CC BY
18
УДК 658.38
ДОВУЗОВСКАЯ ПОДГОТОВКА ШКОЛЬНИКОВ ПО ОРГАНИЧЕСКОЙ химии
© И.К. Анохина
Воронеж. Воронежский государственный университет
Органическая химия - наука, изучающая огромный фактологический материал, возрастающий с каждым годом. Поэтому важно подготовить будущего студента химического факультета к овладению этим материалом еще на школьной скамье. В настоящее время химфак ВГУ имеет договоры о сотрудничестве с 10 школами города и области. По этим договорам в школах работают преподаватели химфака, а школьники имеют право совмещать выпускные экзамены в школе со вступительными экзаменами в ВГУ.
Разработаны программы по органической химии для классов с углубленным изучением как химии, так и биологии. В этих программах особенное внимание уделяется теоретической органической химии: пространственному строению, электронным эффектам в. органических " молекулах, механизмам органических реакций. В настоящее время почти половина студентов химфака - выпускники профилированных классов.
Наряду с подготовкой абитуриентов ведется работа с одаренными школьниками - победителями районных и областных химических олимпиад - для их дальнейшего участия во Всероссийских и международных олимпиадах. Победители областных олимпиад и олим-
пиад более высокого ранга принимаются на химфак без вступительных экзаменов.
Проводится также работа по повышению квалификации учителей по линии ИПК и ПРО Воронежской области. Так, учителям читаются спецкурсы: «Теоретические основы органической химии». «Биоорганиче-ская химия», «Метод МО в органической химии» Преподаватели химфака являются членами квалификационной комиссии по аттестации учителей.
Выпущено 1-е гадание пособия хля учителей И.К. Анохиной «Современное состояние теории химического строения органических соединений». В настоящее время готовится 2-е гадание этого пособия, которое будет рекомендовано также учащимся профилированных классов.
Все это позволяет подготовить-абитуриента к. успешному обучению не только на химфаке ВГУ, но и во всех высших учебных заведениях, в которых органическая химия является предметом, без которого невозможно овладеть выбранной специальностью (медицинской, биологической, фармацевтической, экологической, агрохимической, лесохимической, химико-технологической и т. д.).
УДК 542.943:546.681'19:546.682'18
ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА СаАв И 1пР С ПРИМЕНЕНИЕМ
ФОСФАТА АММОНИЯ
© С.С. Лаврушина, И.Я* Миттова, АЕ. Константинов. А.А. Муратов
Воронеж, Воронежский государственный университет
Введение в окислительную атмосферу соединешш-активалгоров, изменяя механизм окислеши полупроводников. способствует ускоренному рост\- на них диэлектрических пленок с улучшенные свойствами [1]. Так, оксиды и хлориды р- и (/-элементов ускоряют процесс оксидирования за счет транзитной передачи кислорода элементам полупроводника. Было показано, что аммиак и соли аммония также стимулируют термическое окисление арсенида галлия [2 - 3]. Соли аммония, легко разлагаясь при нагревании, пред-
ставляют собой удобный способ введешія примеси в окисигтельную атмосферу.
В данной работе исследовали термооксидирование ОаАз и 1пР в присутствии фосфата аммония. Использовали полированные пластины ОаАі марки САГОЧ-ІПОО), отмытые по стандартной методике, и пластішы 1пР марки ФИЭ-1а (100). Контейнер со смесью измельченных ортофосфата аммония марки ЧДА и силикагеля помещали в зону’ реакции на расстоянии 5 см от расположенной вертикально пластины. Окисление проводи-
Кинетические параметры окисления GaAs и 1пР в присутствии фосфата аммония
Параметры окисления GaAs InP
0,33 0.40
ЭЭА. кДж/моль 242 242
Ускорение, раз 6 1.5
ли во влажном кислороде в установке с резистивным нагревом при температурах: GaAs - от 510 до 580° С. InP - от 540 до 620° С. Толщину образующихся слоев определяли на лазерном эллипсометре ЛЭФ-ЗМ.
Кинетические результаты обрабатывали с использованием степенного уравнения d = (At)" [1], где d -толщина пленки, нм: / - время окисления, мшг. к - константа скорости, нм‘ "/мшг Соответствующие параметры приведены в следующей таблице (ускорение дано для Гок= 540° С. /ож = 60 мин.).
О составе слоев судили по данным ИК-спектроскопии (спектрофотометр UR-10 и Specord-IR-75 ). ультрамяпсой реіптеновской спектроскопии (РСМ-500), реіптеновской фотоэлектронной спектроскопии (элек-тронный спектрометр PHI 5400 Perkin Elmer USA. излучение Mg ICJ и метолом рсьтгеновской дифракции (рентгеновский дифрактометр, источник излучения Си К*). Пленки на арсениде галлия состоят из оксида галлия. фосфата и метафосфата галлия. Кроме того, в ИК-спектрах имеются полосы поглощения, отвечающие связям As-O. С увеличением времени окисления интенсивность полос поглощения, отвечающих оксидам галлия и мышьяка уменьшается, а фосфат-аниону - увеличивается. Кроме того, методом РФЭС на поверхности пленок -зафиксирован азот в виде иона аммония и. по всей видимости, в шпридной форме. Слои на фосфиде индия также в основном состоят из оксида и фосфата индия.
Совокупность полученных результатов позволяет предположить следующий механизм формирования пленок на GaAs и 1пР Фосфат аммония при нагревании разлагается с образованием аммиака и ортофосфорної!
кислоты. Последняя при высоких температурах превращается в полифосфорные кислоты, которые и осаждаются на поверхности полупроводников. Схожесть кинетических параметров для ОаА5 и 1пР указывает на то. что прирост толщины слоев на разных полупроводниках определяется процессом осаждения примеси на подложках. При диффузии элементов подложек через образовавшийся слой примеси происходит их взаимодействие с образованием фосфатов галлия и мышьяка (ОаА5) и шипя (1пР). Этот процесс является определяющим. Собственное окисление полултроводников с образованием оксидов образующих их элементов не вносит существенного вклада в формироваш!е результирующих слоев, так как фосфатообразование начинается уже на внутренней границе пленки и продолжается в ее объеме. Такой механизм образовать диэлектрических покрытий в случае фосфида индия существенно уменьшает возможность обратного транзита кислорода от окаиа индия к фосфору с образованием неокисленного индия, который имеет место в случае собственного окисления 1пР. Это в свою очередь приводит к тому, что диэлектрическая прочность пленок, полученных в присутствии фосфата аммония, на порядок выше эталонных. В случае СаЛ* меньшая срочность мьши>яка к образованию фосфата приводит к его накоплению на внутренней границе радела и ухудшению электрической прочности слоев Об >том косвенно свидетельствует «зарезание» ИК-спектров.
Таким образом, введешь в окислительную атмосферу фосфата аммония существенно ускоряет и изменяет механизм окисления арсенида галлия и фосфида индия и позволяет получить удовлетворительные по свойствам слои.
ЛИТЕРАТУРА
1 Миттова II.Я.. Пшестанчик В.Р. Успехи химии 1991 7 6"
С 1898-1919
2 Миттова И.Я.. Пшестанчик В.Р.. Лаврушина Мальцева ■ ХА.
Неорган материалы 1994 Г 3<> \*Х С ' Миттова И.Я.. Лаврухиина С.С.. Пшестанчик Ь.г\. Криле**' ■ В.
Неорган материалы 1^96 Т 32 .Чго Г г*оI
УДК 542.943:546.6X1 19
ПРИМЕНЕНИЕ ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ и парциальных ВЕЛИЧИН ПРИ ОПИСАНИИ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В ПРИСУТСТВИИ
СМЕСИ СОЕДИНЕНИЙ-АКТИВАТОРОВ
© В.Р. Пшестанчнк. И.Я. Миггова. В.Ф. Костршков
Зорон^лс. Зорине x . сс\ \зрс'п~енный университет
Примесное термооксидироваш!е полупроводников шла А"'В‘ вообше и ОаАл в частости и$\чено весьма подробно. Установлено, что введе[ше соедпнении-.истивагоров способствует ускоренному формированию дюлектрических слоев на их поверхности, и выявлена основная пр1!Ч1ша подобного воздействия Взаимодействия. протекающие при этом, являются многостадий-
ными последоватетьно-пара тельными процесса\01 в открытых гетеротенных системах. Они достаточно хорошо изучены для случаев, когда в качестве примеси выступает одно соединение-активатор Для дальнейшего развития представлений о кинетике и механизме подобных гетерогешых взаимодействий типа «твердое тело - твердое тело» и «твердое тело - газ» целесо-
