CC BY
33
УДК 621.382.822: 621.382.323 (035.8)
В.А.Малышев, К.А.Филь ОСНОВЫ КОМПЬЮТЕРНОГО АНАЛИЗА УСЛОВИЙ ПОЯВЛЕНИЯ ГАННОВСКИХ АВТОСОЛИТОНОВ
При использовании уравнений разогрева и дрейфа носителей заряда в ар-сениде галлия с учетом изменения эффективной массы носителей за счёт их разогрева постоянным электрическим полем [1,2], были составлены компьютерные программы (Visual C++ 6.0) одномерного физико-топологического моделирования [3], с помощью которых были проанализированы условия возникновения ганновских автосолитонов. Результаты анализа представлены на графиках, где x = E/E п - приложенное постоянное электрическое поле E нормированное
по пороговому полю (E п =4кв/см ); Ь(мкм)
- длина активной области; n - концентрация носителей (м -3).
Выше приведенных соответствующих кривых наблюдается появление автосоли-тонов [4].
1. Малышев В.А. Теория разогревных нелинейностей плазмы твердого тела, Ростов на Дону, изд. РГУ, 1979г. 264с.
2. Малышев В. А., Филь К. А. Компьютерное моделирование нелинейной СВЧ проводимости диодов Ганна с однородным полем. Радиотехника №2, 2001г. с.90- 98.
3. Механцев Е.Б., Кильметов Р.С. Исследование характеристик элементов интегральных схем на основе физико-топологической модели. Таганрог: ТРТУ, 1997. 78с.
4. Кернер Б.С., Осипов В.В. Автосолитоны. М:Наука, 1991. 200с.
