CC BY
0Muhammad al-Xorazmiy nomidagi TATU Farg'ona filiali "Al-Farg'oniy avlodlari" elektron ilmiy jurnali ISSN 2181-4252 Tom: 1 | Son: 2 | 2024-yil
"Descendants of Al-Farghani" electronic scientific journal of Fergana branch of TATU named after Muhammad al-Khorazmi. ISSN 2181-4252 Vol: 1 | Iss: 2 | 2024 year
Электронный научный журнал "Потомки Аль-Фаргани" Ферганского филиала ТАТУ имени Мухаммада аль-Хоразми ISSN 2181-4252 Том: 1 | Выпуск: 2 | 2024 год
Nur diodlarining ulanish sxemalari va ishlash rejimlari
Komilov Abdullajon Odiljon o'g'li
TATU Farg'ona filiali Telekommunikatsiya injiniring kafedrasi katta o'qituvchisi E-mail: tatufftelekom91@mail.ru
Annotatsiya. Nur diodlari (LED - Light Emitting Diodes) bugungi kunda keng ko'lamda qo'llaniladigan yoritish texnologiyalaridan biri hisoblanadi. Ularning yuqori samaradorligi, uzoq xizmat qilish muddati va past iste'moli ularni turli sohalarda ommalashtirgan. Mazkur annot atsiyada nur diodlarining ulanish sxemalari va ishlash rejimlari tahlil qilinadi.
Kalit so'zlar: Nur diodlari, tok impulsi, razvertkada, tranzistor
fotoo'tkazuvchanlik, fotoqabulqilgich, eksponensial
Kirish. Nur diodlari manba bilan ta'minlash xar xil usullarda amalga oshiriladi: doimiy tok orqali, impuls ish xolatida (Masalan, ekponenta xolatida yaratilgan tok orqali). Ushbu rejimlar, ularning vaqt diagrammalari va matematik ifodalanishilari 1-jadvalda keltirilgan. Xar bir xolatni birma bir ko'rib o'tamiz.
Doimiy tok orqali manbaalantirish eng sodda usuldir, chunki uni amalga oshirish uchun maxsus qurilmalar (generatorlarga) extiyoj yo'q. Istemolga tok uzatuvchi rezistor orqali ulanadi. Bu rezistorning qarshiligi quyidagi ifodadan aniqlanadi: R = (ÜM-ÜYo.D)/In
Bunda Um- manbaa kuchlanishi; Uy o.D- nur diodlari dagi kuchlanish tushuvi, uning qiymatlari 1,0 dan 2,2 V gacha; In- nur diodlarining nominal toki.
Ushbu manbaa rejimi signalni optik kanalda modulyatsiyalovchi bir kanalli optoelektron o'lchovchi o'zgartirgichlar uchun juda ma'quldir (Masalan, donalangan maxsulotni sanash uchun, gazlama zichligini o'lchash va sh.k.)
Agar nur diodlari ikki to'lqinli uskuna ishlatilsa, bu xolat oqimlarni vaqt bo'yicha bo'lib tashlash imkonini beradi va shuning uchun, ikkala oqimga sezgir bo'lgan spektral xarakteristikali yagona foto qabulqilgich ishlatiladi. Birinchi rejimga nisbatan signalni kuchaytirish va qayta ishlash jarayonlari soddalashadi. Avtonom manbaali asboblarni loyixalashda o'ta zarur bo'lgan engergiya sarfi kamayadi. Nur diodlari quvvatining sochilishini VAX ni chiziqli approksimatsiyasini xisobga olgan xolda quyidagi formuladan topish mumkin:
Wsoch=IyodU2yod+I2yod rd
bunda Iyod-YoD orqali tok; rd -YoD ning dinamik qarshiligi.
Tokning effektiv qiymati
i*=Iu4Q .
bunda I-impulsli tok; Q- g'ovaklik. Bunda eng katta mumkin bo'lgan tok qiymati
T
Imax = I HjQ = I
^г-impuls
t..
davomiyligi. Г-pauza
bunda davomiyligi.
Anglashiladiki, nurlanishning zarur bo'lgan quvvatini olish uchun impuls davomiyligini kamaytirish va impulslar orasidagi pauzani kattalashtirish zarurdir. Shuni aytish kerakki, tok impulslari davomiyligi fotoqabulqilgichning tezkorligi bilan chegaralangandir. Agar (fototok)
318
Muhammad al-Xorazmiy nomidagi TATU Farg'ona filiali "Al-Farg'oniy avlodlari" elektron ilmiy jurnali ISSN 2181-4252 Tom: 1 | Son: 2 | 2024-yil
"Descendants of Al-Farghani" electronic scientific journal of Fergana branch of TATU named after Muhammad al-Khorazmi. ISSN 2181-4252 Vol: 1 | Iss: 2 | 2024 year
Электронный научный журнал "Потомки Аль-Фаргани" Ферганского филиала ТАТУ имени Мухаммада аль-Хоразми ISSN 2181-4252 Том: 1 | Выпуск: 2 | 2024 год
fotoo'tkazuvchanlik (3...4) ф ichida o'rnatilishga ulgursa, unda
ti>(3...4) Тф
bunda ф -fotoqabulqilgichning vaqt doimiysi.
Kerak bo'lgan g'ovaklikni tanlash orqali nurlanishning zarur bo'lgan yuqori quvvatini ta'minlash mumkin. Bunda nur diodlari nominal quvvatidan bir-ikki darajada yuqori quvvatga erishilishi.
Uchinchi rejim-funksional rejimdir. Uning afzalligi matematik operatsiyalarni intensivlashuvida va nazorat asboblarida qo'llanilganda qurilmaning uzatish xarakteristikalarini chiziqli bo'lishidadir. Bu bilan nur diodlari qurilmaning tizimi soddalashadi va aniqligini ortadi.
Adabiyotlar tahlili va metodologiya. Ushbu maqolani yozishda bir qancha mavzuga oid normativ qonuniy hujjatlar, adabiyotlar, ilmiy maqolalar o'rganib tahlil qilingan. Ularni orasida O'zbekiston Respublikasi Prezidentining "Raqamli o'zbekiston — 2030" strategiyasini tasdiqlash va uni samarali amalga oshirish chora-tadbirlari to'g'risidagi PF-6079-sonli Farmoni, O.X.Qo'ldashovning (maqola muallifi)ning "Ionizatorning kompyuter modeli", "Моделирование dc-dc преобразователя для фотоэлектрического модуля", "Development of Simulation Model of Power Installations for power Supply for Agricultural Consumers", nomli maqolalari tahlil qilingan va ulardan iqtiboslar keltirilgan.
Natijalar. Eksponenta qonuni bo'yicha o'zgaruvchi tok bilan bir qatorda ta'minlanganda tokning mumkin bo'lgan eng katta qiymati quyidagi ifodadan aniqlanadi:
I_ = I.
aT
m - и 1 -aT '
1 - e
1
Тэ ■ Тэ
eksponensial tokning vaqt
a = —
bunda doimiysi;
T- eksponensial impuls doimiysiga teng bo'lgan o'lchash vaqti.
Eksponensial razvertkada nur diodlari nurlanishning quvvatini orttirish vaqt doimiysini
eksponenta doimiyligini kichraytirish va nur diodlari tokining boshlang'ich maksimal qiymatini orttirish bilan mumkin bo'ladi. Biroq, vaqt doimiysini kichraytirish sezgirlikni kamayishi va xatoliklarni ortishiga olib keladi. Nurlanish quvvatini yanada ortirishga diskret funksional rejimdagi manbaa orqali ta'minlash bilan erishish mumkin. Bunda nur diodlari orqali o'tuvchi eng katta mumkin bo'lgan tok qiymati
I. aT
Im =4Q
1 - е
-aT
Yorug'lik diodlarining ulanish sxemalarini ko'raylik. Bir nur diodlari bilan ulash sxemalari 1.8-rasmda keltirilgan.
Nur diodlari orqali o'tayotgan Iyod tokning qiymati 1.8, a rasmdagi sxema uchun R„ qarshilikka, Uw-manbaa kuchlanishiga va nur diodlari dagi kuchlanishlar tushuviga bog'liq:
Iyod=(Uu~ Uyod)/RH
1.8, b rasmdagi sxema uchun Ukir ~ Uchiq ,tok
esa
I„ = I, (1+ß) ^ ,
Гкир R
Bunda Rkir, rkir-kaskadning va tranzistorning kirish qarshiligi; rd- nur diodlari ning dinamik
qarshiligi; ß -tokning kuchayish koeffitsienti.
Agar Rkir ~ rkir ,xamda re«Rn deb xisoblansa, bu xolatga kuchlanishli manbaa orqali osongina erishish mumkin, unda
Iд = IKUP (1 + ß)R + R
э H
R
ifodaga ega bo'lamiz.
319
Muhammad al-Xorazmiy nomidagi TATU Farg'ona filiali "Al-Farg'oniy avlodlari" elektron ilmiy jurnali ISSN 2181-4252 Tom: 1 | Son: 2 | 2024-yil
"Descendants of Al-Farghani" electronic scientific journal of Fergana branch of TATU named after Muhammad al-Khorazmi. ISSN 2181-4252 Vol: 1 | Iss: 2 | 2024 year
Электронный научный журнал "Потомки Аль-Фаргани" Ферганского филиала ТАТУ имени Мухаммада аль-Хоразми ISSN 2181-4252 Том: 1 | Выпуск: 2 | 2024 год
Rasm 1.Ulanish sxemalari
1.8 v,g rasmdagi sxemalar uchun nur diodlari
orqali tok
1 XA -
Ued - U„
R + Ъ
bunda Uk.e.ochish-tranzistor ochiq xoldagi qoldiq kuchlanish.
Agar Um » Uyod, Up » Uk.e va Rk » rd deb xisoblasak, unda
r = Um
Б = RK '
Tranzistor bazasidagi tok
IB = (Utr-UBE)/Rb,
Rb-qarshiligi tranzistorning to'yinish tokini ta'minlashi kerak.
IБ - SIK / ß
bunda S=IB/IBgr-to'yinish koeffitsienti; hgr-baza tokining chegaraviy qiymati.
Nur diodlarilarni ulash sxemalari ko'rsatadiki, 1.8 v,g rasmdagi sxemalar yuqori tez ta'sirga ega va agar ularni to'yinishgacha olib borilmasa tok generatorlari bo'ladi. 1.8, b rasmdagi sxema kuchlanish generatoridir. Shuning uchun nur diodlari
orqali tok nur diodlari ning yuklama rezistori qarshiligi bilan aniqlanadi.
Eng katta tez ta'sirlikka 1.8 v.g. rasmdagi sxemalar egadir. Ularning farqi shundaki, 1.8, g rasmdagi sxemada nur diodlari umumiy shinaga ulangan. Shuni xam ta'kidlash kerakki, nur diodlari orqali tokning qiymati uning ichki qarshiligi bilan aniqlanadi. Ushbu nostabilliklarni yo'qotish uchun manbaa kuchlanishi Um ortirish zarur, chunki tranzistor va nur diodlari kiritadigan nostabillik
AU
Uм
AU
bunda н -tranzistor va nur diodlaridagi kuchlanish tushuvining o'zgarishidan kelib chiqqan nostabillik.
Shunday qilib, Um kancha katta bo'lsa, Rk va Rn qarshiliklar shuncha katta bo'lishi kerak va natijada nur diodlarining ichki qarshiligining ta'siri kamroq bo'ladi.
Nur diodlarini ikki to'lqinli qurilmalarda ishlatishda bazaviy va o'lchash kanallarining nur diodlari larini ulashning to'rt xil variantini farqlash kerak: qarama-qarshi paralel; ketma-ket, qarama-qarshi ketma-ket, aloxida (bog'liq bo'lmagan) ulanishlar.
Xulosa. Xulosa qilib aytadigan bo'lsak nur diodlarining ulanish sxemalari va ishlash rejimlari ularning samarali va barqaror ishlashini ta'minlash uchun muhim ahamiyatga ega. To'g'ri tanlangan sxema va ishlash rejimi nur diodlarining uzoq muddatli xizmat ko'rsatishiga, energiya samaradorligiga va umumiy ishlash sifatini oshirishga yordam beradi. Nur diodlarning samarali va to'g'ri qo'llanilishida muhimdir. Har bir ulanish sxemasi va ishlash rejimi muayyan sharoitlarda o'z afzalliklariga ega bo'lib, ularni to'g'ri tanlash nur diodlarining imkoniyatlarini maksimal darajada oshirishga yordam beradi.
ADABIYOTLAR RO'YXATI
1. O'zbekiston Respublikasi Prezidentining "Raqamli o'zbekiston — 2030" strategiyasini tasdiqlash va uni samarali amalga oshirish chora-
320
Muhammad al-Xorazmiy nomidagi TATU Farg'ona filiali "Al-Farg'oniy avlodlari" elektron ilmiy jurnali ISSN 2181-4252 Tom: 1 | Son: 2 | 2024-yil
"Descendants of Al-Farghani" electronic scientific journal of Fergana branch of TATU named after Muhammad al-Khorazmi. ISSN 2181-4252 Vol: 1 | Iss: 2 | 2024 year
Электронный научный журнал "Потомки Аль-Фаргани" Ферганского филиала ТАТУ имени Мухаммада аль-Хоразми ISSN 2181-4252 Том: 1 | Выпуск: 2 | 2024 год
tadbirlari to'g'risidagi PF-6079-sonli Farmoni. 05.10.2020
2. Komilov A. O. Alternative Sources Of Electricity Premiere In The Systems Of Telecommunications //Перспективные
информационные технологии (ПИТ 2018). -2018. - С. 372-375.
4. Khurshidjon, Y., et al. "Transition photoelectric processes in a superfluid gas-discharge cell with semiconductor electrodes." Academicia: An International Multidisciplinary Research Journal 10.5 (2020): 100-109.
5. Komilov, A., Xatamova, Z., Rustamov, I., Xolmatov, S., Arabboyev, X., & Ibragimov, N. Z. (2024, November). Increasing the sensitivity and selectivity of an optoelectronic gas analyzer. In E3S Web of Conferences (Vol. 508, p. 01009).
6. Kuldashov, O., Djalilov, B., Komilov, A., Tillaboev, M., & Abdusamatov, D. (2024, March). Device for control of dangerous gas issued by a geothermal well. In American Institute of Physics Conference Series (Vol. 3045, No. 1, p. 020007).
321
