 нм, 550 нм. [РЪ2+] - концентрацш конфiгурацiй типу (РЪ2+...РЪ2+). п=1, 2, 3 - кiлькiсть iзодоз радiацil, поглинутих кристалом. Кристал ВаС12-0,2 мол. % РЪС12. ¡1=[РЪ2+] ^11, /2=[РЪ2+] ^12, /3=[РЪ2+] ^13
Табл. 3. Випромтювальна релаксаця (е- е+)-пари при и розпадi в кон
фкураци (РЬ+... Ук/)
[Ук
¡1
¡2
¡3
0,1270
0,0892
0,0378
0,0196
0,1798
0,1263
0,0535
0,0278
0,2000
0,1448
0,0595
0,0309
0,2067
0,1452
0,0615
0,0320
0,2078
0,1460
0,0618
0,0322
0,2072
0,1455
0,0617
0,0321
0,2061
0,1448
0,0613
0,0319
0,2053
0,1442
0,0611
0,0319
п
2
3
4
5
6
7
8
9
Позначення п саш, що в табл. 2. !1=[Ука] ^21, !2=[УкА] ^22, !3=[Ука] ^23.
Табл. 4. Випромтювальнарелаксащя (е-, е+)-пари при п розпадi в дЫянщ лтшного кристала з концентрацию (РЪ+... Ук...РЬ2+)
п [Ук] ¡1 ¡2 ¡3
2 0,1905 0,0971 0,0272 0,0203
3 0,2850 0,1452 0,0407 0,0303
4 0,3383 0,1724 0,0483 0,0360
5 0,3700 0,1885 0,0529 0,0393
6 0,3892 0,1985 0,0556 0,0414
7 0,4009 0,2043 0,0573 0,0426
8 0,4081 0,2079 0,0583 0,0434
9 0,4129 0,2104 0,0590 0,0439
¡1 = [Ук] ^31, /2=[Ук] ^32, ¡3=[Ук] ^33.
Табл. 5. Випромтювальна релаксаця (е, е+)-пари в конфкурацп (РЪ+...Ук...Ук...РЪ+)
п [2Ук] ¡1 ¡3
3 0,0095 0,0095 0,076
4 0,0162 0,0162 0,0130
5 0,0201 0,0201 0,0160
6 0,0225 0,0225 0,0180
7 0,0240 0,0240 0,0192
8 0,0249 0,0249 0,0199
9 0,0254 0,0254 0,0203
¡1=[2Ук] ^41, ¡3=[2Ук] ^43
Табл. 6. Випромтювальна релаксащя (е, е+)-пари в забарвленому лттному кристалi ВаС12-0,2 мол.
п ¡1 ¡2 ¡3
1 0,2385 0,3810 0,0635
2 0,3491 0,3250 0,0832
3 0,4069 0,2945 0,0991
4 0,4397 0,2775 0,1088
5 0,4500 0,2689 0,1129
6 0,4577 0,2624 0,1158
7 0,4615 0,2592 0,1173
8 0,4626 0,2554 0,1178
9 0,4674 0,2549 0,1186
% РЪС12, що мютить вс чотири типи конфiгурацiй точкових дефектов (ршняння 7.1-7.4). Значения 11, /2, 13 розраховано за формулами 11.1-11.3
Тaбл. 7. Bипpoмiнювaльнapeлaкcaцiя (e, e+)-napu у зaбapвлeнoму лтшшму KpucmmiBaCl2-0,025 мoл. % PbCl2.
n Il I2 I3
1 0,5б08 0,219б 0,157
2 0,б117 0,2002 0,354
3 0,б49б 0,1853 0,510
4 0,б780 0,1739 0,б40
5 0,б995 0,1б49 0,741
б 0,715б 0,1580 0,804
7 0,7329 0,1525 0,877
9 0,7444 0,1450 0,9б2
11 0,7540 0,1404 1,007
13 0,759б 0,137б 1,037
Тaбл. 8. Зaлeжнicmь iнmeнcuвнocmi cумapнoï люмiнecцeнцiï (I=I1+I2+I3), нopмoвaнoï ш oдuнuцю, вiд дoзu oпpoмiнeння Kpucmma BaCl2-Pb
n C, мол. %
0 0,0025 0,200
1 1,0000 0,79б1 0,б830
2 1,0000 0,8324 0,7573
3 1,0000 0,SS59 0,8005
4 1,0000 0,9159 0,82б0
5 1,0000 0,93S5 0,8318
б 1,0000 0,9540 0,8359
7 1,0000 0,9731 0,8380
9 1,0000 0,985б 0,8409
11 1,0000 0,9951
13 1,0000 1,0000
С - мoляpнa ганцен^^я PbCl2 в кpиcтaлi; n=1, 2, 3... - кiлькicть iзoдoз paдiaцiï, nonra^TOi' кpиcтaлoм (величинa oднieï iзoдoзи пoглинутoï кpиcтaлoм E=1,5Eg та oдну кoнфiгуpaцiю пapи cтpуктуpниx дефектав; Eg - шиpинa зaбopoненoï зoни кpиcтaлa.
0,5'
0,4.0,3-о ю
ОД-
0 o'l.........................I
'0 2 4 6 8 10 пЕ
Puc. 1. KmemuKa нapocmaння (cпaду) iнmeнcивнocmeй I1, I2, I3у cмугax люмiнecцeнцiï300 нм (Kpma 1), 320 нм (Kpma 2) ma 550 нм (Kpma 3):=1, 2, 3, ...; E=1,5Eg. Кристал BaCl2-0,2 мол. % PbCl2
О ................................
О 2 4 6 8 10 12 пЕ
Рис. 2. Ктетика наростання (спаду) ттенсивностей Ih 12,13 в смугах люмтесценци 300 нм (крива 1), 320 нм (крива 2) та 550 нм (крива 3): n=I, 2, 3, ...; E=I,5Eg. Кристал BaCl2-0,025мол. %PbCl2 1,05т-
0,651..................................
О 2 4 6 8 10 12 14 пЕ
Рис. 3. Ктетика наростання сумарног люмтесценци (1=11+12+13) у кристалах ВаС12-РЬ: 1-0 мол. % РЬС12, 2-0,025 мол. % РЬС12, 3-0,025 мол. % РЬС12.
Висновки:
1. За Т<145 К радiацiя генеруе три типи цен^в забарвлення: (Ук)+, (Ука)+, (РЪ+)- ^вняння 7.2-7.4). Утвореш центри забарвлення мають надлишковий вщносно гратки кристала електричний заряд i виступають ефективними центрами рекомбшащУ. Наявнiсть у кристалах ВаС12-РЪ трьох типiв центрiв рекомбшащУ обумовлюють виникнення пiд дiею юшзуючоУ радiацil трьох смуг люмiнесценцГí. При рекомбшацп електрошв з (Ук)+ та (ГКА)+-центрами виникають смуги люмшесценщУ в областi 300 нм i 320 нм, вiдповiдно, а ре-комбiнацiя мобiльних дiрок з (РЪ+)--юнами обумовлюе появу смуги свiчен-ня в област 550 нм ^вняння 1, 4, 5).
2. Забарвлений кристал ВаС12-РЪ мiстить чотири типи структурних дефеклв (рiвняння 7.1-7.4). 1ошзуюча радiацiя збуджуе свiчення в кожному з них. В процес опромшення кристала вiдбуваеться тiльки перерозподiл 1х вкладу в сумарний вихiд радюлюмшесценщУ. На початковiй стадil опромiнення кристала домшуючу роль вiдiграють iони свинцю (табл. 2). 1з збiльшенням дози опромшення концентращя [PЪ2+]-iонiв зменшуеться (табл. 2), вщпо-вiдно концентрацiя [Ук\, [УкА], [2Ук] - центрiв зростае (табл. 3-5). На стадil насичення забарвлення випромшювальна релаксацiя (е-, е+)-пар вiдбу-ваеться в основному на центрах забарвлення (табл. 2-5).
3. Пд дieю юшзуючоТ радiацii' в кристалах BaCl2-Pb протiкають два взаемно конкурентш процеси: процес генерацп центрiв забарвлення (безвипромшю-вальний процес, рiвняння 7.2-7.4) i процес радiостимульованого 1х руйну-вання (випромiнювальний процес, рiвняння 1, 4, 5). На стадй насичення забарвлення кристала настае динамiчна рiвновага мiж цими процесами i, вщ-повiдно, iнтенсивнiсть люмшесценцй досягае стацюнарного значення (табл. 6, 7, рис. 1, 2).
4. За умови автолокаизацй дiрок в Гратщ кристала (T<145 K у кристалах BaCl2-Pb) концентрацiя автолокалiзованих дiрок вища за концентрацiю дь рок, локалiзованих в околi Pb2+-iонiв ([VK]>[VKA]), табл. 3, 4), що й обумов-люе домiнуючу роль власно'! люмшесценцй у спектрi випромiнювання (табл. 3, 4, рис. 1, 2).
5. Повшьне розгоряння радюлюмшесценцй у кристалах BaCl2-Pb (рис. 3, кри-вi 2, 3) обумовлене тим, що на початковш стадй опромiнення кристала пе-реважае процес утворення центрiв забарвлення, який протiкаe безвипромь нювально. В чистих кристалах BaCl2, яы не забарвлюються, стацiонарного значення виходу радюлюмшесценцй досягаеться миттево (рис. 3, крива 1).
6. Процес виникнення активаторного свiчення протiкаe двохстадiйно. На пер-шому етапi мае мкце захоплення носив заряду Pb2+-iонами з утворенням ак-тиваторних центрiв забарвлення ((Pb+)- i (У^^-цен^в). На другому еташ мае мiсце радiостимульоване руйнування (висвiтлення) центрiв забарвлення (рiвняння 4, 5). Реалiзацiя обох етапiв ввдбуваеться за умови, що створенi радiацieю носи електричного заряду е мобшьними. Тому, коли за понижено'! температури кристала дiрковi процеси "заморожуються" внаслвдок 1х авто-локалiзацil, вихiд активаторно' люмшесценцй зменшуеться. Це явище мае назву низькотемпературного гасшня активаторноУ люмшесценцй.
У табл. 9 наведено розраховаш значення iнтенсивностi 11 та 12 у смугах люмiнесценцií 320 нм i 550 нм для температури T>145 K (дiрки мобiльнi) i T<145 K (дiрки автолокалiзованi).
Табл. 9.1нтенсившсть люмшесценцй 12 та 13у максимумах смуг люмшесценцй
320 нм i 550 нм
C T<145K T>145 K
I2 I3 I2 I3
0,2 0,2549 0,1186 0,3573 0,2599
0,025 0,1376 0,1037 0,2294 0,1987
С - молярна концентращя PbCl2 у кристалл Т=145 К - температура автолокалiза-цп дiрок.
Як видно i3 даних, наведених у табл. 9, у до^джених кристалах BaCl2-Pb вихiд активаторно!' люмшесценцй з понижениям температури зменшуеться в 2-2,5 раза. У кристалах i3 вмктом активатора C<0,01 мол. % активаторна люмь несценщя зменшуеться за величиною на порядок.
Лггература
1. Чорнш З.П. Процес виникнення активаторного св1чення протжае двохстадшно / З.П. Чорнш, Х.К. Максимович, В.1. Вайданич // Вюник Львшського ушверситету îm. 1вана Франка. -Сер.: Ф1зична. - Львш : Вид-во Львш ун-ту îm. 1вана Франка. - 1978. - Вип. 13. - С. 45-51.
2. Вайданич В.1. Забарвлений кристал BaCl2-Pb м1стить чотири типи структурних дефектш / В.1. Вайданич, Х.К. Максимович, З.П. Чорнш // Вюник Львшського унiверситету îm. 1вана
Франка. - Сер.: Фiзична. - Львгв : Вид-во Львгв ун-ту iM. 1вана Франка. - 1971. - Вип. 6/14. - С. 20-26.
3. Chornyi Z.P. Crystals SrCl2-K radiation sensitivity / Z.P. Chornyi, I.B. Pirko, V.M. Salapak // Functional materials. - 2011. - Vol. 18, № 2. - Pp. 206-210.
4. Чорнш З.П. Fo-центри в кристалах флюорипв, легованих лужними металами / З.П. Чорнш, 1.Б. Пiрко, В.М. Салапак, М.Р. Панасюк // Журнал фiзичних дослiджень : зб. наук.-техн. праць. - 2012. - Т. 16, № 1. - С. 1602-1-1602-8.
5. Чорнш З.П. Центри забарвлення в кристалах CaF2-Na i CaF2-Li. I. Результати експериментальних дослiджень / З.П. Чорнш, 1.Б. Пiрко, В.М. Салапак, М.В. Дячук // Фiзика i хiмiя твердого тiла : зб. наук.-техн. праць. - 2012. - Т. 13, № 4. - С. 879-882.
Чорний З.П., Вайданич В.И., Пирко И.Б., Дячук Н.В., Салапак В.М. Радиолюминесценция кристаллов BaCl2-Pb при температуре T <145 К
В модели линейного кристалла исследован механизм возбуждения собственной и активаторной люминесценции в кристаллах BaCl2-Pb. Показано, что при температурах T<145 K спектр радиолюминесценции состоит из трех полос свечения с максимумами в области 300 нм (собственная люминесценция), 320 нм и 550 нм (активаторное свечение). Рассчитана кинетика нарастания люминесценции и ее энергетический спектр. Исследован механизм возникновения радиолюминесценции. Полосы люминесценции при 300 нм и 320 нм возникают вследствие рекомбинации зонных электронов с VK и Vka-центрами соответственно. Полоса 550 нм обусловлена рекомбинацией мобильных дырок с (Pb+)- ионами.
Ключевые слова: кристаллы, радиация, люминесценция, центры окраски.
Chornij Z.P., Vajdanitch V.I., Pirko I.B., Djachuk N. V., Salapak V.M. Ra-dioluminescence BaCl2-Pb Crystals at Temperatures T <145 K
In the linear model of the crystal the mechanism of excitation own and activator of luminescence in crystals BaCl2-Pb is investigated. It is shown that at temperatures T<145 K range radioluminescence consists of three bands of luminescence with maxima at 300 nm region (own luminescence), 320 nm and 550 nm (luminescence activator). The luminescence kinetics of growth and its energy spectrum are calculated. The mechanism of occurrence radi-oluminescence is studied. Luminescence bands at 300 nm and 320 nm result from the recombination of electrons with VK band and VKA-centers, respectively. Five hundred fifty nm band is due to recombination of mobile holes with (Pb+)- ions.
Key words: crystals, radiation, luminescence, color centers.
УДК 539.1.074:621.319.5 Проф. В.Б. Дудикевич1, д-р техн. наук;
проф. В.М. Максимович1, д-р техн. наук; асист. Ю.М. Костхе1, канд. техн. наук; ген. директор Р. Т. Смук2
1М1ТАЦ1ЙНА МОДЕЛЬ ДОЗИМЕТРИЧНОГО ДЕТЕКТОРА З МЕРТВИМ ЧАСОМ НЕПРОДОВЖУВАЛЬНОГО ТА ПРОДОВЖУВАЛЬНОГО ТИП1В
Розроблено модель дозиметричного детектора (ДД), що може працювати у двох режимах - з мертвим часом непродовжувального та продовжувального тишв. В основi структурно! схеми моделi е генератор псевдовипадкових чисел (ГПВЧ). Наведено ста-тичш характеристики моделi для рiзних значень потужносй експозицшно! дози, чутли-вост детектора i тривалост мертвого часу. Представлено результати дослщження ста-тистичних характеристик для випадку програмно! реалiзацii ГПВЧ з допомогою стандартно! функци середовища Delphi - random. Модель може бути використана на етапах
1 НУ "Львгвська полггехнка";
2 приватне шдприемство " Науково-виробниче приватне шдприемство " Спаринг - Bier Центр";
